技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種用于鎢沉積前的接觸孔表面的處理方法，包括：第一步驟：對半導(dǎo)體器件晶圓的硅襯底執(zhí)行接觸孔干法刻蝕，形成接觸孔；第二步驟：對形成的接觸孔進(jìn)行第一次濕法清洗以去除接觸孔表面的雜質(zhì)；第三步驟：通過離子注入，在接觸孔表面形成的非晶態(tài)層，從而，使接觸孔表面殘留的聚合物的結(jié)構(gòu)變得疏松，在后續(xù)濕法清洗中易于剝落；第四步驟：對接觸孔進(jìn)行第二次濕法清洗以去除接觸孔表面的殘留雜質(zhì)和接觸孔表面的非晶態(tài)層；第五步驟：對接觸孔進(jìn)行接觸孔金屬填充。

技術(shù)研發(fā)人員：肖天金;鐘斌;高林;周海鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號碼：201610985481
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.09
技術(shù)公布日：2017.02.22