本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法。

背景技術(shù)：

目前55納米半導(dǎo)體集成電路制造工藝后段金屬間電介質(zhì)層一般有三到五層，每層的薄膜堆積模式為：碳化硅阻擋層/低介電常數(shù)二氧化硅層/二氧化硅掩模/金屬氮化鈦掩模/二氧化硅覆蓋，五層薄膜沉積中的任何一個站點都有可能會產(chǎn)生顆粒缺陷問題，如果在沉積當(dāng)站發(fā)現(xiàn)表面缺陷，可以通過洗滌器的方法進行返工，將晶圓表面顆粒沖洗掉，但是如果是埋入型顆粒缺陷，顆粒的一部分深埋在薄膜中間，如圖1所示，這種情況洗滌器不能發(fā)揮作用，則只能直接釋放該批次或者報廢晶圓，沒有任何其他返工流程。這樣就造成了極大的產(chǎn)品良率損失和成本提升。

由此，希望能夠提供一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，包括：

第一步驟：在二氧化硅覆蓋層上形成金屬氮化鈦掩模的工藝之后檢測到埋入型顆粒缺陷；

第二步驟：通過刻蝕去除金屬氮化鈦掩模；

第三步驟：使得二氧化硅覆蓋層平坦化；

第四步驟：對平坦化的二氧化硅覆蓋層進行二氧化硅生長，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層的厚度達到目標厚度。

優(yōu)選地，第三步驟通過化學(xué)機械研磨使得二氧化硅覆蓋層平坦化。

優(yōu)選地，第三步驟使得二氧化硅覆蓋層的厚度減薄。

優(yōu)選地，目標厚度是化學(xué)機械研磨之前的二氧化硅覆蓋層的厚度。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，包括：

第一步驟：在形成二氧化硅覆蓋層的工藝之后檢測到埋入型顆粒缺陷；

第二步驟：使得二氧化硅覆蓋層平坦化；

第三步驟：對平坦化的二氧化硅覆蓋層進行二氧化硅生長，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層的厚度達到目標厚度。

優(yōu)選地，第二步驟通過化學(xué)機械研磨使得二氧化硅覆蓋層平坦化。

優(yōu)選地，第二步驟使得二氧化硅覆蓋層的厚度減薄。

優(yōu)選地，目標厚度是化學(xué)機械研磨之前的二氧化硅覆蓋層的厚度。

本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問題。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了埋入型顆粒缺陷的顯微示圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第一步驟。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第二步驟。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第三步驟。

圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第四步驟。

圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第一步驟。

圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第二步驟。

圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第三步驟。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。

本發(fā)明的發(fā)明人分析金屬間電介質(zhì)層的埋入型顆粒缺陷造成的良率降低的原因，基本是由于埋入型顆粒缺陷的突起影響到后續(xù)光刻的圖形曝光，最終導(dǎo)致銅線斷開，如果在晶圓存在埋入型顆粒缺陷后能將金屬間電介質(zhì)層表面磨平，再按照原工藝堆疊方式進行返工，則不會有此問題。

下面將具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。

<第一優(yōu)選實施例>

圖2至圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的各個步驟。

如圖2至圖5所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法包括：

第一步驟：在二氧化硅覆蓋層20上形成金屬氮化鈦掩模30的工藝之后檢測到埋入型顆粒缺陷10；

第二步驟：通過刻蝕去除金屬氮化鈦掩模30；

第三步驟：使得二氧化硅覆蓋層20平坦化；

一般，第三步驟通過化學(xué)機械研磨使得二氧化硅覆蓋層20平坦化。

其中，第三步驟使得二氧化硅覆蓋層20的厚度減薄。

第四步驟：對平坦化的二氧化硅覆蓋層20進行二氧化硅生長，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層20的厚度達到目標厚度。

例如，目標厚度是化學(xué)機械研磨之前的二氧化硅覆蓋層20的厚度。

由此，本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問題。

<第二優(yōu)選實施例>

圖6至圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的各個步驟。

如圖6至圖8所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法包括：

第一步驟：在形成二氧化硅覆蓋層的工藝之后檢測到埋入型顆粒缺陷；

第二步驟：使得二氧化硅覆蓋層20平坦化；

一般，第二步驟通過化學(xué)機械研磨使得二氧化硅覆蓋層20平坦化。

其中，第二步驟使得二氧化硅覆蓋層20的厚度減薄。

第三步驟：對平坦化的二氧化硅覆蓋層20進行二氧化硅生長，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層20的厚度達到目標厚度。

例如，目標厚度是化學(xué)機械研磨之前的二氧化硅覆蓋層20的厚度。

同樣，由此，本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問題。

本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問題。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。

而且還應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不限于此處描述的特定的方法、化合物、材料、制造技術(shù)、用法和應(yīng)用，它們可以變化。還應(yīng)該理解的是，此處描述的術(shù)語僅僅用來描述特定實施例，而不是用來限制本發(fā)明的范圍。必須注意的是，此處的以及所附權(quán)利要求中使用的單數(shù)形式“一個”、“一種”以及“該”包括復(fù)數(shù)基準，除非上下文明確表示相反意思。因此，例如，對“一個元素”的引述意味著對一個或多個元素的引述，并且包括本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的它的等價物。類似地，作為另一示例，對“一個步驟”或“一個裝置”的引述意味著對一個或多個步驟或裝置的引述，并且可能包括次級步驟以及次級裝置。應(yīng)該以最廣義的含義來理解使用的所有連詞。因此，詞語“或”應(yīng)該被理解為具有邏輯“或”的定義，而不是邏輯“異或”的定義，除非上下文明確表示相反意思。此處描述的結(jié)構(gòu)將被理解為還引述該結(jié)構(gòu)的功能等效物?？杀唤忉尀榻频恼Z言應(yīng)該被那樣理解，除非上下文明確表示相反意思。

而且，本發(fā)明實施例的方法和/或系統(tǒng)的實現(xiàn)可包括手動、自動或組合地執(zhí)行所選任務(wù)。而且，根據(jù)本發(fā)明的方法和/或系統(tǒng)的實施例的實際器械和設(shè)備，可利用操作系統(tǒng)通過硬件、軟件或其組合實現(xiàn)幾個所選任務(wù)。