技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于SiO2神經(jīng)仿生層的神經(jīng)仿生器件，包括Ag襯底、在Ag襯底上依次形成的神經(jīng)仿生層和Ag電極層；神經(jīng)仿生層從下而上依次包括：第一SiO2膜層、Ag膜中間層、第二SiO2膜層。同時(shí)，本發(fā)明還公開(kāi)了該神經(jīng)仿生器件的制備方法。本發(fā)明所制備的器件的兩端分別作為兩個(gè)輸入端，分別為突觸前刺激和突觸后刺激，能根據(jù)突觸前刺激和突觸后刺激的時(shí)間差而改變電阻，能夠模仿生物突觸的特性，在施加不同電脈沖的刺激下改變其電阻的阻值，其高低阻態(tài)會(huì)發(fā)生緩慢變化，且范圍穩(wěn)定；出現(xiàn)多個(gè)穩(wěn)定阻態(tài)并具有良好的保持特性，在重復(fù)施加電脈沖刺激的情況下，能夠記住改變的狀態(tài)，高低阻轉(zhuǎn)化的重復(fù)性高，是一種性能更為穩(wěn)定、應(yīng)用前景更為廣闊的神經(jīng)仿生器件。

技術(shù)研發(fā)人員：閆小兵;趙建輝;李小燕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610986620
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.10
技術(shù)公布日：2017.05.10