技術總結
本發(fā)明涉及一種適用于黑硅硅片的減反射層結構，硅基板以及在所述硅基板上形成的減反射層，所述減反射層包括：在所述硅基板形成的第一硅的氮化物材料層；在所述第一硅的氮化物材料層上形成的第二硅的氮化物材料層；在所述第二硅的氮化物材料層上形成的第三硅的氮化物材料層；在所述第三硅的氮化物材料層上形成的硅的氮氧化物材料層；以及在所述硅的氮氧化物材料層上形成的硅的氧化物材料層。上述適用于黑硅硅片的減反射層結構能夠增強其減反射效果，解決了傳統(tǒng)的黑硅硅片鈍化效果差的技術問題，有利于抗電勢誘導衰減，進而提高黑硅硅片的轉化效率。

技術研發(fā)人員：徐云洲;張偉
受保護的技術使用者：徐州鑫宇光伏科技有限公司;協(xié)鑫集成科技股份有限公司;協(xié)鑫集成科技（蘇州）有限公司
文檔號碼：201610986914
技術研發(fā)日：2016.11.09
技術公布日：2017.01.25