本發(fā)明涉及電氣元件領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片封裝模塊。

背景技術(shù)：

電子封裝是指把構(gòu)成系統(tǒng)的元器件和芯片按照電路要求布置、鍵合、互聯(lián)、組裝并且與外部環(huán)境隔離。電子封裝能夠為芯片提供機械支撐、環(huán)境保護和電氣連接等重要功能，但是，電子封裝會影響到芯片和元件的性能。隨著集成磁性器件在芯片中密度的增加、功率的增大，電子封裝對具有集成磁性器件的芯片的性能影響也越來越大。

現(xiàn)有技術(shù)是將具有集成磁性器件的芯片直接安裝在引線框架或封裝基板的表面。具有集成磁性器件的芯片的性能容易受到封裝中產(chǎn)生的渦流影響，造成芯片中的集成磁性器件的功耗增大、品質(zhì)因數(shù)下降、耦合減弱，甚至不能正常工作的情況?，F(xiàn)有技術(shù)已不能滿足具有集成磁性器件的芯片的封裝需要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種芯片封裝模塊，在芯片與封裝基板之間設(shè)置有導(dǎo)磁性中間層，以改善現(xiàn)有的電子封裝由于渦流影響，造成芯片中的集成磁性器件出現(xiàn)功耗增大、品質(zhì)因數(shù)下降、耦合減弱的不足。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種芯片封裝模塊，包括待封裝芯片、導(dǎo)磁性中間層以及封裝基板，所述待封裝芯片設(shè)置有集成磁性器件，所述導(dǎo)磁性中間層固定連接于所述待封裝芯片與所述封裝基板之間。

優(yōu)選地，上述的芯片封裝模塊中，所述導(dǎo)磁性中間層為導(dǎo)磁膠，所述待封裝芯片與所述封裝基板通過所述導(dǎo)磁膠粘接。

導(dǎo)磁膠可以將集成磁性器件產(chǎn)生的磁場向芯片的邊緣引導(dǎo)，從而可以減小進入封裝基板的磁場，避免出現(xiàn)由于產(chǎn)生渦流而影響集成磁性器件的性能的情況。

優(yōu)選地，上述的芯片封裝模塊中，所述導(dǎo)磁性中間層為磁性薄膜，所述磁性薄膜的形狀不小于所述待封裝芯片的形狀。優(yōu)選的所述磁性薄膜的形狀與所述封裝芯片的形狀相匹配。

磁性薄膜的形狀與待封裝芯片的形狀相匹配，既可以使待封裝芯片中集成磁性器件的磁場被磁性薄膜導(dǎo)向邊緣，又由于磁性薄膜的形狀與待封裝芯片的形狀相匹配，不會浪費多余的磁性薄膜，降低了磁性薄膜的成本。

優(yōu)選地，上述的芯片封裝模塊中，所述磁性薄膜的一面通過粘合劑與所述待封裝芯片粘接，所述磁性薄膜的另一面通過粘合劑與所述封裝基板連接。

磁性薄膜可以通過粘合劑分別與待封裝芯片以及封裝基板相連接。當(dāng)然，也可以通過其他的方式與待封裝芯片以及封裝基板連接，具體的連接方式不應(yīng)該理解為是對本發(fā)明的限制。

在芯片封裝模塊中，所述磁性薄膜可以沉積于所述待封裝芯片上將與所述封裝基板相粘合的一面，所述磁性薄膜的遠離所述待封裝芯片的一面通過粘合劑與所述封裝基板粘接。

磁性薄膜還可以沉積于封裝基板上，并且磁性薄膜遠離封裝基板的一面通過粘合劑與待封裝芯片粘接。

優(yōu)選地，上述的芯片封裝模塊中，所述待封裝芯片與所述封裝基板相對的一面通過焊接部實現(xiàn)電連接，例如使用焊球或銅柱凸點與所述封裝基板連接，所述待封裝芯片與所述封裝基板之間設(shè)有具有磁性顆粒的填充物。

在填充物中，增加磁性顆粒，可以使填充物的相對磁導(dǎo)率大于1，從而引導(dǎo)磁場到上述待封裝芯片的邊緣，減小封裝基板的金屬部分中產(chǎn)生的渦流。

優(yōu)選地，上述的芯片封裝模塊中，所述待封裝芯片包括襯底以及介質(zhì)層，所述集成磁性器件為螺旋形線圈，所述襯底的表面開設(shè)有螺旋形凹槽，所述螺旋形線圈與所述螺旋形凹槽相匹配，所述螺旋形線圈設(shè)置于所述螺旋形凹槽內(nèi)，所述介質(zhì)層覆蓋所述襯底的設(shè)置有所述螺旋形線圈的一面，所述襯底的遠離所述介質(zhì)層的一面與所述導(dǎo)磁性中間層固定連接。

芯片中的集成磁性器件可以為螺旋形線圈，即嵌入式電感。導(dǎo)磁性中間層可以將螺旋形線圈(即嵌入式電感)產(chǎn)生的磁場向待封裝芯片的邊緣引導(dǎo)，減小進入封裝基板中的磁場，以提高螺旋形線圈(即嵌入式電感)的性能。并且，螺旋形線圈可以通過介質(zhì)層中的金屬以引線鍵合的方式與外界進行電連接。

優(yōu)選地，上述的芯片封裝模塊中，所述待封裝芯片包括襯底以及介質(zhì)層，所述集成磁性器件為堆疊式變壓器，所述襯底與所述介質(zhì)層固定連接。所述堆疊式變壓器包括第一螺旋形線圈、第二螺旋形線圈、第一導(dǎo)體通路以及第二導(dǎo)體通路。所述第一螺旋形線圈設(shè)置于所述襯底的內(nèi)部，所述第二螺旋形線圈設(shè)置于所述介質(zhì)層的內(nèi)部，所述第一導(dǎo)體通路以及第二導(dǎo)體通路均設(shè)置于所述介質(zhì)層的內(nèi)部，且所述第一導(dǎo)體通路以及第二導(dǎo)體通路位于所述第一螺旋形線圈以及第二螺旋形線圈之間，所述第一導(dǎo)體通路與所述第一螺旋形線圈的一端相連接，所述第二導(dǎo)體通路與所述第一螺旋形線圈的另一端相連接，所述襯底遠離所述介質(zhì)層的一面與所述導(dǎo)磁性中間層固定連接。

優(yōu)選地，上述的芯片封裝模塊中，所述待封裝芯片包括襯底以及介質(zhì)層，所述集成磁性器件為嵌入式變壓器，所述嵌入式變壓器為交纏式變壓器或分隔式變壓器，若所述嵌入式變壓器為交纏式變壓器，所述交纏式變壓器包括至少一個第三螺旋形線圈，所述襯底的表面開設(shè)有至少一個螺旋形凹槽，所述至少一個螺旋形凹槽的數(shù)量與所述至少一個第三螺旋形線圈的數(shù)量相同，且第三螺旋形線圈對應(yīng)設(shè)置于螺旋形凹槽內(nèi)，所述介質(zhì)層覆蓋所述襯底的設(shè)置有所述第三螺旋形線圈的一面，所述襯底的遠離所述介質(zhì)層的一面與所述導(dǎo)磁性中間層固定連接；若所述嵌入式變壓器為分隔式變壓器，所述分隔式變壓器包括第四螺旋形線圈以及第五螺旋形線圈，所述襯底的相對的表面分別開設(shè)有第四螺旋形凹槽以及第五螺旋形凹槽，所述第四螺旋形線圈設(shè)置于所述第四螺旋形凹槽內(nèi)，所述第五螺旋形線圈設(shè)置于所述第五螺旋形凹槽內(nèi)，所述介質(zhì)層覆蓋所述襯底的設(shè)置有所述第四螺旋形線圈的一面，所述襯底的設(shè)置有所述第五螺旋形線圈的一面與所述導(dǎo)磁性中間層固定連接。

集成磁性器件可以為交纏式變壓器，也可以為其他的集成磁性器件。集成磁性器件的具體類型不應(yīng)該理解為是對本發(fā)明的限制。

本發(fā)明提供的芯片封裝模塊包括待封裝芯片、導(dǎo)磁性中間層以及封裝基板。待封裝芯片中設(shè)置有集成磁性器件。導(dǎo)磁性中間層設(shè)置在待封裝芯片以及封裝基板之間。由于導(dǎo)磁性中間層可以將集成磁性器件產(chǎn)生的磁場向待封裝芯片的邊緣引導(dǎo)，從而可以減少進入封裝基板中的磁場，進而可以減小磁場在封裝基板中產(chǎn)生的渦流，提高上述待封裝芯片的性能。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明第一實施例提供的芯片封裝模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是與圖1對應(yīng)的性能曲線示意圖；

圖3a是本發(fā)明第二實施例提供的芯片封裝模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b是圖3a中第一螺旋形線圈以及第二螺旋形線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是與圖3a對應(yīng)的性能曲線示意圖；

圖5是與圖3a對應(yīng)的另一性能曲線示意圖；

圖6a是本發(fā)明第三實施例的一種具體實施方式提供的芯片封裝模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b是圖6a中第三螺旋形線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6c是本發(fā)明第三實施例的另一種具體實施方式提供的芯片封裝模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明第四實施例提供的芯片封裝模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明第五實施例提供的芯片封裝模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明第六實施例提供的芯片封裝模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明第七實施例提供的芯片封裝模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例?；诒景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

詳情請參見圖1，圖1示出了本發(fā)明第一實施例提供的芯片封裝模塊100，該芯片封裝模塊100包括待封裝芯片110、導(dǎo)磁性中間層120以及封裝基板130。導(dǎo)磁性中間層120的一面與所述芯片110固定連接，導(dǎo)磁性中間層120的另一面與所述封裝基板130固定連接。

待封裝芯片110可以包括襯底115、介質(zhì)層116以及集成磁性器件111。所述集成磁性器件111具體可以為螺旋形線圈112，詳情請參見圖1。在襯底115的表面開設(shè)螺旋形凹槽1151，螺旋形線圈112可以設(shè)置于襯底115的螺旋形凹槽1151中。所述介質(zhì)層116覆蓋襯底115的設(shè)置有螺旋形線圈112的一面，襯底115的遠離介質(zhì)層116的一面與導(dǎo)磁性中間層120固定連接。

襯底115的材料通常為硅或玻璃。螺旋形凹槽1151從襯底115的表面延伸至襯底115的內(nèi)部，螺旋形線圈112具體可以由導(dǎo)電材料填充制成。

介質(zhì)層116具體可以由絕緣材料制成，其中也可以有金屬材料，集成磁性器件111可以通過介質(zhì)層116中的金屬材料以引線鍵合的方式和外界進行電連接。

導(dǎo)磁性中間層120具體可以為導(dǎo)磁膠。在聚合物未固化前的可流動的狀態(tài)下，向聚合物中摻入一定比例的磁性顆粒，使得固化后的聚合物的相對磁導(dǎo)率大于1，該聚合物便可以用作導(dǎo)磁膠。根據(jù)摻入的磁性顆粒的比例的不同，通?？梢詫⒕酆衔锏南鄬Υ艑?dǎo)率提升到1.01至20的范圍，導(dǎo)磁膠固化后的厚度在1至200微米。磁性顆粒具體可以為鐵氧體顆粒、導(dǎo)磁合金顆粒等。

封裝基板130中可以設(shè)有金屬平面(圖未示)，封裝基板130中的金屬平面可以與芯片110平行。封裝基板130和芯片110可以通過導(dǎo)磁膠粘接，具體參見圖1。在本實施例及后續(xù)實施例中提到的封裝基板130也可以是引線框架的芯片焊盤，常用材料為銅合金或者鐵鎳合金。

應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)磁膠可以用于粘接芯片110與封裝基板130，也可以用于粘接芯片110與引線框架(圖未示)。

本發(fā)明第一實施例提供的芯片封裝模塊100的工作原理為：

導(dǎo)磁性中間層120(即第一實施例中的導(dǎo)磁膠)粘接于芯片110與封裝基板130之間，芯片110的襯底115中的集成磁性器件111(即第一實施例中的螺旋形線圈112)在通電后會產(chǎn)生磁場，即如圖1示出的帶箭頭的虛線，其中，箭頭所指的方向為磁場的方向。

螺旋形線圈112于通電后產(chǎn)生的磁場可以被導(dǎo)磁膠引導(dǎo)至芯片110的邊緣，從而可以減少進入封裝基板130的磁場，進而可以減小磁場在封裝基板130中產(chǎn)生的渦流，提高芯片110的性能。

具體地，以相對磁導(dǎo)率為10，厚度為20微米的導(dǎo)磁膠為例，該導(dǎo)磁膠將上述的芯片110粘接于封裝基板130，該封裝基板130內(nèi)具體可以設(shè)有厚度為35微米的金屬平面，上述的芯片110的品質(zhì)因數(shù)Q的仿真結(jié)果如圖2中的曲線a1所示。相對于未使用導(dǎo)磁性中間層120(即相對磁導(dǎo)率為10，厚度為20微米的導(dǎo)磁膠)的曲線a2，使用導(dǎo)磁性中間層120的芯片110的品質(zhì)因數(shù)有了顯著的改善。例如，10MHz時，a1的品質(zhì)因數(shù)為10.7，a2的品質(zhì)因數(shù)為5.9，詳情請參見圖2。

上述的螺旋形線圈112具體可以用作電感器，第一實施例示出的螺旋形線圈112可以作為嵌入式電感，應(yīng)當(dāng)理解，線圈位于芯片110表面的片上電感結(jié)構(gòu)也同樣適用于本發(fā)明提供的芯片封裝模塊100。

詳情請參見圖3a，圖3a示出了本發(fā)明第二實施例提供的芯片封裝模塊200，第二實施例與第一實施例相比，區(qū)別在于：集成磁性器件為堆疊式變壓器213。

堆疊式變壓器213包括第一螺旋形線圈2131、第二螺旋形線圈2132、第一導(dǎo)體通路2133以及第二導(dǎo)體通路2134，詳情請參見圖3b。第一螺旋形線圈2131與第一實施例中的螺旋形線圈112相同，均設(shè)置于襯底215。第二螺旋形線圈2132則設(shè)置于介質(zhì)層216內(nèi)，第一導(dǎo)體通路2133以及第二導(dǎo)體通路2134同樣設(shè)置于介質(zhì)層216內(nèi)，且第一導(dǎo)體通路2133以及第二導(dǎo)體通路2134位于第一螺旋形線圈2131以及第二螺旋形線圈2132之間，詳情請參見圖3。并且，第一導(dǎo)體通路2133與第一螺旋形線圈2131的一端相連接，第二導(dǎo)體通路2134與第一螺旋形線圈2131的另一端相連接。

詳情請參見圖4，未設(shè)置導(dǎo)磁性中間層220(即相對磁導(dǎo)率為1)時，第一螺旋形線圈2131的電感曲線如圖4中c2所示，第二螺旋形線圈2132的電感曲線如圖4中的b2所示，兩個線圈之間的耦合系數(shù)的曲線如圖5中的d2所示。

使用相對磁導(dǎo)率為10，厚度為20微米的導(dǎo)磁膠作為導(dǎo)磁性中間層220時，第一螺旋形線圈2131的電感曲線如圖4中c1所示，第二螺旋形線圈2132的電感曲線如圖4中的b1所示，兩個線圈之間的耦合系數(shù)的曲線如圖5中的d1所示。

圖4表明，設(shè)置導(dǎo)磁性中間層220與未設(shè)置導(dǎo)磁性中間層220相比，第一螺旋形線圈2131的電感值提升了37％，第二螺旋形線圈2132的電感值提升了20％。圖5表明，設(shè)置導(dǎo)磁性中間層220與未設(shè)置導(dǎo)磁性中間層220相比，兩個線圈之間的耦合系數(shù)提升了7％。

圖4與圖5中的第一螺旋形線圈2131以及第二螺旋形線圈2132的線寬均可以為30微米，第一螺旋形線圈2131以及第二螺旋形線圈2132的線間距均可以為20微米，第一螺旋形線圈2131以及第二螺旋形線圈2132的圈數(shù)均可以為八圈；第一螺旋形線圈2131的厚度可以為150微米，第二螺旋形線圈2132的厚度可以為5微米。封裝基板230中的金屬平面的厚度具體可以為35微米。上述具體參數(shù)僅用于舉例展示技術(shù)效果，不構(gòu)成對磁性器件設(shè)計的限制。

本發(fā)明第二實施例提供的芯片封裝模塊200的工作原理與第一實施例提供的芯片封裝模塊100的工作原理相同，在此便不做贅述。

詳情請參見圖6a，圖6a示出了本發(fā)明第三實施例的一種具體實施方式提供的芯片封裝模塊300，圖6a示出的芯片封裝模塊300與第一實施例相比，區(qū)別在于：

所述集成磁性器件為交纏式變壓器314，該交纏式變壓器314包括多個第三螺旋形線圈3141，詳情請參見圖6b。襯底315的表面開設(shè)有多個螺旋形凹槽3151，螺旋形凹槽3151的數(shù)量與第三螺旋形線圈3141的數(shù)量相同，第三螺旋形線圈3141對應(yīng)設(shè)置于螺旋形凹槽3151內(nèi)。多個第三螺旋形線圈3141的數(shù)量包括兩個，兩個第三螺旋形線圈3141中的一個可以為交纏式變壓器314的主線圈，兩個第三螺旋形線圈3141中的另一個可以為交纏式變壓器314的副線圈，詳情請參見圖6b。

詳情請參見圖6c，圖6c示出了本發(fā)明第三實施例的另一種具體實施方式提供的芯片封裝模塊300，圖6c示出的芯片封裝模塊300與第一實施例相比，區(qū)別在于：

所述集成磁性器件為分隔式變壓器324，所述分隔式變壓器324包括第四螺旋形線圈3241以及第五螺旋形線圈3242，所述襯底325的相對的表面分別開設(shè)有第四螺旋形凹槽3251以及第五螺旋形凹槽3252，所述第四螺旋形線圈3241設(shè)置于所述第四螺旋形凹槽3251內(nèi)，所述第五螺旋形線圈3242設(shè)置于所述第五螺旋形凹槽3252內(nèi)，所述介質(zhì)層316覆蓋所述襯底325的設(shè)置有所述第四螺旋形線圈3241的一面，所述襯底325的設(shè)置有所述第五螺旋形線圈3242的一面與所述導(dǎo)磁性中間層320固定連接，詳情請參見圖6c。

其中，第四螺旋形線圈3241可以使用現(xiàn)有技術(shù)的通孔技術(shù)，例如硅通孔(Through-Silicon-Via)或者玻璃通孔(Through-Glass-Via)技術(shù)，連接到芯片遠離待封裝基板的一面，以便進行電連接(圖中未示出)。

所述集成磁性器件可以為主線圈和副線圈都嵌入在芯片襯底中的變壓器，包括主線圈和副線圈從同一側(cè)表面嵌入芯片的變壓器，詳情請參見圖6a；以及主線圈和副線圈從兩側(cè)的表面嵌入芯片的變壓器，詳情請參見圖6c。

本發(fā)明第三實施例提供的芯片封裝模塊300的工作原理與第一實施例提供的芯片封裝模塊100的工作原理相同，在此便不做贅述。

應(yīng)當(dāng)理解，變壓器的線圈可以設(shè)置于襯底內(nèi)，與第二實施例以及第三實施例類似，也可以設(shè)置在芯片310的表面。

詳情請參見圖7，圖7示出了本發(fā)明第四實施例提供的芯片封裝模塊400，第四實施例與第一實施例相比，區(qū)別在于：

所述導(dǎo)磁性中間層420為磁性薄膜，且磁性薄膜的一面通過粘合劑440與待封裝芯片410粘接，磁性薄膜的另一面通過粘合劑440與封裝基板430連接。磁性薄膜的形狀不小于待封裝芯片，優(yōu)選的，磁性薄膜的形狀可以與待封裝芯片410的形狀匹配。

現(xiàn)有的磁性薄膜有不同的形成方式，例如FPC(Ferrite Polymer Composite)、FPF(Ferrite-Plated Film)等。磁性薄膜的生產(chǎn)控制準確，相對磁導(dǎo)率比較穩(wěn)定，薄膜形狀可以剪裁。并且，薄膜本身也具有一定的柔性，若封裝基板430的表面不平坦，也比較容易貼附。磁性薄膜常見的厚度為50至1000微米，且相對磁導(dǎo)率通常為10至500。

本發(fā)明第四實施例提供的芯片封裝模塊400的工作原理與第一實施例提供的芯片封裝模塊100的工作原理相同，在此便不做贅述，由于磁性薄膜具有更高的磁導(dǎo)率和更厚的厚度，對品質(zhì)因數(shù)的改進效果會更好。

可以理解，本實施例中的磁性薄膜也可以由鐵氧體薄片取代，鐵氧體薄片的厚度通常在50至1000微米之間，鐵氧體薄片的磁材料更為致密，相對磁導(dǎo)率可以達到600至6000的范圍。

詳情請參見圖8，圖8示出了本發(fā)明第五實施例提供的芯片封裝模塊500，第五實施例與第一實施例相比，區(qū)別在于：

所述導(dǎo)磁性中間層520為磁性薄膜，磁性薄膜沉積于芯片 510待粘合的一面，磁性薄膜遠離芯片510的一面通過粘合劑540與封裝基板530粘接。

可以理解，磁性薄膜也可以沉積于封裝基板530與待封裝芯片510相對的一面，磁性薄膜的遠離封裝基板530的一面可以通過粘合劑與芯片510粘接。

磁性薄膜有多種沉積方式，例如電化學(xué)方式或物理方式(例如濺射)?？梢杂糜诖判员∧こ练e的材料很多，例如，鐵鎳合金，鈷基合金等。

本發(fā)明第五實施例提供的芯片封裝模塊500的工作原理與第一實施例提供的芯片封裝模塊100的工作原理相同，在此便不做贅述。

詳情請參見圖9，圖9示出了本發(fā)明第六實施例提供的芯片封裝模塊600，第六實施例與第一實施例相比，區(qū)別在于：

所述待封裝芯片610與封裝基板630相對的一面通過焊接部650與封裝基板630連接，且該芯片610中的集成磁性器件611通過焊接部650與封裝基板630相連。焊接部650具體可以包括焊球或銅柱凸點。導(dǎo)磁性中間層620為具有磁性顆粒的填充物。填充物還可以增加焊接的可靠性。

本發(fā)明第六實施例提供的芯片封裝模塊600的工作原理與第一實施例提供的芯片封裝模塊100的工作原理相同，在此便不做贅述。

詳情請參見圖10，圖10示出了本發(fā)明第七實施例提供的芯片封裝模塊700，第七實施例與第一實施例相比，區(qū)別在于：

襯底715包含螺線形線圈760。第七實施例示出的螺線形線圈760產(chǎn)生的磁場770從螺線形線圈760的兩端發(fā)散，部分磁場770會經(jīng)過芯片710與封裝基板730的接觸面附近。設(shè)置于芯片710與封裝基板730之間的導(dǎo)磁性中間層720同樣也可以減小封裝基板730對螺線形線圈760性能的影響，提高螺線形線圈760的性能。具體地，如圖10所示的螺線形線圈760具體可以為螺線管線圈。

上述的實施例中，可以使用多個長條形的磁性薄膜拼接成磁性薄膜組，從而可以減小磁性薄膜的退磁因子(demagnetizing factor)，并且抑制在磁性薄膜中產(chǎn)生的渦流。

上述的所有實施例中，由于不同實施例中的芯片封裝模塊的結(jié)構(gòu)不同，因此相應(yīng)的附圖標記也會對應(yīng)變化。應(yīng)當(dāng)理解，附圖標記的變化的目的只是作為對實施例的區(qū)分，不應(yīng)該理解為是對本發(fā)明的限制。

本發(fā)明提供的芯片封裝模塊由于導(dǎo)磁性中間層可以將集成磁性器件產(chǎn)生的磁場向待封裝芯片的邊緣引導(dǎo)，從而可以減少進入封裝基板中的磁場，進而可以減小磁場在封裝基板中產(chǎn)生的渦流，提高上述待封裝芯片的性能。

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，上面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行了清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計。

因此，以上對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本發(fā)明的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。