本發(fā)明屬于超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料及其制備和應(yīng)用。

背景技術(shù)：

隨著環(huán)境污染的日益增長(zhǎng)和化石燃料的快速消耗，人們對(duì)能源的需求量越來(lái)越大，為了滿足人類(lèi)對(duì)能源的需求，研究人員開(kāi)始關(guān)注新電極材料的研究和開(kāi)發(fā)來(lái)改善電化學(xué)能量存儲(chǔ)裝置的性能。在眾多電化學(xué)能量存儲(chǔ)裝置中，超級(jí)電容器由于具有比電池更高的功率密度和更短充電時(shí)間以及比傳統(tǒng)電容器具有更高的能量密度而備受關(guān)注。能量密度值是由電壓窗口和比電容值決定的，為了滿足超級(jí)電容器高能量密度的需求，需要在不降低功率密度和循環(huán)穩(wěn)定性的前提下提高其能量密度，一種有效的方法是開(kāi)發(fā)非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器，非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器的性能是由雙電層電容和法拉第氧化還原反應(yīng)存儲(chǔ)機(jī)制共同產(chǎn)生的，然后通過(guò)兩種不同電極材料的電壓窗口來(lái)增大電壓窗口來(lái)提高能量密度。

由于添加有粘合劑和導(dǎo)電劑的薄膜電極會(huì)降低電極的導(dǎo)電性進(jìn)而嚴(yán)重影響其電化學(xué)性能，故為了進(jìn)一步提高超級(jí)電容器的電化學(xué)性能，近年來(lái)開(kāi)發(fā)了無(wú)粘合劑和無(wú)導(dǎo)電劑的超級(jí)電容器。將活性物質(zhì)直接生長(zhǎng)在襯底表面不需要添加任何導(dǎo)電劑和粘合劑而直接作為超級(jí)電容器電極材料可以提高超級(jí)電容器的電化學(xué)性能。其中三維泡沫鎳襯底可以提供高表面積用于負(fù)載活性物質(zhì)并且可以促進(jìn)活性物質(zhì)與集電極之間電子的快速轉(zhuǎn)移進(jìn)而提高電化學(xué)性能。

電極材料是決定超級(jí)電容器性能的關(guān)鍵因素之一，超級(jí)電容器電極材料包括過(guò)渡金屬硫化物、過(guò)渡金屬氧化物和聚合物；金屬硫化物作為超級(jí)電容器電極材料與碳材料相比具有更高的比容量、與RuO₂相比具有更低的成本，金屬硫化物與其相應(yīng)的金屬氧化物相比具有更高的熱穩(wěn)定性、機(jī)械穩(wěn)定性和導(dǎo)電性并且具有優(yōu)異的電化學(xué)性能。在金屬硫化物中，三元金屬硫化物與二元金屬硫化物相比可以結(jié)合兩種金屬離子貢獻(xiàn)提供更多的氧化還原反應(yīng)位點(diǎn)并且具有更高的導(dǎo)電性。硫化物中的金屬基較為常見(jiàn)的有鎳、鈷、銅、鐵、錳、鋅等，與其他金屬基相比較，銅、鈷都更廉價(jià)。但是銅基物質(zhì)作為超級(jí)電容器電極材料的電化學(xué)性能不是很好，所以如何利用CuCo₂S₄這種重要的三元金屬硫化物以應(yīng)用于開(kāi)發(fā)高比容量、高能量密度、高循環(huán)穩(wěn)定性的超級(jí)電容器電極材料，為解決能源緊缺問(wèn)題作貢獻(xiàn)具有很好的研究意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種基于CuCo₂S₄非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器及其制備方法，以克服目前超級(jí)電容器能量密度低、循環(huán)穩(wěn)定性差等問(wèn)題，進(jìn)一步提高超級(jí)電容器的電化學(xué)性能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種采用的技術(shù)方案如下：

一種基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料，通過(guò)下述方法獲得：先對(duì)泡沫鎳進(jìn)行預(yù)處理，然后采用水熱法在泡沫鎳表面生成CuCo₂S₄前驅(qū)體，再將前驅(qū)體硫化生成CuCo₂S₄納米片結(jié)構(gòu)獲得基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料。

進(jìn)一步，步驟如下：

1）清洗泡沫鎳，去除表面的有機(jī)、無(wú)機(jī)雜質(zhì)；

2）將銅源、鈷源、尿素溶解在乙二醇和水的混合液中充分反應(yīng)得反應(yīng)液，之后將預(yù)處理后的泡沫鎳置于反應(yīng)液中，然后于反應(yīng)釜中100～180℃進(jìn)行水熱反應(yīng)10～14h，之后清洗干燥獲得泡沫鎳表面生長(zhǎng)CuCo₂S₄前驅(qū)體的納米片；

3）在反應(yīng)釜中加入硫源，于120～180℃下水熱反應(yīng)4～8h，清洗干燥后得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄的納米片陣列，即所述基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料。

進(jìn)一步，步驟2）中，銅源：鈷源：尿素的摩爾比為1:2:4-8；水與乙二醇的體積比為1-4:1。其中銅源可以是銅鹽類(lèi)物質(zhì)，鈷源可以是鈷鹽類(lèi)物質(zhì)。其中，銅源在溶液中的摩爾濃度為0.01-0.1molL^-1。

進(jìn)一步，步驟3）中，硫源加入的量以硫化鈉計(jì)為0.1-0.2 molL^-1。

所述的硫源為硫化鈉、硫脲或硫粉等。

更進(jìn)一步，步驟2）、3）中水熱反應(yīng)的條件分別為于120℃反應(yīng)12h和160℃反應(yīng)6h。

具體的，本發(fā)明基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料的制備步驟如下：

1）清洗泡沫鎳：將泡沫鎳放入1～3 molL^-1的HCl溶液中超聲清洗20～40 min以去除掉泡沫鎳表面的氧化層，再用去離子水清洗3～5次，無(wú)水乙醇清洗3～5次，40～80℃下真空干燥3～6h，備用；

2）采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片陣列:0.5～3 mmol 硝酸銅、1～6mmol硝酸鈷以及4～12 mmol尿素溶解在20 mL去離子水和10mL乙二醇混合溶液中，攪拌10～40 min后，將一片步驟1）中預(yù)處理好的泡沫鎳放入反應(yīng)釜內(nèi)膽中，密封，然后將反應(yīng)釜放入鼓風(fēng)干燥箱中100～180℃反應(yīng)10～14h；待反應(yīng)釜冷卻后，去離子水清洗5次，在40～80℃下真空干燥3～8h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片物料；

3）采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄納米片陣列：將30 mL 0.1 mol L^-1的硫化鈉溶液轉(zhuǎn)移到50 mL的反應(yīng)釜中，密封，放入鼓風(fēng)干燥箱中，120～180℃下反應(yīng)4～8h；待反應(yīng)釜冷卻至室溫后，去離子水清洗5次，在40～80℃下真空干燥3～8h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄納米片陣列，即超級(jí)電容器材料。

在泡沫鎳表面生成花狀CuCo₂S₄納米片的質(zhì)量密度為0.8～1.5 mg cm^-2。其中，花狀CuCo₂S₄由納米片組成，而組成硫化物的納米片是由無(wú)數(shù)窄的納米片構(gòu)成。

上述基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料作為電極材料在超級(jí)電容器中有很好的應(yīng)用。

其中，以CuCo₂S₄為正極，活性炭為負(fù)極，濾紙作為隔膜，2molL^-1 KOH作為電解液，得到CuCo₂S₄//AC水系非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器。

其中，制作AC負(fù)極時(shí)，將活性炭、乙炔黑、粘合劑進(jìn)行混合，攪拌，均勻涂覆在泡沫鎳表面，60～90℃真空干燥12h即得；其中，活性炭、乙炔黑、粘合劑按照85:10:5的質(zhì)量比混合。

本發(fā)明在制備基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料時(shí)，先預(yù)處理泡沫鎳，再采用兩步水熱法首先在泡沫鎳表面生成CuCo₂S₄前驅(qū)體，再將前驅(qū)體硫化生成CuCo₂S₄納米片結(jié)構(gòu)。原材料廉價(jià)易得，反應(yīng)條件溫和、時(shí)間短、成本低、低能耗、低毒、簡(jiǎn)單易行，并且無(wú)模板和無(wú)表面活性劑，以乙二醇作為輔助溶劑，更易應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)。

制得的基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料，其結(jié)構(gòu)具有許多孔結(jié)構(gòu)，能夠增大活性物質(zhì)與電解液的接觸面積，提供更多的電化學(xué)活性位點(diǎn)進(jìn)而提高比電容性能。同時(shí)，CuCo₂S₄納米片陣列直接生長(zhǎng)在泡沫鎳表面，作為不需要添加導(dǎo)電劑和粘合劑的超級(jí)電容器電極能增加活性物質(zhì)和集電極之間的導(dǎo)電性進(jìn)而提高其電化學(xué)性能。該電極材料具有優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性，在三電極體系中，30 mA cm^-2下循環(huán)2000次后剩余原比電容值的91.1 %。

進(jìn)一步組裝CuCo₂S₄//AC非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器后，電壓窗口為1.5V，得到了高的電容性能（1mAcm^-2下的比電容值為93.5Fg^-1），高的能量密度（29 Wh kg^-1）和優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性（2000次循環(huán)后剩余原比電容值的126.4%）。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明開(kāi)發(fā)了新的基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料，具有優(yōu)異的電化學(xué)性能。在其制備過(guò)程中，原材料廉價(jià)易得，反應(yīng)條件溫和、時(shí)間短、成本低、低能耗、低毒、簡(jiǎn)單易行，并且無(wú)模板和無(wú)表面活性劑，以乙二醇作為輔助溶劑，更易應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)?；贑uCo₂S₄的超級(jí)電容器材料組裝的非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器，能量密度高、循環(huán)穩(wěn)定性好。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例1生成的泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列的X射線衍射圖；

圖2為實(shí)施例1生成的在泡沫鎳表面生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物-納米片陣列不同倍率下的掃描電子顯微鏡照片；

圖3為實(shí)施例1生成的在泡沫鎳表面生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列掃描電子顯微鏡照片；

圖4為實(shí)施例1生成的在泡沫鎳表面生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列作為超級(jí)電容器電極在不同電流密度下的恒流充放電曲線圖，橫坐標(biāo)從大到小依次對(duì)應(yīng)5mA/cm²、10 mA/cm²、15 mA/cm²、20 mA/cm²、25 mA/cm²、30 mA/cm²；

圖5為實(shí)施例1生成的在泡沫鎳表面生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列作為超級(jí)電容器電極在不同電流密度下的比電容值圖；

圖6為實(shí)施例1生成的在泡沫鎳表面生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列作為超級(jí)電容器電極材料的循環(huán)穩(wěn)定性測(cè)試圖；

圖7A為實(shí)施例1中生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列組裝成的非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器在不同電流密度下的比電容值圖；

圖7B為實(shí)施例1生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列組裝成的非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器的能量密度vs.功率密度圖；

圖8為實(shí)施例1生成的花狀銅鈷雙金屬硫化物納米片陣列組裝成的非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器的循環(huán)穩(wěn)定性測(cè)試圖。

具體實(shí)施方式

以下以具體實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此：

實(shí)施例1

一種基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料，通過(guò)下列步驟制得：

1）清洗泡沫鎳：將切好的泡沫鎳（1cm×4cm）放入3M的HCl溶液中超聲清洗20min去掉泡沫鎳表面的氧化層，再用去離子水和無(wú)水乙醇分別清洗3次，60℃下真空干燥6h，備用；

2）采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片陣列：1mmol硝酸銅，2mmol硝酸鈷，6mmol尿素溶解在20mL去離子水和10mL乙二醇的混合溶液中，攪拌30min后，將一片步驟1)清洗好的泡沫鎳放入反應(yīng)釜內(nèi)膽中，密封，然后將反應(yīng)釜放入鼓風(fēng)干燥箱中120℃反應(yīng)12h。待反應(yīng)釜冷卻后，去離子水清洗5次，在60℃下真空干燥3h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片物料；

3）采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄納米片陣列，將30 mL 0.1 mol L^-1的硫化鈉溶液轉(zhuǎn)移到50 mL的反應(yīng)釜中，密封，放入鼓風(fēng)干燥箱中，160℃下反應(yīng)6h。待反應(yīng)釜冷卻至室溫后，去離子水清洗5次，在60℃下真空干燥3h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀的CuCo₂S₄納米片陣列，并且CuCo₂S₄在泡沫鎳表面的質(zhì)量密度為1.1 mg cm^-2。

組裝非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器：

將活性炭、乙炔黑、粘合劑以85:10:5質(zhì)量比進(jìn)行混合，攪拌，均勻涂覆在泡沫鎳表面，60℃真空干燥12h，得到AC負(fù)極材料。再以花狀CuCo₂S₄納米片陣列作為正極，AC作為負(fù)極材料，濾紙作為隔膜，2molL^-1 KOH作為電解液，得到CuCo₂S₄//AC水系非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器。

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例制備的在泡沫鎳表面生成花狀CuCo₂S₄納米片陣列及其組裝非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器的性能測(cè)試說(shuō)明：

1、對(duì)制備的在泡沫鎳表面生成的花狀CuCo₂S₄納米片陣列進(jìn)行X射線衍射測(cè)試和掃描電鏡形貌測(cè)試：

如圖1所示，圖1是通過(guò)實(shí)施例1在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片陣列，說(shuō)明該條件下CuCo₂S₄已經(jīng)可在泡沫鎳表面生成。

如圖2A所示，圖2A是通過(guò)實(shí)施例1在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片陣列，說(shuō)明在泡沫鎳表面已經(jīng)大面積的生成花狀CuCo₂S₄納米片陣列結(jié)構(gòu)。

如圖2B所示，圖2B是通過(guò)實(shí)施例1在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片陣列,由圖中可以看出花狀CuCo₂S₄是由納米片組成的，而組成硫化物的納米片是由無(wú)數(shù)窄的納米片構(gòu)成，納米片的厚度約為76-153nm，長(zhǎng)度為幾個(gè)微米左右。

如圖3所示，圖3為實(shí)施例1制得的在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片的透射掃描電鏡圖；從圖中可以看出該條件下制備的納米片由許多窄的納米片構(gòu)成。

2、對(duì)實(shí)施例1中在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片陣列應(yīng)用在超級(jí)電容器電極材料的性能測(cè)試:

如圖4所示，圖4為在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片陣列直接采用三電極體系作為超級(jí)電容器電極材料進(jìn)行恒流充放電測(cè)試，該材料的放電曲線有明顯的平臺(tái)，說(shuō)明是氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生的贗電容，所以具有良好的贗電容行為。

如圖5所示，該電極在三電極體系中電流密度為5、10、15、20、25 和30 mA cm^-2下的比電容值分別為908.9 Fg^-1、821.0 Fg^-1、726.3 Fg^-1、683.5 Fg^-1、674.9 Fg^-1、635.8 Fg^-1。從5 mA cm^-2到30 mA cm^-2，比電容值仍然剩余大約70.0%。說(shuō)明在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片陣列作為超級(jí)電容器電極材料具有很好的倍率性能。

如圖6所示，在三電極體系中30 mA cm^-2下進(jìn)行2000次恒流充放電循環(huán)性能測(cè)試，得到在2000次循環(huán)后，比電容值剩余約為原來(lái)的91.1%，由此可以看出，在泡沫鎳表面制備的花狀CuCo₂S₄納米片陣列作為超級(jí)電容器電極材料具有優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。

如圖7A所示，在CuCo₂S₄//AC非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器中得到在1，2，5，10，15，25 mAcm^-2下的比電容值分別為93.5 Fg^-1，85.3 Fg^-1，74.3 Fg^-1，64.9 Fg^-1，56.9 Fg^-1，50.0 Fg^-1，說(shuō)明該電極材料組裝成非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器具有高的電容性能。圖7B為CuCo₂S₄//AC非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器在127 W kg^-1功率密度下的能量密度為29 Wh kg^-1，說(shuō)明了該電極材料組裝成非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器具有高的能量密度。

如圖8所示，在CuCo₂S₄//AC非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器中，在電流密度為25 mA cm^-2下，進(jìn)行2000次恒流充放電循環(huán)性能測(cè)試后剩余原比電容值的126.4%，進(jìn)一步證明了泡沫鎳表面生成的花狀CuCo₂S₄納米片陣列組裝成超級(jí)電容器具有優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。

實(shí)施例2

一種基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料，通過(guò)下列步驟制得：

1）清洗泡沫鎳：將切好的泡沫鎳（1cm×4cm）放入2M的HCl溶液中超聲清洗30min去掉泡沫鎳表面的氧化層，再用去離子水和無(wú)水乙醇分別清洗4次，60℃下真空干燥5h，備用；

2)采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片陣列：0.5 mmol硝酸銅，1 mmol硝酸鈷，3 mmol尿素溶解在20mL去離子水和10mL乙二醇的混合溶液中，攪拌30min后，將一片步驟1)清洗好的泡沫鎳放入反應(yīng)釜內(nèi)膽中，密封，然后將反應(yīng)釜放入鼓風(fēng)干燥箱中150℃反應(yīng)12h。待反應(yīng)釜冷卻后，去離子水清洗5次，在60℃下真空干燥3h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片物料；

3）采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄納米片陣列，將30 mL 0.1 mol L^-1的硫化鈉溶液轉(zhuǎn)移到50 mL的反應(yīng)釜中，密封，放入鼓風(fēng)干燥箱160℃下反應(yīng)6h。待反應(yīng)釜冷卻至室溫后，去離子水清洗5次，在60℃下真空干燥3h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄納米片陣列；并且CuCo₂S₄在泡沫鎳表面的質(zhì)量密度為1.2 mg cm^-2。

組裝非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器：

將活性炭、乙炔黑、粘合劑以85:10:5質(zhì)量比進(jìn)行混合，攪拌，均勻涂覆在泡沫鎳表面，80℃真空干燥12h，得到AC負(fù)極材料。再以花狀CuCo₂S₄納米片陣列作為正極，AC作為負(fù)極材料，濾紙作為隔膜，2molL^-1 KOH作為電解液，得到CuCo₂S₄//AC水系非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器。

實(shí)施例3

一種基于CuCo₂S₄的超級(jí)電容器材料，通過(guò)下列步驟制得：

1）清洗泡沫鎳：將切好的泡沫鎳（1cm×4cm）放入3M的HCl溶液中超聲清洗30min去掉泡沫鎳表面的氧化層，再用去離子水和無(wú)水乙醇分別清洗5次，60℃下真空干燥6h，備用；

2)采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片陣列：將1mmol硝酸銅，2mmol硝酸鈷，6mmol尿素溶解在20mL去離子水和10mL乙二醇的混合溶液中，攪拌30min后，再將一片步驟1)清洗好的泡沫鎳放入反應(yīng)釜內(nèi)膽中，密封，然后將反應(yīng)釜放入鼓風(fēng)干燥箱中150℃反應(yīng)14h。待反應(yīng)釜冷卻后，去離子水清洗5次，在60℃下真空干燥3h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)的CuCo₂S₄前驅(qū)體納米片物料；

3）采用水熱法在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄納米片陣列，將30 mL 0.1 mol L^-1的硫化鈉溶液轉(zhuǎn)移到50 mL的反應(yīng)釜中，密封，放入鼓風(fēng)干燥箱中，160℃下反應(yīng)6h。待反應(yīng)釜冷卻后，去離子水清洗5次，在60℃下真空干燥4h，得到在泡沫鎳表面生長(zhǎng)花狀CuCo₂S₄納米片陣列；并且CuCo₂S₄在泡沫鎳表面的質(zhì)量密度為1.5 mg cm^-2。

組裝非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器：

將活性炭、乙炔黑、粘合劑以85:10:5質(zhì)量比進(jìn)行混合，攪拌，均勻涂覆在泡沫鎳表面，90℃真空干燥12h，得到AC負(fù)極材料。再以花狀CuCo₂S₄納米片陣列作為正極，AC作為負(fù)極材料，濾紙作為隔膜，2molL^-1 KOH作為電解液，得到CuCo₂S₄//AC水系非對(duì)稱(chēng)超級(jí)電容器。

要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的說(shuō)明而非限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員的等同替換或者根據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)而做的其它修改，只要沒(méi)有超出本發(fā)明技術(shù)方案的思路和范圍，均應(yīng)包含在本發(fā)明所要求的權(quán)利范圍之內(nèi)。