本發(fā)明涉及功率電子器件領(lǐng)域。本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體裝置，具有多個(gè)并聯(lián)接線的、相同類型的，優(yōu)選被構(gòu)造為完全一致的布置在一個(gè)平面中或尤其是一排中的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。對(duì)于每個(gè)開關(guān)元件設(shè)置用于負(fù)載電流饋入的負(fù)載電流接頭以及用于負(fù)載電流饋出的負(fù)載電流接頭。為了快速地以及無(wú)損耗地接通電流，在能量、轉(zhuǎn)換以及傳輸技術(shù)中通常使用功率晶體管，特別是具有絕緣柵的雙極型晶體管(IGBT’s)。為了能夠接通更高(尤其是在1kA的數(shù)量級(jí)或更高)的電流，在此多個(gè)單獨(dú)的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件(下文中也稱作功率晶體管)被電并聯(lián)地連接。因此，功率晶體管通常被匯集在模塊中，這實(shí)現(xiàn)了在安裝和更換時(shí)的簡(jiǎn)化的操作，允許了限定的和優(yōu)化的冷卻、起到了一些安全方面的作用等。因此在模塊的內(nèi)部通常形成由功率晶體管的子集組成的部件組或子模塊。

背景技術(shù)：

在功率半導(dǎo)體裝置的開關(guān)特性方面被普遍期望的是，能夠盡可能快速地接通和切斷電流。尤其是在電壓控制的功率晶體管的情況下，在這種情況下在第一功率電極和第二功率電極之間的電流能夠借助施加在第一控制電極和第二控制電極之間的控制電壓來(lái)接通，這會(huì)由于電感效應(yīng)而復(fù)雜化。該電感效應(yīng)不僅僅涉及控制電壓以及引起有效的控制電壓與預(yù)定的控制電壓的偏差，還涉及負(fù)載電流饋出和負(fù)載電流饋入。

此外，由于所謂的反電感，電感的影響還由在時(shí)間上變化的電流通過(guò)剩余的功率晶體管實(shí)現(xiàn)。在有電流流過(guò)的導(dǎo)體中，也在負(fù)載電流接頭的周圍形成磁場(chǎng)。在接頭流過(guò)的電路引起磁通的形成。該磁場(chǎng)如何在圍繞有電流流過(guò)的導(dǎo)體的空間中擴(kuò)展以及由此導(dǎo)致的磁通量的大小取決于環(huán)境的磁特性。因此不僅僅是在環(huán)境的中的材料的磁特性，由其他負(fù)載接頭引起的已經(jīng)存在的其他磁場(chǎng)同樣扮演著決定性的因素。通過(guò)并聯(lián)連接的至少兩個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)，產(chǎn)生單個(gè)引導(dǎo)負(fù)載電流的路徑磁性影響，使得其電感強(qiáng)度可以是不同的。這導(dǎo)致了首先在接通瞬間期間的非對(duì)稱的電流分布，使得總的功率半導(dǎo)體裝置的開關(guān)特性由此被影響。

已經(jīng)示出，當(dāng)用于負(fù)載電流饋入以及用于負(fù)載電流饋出的負(fù)載電流接頭在幾何構(gòu)造上被非常近的，例如盡可能相鄰的布置，由于反電感引起的效應(yīng)在由多個(gè)功率半導(dǎo)體元件組成的功率半導(dǎo)體裝置的情況下能夠保持得盡可能小，從而使得其磁場(chǎng)能夠被電感衰減地彼此影響。這在這樣的裝置的內(nèi)部能夠無(wú)問(wèn)題的實(shí)現(xiàn)，然而，由于幾何布置這個(gè)問(wèn)題仍然存在于外部的負(fù)載電流接頭，其沒(méi)有能夠?qū)?yīng)于相反電流方向的負(fù)載電流接頭，以引起電感的衰減?？傮w來(lái)說(shuō)，對(duì)于由多個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件組成的裝置來(lái)說(shuō)，仍留的問(wèn)題在于，設(shè)置的、由關(guān)于裝置的幾何中點(diǎn)處在外部的負(fù)載電流接頭或外部的配對(duì)圍城的磁場(chǎng)與由關(guān)于裝置的幾何中點(diǎn)處在內(nèi)部的負(fù)載電流接頭或內(nèi)部的配對(duì)圍成的磁場(chǎng)不同，并且進(jìn)而由于該差異性，尤其是非對(duì)稱性，外部功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性的不期望的故障有別于內(nèi)部功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性的不期望的故障。

基于上述背景技術(shù)，本發(fā)明的目的在于，提供一種具有多個(gè)并聯(lián)接線的、優(yōu)選被構(gòu)造為完全一致的布置在一個(gè)平面中或尤其是一排中的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的功率半導(dǎo)體裝置，其開關(guān)特性被優(yōu)化，尤其是在單個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性更好地彼此適配的情況下。該目的通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選的實(shí)施方案分別是從屬權(quán)利要求的內(nèi)容。需要指明的是，在權(quán)利要求中的單獨(dú)實(shí)施的特征能以任意地、在技術(shù)上有意義的方式彼此組合并說(shuō)明本發(fā)明的其他實(shí)施方式。尤其是結(jié)合附圖的說(shuō)明書附加地表征并詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體裝置，其具有多個(gè)并聯(lián)接線的、布置在一個(gè)平面中的相同類型的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。每個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件具有每個(gè)負(fù)載電流方向的一個(gè)負(fù)載電流接頭，也就是用于負(fù)載電流饋入的負(fù)載電流接頭以及用于相反的負(fù)載電流方向的負(fù)載電流接頭，也就是負(fù)載電流饋出。因此根據(jù)本發(fā)明提出，功率半導(dǎo)體裝置涉及每個(gè)來(lái)自負(fù)載電流饋入和負(fù)載電流饋出的負(fù)載電流方向的多個(gè)負(fù)載電流接頭。術(shù)語(yǔ)“相同類型的”是廣義的并且表示這些功率半導(dǎo)體開關(guān)元件例如是在構(gòu)造的方面一致且并不強(qiáng)制其具有完全一致的開關(guān)特性。例如對(duì)于功率半導(dǎo)體開關(guān)元件而言分別涉及IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)或MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。此外，能夠設(shè)置第二(不同的或相同的)數(shù)量的反并聯(lián)連接的二極管，尤其是防護(hù)二極管(Schutzdioden)(英語(yǔ)：“空轉(zhuǎn)”二極管、“吸收”二極管或“回掃”二極管，尤其是在功率半導(dǎo)體開關(guān)元件中，其作為或是被使用在橋或半橋電路中。優(yōu)選功率半導(dǎo)體裝置的至少功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的子集被構(gòu)造為完全一致的。對(duì)于絕緣布置的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件理解為基本上具有完全一致的電開關(guān)特性。附加的，還能設(shè)置完全一致的構(gòu)造方式和/或完全一致的尺寸和/或完全一致的電連接。

根據(jù)本發(fā)明，所述功率半導(dǎo)體裝置還具有至少一個(gè)接觸設(shè)備，以用于多個(gè)，尤其是所有來(lái)自負(fù)載電流饋入和負(fù)載電流饋出的同一個(gè)負(fù)載電流方向的負(fù)載電流接頭電接觸。例如兩個(gè)接觸設(shè)備，一個(gè)設(shè)置用于負(fù)載電流饋入而另一個(gè)設(shè)置用于負(fù)載電流饋出。接觸設(shè)備例如由能導(dǎo)電的材料，例如金屬或金屬合金構(gòu)成。接觸設(shè)備具有多個(gè)接線片，其被構(gòu)造為并且設(shè)置為分別被固定在相應(yīng)的負(fù)載電流接頭處。上述固定意味著例如借助螺旋固定件固定在相應(yīng)的負(fù)載電流接頭處。接觸設(shè)備被理解為負(fù)載電流接頭處的一部分，其至少包括用于直接鄰接的布置在對(duì)應(yīng)的負(fù)載電流接頭處的特定的部段。優(yōu)選的，接觸設(shè)備具有關(guān)于負(fù)載電流饋入或關(guān)于負(fù)載電流饋出的共同導(dǎo)體部段，并且接線片是在這個(gè)共同的導(dǎo)體部段與所述的負(fù)載電流接頭之間布置的用于向著所述的負(fù)載電流接頭或來(lái)自所述的負(fù)載電流接頭的電流支路的其余的特定的部段。優(yōu)選的，負(fù)載電流饋入和負(fù)載電流饋出的接觸設(shè)備被構(gòu)造為彼此對(duì)稱的。

接線片例如光刻地或沖壓地以及如可能的由壓印成型的扁平導(dǎo)體，例如金屬條帶。

依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體裝置限定，也就是限定多個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的幾何上的和空間上的布置，對(duì)于相應(yīng)的負(fù)載電流方向考慮至少一個(gè)外部負(fù)載電流接頭和至少一個(gè)內(nèi)部負(fù)載電流接頭。術(shù)語(yǔ)“內(nèi)部”和“外部”分別涉及相應(yīng)的負(fù)載電流接頭與功率半導(dǎo)體裝置的幾何中點(diǎn)的距離，從而使得在數(shù)值上，分別相對(duì)于功率半導(dǎo)體裝置的幾何中點(diǎn)，外部負(fù)載電流接頭的間距大于內(nèi)部負(fù)載電流接頭的間距。

為了改善開關(guān)特性，至少內(nèi)部功率半導(dǎo)體開關(guān)元件優(yōu)選設(shè)置為使得除了最外部的負(fù)載電流接頭位置，也就是除了距功率半導(dǎo)體裝置的幾何中點(diǎn)的最遠(yuǎn)處布置的負(fù)載電流接頭，負(fù)載電流布置的其余的負(fù)載電流接頭被布置為，一個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的負(fù)載電流饋入與另一個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的負(fù)載電流饋出緊鄰地布置。通過(guò)不同的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的負(fù)載電流接頭的幾何上的配對(duì)能夠使其的開關(guān)特性通過(guò)減小電感性的電阻來(lái)改善。

根據(jù)本發(fā)明，至少一個(gè)最外部的負(fù)載電流接頭的接線片的幾何形狀和/或曲線走向與同一個(gè)接觸設(shè)備的內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接線片的幾何形狀或曲線走向不同。術(shù)語(yǔ)幾何形狀是廣義的并且例如涉及尺寸。通過(guò)幾何形狀的變化或接線片的曲線走向或它們的組合可能的是，如開頭所描述的，由接頭的布置的給出的不均勻性，特別是圍繞負(fù)載電流的磁場(chǎng)的不對(duì)稱性以及由此帶來(lái)的電感反作用進(jìn)而多個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性能夠相互適配。

優(yōu)選的，接觸設(shè)備的至少一個(gè)最外部負(fù)載電流接頭的接線片的幾何形狀和/或曲線走向與內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接線片的幾何形狀和/或曲線走向不同。進(jìn)一步優(yōu)選的，接觸設(shè)備的至少一個(gè)最外部負(fù)載電流接頭的接線片的幾何形狀和/或曲線走向與同一個(gè)接觸設(shè)備的所有其余的負(fù)載電流接頭的接線片的幾何形狀或曲線走向不同。最外部負(fù)載電流接頭被理解為具有相對(duì)于裝置的幾何中點(diǎn)的最大間距的、同一個(gè)負(fù)載電流方向的并且進(jìn)而通過(guò)同一個(gè)接觸設(shè)備進(jìn)行接觸的負(fù)載電流接頭。這里能夠涉及每個(gè)負(fù)載電流方向上的一個(gè)或多個(gè)負(fù)載電流接頭，通常是一個(gè)負(fù)載電流接頭。

優(yōu)選的，固定在所述內(nèi)部負(fù)載電流接頭的所述接線片相較于被固定在同一個(gè)接觸設(shè)備的所述外部負(fù)載電流接頭的所述接線片具有不同的，優(yōu)選更小的最小橫截面。最小橫截面被理解為與負(fù)載電流方向上的相應(yīng)的接線片的變化走向中的負(fù)載電流方向垂直的最小的導(dǎo)體橫截面。優(yōu)選的，最小橫截面與金屬扁平導(dǎo)體組合地設(shè)置，例如功率半導(dǎo)體裝置的所有接線片被構(gòu)造為由金屬片、例如銅片構(gòu)成的扁平導(dǎo)體。優(yōu)選地，接觸設(shè)備分別被構(gòu)造為例如通過(guò)沖壓、由金屬片、例如銅片構(gòu)成的扁平導(dǎo)體。

優(yōu)選的，被固定在所述內(nèi)部負(fù)載電流接頭的所述接線片的曲線走向相較于被固定在所述外部負(fù)載電流接頭的所述接線片具有不同的，優(yōu)選更大數(shù)量的彎折和/或不同的，優(yōu)選更大數(shù)量的曲率，換言之具有不同的、優(yōu)選更小的曲率半徑。例如外部接線片被構(gòu)造為平的而內(nèi)部接線片為多次彎折的。彎折和曲率被理解為在負(fù)載電流方向上的相應(yīng)的接線片的曲線走向的方向變更或方向變化。

優(yōu)選的，被固定在所述內(nèi)部負(fù)載電流接頭的所述接線片相較于被固定在所述外部負(fù)載電流接頭的所述接線片具有不同的，優(yōu)選更大數(shù)量的間隙和/或不同的，例如更大數(shù)量的斷面。

根據(jù)另一優(yōu)選的實(shí)施方式，被固定在所述內(nèi)部負(fù)載電流接頭的所述接線片相較于被固定在所述外部負(fù)載電流接頭的一個(gè)負(fù)載電流方向的同一個(gè)接觸設(shè)備的接線片具有不同的、優(yōu)選更小的與具有相反的負(fù)載電流方向的另一接觸裝置的接線片的重疊。

通過(guò)上述的單獨(dú)或組合使用的方案，能夠通過(guò)簡(jiǎn)單的、結(jié)構(gòu)上的手段抵消由接頭的布置帶來(lái)的圍繞負(fù)載接頭的磁場(chǎng)的不均衡性以及由此引起的在功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性上的不均衡性。

根據(jù)優(yōu)選的變體來(lái)自負(fù)載電流饋出和負(fù)載電流饋入的負(fù)載電流方向中的一個(gè)的多個(gè)負(fù)載電流接頭的固定點(diǎn)限定共同的線或平面，并且固定在所述內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接線片相較于關(guān)于該線或平面的被固定在所述外部負(fù)載電流接頭的接線片具有遠(yuǎn)離相應(yīng)的負(fù)載電接頭的弧度例如外部負(fù)載電流接頭被構(gòu)造為平的并且被布置在平面中以及內(nèi)部負(fù)載電流接頭具有拱形的弧度。

依據(jù)本發(fā)明，還設(shè)置有用于磁屏蔽的能導(dǎo)電的層。用于磁屏蔽的能導(dǎo)電的層理解為這樣的層，即基于其裝置特性適用于至少一個(gè)相應(yīng)的負(fù)載電流接頭，以至少影響通過(guò)該相應(yīng)的負(fù)載電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，例如通過(guò)場(chǎng)線的彎曲。優(yōu)選的，相較于沒(méi)有設(shè)置用于磁屏蔽的能導(dǎo)電的層的情況下的磁場(chǎng)狀況，用于磁屏蔽的能導(dǎo)電的層被布置為在該負(fù)載電流接頭的方向上抑制通過(guò)通流過(guò)相應(yīng)的負(fù)載電流接頭的負(fù)載電流引起的磁通。

優(yōu)選的，層實(shí)質(zhì)上由軟磁的，例如永磁材料，由例如銅、鋁、鐵的金屬和/或例如鋼或例如是高導(dǎo)磁合金鎳鐵合金的金屬合金構(gòu)成。例如為金屬片，例如是U型彎折的金屬片或通過(guò)機(jī)械、化學(xué)、熱力學(xué)或熱機(jī)械工藝，特別是物理和化學(xué)氣相陳述或噴濺涂覆的涂層、在另一實(shí)施方式中，層涉及薄膜或膜層構(gòu)造?；跍u流電感而考慮將能導(dǎo)電的、金屬材料的應(yīng)用于磁屏蔽。為了電隔離，層例如優(yōu)選由絕緣材料，例如塑料包圍。

在此至少一個(gè)外部負(fù)載電流接頭被設(shè)置，其至少在其相對(duì)磁屏蔽的裝置的最小間距方面與同一個(gè)負(fù)載電流方向的內(nèi)部負(fù)載電流接頭不同。通過(guò)相對(duì)于引起磁屏蔽的裝置的間距的變體，如上文所述地能夠抵消由接頭的布置帶來(lái)的圍繞負(fù)載接頭的磁場(chǎng)的不均衡性以及調(diào)節(jié)多個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性上。

依據(jù)本發(fā)明設(shè)置了，對(duì)于每個(gè)負(fù)載電流方向，最外部負(fù)載電流接頭具有相對(duì)于用于磁屏蔽的裝置具有最小的最小間距，以便在該負(fù)載電流接頭處(一般具有相對(duì)于相反定向的電流方向的負(fù)載電流接頭或在其附近區(qū)域中的相反定向的電流方向的最小負(fù)載電流接頭的最大距離)有效地減小電感電阻并且進(jìn)而引起所述的最外部功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性的改善。

基于優(yōu)選的變體，能導(dǎo)電的層至少逐段地沿著所述功率半導(dǎo)體裝置的多個(gè)延伸方向中的一個(gè)延伸，優(yōu)選僅僅沿著所述功率半導(dǎo)體裝置的多個(gè)延伸方向中的一個(gè)延伸。

優(yōu)選的，功率半導(dǎo)體裝置包括散熱器并且用于磁屏蔽的能導(dǎo)電的層被固定在所述散熱器處或由所述散熱器構(gòu)造。

優(yōu)選的，能導(dǎo)電的層由所述功率半導(dǎo)體裝置的另一電接線設(shè)備提供。例如該能導(dǎo)電的層是引起交流電壓的功率半導(dǎo)體裝置的接頭設(shè)備的組成部分。

優(yōu)選的，功率半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)、包含由一個(gè)或多個(gè)功率半導(dǎo)體開關(guān)元件組成的子集的模塊，并且所述模塊具有各一個(gè)包圍相應(yīng)的子集的模塊殼體。用于磁屏蔽的能導(dǎo)電的層例如由至少一個(gè)模塊殼體提供或固定在至少一個(gè)模塊殼體處，例如通過(guò)力配合、形狀配合以及材料配合。例如子集包括一致數(shù)量的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。

優(yōu)選地，所述功率半導(dǎo)體裝置被構(gòu)造為一致的。模塊殼體的材料包含塑料，例如玻璃纖維加強(qiáng)的和/或熱塑的塑料。

優(yōu)選的，所述模塊殼體具有相對(duì)于由所述功率半導(dǎo)體裝置限定的所述平面垂直的長(zhǎng)邊緣和短邊緣并且被布置為使得除了最外部的所述模塊殼體，模塊殼體的各一個(gè)長(zhǎng)邊緣與另外的模塊殼體的一邊緣緊鄰地，例如鄰接地布置。

在上述的裝置中，用于磁屏蔽的能導(dǎo)電的層優(yōu)選被固定在所述模塊殼體的長(zhǎng)邊緣處或由所述模塊殼體的長(zhǎng)邊緣構(gòu)造，優(yōu)選僅僅固定在所述模塊殼體的長(zhǎng)邊緣處或僅僅由所述模塊殼體的長(zhǎng)邊緣構(gòu)造。

本發(fā)明還涉及一種將前述實(shí)施方式中的一個(gè)功率半導(dǎo)體裝置作為變流器的應(yīng)用。變流器可以理解為靜止的電器件或裝置-其意味著沒(méi)有活動(dòng)的部件，但不是必須靜止的-以用于饋入的電流類型(直流、交流)轉(zhuǎn)換為另外的或用于改變?nèi)珉妷夯蝾l率這樣的特性參數(shù)。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的這些和其他的目的、優(yōu)點(diǎn)以及特征將通過(guò)下文中結(jié)合附圖詳細(xì)地描述的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而變得明顯。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的功率半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例的功率半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖3至圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的接線片的實(shí)施方式的示意圖；

圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出了由三個(gè)一致地并聯(lián)連接的、在共同的平面上線狀地布置的半橋模塊2a、2b、2c組成的功率半導(dǎo)體裝置1，其具有帶有一致地在其中容納的并且一致地布置和接線功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的完全一致的殼體。負(fù)載電流接頭3a用于負(fù)載電流饋入以及負(fù)載電流接頭3b用于負(fù)載電流饋出。負(fù)載電流接頭3a和負(fù)載電流接頭3b分別通過(guò)未示出的接觸設(shè)備接觸并且負(fù)載電流分別經(jīng)由它們被饋入和饋出。在圖1省略了接觸設(shè)備的圖示。通過(guò)圓圈10a和10b指明了相應(yīng)的通過(guò)負(fù)載電流引起的磁通線。模塊2a、2b、2c的布置在與負(fù)載電流接頭3a、3b相對(duì)設(shè)置的負(fù)載電流方向上布置得盡可能彼此鄰近，這種布置引起內(nèi)部磁場(chǎng)線10i，也就是對(duì)于靠近該布置的幾何中點(diǎn)的負(fù)載電流接頭3a、3b的磁場(chǎng)線的密度大于外部負(fù)載電流接頭3a、3b的磁通線10a的密度。這種磁場(chǎng)情況引起相較于一個(gè)外部負(fù)載電流接頭的、負(fù)載電流接頭3a和3b中的一個(gè)內(nèi)部負(fù)載電流接頭的不同的磁阻。導(dǎo)致的電感間接地與磁阻成比例，也就是說(shuō)，內(nèi)部電感小于負(fù)載電流接頭3a、3b的外部負(fù)載電流接頭的電感。這導(dǎo)致在連接的。設(shè)置在模塊2a、2b、2c內(nèi)部的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件的開關(guān)特性的不利的非對(duì)稱。為了補(bǔ)償或均衡不同的電感，依據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，如圖2所示，各一個(gè)特定的接觸設(shè)備5和5`用于來(lái)自負(fù)載電流饋入S和負(fù)載電流饋出S`的同一個(gè)負(fù)載電流方向的所有負(fù)載電流接頭的共同的電接觸。接觸設(shè)備5和5`分別具有多個(gè)接線片5a、5b、5c。在下文中僅是示例性地針對(duì)為負(fù)載電流饋入S設(shè)置接觸設(shè)備5進(jìn)行描述，其中該方案同樣地適用于負(fù)載電流饋出S`的接觸設(shè)備5`。接線片5a、5b、5c分別被固定在相同的負(fù)載電流方向的相應(yīng)的負(fù)載電流接頭處。不同之處在于在圖2中示出的實(shí)施方式中的單個(gè)接線片的幾何形狀。因此關(guān)于裝置1的幾何中點(diǎn)，外部的、在這里最外部的負(fù)載電流接頭的接線片5a具有相對(duì)于電流方向垂直的、大于內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接線片5b、也大于接線片5c以及進(jìn)而大于接觸設(shè)備5的所有其余的接線片的導(dǎo)線橫截面。針對(duì)相反的電流方向設(shè)置的接觸設(shè)備5`被相應(yīng)地構(gòu)造并且具有最外部負(fù)載電流接頭的接線片5a`，其具有比同一個(gè)接觸設(shè)備5`的其余負(fù)載電流接頭的接線片5b`和5c`更大的導(dǎo)線橫截面。在本發(fā)明的情況下，這個(gè)橫截面差異通過(guò)外部接線片5a以及5a`的相較于內(nèi)部接線片5b、5c和5b`、5c`具有更大的寬度Ba以及B'a來(lái)實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)圖3至圖6進(jìn)一步闡述其他變體，顯著地通過(guò)這些變體，(通過(guò)在所述接線片處單獨(dú)或組合地使用本發(fā)明的方案)能夠?qū)崿F(xiàn)電感適配。圖3示出了實(shí)施方式，其中借助用于內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接觸片5b的斷面ES，相應(yīng)的電感能夠相對(duì)于外部負(fù)載電流接頭的接線片5a的改變。圖4示出了實(shí)施方式，其中借助間距保持器，能夠?qū)崿F(xiàn)相對(duì)于外部負(fù)載電流接頭的接線片5a的用于內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接觸片5b的曲線變化以及弧度以及通過(guò)負(fù)載電流接頭的固定點(diǎn)8限定的平面E。圖5示出了實(shí)施方式，其中借助多個(gè)彎折能夠?qū)崿F(xiàn)相對(duì)于外部負(fù)載電流接頭的接線片5a的用于內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接觸片5b的曲線變化以及弧度以及通過(guò)負(fù)載電流接頭的固定點(diǎn)8限定的平面E。圖6示出了實(shí)施方式，其中外部負(fù)載電流接頭的接線片5a`在幾何形狀上與同一個(gè)接觸設(shè)備5`的內(nèi)部負(fù)載電流接頭的接觸片5b`這樣區(qū)分，使得與相反的負(fù)載電流方向的接觸設(shè)備5的相鄰的接線片5a和5b的重疊不同。前述方案適用于影響在負(fù)載電流饋入以及負(fù)載電流饋出中的有效電感并且進(jìn)而抵消由于模塊的布置的帶來(lái)的、由于磁場(chǎng)的相互作用的在開關(guān)特性上的不均衡性。作為對(duì)方案的補(bǔ)充也可以考慮其他方案，其依據(jù)圖7和8被示例性地示出。為了附加的電感適配，外部功率半導(dǎo)體開關(guān)元件或模塊2c尤其被設(shè)置為例如是能導(dǎo)電的層6，例如以U型的形狀逐段地包圍所述模塊2c的金屬片。圖8示出了實(shí)施方式，其中能導(dǎo)電的層6被固定在散熱器7處并且各自平行地且彼此緊鄰地朝功率半導(dǎo)體裝置1的外部模塊2c的邊緣延伸。通過(guò)在相應(yīng)的層6中的渦流電感引起磁屏蔽，其支持性地在由接線片的幾何形狀或走向變化引起的電感適配時(shí)起作用。