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一種碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法與流程

文檔序號:11100659閱讀:1443來源:國知局
一種碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法與制造工藝

本發(fā)明涉及紅外探測領(lǐng)域,特別涉及一種碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法。



背景技術(shù):

紅外焦平面探測技術(shù)具有光譜響應(yīng)波段寬、可獲得更多地面目標(biāo)信息、能晝夜工作等顯著優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于預(yù)警探測、情報偵察、毀傷效果評估以及農(nóng)牧業(yè)、森林資源的調(diào)查、開發(fā)和管理、氣象預(yù)報、地?zé)岱植?、地震、火山活動,太空天文探測等領(lǐng)域。

碲鎘汞薄膜材料是高性能紅外焦平面探測器的核心材料,制備這種材料的技術(shù)方法很多,有液相外延法(LPE)、分子束外延法(MBE)、金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法等,其中液相外延法是一種非常成熟的工業(yè)化應(yīng)用的技術(shù)。碲鎘汞薄膜材料的厚度一般在10-15微米左右。用于紅外焦平面制造技術(shù)的HgCdTe晶片在表面有著其固有的生長缺陷,HgCdTe表面由于對流而產(chǎn)生具有波浪樣式的波紋,在其表面制備的碲鎘汞器件與Si讀出電路互連不能滿足互連要求,需要對碲鎘汞表面進行平坦化工藝,即機械拋光、機械化學(xué)拋光和化學(xué)拋光。碲鎘汞(Hg1-xCdxTe)薄膜材料在機械拋光和機械化學(xué)拋光在減薄過程中沒有選擇性,而在化學(xué)拋光時由于構(gòu)成碲鎘汞表面的半導(dǎo)體元素具有各向異性,化學(xué)拋光液與碲鎘汞材料的各元素反應(yīng)速率不同,造成碲鎘汞表面的組分偏差較大,在此材料材料上制備的碲鎘汞探測器器件光譜響應(yīng)均勻性不能滿足性能要求。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

鑒于上述問題,本發(fā)明提供一種碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中在化學(xué)拋光時由于構(gòu)成碲鎘汞表面的半導(dǎo)體元素具有各向異性,化學(xué)拋光液與碲鎘汞材料的各元素反應(yīng)速率不同,碲鎘汞表面的組分偏差較大的問題。

本發(fā)明提供的碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法,包括以下步驟:

利用化學(xué)拋光液對所述碲鎘汞薄膜材料進行N次化學(xué)拋光,其中,第i+1次化學(xué)拋光的去除厚度小于第i次化學(xué)拋光的去除厚度,其中,N≥3,1≤i≤N;

將經(jīng)過N次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理。

本發(fā)明有益效果如下:

本發(fā)明實施例通過進行多次化學(xué)拋光及在化學(xué)拋光后對碲鎘汞薄膜材料進行表面處理,解決了現(xiàn)有技術(shù)中碲鎘汞表面的組分偏差較大的問題,不僅能夠降低碲鎘汞材料的組分方差,而且使碲鎘汞材料的表面極少氧化物甚至無氧化物,從而使碲鎘汞探測器器件光譜響應(yīng)均勻性能夠滿足性能要求。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法的流程圖。

具體實施方式

下面將參照附圖更詳細地描述本公開的示例性實施例。雖然附圖中顯示了本公開的示例性實施例,然而應(yīng)當(dāng)理解,可以以各種形式實現(xiàn)本公開而不應(yīng)被這里闡述的實施例所限制。相反,提供這些實施例是為了能夠更透徹地理解本公開,并且能夠?qū)⒈竟_的范圍完整的傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中在化學(xué)拋光時由于構(gòu)成碲鎘汞表面的半導(dǎo)體元素具有各向異性,化學(xué)拋光液與碲鎘汞材料的各元素反應(yīng)速率不同,碲鎘汞表面的組分偏差較大的問題,本發(fā)明提供了一種碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法,以下結(jié)合附圖以及實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不限定本發(fā)明。

面對現(xiàn)有技術(shù)中在化學(xué)拋光時由于構(gòu)成碲鎘汞表面的半導(dǎo)體元素具有各向異性,化學(xué)拋光液與碲鎘汞材料的各元素反應(yīng)速率不同,碲鎘汞表面的組分偏差較大的問題,可以用兩種途徑進行解決,一方面需要選擇合適的碲鎘汞化學(xué)拋光液,降低由于化學(xué)拋光液對碲鎘汞的腐蝕速率不同,帶來的表面組分不同的缺陷;另一方面改進碲鎘汞的化學(xué)拋光方法和后處理方法,降低碲鎘汞材料表面的組分方差大小。下面將對本發(fā)明碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法進行具體的說明。

根據(jù)本發(fā)明的實施例,提供了一種碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法,圖1是本發(fā)明實施例的碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法的流程圖,如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明實施例的碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法包括如下處理:

步驟101,利用化學(xué)拋光液對所述碲鎘汞薄膜材料進行N次化學(xué)拋光,其中,第i+1次化學(xué)拋光的去除厚度小于第i次化學(xué)拋光的去除厚度,其中,N≥3,1≤i≤N;

步驟102,將經(jīng)過N次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理。

在利用化學(xué)拋光液對所述碲鎘汞薄膜材料進行N次化學(xué)拋光之前,還包括對所述碲鎘汞薄膜材料進行機械拋光和機械化學(xué)拋光。

具體的,所述碲鎘汞薄膜材料通過外延法制備得到,所述外延法包括但不限于液相外延法、分子束外延法、金屬有機化學(xué)氣相沉積。

利用化學(xué)拋光液對所述碲鎘汞薄膜材料進行N次化學(xué)拋光時,每一次化學(xué)拋光均可利用現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)拋光的方法進行,對此本發(fā)明不做特殊限定。

具體的,第i+1次化學(xué)拋光的去除厚度小于第i次化學(xué)拋光的去除厚度具體為:

第1次化學(xué)拋光的去除厚度不超過去除總厚度的50%;

第i+1次化學(xué)拋光的去除厚度不超過第i次化學(xué)拋光去除厚度的60%。

優(yōu)選的,所述N為3~6;

第1次化學(xué)拋光的去除厚度為去除總厚度的45~50%;

第i+1次化學(xué)拋光的去除厚度為第i次化學(xué)拋光去除厚度的55~60%。

具體的,所述第i次化學(xué)拋光利用的化學(xué)拋光液為第一化學(xué)拋光液或第二化學(xué)拋光液,所述第一化學(xué)拋光液為溴與甲醇和乙二醇組成的混合物,所述第二化學(xué)拋光液為氨水與雙氧水組成的混合物。

更加具體的,所述第一化學(xué)拋光液中甲醇與乙二醇的體積比為1:1~1:5,甲醇和乙二醇組成第一混合物,溴在第一混合物中的體積濃度為0.05%~0.5%。

更加具體的,所述第二化學(xué)拋光液中氨水與雙氧水的體積比為1:5~1:100。

步驟102具體包括以下步驟:

將經(jīng)過N次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理,處理時間為5~20s。

具體的,將經(jīng)過N次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理,可以選用將將經(jīng)過N次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料浸泡在表面處理液中的方式。

具體的,所述表面處理液為乳酸與乙二醇按照體積比1:10~1:100組成的混合物,優(yōu)選的,所述表面處理液為乳酸與乙二醇按照體積比1:40~1:80組成的混合物。

本發(fā)明實施例通過進行多次化學(xué)拋光及在化學(xué)拋光后對碲鎘汞薄膜材料進行表面處理,解決了現(xiàn)有技術(shù)中碲鎘汞表面的組分偏差較大的問題,不僅能夠降低碲鎘汞材料的組分方差,而且使碲鎘汞材料的表面極少氧化物甚至無氧化物,從而使碲鎘汞探測器器件光譜響應(yīng)均勻性能夠滿足性能要求。利用本發(fā)明的化學(xué)拋光方法制備得到的碲鎘汞薄膜材料已經(jīng)成功地應(yīng)用于LW320×256和LW1280×1024碲鎘汞焦平面器件上。

為了詳細的說明本發(fā)明實施例,給出實例1~實例3。

實例1

本發(fā)明實施例實例1的碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法包括如下處理:

步驟101,利用第一化學(xué)拋光液對厚度為14.1405微米的碲鎘汞薄膜材料進行4次化學(xué)拋光,從第1次化學(xué)拋光到第4次化學(xué)拋光碲鎘汞薄膜材料的去除的厚度依次為1.6604微米、0.9546微米、0.5423微米、0.3152微米。其中,第一化學(xué)拋光液為溴與甲醇和乙二醇組成的混合物,甲醇與乙二醇的體積比為1:2,甲醇和乙二醇組成第一混合物,溴在第一混合物中的體積濃度為0.2%。

步驟102,將經(jīng)過4次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理,處理時間為10s,所述表面處理液為乳酸與乙二醇按照體積比1:40組成的混合物,最終測試獲得碲鎘汞薄膜材料的組分方差為0.0006。

實例2

本發(fā)明實施例實例2的碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法包括如下處理:

步驟101,利用第二化學(xué)拋光液對厚度為13.6761微米的碲鎘汞薄膜材料進行4次化學(xué)拋光,從第1次化學(xué)拋光到第4次化學(xué)拋光碲鎘汞薄膜材料的去除的厚度依次為1.5614微米、0.9284微米、0.5323微米、0.3065微米。其中,第二化學(xué)拋光液為氨水與雙氧水組成的混合物,氨水與雙氧水的體積比為1:50。

步驟102,將經(jīng)過4次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理,處理時間為12s,所述表面處理液為乳酸與乙二醇按照體積比1:60組成的混合物,最終測試獲得碲鎘汞薄膜材料的組分方差為0.0007。

在其它條件均相同的條件下,如果僅利用第一化學(xué)拋光液對厚度為12.4976微米的碲鎘汞薄膜材料進行1次化學(xué)拋光,去除的厚度為3.8825微米,最終測試獲得碲鎘汞薄膜材料的組分方差為0.0025。

實例3

本發(fā)明實施例實例3的碲鎘汞薄膜材料的化學(xué)拋光方法包括如下處理:

步驟101,利用化學(xué)拋光液對厚度為13.3271微米的碲鎘汞薄膜材料進行4次化學(xué)拋光,第1次化學(xué)拋光和第3次化學(xué)拋光利用第一化學(xué)拋光液,第2次化學(xué)拋光和第4次化學(xué)拋光使用第二化學(xué)拋光液,從第1次化學(xué)拋光到第4次化學(xué)拋光碲鎘汞薄膜材料的去除的厚度依次為1.7604微米、1.0046微米、0.5732微米、0.3204微米。其中,第一化學(xué)拋光液為溴與甲醇和乙二醇組成的混合物,甲醇與乙二醇的體積比為1:3,甲醇和乙二醇組成第一混合物,溴在第一混合物中的體積濃度為0.2%;第二化學(xué)拋光液為氨水與雙氧水組成的混合物,氨水與雙氧水的體積比為1:40。

步驟102,將經(jīng)過4次化學(xué)拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理,處理時間為8s,所述表面處理液為乳酸與乙二醇按照體積比1:80組成的混合物,最終測試獲得碲鎘汞薄膜材料的組分方差為0.0004。

對比例1:

采用化學(xué)拋光液(組成為:甲醇與乙二醇的體積比為1:2,甲醇和乙二醇組成第一混合物,溴在第一混合物中的體積濃度為0.2%)將厚度為10.6400微米的碲鎘汞薄膜材料進行1次化學(xué)拋光,去除的厚度為3.2174微米,未進行表面處理,最終測試獲得碲鎘汞薄膜材料的組分方差為0.0030。

對比例2:

采用化學(xué)拋光液(氨水與雙氧水的按體積比1:50組成的混合物)將厚度為12.4976微米的碲鎘汞薄膜材料進行1次化學(xué)拋光,去除的厚度為3.8825微米,未進行表面處理,最終測試獲得碲鎘汞薄膜材料的組分方差為0.0025。

對比例3:

將厚度為12.1514微米的碲鎘汞薄膜材料進行2次化學(xué)拋光。第一次使用的化學(xué)拋光液組成如下:甲醇與乙二醇的體積比為1:3,甲醇和乙二醇組成第一混合物,溴在第一混合物中的體積濃度為0.2%。第二次使用的化學(xué)拋光液組成如下:氨水與雙氧水組成的混合物,氨水與雙氧水的體積比為1:40。每次化學(xué)拋光去除的厚度分別為2.0097微米和1.4570微米,未進行表面處理,最終測試獲得碲鎘汞薄膜材料的組分方差為0.0024。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。

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