技術(shù)特征：

1.一種高密度SOI封裝基板，包括SOI襯底基板和SiO₂埋氧層(103)，SiO₂埋氧層(103)設(shè)在SOI襯底基板的中間，把SOI襯底基板分設(shè)為隔離的器件層(102)和襯底層(110)，其特征在于：所述器件層(102)中設(shè)有正面硅柱(101)，所述正面硅柱(101)與所述器件層(102)之間設(shè)有第一絕緣環(huán)(107)，所述襯底層(110)中設(shè)有穿透的背面硅柱(105)，所述背面硅柱(105)與所述襯底層(110)之間設(shè)有第二絕緣環(huán)(104)；所述正面硅柱(101)中設(shè)有金屬柱(108)，所述金屬柱(108)一端穿透SiO₂埋氧層(103)至所述背面硅柱(105)中，所述金屬柱(108)與所述正面硅柱(101)和所述背面硅柱(105)均構(gòu)成歐姆接觸。

2.如權(quán)利要求1所述高密度SOI封裝基板，其特征在于：所述第一絕緣環(huán)(107)或所述第二絕緣環(huán)(104)為絕緣材料或空氣隔離槽。

3.如權(quán)利要求2所述高密度SOI封裝基板，其特征在于：所述絕緣材料為二氧化硅、玻璃漿料或樹脂。

4.如權(quán)利要求1所述高密度SOI封裝基板，其特征在于：所述襯底層(110)和所述背面硅柱(105)為電阻率小于1000的低阻硅。

5.如權(quán)利要求1所述高密度SOI封裝基板，其特征在于：所述器件層(102)和所述襯底層(110)的兩外側(cè)覆蓋有絕緣層(106)。

6.如權(quán)利要求5所述高密度SOI封裝基板，其特征在于：所述絕緣層的材質(zhì)為SiO₂、BCB或PI。

7.如權(quán)利要求5所述高密度SOI封裝基板，其特征在于：所述器件層(102)的絕緣層(106)外覆蓋有金屬布線層(100)，所述金屬布線層(100)中金屬線路與所述金屬柱(108)電氣連接，所述襯底層(110)的絕緣層(106)外均覆蓋有金屬層(109)，所述金屬層(109)中線路層與背面硅柱(105)電氣連接。

8.一種高密度SOI封裝基板的制備方法，包括以下步驟：

⑴、取含有SiO₂埋氧層的SOI圓片作為基板，通過DRIE或激光對(duì)基板正面和背面進(jìn)行刻蝕，獲得至SiO₂埋氧層的硅柱，硅柱與基板之間設(shè)有絕緣結(jié)構(gòu)；

⑵、對(duì)步驟⑴的基板兩外側(cè)面拋光處理，由基板正面硅柱刻蝕出盲孔，至基板背側(cè)的硅柱中；

⑶、對(duì)步驟⑵盲孔中注入金屬形成金屬柱；

⑷、向步驟⑶基板兩側(cè)全部表面均覆蓋上絕緣層；

⑸、對(duì)步驟⑷基板進(jìn)行拋光處理，兩側(cè)的絕緣層面上覆蓋上金屬互連層。

9.如權(quán)利要求8所述高密度SOI封裝基板的制備方法，其特征在于：步驟⑵中絕緣結(jié)構(gòu)為二氧化硅層、BCB層、PI層、玻璃漿料或空氣絕緣層。

10.如權(quán)利要求8所述高密度SOI封裝基板的制備方法，其特征在于：步驟⑷中絕緣層是通過PECVD、CVD、旋涂、噴渡中的至少一種方法覆蓋在基板兩側(cè)全部表面上的。