示例實施方式涉及密封的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

包含薄膜晶體管(tft)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置或液晶顯示器已經(jīng)被包括在用于諸如數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、便攜式攝像機(jī)、便攜式信息終端或智能電話的移動裝置的顯示設(shè)備中。

這樣的顯示設(shè)備可以包括密封構(gòu)件以保護(hù)顯示裝置免受外界影響。例如，密封構(gòu)件可以被涂覆在多個基板之間并且通過從激光源發(fā)射的激光束硬化，從而結(jié)合所述基板。

然而，由于發(fā)射的激光束產(chǎn)生的熱，輻射到多條導(dǎo)線被形成于該處的扇出區(qū)域中的激光可以引起導(dǎo)線之間的短路。增加導(dǎo)線之間的距離可以增大圍繞顯示區(qū)域的無效區(qū)。

本背景技術(shù)部分中披露的以上信息僅用于對本發(fā)明構(gòu)思的背景技術(shù)的理解的增強，因此，它可以包含不形成現(xiàn)有技術(shù)的信息，所述現(xiàn)有技術(shù)在本國已經(jīng)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

示例實施方式提供具有減小尺寸的無效區(qū)的顯示設(shè)備。

附加方面將在以下詳細(xì)描述中被闡釋，以及部分地，將因本公開而明顯，或者可以通過對本發(fā)明構(gòu)思的實踐而被了解。

一示例實施方式公開一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括：第一基板；面對第一基板布置的第二基板；布置在第一基板的面對第二基板的表面上的顯示部分，該顯示部分包括多個發(fā)光區(qū)域；布置在第一基板和第二基板之間的密封構(gòu)件，該密封構(gòu)件將第一基板與第二基板結(jié)合；布置在密封構(gòu)件和第一基板之間的第一黑矩陣；以及布置在第一基板和第一黑矩陣之間的多條導(dǎo)線。

上述概括描述和以下詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的，并且試圖提供對所請求保護(hù)的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

附圖示出本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，并且與說明書一起用來解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理，所述附圖被包括以提供對本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，并且被合并在本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。

圖1是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的顯示設(shè)備的分解透視圖。

圖2是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的，沿圖1的剖切線(sectionalline)i-i'截取的顯示設(shè)備的剖視圖。

圖3是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的非顯示區(qū)域的剖視圖。

圖4是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的非顯示區(qū)域的剖視圖。

具體實施方式

在以下描述中，為了解釋的目的，許多具體細(xì)節(jié)被闡釋以提供對多種示例實施方式的透徹理解。然而，顯然，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下或者使用一個或更多個等價布置，多種示例實施方式仍可以被實施。在另外的情形下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以框圖形式示出，以避免不必要地使多種示例實施方式模糊不清。

在附圖中，為了清晰和描述的目的，層、膜、板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸可以被夸大。此外，相同附圖標(biāo)記指代相同元件。

當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為“在”另外的元件或?qū)印吧稀?、或者“連接到”或“聯(lián)接到”另外的元件或?qū)訒r，它可以直接在所述另外的元件或?qū)由稀⒒蛘哌B接到或聯(lián)接到所述另外的元件或?qū)?，或者居間元件或?qū)涌梢源嬖凇Ｈ欢?，?dāng)一元件或?qū)颖环Q為“直接在”另外的元件或?qū)印吧稀?、或“直接連接到”或“直接聯(lián)接到”另外的元件或?qū)訒r，則沒有居間元件或?qū)哟嬖?。對于本公開，“x、y和z中的至少一個”和“自x、y和z構(gòu)成的組選出的至少一個”可以被解釋為僅x、僅y、僅z或x、y和z中的兩個或更多個的任意組合，諸如例如xyz、xyy、yz和zz。相同附圖標(biāo)記始終指代相同元件。當(dāng)在此處使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目中的一項或者更多項的任意和所有組合。

雖然術(shù)語第一、第二等可以在此被用來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語被用來將一個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層和/或部分能被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，而不背離本公開的教導(dǎo)。

空間關(guān)系術(shù)語，諸如“在……之下”、“在……下面”、“下部”、“在……之上”、“上部”等，可以在此被用于描述的目的，從而用來描述如圖中示出的一個元件或特征的與另外的元件(們)或特征(們)的關(guān)系。除圖中描繪的取向之外，空間關(guān)系術(shù)語還旨在涵蓋裝置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”另外的元件或特征“下面”或“之下”的元件將取向“在”所述另外的元件或特征“之上”。因此，示例術(shù)語“在……下面”能涵蓋上下取向兩者。此外，設(shè)備可以被另外取向(例如旋轉(zhuǎn)90度或處于另外的取向)，因此，此處使用的空間關(guān)系描述語可以被相應(yīng)地解釋。

此處使用的術(shù)語是為了描述具體實施方式且不打算成為限制。當(dāng)在此處使用時，單數(shù)形式“一”和“該”也打算包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另行表示。此外，當(dāng)在此說明書中使用時，術(shù)語“包含”和/或“包括”指明所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組群的存在，但不排除一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組群的存在或添加。

在這里參考截面圖示描述多種示例實施方式，所述截面圖示是理想示例實施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的概要圖示。因此，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的相對于圖示的形狀的變化將被預(yù)料到。因此，此處公開的示例實施方式不應(yīng)被解釋為限于區(qū)域的特定的所示形狀，而將包括由例如制造引起的形狀上的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣通常將具有圓化或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)可以在埋入?yún)^(qū)和注入通過其發(fā)生的表面之間的區(qū)域中導(dǎo)致一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)域的實際形狀且不旨在成為限制。

除非另有定義，否則此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。諸如通用詞典中定義的術(shù)語的術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與它們的在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的背景下的含義一致的含義，并且將不在理想化或過度形式化的意義上被解釋，除非此處明確地如此定義。

圖1是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的顯示設(shè)備100的分解透視圖。

圖1示出顯示設(shè)備100是有機(jī)發(fā)光顯示裝置(oled)。然而，示例實施方式不限于此，顯示設(shè)備100可以包括被配置為通過接收電力顯示圖像的任何顯示設(shè)備，包括但不限于液晶顯示裝置(lcd)、場發(fā)射顯示裝置(fed)、電子紙顯示裝置(epd)等。

參考圖1，根據(jù)一個或更多個示例實施方式的顯示設(shè)備100可以包括顯示面板130，顯示面板130包含第一基板110和布置在第一基板110上的第二基板120。

顯示面板130可以包括具有用于顯示圖像的顯示部分200(參考圖2)的顯示區(qū)域(da)和布置在da外面的非顯示區(qū)域(nda)。

第一基板110可以是諸如具有剛性的玻璃基板和/或聚合物基板的剛性基板，諸如膜和/或金屬基板的柔性基板，或者它們的組合。

第二基板120可以是玻璃基板、聚合物樹脂和/或具有柔性的膜。第二基板120可以通過交替堆疊有機(jī)膜和無機(jī)膜中的至少一個形成。

用于將da與外界氣密地隔絕的密封構(gòu)件190可以被設(shè)置在第一基板110和第二基板120的彼此面對的表面之間。根據(jù)一個或更多個示例實施方式，密封構(gòu)件190可以沿第一基板110和第二基板120的邊緣設(shè)置。例如，密封構(gòu)件190可以具有沿da的邊緣連續(xù)形成的線形狀。密封構(gòu)件190可以包括玻璃釉料。

形成在da中的顯示部分200可以包括至少一個tft和電連接到所述tft的有機(jī)發(fā)光器件(oled)。

nda可以包括扇出區(qū)域(fa)和焊盤區(qū)域(pa)，多條導(dǎo)線211被設(shè)置于扇出區(qū)域(fa)，多個焊盤220被布置于焊盤區(qū)域(pa)。

fa是設(shè)置在da和pa之間的區(qū)域。fa包括源自da的導(dǎo)線211，所述導(dǎo)線211包含例如柵線和/或數(shù)據(jù)線，電連接到焊盤220。

例如，在fa中，鄰近于da的導(dǎo)線211之間的距離可以大于鄰近于pa的導(dǎo)線211之間的距離。因此，圖1公開導(dǎo)線211可以被圖案化為以某角度傾斜地布置，但是示例實施方式不限于此。

觸摸屏面板160可以被設(shè)置在第二基板120之上。例如，觸摸屏面板160可以是包括設(shè)置在第二基板120上的觸摸屏圖案的外嵌式觸摸屏面板(on-celltouchscreenpanel)。觸摸屏面板160可以被整體地形成在第二基板120上，但是示例實施方式不限于此。

偏振片170可以被設(shè)置在觸摸屏面板160之上。偏振片170可以減少或防止外部光從da反射。

窗蓋180可以被設(shè)置在偏振片170的頂表面上以保護(hù)顯示面板130、觸摸屏面板160和偏振片170。窗蓋180可以包括但不限于具有剛性的玻璃。

電路板230被連接到焊盤220以接收外部信號。電路板230可以包括柔性膜231和布置在柔性膜231的一側(cè)且被電連接到焊盤220的多個端子232。電路板230可以包括但不限于具有柔性的柔性印刷電路版(fpcb)。

圖2是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的，沿圖1的剖切線i-i'截取的顯示設(shè)備100的剖視圖。

參考圖2，包含用于顯示圖像的顯示部分200的da和布置在da外側(cè)的nda可以被設(shè)置在第一基板110上。da可以包括從平面觀察按矩陣形式布置的多個像素。

所述多個像素可以顯示多種顏色的可見光。例如，所述多個像素可以至少包括產(chǎn)生紅光的紅色像素pr、產(chǎn)生綠光的綠色像素pg和產(chǎn)生藍(lán)光的藍(lán)色像素pb。

所述多個像素中的每個可以包括oled。所述多個像素中的每個可以包括被電連接到oled的電子器件。電子器件可以包括tft和存儲電容器中的至少一種。電子器件可以將各種類型的電信號傳輸?shù)給led以驅(qū)動oled。

盡管圖2示出了所述多個像素中的每個僅包括oled和用于驅(qū)動oled的驅(qū)動tft，但是這僅是為了解釋的方便，示例實施方式不限于此。所述多個像素中的每個可以進(jìn)一步包括多個tft、存儲電容器和多條導(dǎo)線。

tft可以是包括有源層102、柵電極104、源電極106a和漏電極106b的頂柵型。盡管根據(jù)圖2的tft示出了頂柵型tft，但是示例實施方式不限于此，各種類型的tft可以被包括。例如，根據(jù)示例實施方式的顯示設(shè)備100可以包括底柵型tft。

緩沖層101可以被設(shè)置在第一基板110的上表面上以提供平坦化并減少或防止雜質(zhì)元素的侵入。緩沖層101可以通過各種沉積方法使用硅氧化物(sio2)和/或硅氮化物(sinx)來沉積，所述各種沉積方法包括但不限于等離子體增強化學(xué)氣相沉積(pecvd)法、常壓cvd(apcvd)法和低壓cvd(lpcvd)法。如有必要，緩沖層101可以被省略。

有源層102可以被設(shè)置在緩沖層101上與每個像素相應(yīng)的區(qū)域中。有源層102可以通過圖案化橫跨第一基板110的整個表面設(shè)置在緩沖層101上的硅、諸如氧化物半導(dǎo)體的無機(jī)半導(dǎo)體、或者有機(jī)半導(dǎo)體來形成。使用硅形成的有源層102可以包括非晶硅層。有源層102也可以包括通過晶化非晶硅形成的多晶硅層。

有源層102可以包括雜質(zhì)被注入其中的源區(qū)和漏區(qū)，并且包括設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。

用于將有源層102與柵電極104絕緣的柵絕緣膜103被設(shè)置在有源層102上。柵絕緣膜103可以包括各種絕緣材料。例如，柵絕緣膜103可以包括氧化物和/或氮化物。

柵電極104可以被布置在柵絕緣膜103上位于對應(yīng)于溝道區(qū)的區(qū)域中。柵電極104可以被連接到柵線，tft開/關(guān)信號通過柵線被傳輸?shù)絫ft。

第一層間絕緣膜105被布置在柵電極104之上。源電極106a和漏電極106b中的每個經(jīng)由接觸孔接觸有源層102的相應(yīng)區(qū)域。例如，源電極106a和漏電極106b分別接觸有源層102的源區(qū)和漏區(qū)。

鈍化膜107可以覆蓋tft以保護(hù)tft。鈍化膜107可以使用無機(jī)絕緣膜和/或有機(jī)絕緣膜。無機(jī)絕緣膜可以包括sio2、sinx、硅氮氧化物(sion)、鋁氧化物(al2o3)、二氧化鈦(tio2)、五氧化二鉭(ta2o5)、鉿(iv)氧化物(hfo2)、二氧化鋯(zro2)、鈦酸鍶鋇(bst)和/或鋯鈦酸鉛(pzt)中的至少一種，然而有機(jī)絕緣膜可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用型聚合物、具有基于苯酚的基團(tuán)的聚合物衍生物、基于丙烯醛基的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于烯丙醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于對二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物和它們的組合。此外，鈍化膜107可以由無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜的組合疊層形成。

oled可以被布置在鈍化膜107上位于發(fā)光區(qū)域中。

oled可以包括布置在鈍化膜107上的像素電極111、面對像素電極111布置的對電極112和布置在像素電極111和對電極112之間的中間層，中間層包括有機(jī)發(fā)光層。

根據(jù)光發(fā)射方向，顯示設(shè)備100可以是底部發(fā)射型、頂部發(fā)射型和雙面發(fā)射型。底部發(fā)射型顯示設(shè)備可以包括被設(shè)置為光透射電極的像素電極111和被設(shè)置為反射電極的對電極112。頂部發(fā)射型顯示設(shè)備可以包括被設(shè)置為反射電極的像素電極111和被設(shè)置為半透射電極的對電極112。圖2所示的包含oled的示例顯示設(shè)備可以是其中光在朝向封裝構(gòu)件210的方向上發(fā)射的頂部發(fā)射型，但是不限于此。

像素電極111可以包括包含銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鉛(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)和它們的復(fù)合物的反射膜，以及包含具有高功函數(shù)的銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、鋅氧化物(zno)和/或銦(iii)氧化物(in2o3)的光透射膜。像素電極111可以被圖案化成與每個像素對應(yīng)的島形。此外，像素電極111可以被連接到外部端子以起陽極電極的作用。

像素限定膜109被布置在像素電極111上覆蓋像素電極111的邊緣以形成暴露像素電極111的中心部分的開口。被配置為發(fā)射光的有機(jī)發(fā)光部分113被布置在由開口限定的區(qū)域中，于是限定發(fā)光區(qū)域。當(dāng)發(fā)光區(qū)域由像素限定膜109中的開口限定時，高于發(fā)光區(qū)域的突出部分自然地形成在相鄰發(fā)光區(qū)域之間。有機(jī)發(fā)光層不形成于其中的突出部分可以是非發(fā)光區(qū)域。

對電極112可以被設(shè)置為透射電極，并且可以是金屬半透射膜，所述金屬半透射膜包括具有低功函數(shù)的諸如li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg和/或ag的薄金屬。包含ito、izo、zno或in2o3的光透射導(dǎo)電膜可以被進(jìn)一步布置在金屬半透射膜上，歸因于金屬半透射膜的薄的厚度的高電阻可以被減小。對電極112可以橫跨第一基板110的整個上表面形成，呈公共電極的形式。此外，對電極112可以被連接到外部端子以起陰極電極的作用。像素電極111和對電極112可以具有相反的極性。

中間層可以包括發(fā)射光的有機(jī)發(fā)光部分113。有機(jī)發(fā)光部分113可以包括低分子有機(jī)材料和/或聚合物有機(jī)材料。除有機(jī)發(fā)光部分113之外，中間層還可以包括空穴傳輸層(htl)、空穴注入層(hil)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的至少一種。在有機(jī)發(fā)光部分113和像素電極111之間可以僅包括由聚合物有機(jī)材料形成的htl。使用聚-(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)通過噴墨打印法或旋涂法，聚合物htl可以被設(shè)置在像素電極111上。

oled可以通過像素電極111和對電極112的電驅(qū)動發(fā)射白光。oled可以使用降頻轉(zhuǎn)換法和顏色混合法發(fā)射白光，在降頻轉(zhuǎn)換法中，藍(lán)光或紫光被應(yīng)用以激發(fā)熒光材料從而產(chǎn)生具有各種顏色的光并且通過混合從被激發(fā)的熒光材料發(fā)射的各種顏色產(chǎn)生具有寬且豐富的波譜的光，在顏色混合法中通過混合諸如藍(lán)色和橙色的兩種基本顏色或諸如紅色、綠色和藍(lán)色的三種基本顏色產(chǎn)生白色光線。然而，示例實施方式不限于此，并且各種材料和方法可以被使用以產(chǎn)生白光。此外，有機(jī)發(fā)光部分113不限于產(chǎn)生白光，多個像素中的每個可以被配置為產(chǎn)生紅光、綠光和藍(lán)光中的一種。

封裝構(gòu)件210可以被布置在第一基板110之上以覆蓋顯示部件dp。封裝構(gòu)件210可以包括多個堆疊的絕緣膜。例如，所述絕緣膜可以具有有機(jī)膜202和無機(jī)膜201和203交替堆疊的結(jié)構(gòu)。

無機(jī)膜201和203可以包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物和它們的復(fù)合物。例如，無機(jī)膜201和203可以包括鋁氧化物、硅氧化物和/或硅氮化物。無機(jī)膜201和203可以減少或防止外部濕氣和氧氣到oled內(nèi)的侵入。有機(jī)膜202可以包括高分子化合物，并且可以包括環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的至少一種。有機(jī)膜202可以減少或減輕無機(jī)膜201和203的內(nèi)部應(yīng)力和/或彌補無機(jī)膜201和203的缺陷以平坦化無機(jī)膜201和203。

第二黑矩陣212可以被布置在面對第一基板110的第二基板120之下。例如，第二黑矩陣212可以對應(yīng)于非發(fā)光區(qū)域布置。第二黑矩陣212可以包括對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域的開口。第二黑矩陣212的形狀不限于如圖2所示的矩形截面，并且可以包括諸如梯形或倒梯形的各種形狀。第二黑矩陣212可以減少或防止由相鄰像素產(chǎn)生的或彼此影響的具有不同顏色的可見光的按異常方式的混合。第二黑矩陣212也可以保護(hù)tft的構(gòu)件以免被外部光損壞或防止tft的構(gòu)件被外部光損壞。

第二黑矩陣212可以包括各種各樣的材料。例如，第二黑矩陣212可以使用與黑色顏料和/或鉻氧化物(crox)混合的黑色有機(jī)材料形成。此外，如以下所述，第二黑矩陣212可以過濾從發(fā)光區(qū)域發(fā)射的光的一部分以響應(yīng)于oled和第二基板120之間距離d的變化而改變視角。

根據(jù)形成第二黑矩陣212的材料，第二黑矩陣212可以以各種方式布置。包括鉻和/或鉻氧化物的第二黑矩陣212可以包括通過濺射或電子束沉積法形成的鉻或鉻氧化物的單層膜。包括鉻和/或鉻氧化物的第二黑矩陣212也可以包括包含鉻和/或鉻氧化物的2層膜或3層膜。

濾色片241可以對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域布置。濾色片241可以對應(yīng)于第二黑矩陣212的開口布置。例如，濾色片241可以被布置為填充在相鄰第二黑矩陣212之間對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域形成的開口。根據(jù)圖2，濾色片241的至少一部分可以重疊部分第二黑矩陣212。然而，示例實施方式不限于此，濾色片241可以具有與第二黑矩陣212的厚度相同的厚度。

濾色片241可以包括有機(jī)材料和分散在有機(jī)材料中的著色材料。著色材料可以是通用型染料和/或顏料，有機(jī)材料可以是通用型分散劑。濾色片241可以選擇性地僅透過由oled發(fā)射的白光中諸如紅色、綠色或藍(lán)色的具有特定波長的光，并且吸收具有其它波長的光。因此，可以從每個像素發(fā)射紅色、綠色和藍(lán)色光線中的一種。因此，配置為產(chǎn)生紅色、綠色和藍(lán)色的濾色片241r、241g和241b可以對應(yīng)于各發(fā)光區(qū)域布置，各發(fā)光區(qū)域可以發(fā)射紅色、綠色和藍(lán)色光線。

根據(jù)示例實施方式的nda可以包括布置在第一基板110和第二基板120之間的密封構(gòu)件190、布置在密封構(gòu)件190下方的第一黑矩陣312以及布置在第一黑矩陣312下方的多條導(dǎo)線211。布置在nda中的導(dǎo)線211和第一黑矩陣312被參考附圖描述。

圖3是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的nda的剖視圖。

參考圖3，根據(jù)示例實施方式的nda可以包括布置在第一基板110上的緩沖層101、布置在緩沖層101上的柵絕緣膜103和布置在柵絕緣膜103上的第一層間絕緣膜105。布置在nda中的第一基板110、緩沖層101、柵絕緣膜103和第一層間絕緣膜105與參考圖2關(guān)于da描述的第一基板110、緩沖層101、柵絕緣膜103和第一層間絕緣膜105實質(zhì)上相同，為了解釋的方便略去對它們的詳細(xì)描述。

導(dǎo)線211可以包括第一導(dǎo)線211a、第二導(dǎo)線211b和第三導(dǎo)線211c，第一導(dǎo)線211a、第二導(dǎo)線211b和第三導(dǎo)線211c以例如等于或大于約2μm且等于或小于約4μm的距離t彼此間隔開。導(dǎo)線211可以包括與柵電極104的材料實質(zhì)上相同的材料。例如，從驅(qū)動器ic到第一柵線的第一電信號可以通過第一導(dǎo)線211a傳輸，從驅(qū)動器ic到第二柵線的第二電信號可以通過第二導(dǎo)線211b傳輸，從驅(qū)動器ic到第三柵線的第三電信號可以通過第三導(dǎo)線211c傳輸。

第一導(dǎo)線211a、第二導(dǎo)線211b和第三導(dǎo)線211c可以被布置在柵絕緣膜103上，第一層間絕緣膜105可以被布置在第一導(dǎo)線211a、第二導(dǎo)線211b和第三導(dǎo)線211c之上。圖3示出nda包括例如包含緩沖層101、柵絕緣膜103和第一層間絕緣膜105的多個絕緣層。然而，示例實施方式不限于此，絕緣層疊層的結(jié)構(gòu)可以具有其它各種配置。

密封構(gòu)件190可以被布置在第一層間絕緣膜105上，并且可以如上所述地沿da的邊緣以線形狀被連續(xù)地形成。激光束可以被輻射到布置在第一基板110和第二基板120之間的密封構(gòu)件190上以使密封構(gòu)件190與第一基板110和第二基板120熔合。

根據(jù)示例實施方式的密封構(gòu)件190可以延伸以重疊彼此間隔開布置的導(dǎo)線211。因此，當(dāng)在比較實施方式中激光束被輻射到密封構(gòu)件190上時，密封構(gòu)件190下方的導(dǎo)線211可以被激光束熱損壞。例如，導(dǎo)線211可以被激光束的輻射加熱，且熱可以引起相鄰導(dǎo)線211之間的短路。

此外，當(dāng)在比較實施方式中激光束通過后曝光穿過第一基板110輻射時，導(dǎo)線211之間的距離t可以被增大以提供充足的距離來將激光束透射至密封構(gòu)件190。因此，da外側(cè)的無效區(qū)可以增大。

根據(jù)一示例實施方式，第一黑矩陣312可以布置在密封構(gòu)件190和導(dǎo)線211之間，因此可以阻擋激光束從第二基板120外部被輻射到導(dǎo)線211上。例如，第一黑矩陣312可以由與圖2的第二黑矩陣212的材料和方法實質(zhì)上相同的材料和方法形成。第一黑矩陣312可以具有厚度a1，例如約1μm或更小。例如，第一黑矩陣312的厚度a1可以小于圖2的第二黑矩陣212的厚度a2。然而，示例實施方式不限于此，第一黑矩陣312的厚度a1可以與圖2的第二黑矩陣212的厚度a2相同或大于圖2的第二黑矩陣212的厚度a2。

根據(jù)一個或更多個示例實施方式，第一黑矩陣312可以被布置在密封構(gòu)件190與導(dǎo)線211之間，例如第一層間絕緣膜105與密封構(gòu)件190之間。第一黑矩陣312可以具有與密封構(gòu)件190的寬度d基本相同或大于密封構(gòu)件190的寬度d的寬度m以重疊密封構(gòu)件190。此外，第一黑矩陣312的寬度m可以與導(dǎo)線211的寬度k基本相同或大于導(dǎo)線211的寬度k以重疊導(dǎo)線211。因此，第一黑矩陣312可以阻擋穿過密封構(gòu)件190輻射到導(dǎo)線211上的激光束并且減少或防止導(dǎo)線211的損壞。此外，由于不需要提供充足的距離來透過激光束，所以導(dǎo)線211之間的距離t可以被減小，從而減小不必要的無效區(qū)。

圖4是根據(jù)一個或更多個示例實施方式的nda的剖視圖。

盡管如圖3所示導(dǎo)線211可以具有單層結(jié)構(gòu)，但是第一導(dǎo)線211a、第二導(dǎo)線211b和第三導(dǎo)線211c可以具有多層結(jié)構(gòu)，在所述多層結(jié)構(gòu)中第一導(dǎo)線211a、第二導(dǎo)線211b和第三導(dǎo)線211c被交替地布置在不同的絕緣層上。根據(jù)圖4，緩沖層101可以被布置在第一基板110上。第一柵絕緣膜103a可以被布置在緩沖層101上。第一導(dǎo)線211a和第三導(dǎo)線211c可以被布置在第一柵絕緣膜103a上，以某距離彼此間隔開。第二柵絕緣膜103b可以被布置在第一導(dǎo)線211a和第三導(dǎo)線211c上。第二導(dǎo)線211b可以被布置在第二柵絕緣膜103b上。第二導(dǎo)線211b可以被布置在第一導(dǎo)線211a和第三導(dǎo)線211c之間，以某距離與第一導(dǎo)線211a和第三導(dǎo)線211c間隔開。第一層間絕緣膜105可以被布置在第二導(dǎo)線211b上。由于第一導(dǎo)線211a和第三導(dǎo)線211c與第二導(dǎo)線211b通過插置在其間的第二柵絕緣膜103b彼此絕緣，所以第一導(dǎo)線211a、第二導(dǎo)線211b和第三導(dǎo)線211c之間的距離可以被進(jìn)一步減小。

第一黑矩陣312可以布置在密封構(gòu)件190和導(dǎo)線211之間，例如第一層間絕緣膜105和密封構(gòu)件190之間。由于圖4所示的第一黑矩陣312與圖3的第一黑矩陣312實質(zhì)上相同，為了解釋的方便此處略去對第一黑矩陣312的描述。

由于第一黑矩陣312布置在密封構(gòu)件190和導(dǎo)線211之間，第一黑矩陣312可以阻擋穿過密封構(gòu)件190輻射到導(dǎo)線211上的激光束并減小或防止導(dǎo)線211的損壞。此外，由于不需提供充足的距離以透過激光束，導(dǎo)線211之間的距離t被減小，因此導(dǎo)線211可以被密集排列，從而減小不必要的無效區(qū)。

如以上所述，根據(jù)示例實施方式的顯示設(shè)備可以包括布置在密封構(gòu)件和第一基板之間的第一黑矩陣，并且通過減少或防止激光束引起的導(dǎo)線之間的短路，導(dǎo)線之間的距離t可以被減小，使得不必要的無效區(qū)可以被減小。

盡管已經(jīng)在此描述了某些示例實施方式和實現(xiàn)方法，但由此描述，其它實施方式和變型將是明顯的。因此，本發(fā)明構(gòu)思不限于這樣的實施方式，而是限于所提出的權(quán)利要求以及各種明顯變型和等價布置的更寬的范圍。

本申請要求享有2015年11月16日提交的韓國專利申請第10-2015-0160455號的優(yōu)先權(quán)及利益，其特此通過引用被合并以用于所有目的如同在此被充分闡明那樣。