本發(fā)明屬于柔性電子學(xué)器件領(lǐng)域，特別涉及一種摩擦電子學(xué)晶體管及與非門、觸發(fā)器、寄存器和計數(shù)器。

背景技術(shù)：

隨著集成電路IC技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品的需求也不斷在加大，邏輯電路在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中占據(jù)核心的地位。而當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)迅猛發(fā)展又需要將外界環(huán)境與電子產(chǎn)品密切聯(lián)系，但是現(xiàn)有的邏輯單元器件都是“靜態(tài)”并幾乎完全通過電信號觸發(fā)或啟動的，缺乏外界環(huán)境與邏輯器件的“動態(tài)”交互機(jī)制。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問題

有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管及與非門、觸發(fā)器、寄存器和計數(shù)器，以期解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一項技術(shù)問題。

(二)技術(shù)方案

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管，包括：基材，所述基材包括：溝道層，其材料為n型硅；絕緣層，形成于溝道層之上，其材料為二氧化硅；基片層，形成于絕緣層之上，其材料為重?fù)絥型硅。浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管還包括：兩個金屬電極，分別沉積于溝道層之下兩個不同位置，引出浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的漏極和源極；金屬柵極，形成于所述基片層之上；高分子基板，形成于柵極導(dǎo)電層之上；金屬膜，形成于高分子基板之上，通過過孔與金屬柵極連接；移動摩擦件，其材料為高分子聚合物，其能夠在外力作用下移動，與金屬膜接觸或分離。

優(yōu)選地，當(dāng)移動摩擦件與金屬膜分離時，在溝道層形成增強(qiáng)區(qū)，溝道層中的導(dǎo)電溝道寬度增加，導(dǎo)電溝道中的電流I_DS增加，浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管被定義為處于開啟狀態(tài)；當(dāng)移動摩擦件與金屬膜接觸時，溝道層中的導(dǎo)電溝道寬度減小，導(dǎo)電溝道中的電流I_DS減小，浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管被定義為處于關(guān)閉狀態(tài)。

本發(fā)明還提供一種摩擦電子學(xué)與非門，包括上述的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管、一個p型場效應(yīng)晶體管和一個n型場效應(yīng)晶體管；移動摩擦件由有機(jī)玻璃支撐，上下表面為高分子聚合物材料；移動摩擦件在兩個浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管之間移動，使得移動摩擦件的上下表面與兩個浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的金屬膜接觸或分離；位于下方的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的漏極與p型場效應(yīng)晶體管的源極連接電源電壓，位于下方的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的源極與p型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，連接輸出端，并與位于上方的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的漏極連接；位于上方的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的源極連接n型場效應(yīng)晶體管的漏極；n型場效應(yīng)晶體管的源極接地；p型場效應(yīng)晶體管和n型場效應(yīng)晶體管的柵極相連，作為電場輸入端。

優(yōu)選地，電源電壓為5V；電場輸入端電壓為5V時，輸入狀態(tài)定義為“1”，電場輸入端電壓為0V時，輸入狀態(tài)定義為“0”；移動摩擦件所受外力為釋放狀態(tài)時，移動摩擦件與位于上方的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的金屬膜接觸，輸入狀態(tài)定義為“0”，移動摩擦件所受外力為施加狀態(tài)時，移動摩擦件在外力作用下向下移動，與位于下方的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的金屬膜接觸，輸入狀態(tài)定義為“1”；輸出端的電壓為低電平時，輸出狀態(tài)定義為“0”，輸出端的電壓為高電平時，輸出狀態(tài)為“1”。

本發(fā)明還提供一種摩擦電子學(xué)S-R觸發(fā)器，包括兩個上述的摩擦電子學(xué)與非門和一個鎖存器，兩個摩擦電子學(xué)與非門共同連接外力輸入，其中一個摩擦電子學(xué)與非門的電輸入端為E_S，另一個摩擦電子學(xué)與非門的電輸入端為E_R，兩個摩擦電子學(xué)與非門的輸出端分別連接鎖存器的兩個輸入端。

本發(fā)明還提供一種摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器，包括兩個上述的摩擦電子學(xué)與非門和一個鎖存器，兩個摩擦電子學(xué)與非門共同連接外力輸入，其中一個摩擦電子學(xué)與非門的電輸入端為E_D，E_D通過一個非門后作為另一個摩擦電子學(xué)與非門的電輸入端，兩個摩擦電子學(xué)與非門的輸出端分別連接鎖存器的兩個輸入端。

本發(fā)明還提供一種摩擦電子學(xué)三位寄存器，包括三個上述的摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器，三個摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器的力輸入端共同連接外力輸入，電輸入端分別為E_D0、E_D1、E_D2，摩擦電子學(xué)三位寄存器的輸出端為Q₀、Q₁、Q₂。

本發(fā)明還提供一種摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器，包括一個上述的摩擦電子學(xué)與非門、一個非門、第一S-R觸發(fā)器和第二S-R觸發(fā)器，摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的力輸入端連接外力觸發(fā)，電輸入端連接高電平，輸出端連接非門的輸入端，非門的輸出端作為第一S-R觸發(fā)器的時鐘觸發(fā)，第一S-R觸發(fā)器的輸出兩端分別連接第二S-R觸發(fā)器的輸入端，第一S-R觸發(fā)器的輸入S端為外接電輸入E_T和第二S-R觸發(fā)器的對應(yīng)反饋輸出端，第一S-R觸發(fā)器的輸入R端為外接電力輸入E_T和第二S-R觸發(fā)器的對應(yīng)反饋輸出端。

本發(fā)明還提供一種摩擦電子學(xué)三位計數(shù)器，包括三個上述的摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器和一個二端輸入與門和一個三端輸入與門，三個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器共同連接外力觸發(fā)，第一個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的電輸入端為E_T0＝“1”，第一個觸發(fā)器的輸出端作為第二個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的電輸入端E_T1，第一個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器和第二個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的輸出端作為二端輸入與門的輸入端，二端輸入與門的輸出端作為第三個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的輸入端E_T2，三個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的輸出端連接三端與門的輸入端，輸出端即為計數(shù)器的進(jìn)位標(biāo)識C。

(三)有益效果

本發(fā)明將摩擦納米發(fā)電機(jī)與硅基場效應(yīng)晶體管相結(jié)合，組成浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管，再將浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管和傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管集成在一起組成力電耦合輸入的摩擦電子學(xué)與非門，該與非門能夠?qū)ν獠繖C(jī)械觸發(fā)和電觸發(fā)進(jìn)行邏輯運(yùn)算，轉(zhuǎn)化為邏輯電平輸出?；谠撃Σ岭娮訉W(xué)與非門，提出的各種摩擦電子學(xué)觸發(fā)器和時序邏輯電路，展示了外部機(jī)械觸發(fā)的存儲和計算特性，實現(xiàn)了外界環(huán)境與硅基集成電路的直接交互，在人機(jī)界面、微納機(jī)電存儲、智能儀表和物聯(lián)網(wǎng)中具有重要的應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1為浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(a)-(b)為浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的工作原理圖；

圖3為摩擦電子學(xué)與非門的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4(a)-(c)為摩擦電子學(xué)與非門的等效電路圖與測試結(jié)果；

圖5(a)-(b)為摩擦電子學(xué)S-R觸發(fā)器的等效電路圖與測試結(jié)果；

圖6(a)-(b)為摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器的等效電路圖與測試結(jié)果；

圖7為摩擦電子學(xué)寄存器的等效電路圖；

圖8(a)-(b)為摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的等效電路圖與測試結(jié)果；

圖9(a)-(b)為摩擦電子學(xué)計數(shù)器的等效電路圖與測試結(jié)果。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

現(xiàn)有的邏輯單元器件都是“靜態(tài)”并幾乎完全通過電信號觸發(fā)或啟動的，缺乏外界環(huán)境與邏輯器件的“動態(tài)”交互機(jī)制，這一現(xiàn)狀亟待改進(jìn)。有鑒于此，本申請的發(fā)明人將摩擦納米發(fā)電機(jī)與傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管相結(jié)合，研制出外力觸控的接觸起電場效應(yīng)晶體管，并以此為基礎(chǔ)器件提出了耦合摩擦電和半導(dǎo)體的新領(lǐng)域——摩擦電子學(xué)。摩擦電子學(xué)是利用摩擦產(chǎn)生的靜電勢作為“門控信號”來調(diào)制半導(dǎo)體中信號傳輸與轉(zhuǎn)換特性，以實現(xiàn)各種人機(jī)交互功能器件的研究與應(yīng)用領(lǐng)域。摩擦電子學(xué)器件具有柔性透明等特點(diǎn)，并能夠與現(xiàn)有硅基集成電路結(jié)合，特別適用于制作人機(jī)交互的摩擦電子學(xué)硅基邏輯電路，實現(xiàn)外界環(huán)境與邏輯器件的主動式“動態(tài)”交互。

具體地，本發(fā)明提供一種浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管，包括：基材，所述基材包括：溝道層，其材料為n型硅；絕緣層，形成于溝道層之上，其材料為二氧化硅；基片層，形成于絕緣層之上，其材料為重?fù)絥型硅。浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管還包括：兩個金屬電極，分別沉積于溝道層之下兩個不同位置，引出浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的漏極和源極；金屬柵極，形成于所述基片層之上；高分子基板，形成于柵極導(dǎo)電層之上；金屬膜，形成于高分子基板之上，通過過孔與金屬柵極連接；移動摩擦件，其材料為高分子聚合物，其能夠在外力作用下移動，與金屬膜接觸或分離。

本發(fā)明還提供基于上述浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的摩擦電子學(xué)與非門、觸發(fā)器、寄存器和計數(shù)器。

在下面的詳細(xì)描述中，為便于解釋，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明實施例的全面理解，需要說明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，一個或多個實施例在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下也可以被實施。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以圖示的方式體現(xiàn)以簡化附圖。

圖1為根據(jù)本發(fā)明一種示例性實施例的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，溝道層1為n型硅，具有很低的電阻率，與基片層3重?fù)絥型硅之間為一層二氧化硅絕緣層2。在溝道層1的下表面左右兩側(cè)分別沉積金屬電極4和金屬電極5，分別作為晶體管的漏極和源極，外接電源?；瑢?的上表面鍍有一層歐姆接觸的金屬電極6，作為場效應(yīng)晶體管的柵極，為浮柵結(jié)構(gòu)。將1-6的整個結(jié)構(gòu)集成于高分子基板7的下表面，柵極6與高分子基板7上表面的金屬膜8通過過孔連接?？梢苿硬糠钟筛叻肿泳酆衔锉∧?組成，可在外力作用下垂直運(yùn)動，與金屬膜8產(chǎn)生接觸摩擦或分離。

圖2為根據(jù)上述示例性實施例的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管的工作原理圖。如圖2(a)所示，在外力F作用下，高分子聚合物薄膜9與金屬層8接觸產(chǎn)生摩擦，由于不同的電子束縛能力，高分子聚合物薄膜9帶負(fù)電，金屬層8帶正電。此時由于正負(fù)電荷的互相束縛，金屬層8上的正電荷不會轉(zhuǎn)移到柵極金屬6上。如圖2(b)所示，當(dāng)外力F撤去時，高分子聚合物薄膜9與金屬層8分離，對金屬層8上的正電荷束縛作用逐漸減弱，導(dǎo)致金屬層8的電荷部分轉(zhuǎn)移到柵極6上。在柵極金屬6上正電荷的作用下，晶體管內(nèi)部將在垂直方向上產(chǎn)生內(nèi)電場，電場方向由柵極金屬電極6指向溝道層1，溝道層1在內(nèi)電場作用下產(chǎn)生電荷極化，使得溝道層1上表面吸引電子、排斥空穴，產(chǎn)生增強(qiáng)區(qū)，增加了溝道層1中的導(dǎo)電溝道寬度，從而增大了溝道層1中電流I_DS的大小，起到了調(diào)控半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)的作用。當(dāng)外力F再次作用時，高分子聚合物薄膜9與金屬層8再次接觸，由于正負(fù)電荷的互相束縛，柵極6上的正電荷轉(zhuǎn)移回到金屬層8，晶體管內(nèi)部垂直方向上的內(nèi)電場減小至0，溝道層1中的導(dǎo)電溝道寬度變小，電流I_DS變小，回到了如圖2(a)所示的狀態(tài)。因此，外力F可以調(diào)控浮柵電荷在晶體管內(nèi)部形成的內(nèi)電場大小，起到柵極電壓的作用，從而可實現(xiàn)對半導(dǎo)體中電流大小的調(diào)控。圖2(a)中，電流I_DS較小，定義為晶體管的關(guān)閉狀態(tài)；圖2(b)中，電流I_DS較大，定義為晶體管的開啟狀態(tài)。

圖3為根據(jù)本發(fā)明一種示例性實施例的摩擦電子學(xué)與非門的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，摩擦電子學(xué)與非門由兩個相對的浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管和一對傳統(tǒng)的p型和n型場效應(yīng)晶體管組成。其中，可移動部分由有機(jī)玻璃板支撐，上下為高分子聚合物薄膜?？梢苿硬糠挚稍谏舷聝蓚€浮柵式摩擦電子學(xué)晶體管之間垂直移動，使高分子聚合物薄膜分別與上下金屬層接觸或分離。下端摩擦電子學(xué)晶體管的漏極和p型場效應(yīng)晶體管的源極接電源電壓V_bias＝5V，摩擦電子學(xué)晶體管的源極和p型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，接輸出端V_out，并與上端摩擦電子學(xué)晶體管的漏極連接。上端摩擦電子學(xué)晶體管的源極連接n型場效應(yīng)晶體管的漏極，n型場效應(yīng)晶體管的源極接地。p型場效應(yīng)晶體管和n型場效應(yīng)晶體管的柵極相連作為電場輸入端E_A，將E_A等于5V時定義為輸入狀態(tài)“1”，等于0V定義為輸入狀態(tài)“0”。當(dāng)圖示中可移動部分的位置為其初始狀態(tài)，與下晶體管的柵極金屬距離為d＝D₀＝200μm，此時外力F_B為釋放狀態(tài)，定義為輸入狀態(tài)“0”；當(dāng)外力F_B為施加狀態(tài)時，可移動部分在外力F_B作用向下移動，與下晶體管的柵極金屬接觸，距離為d＝0，定義為輸入狀態(tài)“1”。根據(jù)CMOS邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)，V_out輸出為低電平時，定義為輸出狀態(tài)“0”；V_out輸出為高電平時，定義為輸出狀態(tài)“1”。摩擦電子學(xué)與非門建立了外部力電耦合輸入與邏輯電平輸出的聯(lián)系。

圖4為根據(jù)上述示例性實施例的摩擦電子學(xué)與非門的等效電路圖，測試結(jié)果和定義符號。如圖4(a)所示，摩擦電子學(xué)與非門等效為由同一個摩擦發(fā)電機(jī)控制的一對摩擦電子學(xué)晶體管，和兩個同時由一個電壓控制的p型和n型的場效應(yīng)晶體管組成。當(dāng)E_A和F_B組合為(0 0)時，外界電場E_A會使得#2晶體管開啟，#4晶體管關(guān)閉，摩擦納米發(fā)電機(jī)的輸出電壓使#1晶體管開啟，#3晶體管關(guān)閉，V_out輸出狀態(tài)為“1”；當(dāng)E_A和F_B組合為(1 0)時，外界電場E_A會使得#2晶體管關(guān)閉，#4晶體管開啟，摩擦納米發(fā)電機(jī)的輸出電壓使#1晶體管開啟，#3晶體管關(guān)閉，V_out輸出狀態(tài)為“1”；當(dāng)E_A和F_B組合為(0 1)時，外界電場E_A會使得#2晶體管開啟，#4晶體管關(guān)閉，摩擦納米發(fā)電機(jī)的輸出電壓使#1晶體管關(guān)閉，#3晶體管開啟，V_out輸出狀態(tài)為“1”；當(dāng)E_A和F_B組合為(1 1)時，外界電場E_A會使得#2晶體管關(guān)閉，#4晶體管開啟，摩擦納米發(fā)電機(jī)的輸出電壓使#1晶體管關(guān)閉，#3晶體管開啟，V_out輸出狀態(tài)為“0”；圖4(b)給出了摩擦電子學(xué)與非門電平輸出對應(yīng)外力F輸入的真值表，測試結(jié)果滿足CMOS邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)。圖4(c)給出了力電耦合輸入摩擦電子學(xué)與非門的定義符號。

圖5為本發(fā)明一種示例性實施例的摩擦電子學(xué)S-R觸發(fā)器的等效電路圖與測試結(jié)果。如圖5(a)所示，摩擦電子學(xué)S-R觸發(fā)器由兩個摩擦電子學(xué)與非門1#和2#和一個傳統(tǒng)的鎖存器組成。摩擦電子學(xué)與非門1#和2#共同連接外力輸入F_CLK，1#的電輸入端為S端，2#的電輸入端為R端，1#和2#的輸出端分別連接鎖存器的兩個輸入端。圖5(b)給出了摩擦電子學(xué)S-R觸發(fā)器電平輸出對應(yīng)E_S、E_R和外力F_CLK輸入的真值表，測試結(jié)果滿足S-R觸發(fā)器特性和CMOS邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)。

圖6為本發(fā)明一種示例性實施例的摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器的等效電路圖與測試結(jié)果。如圖6(a)所示，摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器由兩個摩擦電子學(xué)與非門1#和2#和一個傳統(tǒng)的鎖存器組成。摩擦電子學(xué)與非門1#和2#共同連接外力輸入F_CLK，E_D作為摩擦電子學(xué)與非門1#電輸入端，并通過一個非門后作為摩擦電子學(xué)與非門2#的電輸入端，1#和2#的輸出端分別連接鎖存器的兩個輸入端。圖6(b)給出了摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器電平輸出對應(yīng)E_D和外力F_CLK輸入的真值表，測試結(jié)果滿足D觸發(fā)器特性和CMOS邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)。

圖7為本發(fā)明一種示例性實施例的摩擦電子學(xué)三位寄存器的等效電路圖。如圖7所示，摩擦電子學(xué)寄存器由三個摩擦電子學(xué)D觸發(fā)器組成，三個D觸發(fā)器的力輸入端共同連接外力輸入F_CLK，電輸入端分別為E_D0、E_D1、E_D2。當(dāng)力輸入端為“1”時，摩擦電子學(xué)三位寄存器的輸出端Q₀、Q₁、Q₂，可以存儲記憶此時的電輸入狀態(tài)，當(dāng)力輸入端由“1”變化為“0”時，即使電輸入端發(fā)生變化，存儲記憶的信息保持不變。

圖8為本發(fā)明一種示例性實施例的摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的等效電路圖與測試結(jié)果。如圖8(a)所示，摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器由一個摩擦電子學(xué)與非門，一個傳統(tǒng)非門，和兩個傳統(tǒng)S-R觸發(fā)器組成。摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器的力輸入端接外力觸發(fā)F_CLK，電輸入端接高電平“1”，輸出端接非門輸入端，非門的輸出端作為第一個S-R觸發(fā)器的時鐘觸發(fā)，S-R觸發(fā)器輸出兩端分別接第二個S-R觸發(fā)器的輸入端，S-R觸發(fā)器輸入S端為外接電輸入E_T和第二個S-R觸發(fā)器的對應(yīng)反饋輸出端，輸入R端為外接電力輸入E_T和第二個S-R觸發(fā)器的對應(yīng)反饋輸出端。圖8(b)給出了摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器電平輸出對應(yīng)E_T和F_CLK輸入的真值表，測試結(jié)果滿足T觸發(fā)器特性和CMOS邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)。

圖9為本發(fā)明一種示例性實施例的摩擦電子學(xué)三位計數(shù)器的等效電路圖與測試結(jié)果。如圖9(a)所示，摩擦電子學(xué)寄存器由三個摩擦電子學(xué)T觸發(fā)器，兩個與門組成，三個觸發(fā)器共同連接外力觸發(fā)F_CLK，第一個觸發(fā)器的電輸入端為E_T0＝“1”，第一個觸發(fā)器的輸出端作為第二個觸發(fā)器的電輸入端E_T1，第一和第二個觸發(fā)器的輸出端作為二端輸入與門的輸入端，二端輸入與門的輸出端作為第三個觸發(fā)器的輸入端E_T2，三個觸發(fā)器的輸出端連接三端與門的輸入端，輸出端即為計數(shù)器的進(jìn)位標(biāo)識C。圖9(b)給出了摩擦電子學(xué)三位計數(shù)器的真值表，測試結(jié)果滿足三位計數(shù)器的特性。

綜上所述，本發(fā)明結(jié)合摩擦電子學(xué)晶體管和傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管，提出了一種力電耦合輸入的摩擦電子學(xué)與非門，能夠?qū)ν獠繖C(jī)械觸發(fā)和電觸發(fā)進(jìn)行邏輯運(yùn)算，轉(zhuǎn)化為邏輯電平輸出。基于該摩擦電子學(xué)與非門，提出了各種摩擦電子學(xué)觸發(fā)器和時序邏輯電路，展示了外部機(jī)械觸發(fā)的存儲和計算特性，實現(xiàn)了外界環(huán)境與硅基集成電路的直接交互，在人機(jī)界面、微納機(jī)電存儲、智能儀表和物聯(lián)網(wǎng)中具有重要的應(yīng)用前景。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。