本發(fā)明屬于同軸負載的技術領域，尤其涉及一種低駐波比的同軸負載。

背景技術：

同軸負載是微波無源單口器件，主要功能是全部吸收來自傳輸線的微波能量，改善電路的匹配性能，廣泛應用于微波設備和校準計量中。近年來，同軸技術發(fā)展迅速，主要向高頻、低駐波比方向發(fā)展。

同軸負載是同軸傳輸系統(tǒng)中的功率吸收單元，其特性阻抗與同軸傳輸線的阻抗是完全相同，一般為50歐姆。由于負載對駐波比要求非常高，因此負載整個傳輸線的阻抗都要最大限度地接近50歐姆。然而由于結構的需要，同軸負載存在多個阻抗不連續(xù)點(如介質(zhì)撐部分、內(nèi)導體與負載片接觸部分)，從而影響了同軸負載的駐波比。介質(zhì)撐是保持同軸負載內(nèi)導體與外導體之間的相對位置而必不可少的重要組成部分，然而介質(zhì)支撐的引入破壞了同軸負載的連續(xù)性。現(xiàn)有技術一般是在內(nèi)導體與負載片接觸部分增加調(diào)節(jié)螺釘，減少不連續(xù)；而對介質(zhì)撐進行計算和仿真，通過挖孔和增加凹槽的方式減少不連續(xù)。然而介質(zhì)材料的介電常數(shù)一般只給出低頻實部的測量值，而介電常數(shù)的虛部，在低頻段時使用對性能指標影響不大，但隨著頻率的升高，介電常數(shù)虛部的影響將逐漸增大，介電常數(shù)的實部也會隨著頻率的升高而發(fā)生變化。因此只靠計算和仿真不能將介質(zhì)撐最優(yōu)化，無法很好的減小由于引入介質(zhì)撐導致的負載的不連續(xù)性。

目前國內(nèi)常用的DC～26.5GHz 3.5mm同軸負載駐波比較大，一般大于1.15，無法滿足高精度校準和計量的需求。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決上述問題，克服現(xiàn)有同軸負載駐波比較大，無法滿足高精度校準和計量的需求的問題，提供一種低駐波比的同軸負載。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：

一種低駐波比的同軸負載，包括外導體，所述外導體的外部分別設置螺套與外蓋，所述螺套與所述外導體的前部連接，所述外蓋與所述外導體的后部連接固定為一個整體；所述螺套與所述外蓋不接觸；

所述外導體前部的內(nèi)部設置內(nèi)導體，所述內(nèi)導體與介質(zhì)撐連接，所述介質(zhì)撐外部設置套環(huán)，所述介質(zhì)撐與所述套環(huán)以及所述內(nèi)導體連接形成一個整體；

所述介質(zhì)撐與波紋管連接，所述波紋管與負載片連接，所述負載片通過所述波紋管以及所述介質(zhì)撐與所述內(nèi)導體彈性連接；

所述波紋管與所述負載片外部均設置于所述外導體內(nèi)部；所述介質(zhì)撐用于保持所述內(nèi)導體與所述外導體之間的相對位置；

所述介質(zhì)撐為圓柱形結構，所述介質(zhì)撐的上表面與下表面間設置若干個第一通孔，所述介質(zhì)撐的側(cè)表面與任意第一通孔之間設置第二通孔；所述套環(huán)上設置與第二通孔同圓心的第一螺紋孔，所述第一螺紋孔中設置調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ，所述調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ穿過介質(zhì)撐的第二通孔對所述介質(zhì)撐進行調(diào)節(jié)，通過調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ調(diào)節(jié)介質(zhì)撐，減小由于引入介質(zhì)撐導致的阻抗不連續(xù)點，減少負載的不連續(xù)性，減小電壓駐波比。

進一步的，所述外導體的后部設置第二螺紋孔，所述第二螺紋孔中安裝調(diào)節(jié)螺釘Ⅱ進行調(diào)節(jié)，所述調(diào)節(jié)螺釘Ⅱ用于調(diào)節(jié)內(nèi)導體與負載片接觸部分存在的阻抗不連續(xù)點，減少負載的不連續(xù)性，減小電壓駐波比。

進一步的，所述介質(zhì)撐的上下表面設置凹槽，所述凹槽用于減少負載的不連續(xù)性，減小電壓駐波比。

進一步的，通過對介質(zhì)撐進行計算和仿真確認所述介質(zhì)撐上的所述凹槽與所述第一通孔的尺寸。

進一步的，所述第一通孔的數(shù)量為6個，所述第一通孔均勻分布于所述介質(zhì)撐上，6個所述第一通孔距所述介質(zhì)撐的中心點距離相等。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明在介質(zhì)撐6個第一通孔的其中任意一個側(cè)面設置第二通孔，通過安裝于環(huán)套螺旋孔的調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ穿過介質(zhì)撐上的第二通孔進行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ實現(xiàn)了對介質(zhì)撐的有效調(diào)節(jié)，減小了由于引入介質(zhì)撐導致的負載的不連續(xù)性，通過調(diào)節(jié)螺釘Ⅱ的輔助調(diào)節(jié)，進一步減小了負載的不連續(xù)性，較大地提高了電壓駐波比的性能，使電壓駐波比在全頻段內(nèi)小于1.04，滿足高精度校準和計量的需求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結構示意圖；

圖2為本發(fā)明的測試結果示意圖；

圖3為本發(fā)明的介質(zhì)撐結構示意圖；

其中，1-螺套，2-內(nèi)導體，3-調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ，4-套環(huán)，5-介質(zhì)撐，6-調(diào)節(jié)螺釘Ⅱ，7-外蓋，8-緊固螺釘，9-外導體，10-波紋管，11-負載片，12-第一通孔，13-第二通孔。

具體實施方式：

下面結合附圖與實施例對本發(fā)明作進一步說明。

一種低駐波比的同軸負載，如圖1所示，包括外導體9，所述外導體9的外部分別設置螺套1與外蓋7，所述螺套1與所述外導體9的前部連接，所述外蓋7與所述外導體9的后部連接固定為一個整體；所述螺套1與所述外蓋7不接觸；

所述外導體9前部的內(nèi)部設置內(nèi)導體2，所述內(nèi)導體2與介質(zhì)撐5連接，所述介質(zhì)撐5外部設置套環(huán)4，所述介質(zhì)撐5與所述套環(huán)4以及所述內(nèi)導體2連接形成一個整體；

所述介質(zhì)撐5與波紋管10連接，所述波紋管10與負載片11連接，所述負載片11通過所述波紋管10以及所述介質(zhì)撐5與所述內(nèi)導體2彈性連接；

所述波紋管10與所述負載片11外部均設置于所述外導體9內(nèi)部；所述介質(zhì)撐5用于保持所述內(nèi)導體2與所述外導體9之間的相對位置；

所述介質(zhì)撐5與所述套環(huán)4上設置調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ3，所述調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ3穿對所述介質(zhì)撐5進行調(diào)節(jié)，通過調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ3調(diào)節(jié)介質(zhì)撐，減小由于引入介質(zhì)撐導致的阻抗不連續(xù)點，減少負載的不連續(xù)性，減小電壓駐波比。

所述外導體9的后部設置第二螺紋孔，所述第二螺紋孔中安裝調(diào)節(jié)螺釘Ⅱ6進行調(diào)節(jié)，所述調(diào)節(jié)螺釘Ⅱ6用于調(diào)節(jié)內(nèi)導體2與負載片11接觸部分存在的阻抗不連續(xù)點，減少負載的不連續(xù)性，減小電壓駐波比。

所述介質(zhì)撐5的具體結構示意圖如圖3所示，所述介質(zhì)撐5為圓柱形結構，所述介質(zhì)撐5的上表面與下表面間設置若干個第一通孔12，所述介質(zhì)撐5的側(cè)表面與任意第一通孔12之間設置第二通孔13；在圖1中的所述套環(huán)4上設置與第二通孔12同圓心的第一螺紋孔，所述第一螺紋孔中設置調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ3，所述調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ3穿過介質(zhì)撐5的第二通孔13對所述介質(zhì)撐5進行調(diào)節(jié)，通過調(diào)節(jié)螺釘調(diào)節(jié)介質(zhì)撐，減小由于引入介質(zhì)撐導致的阻抗不連續(xù)點，減少負載的不連續(xù)性，減小電壓駐波比。

所述介質(zhì)撐5的上下表面設置凹槽，所述凹槽用于減少負載的不連續(xù)性，減小電壓駐波比。

通過對介質(zhì)撐5進行計算和仿真確認所述介質(zhì)撐上的所述凹槽與所述第一通孔12的尺寸。

所述第一通孔12的數(shù)量為6個，所述第一通孔12均勻分布于所述介質(zhì)撐上，6個所述第一通孔12距所述介質(zhì)撐5的中心點距離相等。

在本發(fā)明的實施例中針對現(xiàn)有DC～26.5GHz 3.5mm同軸負載進行改進，對本發(fā)明的同軸負載的駐波比性能進行測試，測試結果如圖2所示，頻率從0GHz到26.5GHz的駐波比VSWR均小于1.04，全頻段的測試結果也顯示本發(fā)明使電壓駐波比在全頻段內(nèi)均小于1.04。

本發(fā)明在介質(zhì)撐5的六個第一通孔12的其中任意一個側(cè)面設置第二通孔13，通過安裝于環(huán)套4第一螺旋孔的調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ3穿過介質(zhì)撐5上的第二通孔13進行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)螺釘Ⅰ3實現(xiàn)了對介質(zhì)撐5的有效調(diào)節(jié)，通過調(diào)節(jié)螺釘Ⅱ6的輔助調(diào)節(jié)，進一步減小了負載的不連續(xù)性，較大地提高了電壓駐波比的性能，使電壓駐波比在全頻段內(nèi)小于1.04。

上述雖然結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進行了描述，但并非對本發(fā)明保護范圍的限制，所屬領域技術人員應該明白，在本發(fā)明的技術方案的基礎上，本領域技術人員不需要付出創(chuàng)造性勞動即可做出的各種修改或變形仍在本發(fā)明的保護范圍以內(nèi)。