本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，伴隨著電子設(shè)備的小型化及高功能化，尋求電子設(shè)備中所使用的半導(dǎo)體裝置的進(jìn)一步的小型化及高集成化。為了響應(yīng)這種需求，在半導(dǎo)體封裝體的安裝技術(shù)中，正在推進(jìn)對三維安裝的半導(dǎo)體裝置的開發(fā)。例如，被稱為封裝體疊層(PoP，Package on Package)的、在高度方向上層壓有半導(dǎo)體封裝體的三維結(jié)構(gòu)的(層壓型的)半導(dǎo)體裝置受到關(guān)注。

在本申請文件中，按下述含義使用“層壓有半導(dǎo)體封裝體”等語句中的“層壓”這一用語。該含義是指“在多個半導(dǎo)體封裝體所分別具有的連接端子之間被相互電連接的狀態(tài)下，這些半導(dǎo)體封裝體堆積而成的狀態(tài)”。而且，適當(dāng)?shù)?，將“A和B被電連接”單純地稱為“A和B被連接”。

PoP型半導(dǎo)體裝置是下側(cè)的半導(dǎo)體裝置(下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體)與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置(上側(cè)的半導(dǎo)體封裝體)被層壓而構(gòu)成的層壓型半導(dǎo)體裝置。PoP型半導(dǎo)體裝置通過使用焊球等接合構(gòu)件將在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的電路基板上設(shè)置的多個電極和在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的背面設(shè)置的多個電極電連接來制造。

作為層壓型半導(dǎo)體裝置，提出了一種“通過在下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體的上表面配置密封材料，用以至少包覆在下側(cè)的布線基板的上表面安裝的半導(dǎo)體元件和用于實(shí)現(xiàn)下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體與上側(cè)的半導(dǎo)體封裝體的電連接的突起電極，(省略)，從而能夠防止可靠性降低的層壓型半導(dǎo)體裝置”(例如，參考專利文獻(xiàn)1的第[0011]段、圖1～圖3)。

專利文獻(xiàn)1：日本專利公開2008-171904號公報(bào)

然而，在專利文獻(xiàn)1所公開的以往的層壓型半導(dǎo)體裝置中，存在如下所述的問題。如專利文獻(xiàn)1的圖1～圖3所示，下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體1具備：布線基板2；以及設(shè)置于比布線基板2的上表面的半導(dǎo)體搭載部更外側(cè)的焊盤部7。上側(cè)的半導(dǎo)體封裝體10具備：遍布有基板布線的布線基板11；在布線基板11的下表面設(shè)置的焊盤部13；以及接合于該焊盤部13的突起電極14。突起電極14的前端部接合于下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體1的焊盤部7，將半導(dǎo)體封裝體1和半導(dǎo)體封裝體10電連接。

在這種層壓型半導(dǎo)體裝置中，為了通過突起電極14將下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體1和上側(cè)的半導(dǎo)體封裝體10電連接，需要與下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體1的高度相當(dāng)?shù)耐黄痣姌O14的大小。這意味著將形成突起電極14的焊球的大小增大到與下側(cè)的半導(dǎo)體封裝體1的厚度同等程度。當(dāng)焊球變大時，需要增大相鄰的焊球與焊球之間的中心間間隔。當(dāng)相鄰的焊球之間的中心間間隔變大時，會產(chǎn)生層壓型半導(dǎo)體裝置變大的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明用于解決上述問題，目的在于提供一種能夠使半導(dǎo)體裝置小型化的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

為了解決上述問題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置具備：

布線基板；

芯片部件，安裝于所述布線基板的一個面；

多個連接構(gòu)件，將形成于所述芯片部件的多個芯片電極和形成于所述布線基板的一個面的多個基板電極分別電連接；

多個外部電極，在所述布線基板的一個面上與所述多個基板電極分別相連而形成于所述芯片部件的周圍；

多個第一突起狀電極，分別形成于所述多個外部電極上；

密封樹脂，形成于所述布線基板的一個面，至少覆蓋所述芯片部件和所述多個第一突起狀電極；以及

開口，形成于所述密封樹脂，使所述多個第一突起狀電極中的至少上部露出。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，具有以下方式：

具備：第一突起狀電極組，由所述多個第一突起狀電極形成，在俯視時包圍所述芯片部件的周圍，

所述第一突起狀電極組形成有多個，

所述多個第一突起狀電極組在俯視時分別包圍所述芯片部件而形成為多重。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，具有以下方式：

所述開口通過物理加工或化學(xué)加工中的任意一種來形成。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，具有以下方式：

所述開口為連續(xù)的槽。

本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置，

通過向第一半導(dǎo)體裝置疊合第二半導(dǎo)體裝置而構(gòu)成，所述第一半導(dǎo)體裝置由上述的半導(dǎo)體裝置構(gòu)成，所述第二半導(dǎo)體裝置具有在與所述多個第一突起狀電極相對應(yīng)的位置形成的多個第二突起狀電極，

所述多個第一突起狀電極和所述多個第二突起狀電極分別電連接。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，具有以下方式：

具備：填充材料，形成于所述開口中的所述多個第一突起狀電極和所述多個第二突起狀電極的周圍。

為了解決上述問題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：

準(zhǔn)備布線基板的工序，所述布線基板具有：一個面；安裝用區(qū)域，用于在所述一個面上安裝具有多個芯片電極的芯片部件；多個基板電極，在所述一個面上形成于所述安裝用區(qū)域的周圍；以及多個外部電極，在所述一個面上形成并與所述多個基板電極相連；

在所述安裝用區(qū)域安裝所述芯片部件的工序；

將所述多個芯片電極和所述多個基板電極電連接的工序；

在所述多個外部電極上形成多個第一突起狀電極的工序；

在所述布線基板的一個面上形成至少覆蓋所述芯片部件和所述多個第一突起狀電極的密封樹脂的工序；以及

以使所述多個第一突起狀電極中的至少上部露出為目的而在所述密封樹脂中形成開口的工序。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，具有以下方式：

在準(zhǔn)備所述布線基板的工序中，準(zhǔn)備具有第一突起狀電極組的布線基板，所述第一突起狀電極組具有下述特征：

(1)所述第一突起狀電極組由所述多個第一突起狀電極形成，并且在俯視時包圍所述芯片部件的周圍；

(2)所述第一突起狀電極組由多個組形成，并且在俯視時分別包圍所述芯片部件而形成為多重。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，具有以下方式：

在形成所述開口的工序中，通過物理加工或化學(xué)加工中的任意一種來形成所述開口。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，具有以下方式：

在形成所述開口的工序中，形成連續(xù)的槽來作為所述開口。

本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：

準(zhǔn)備第一半導(dǎo)體裝置的工序，所述第一半導(dǎo)體裝置由通過上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法而制造的所述半導(dǎo)體裝置構(gòu)成；

準(zhǔn)備第二半導(dǎo)體裝置的工序，所述第二半導(dǎo)體裝置具有在與所述第一半導(dǎo)體裝置所具有的所述多個第一突起狀電極相對應(yīng)的位置形成的多個第二突起狀電極；

在所述第一半導(dǎo)體裝置的上方，進(jìn)行位置對準(zhǔn)以使所述多個第一突起狀電極和所述多個第二突起狀電極相互對置，來配置所述第二半導(dǎo)體裝置的工序；

使所述第一半導(dǎo)體裝置和所述第二半導(dǎo)體裝置疊合的工序；以及

將所述多個第一突起狀電極和所述多個第二突起狀電極電連接的工序。

在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，具有以下方式：

包括：形成填充材料的工序，所述填充材料充滿所述第一半導(dǎo)體裝置所具有的所述開口中的所述多個第一突起狀電極和所述多個第二突起狀電極的周圍。

根據(jù)本發(fā)明，在半導(dǎo)體裝置中，具備：布線基板；多個外部電極，形成于布線基板的一個面；多個第一突起狀電極，分別形成于多個外部電極上；以及密封樹脂，形成于布線基板的一個面，覆蓋芯片部件和多個第一突起狀電極。在密封樹脂中形成使第一突起狀電極的上部露出的開口。為了形成開口，去除密封樹脂直到使第一突起狀電極的上部露出為止。據(jù)此，第一，由于可以使第一突起狀電極的上部露出，因此能夠?qū)⒌谝煌黄馉铍姌O的上端設(shè)于比芯片部件的上表面低的位置。因此，能夠?qū)⒌谝煌黄馉铍姌O小型化，故而能夠?qū)雽?dǎo)體裝置小型化。第二，能夠縮短形成開口的時間。因此，能夠提高生產(chǎn)半導(dǎo)體裝置時的生產(chǎn)率。

附圖說明

圖1是示出在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例1中下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是A-A線剖視圖。

圖2的(a)～(e)是示出在實(shí)施例1中制造下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的過程的概要剖視圖。

圖3是示出在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例2中與下側(cè)的半導(dǎo)體裝置相對應(yīng)的上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是B-B線剖視圖。

圖4的(a)～(d)是示出在實(shí)施例2中制造上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的過程的概要剖視圖。

圖5的(a)～(c)是示出在實(shí)施例2中下側(cè)的半導(dǎo)體裝置與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置被層壓的過程的概要剖視圖。

圖6是示出在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例3中下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是C-C線剖視圖。

圖7是示出在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例3中上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是D-D線剖視圖。

圖8的(a)～(b)是示出在實(shí)施例3中下側(cè)的半導(dǎo)體裝置與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置被層壓的過程的概要剖視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，在布線基板2的上表面設(shè)置多個布線4、相當(dāng)于布線4的一端的焊接引線5、相當(dāng)于布線4的另一端的焊盤6。在布線基板2的中央部安裝半導(dǎo)體芯片3。使用焊線將半導(dǎo)體芯片3的電極墊11和焊接引線5電連接。在各焊盤6上分別設(shè)置焊球13。在布線基板2的上表面設(shè)置密封樹脂14，該密封樹脂14覆蓋半導(dǎo)體芯片3、多個布線4、焊線12、焊球13等。在密封樹脂14中設(shè)置使焊球13的上部露出的連續(xù)槽15。通過將在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上設(shè)置的焊球13和在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置上設(shè)置的焊球電連接，來制造PoP型半導(dǎo)體裝置。

(實(shí)施例1)

對于本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例1，參考圖1～圖2進(jìn)行說明。對于本申請文件中的任意一張附圖，為了易于理解，均會適當(dāng)省略或夸張而示意性地進(jìn)行描繪。對于相同的結(jié)構(gòu)要素，附加相同的符號并適當(dāng)省略說明。

本發(fā)明對構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置之中下側(cè)的半導(dǎo)體裝置和PoP型半導(dǎo)體裝置雙方均適用。

如圖1所示，半導(dǎo)體裝置1是構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置之中下側(cè)的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置1具備布線基板2和在布線基板2上搭載的半導(dǎo)體芯片3。作為布線基板2，例如使用印刷基板、金屬基底基板、陶瓷基板、薄膜基底基板等。在布線基板2的上表面，搭載芯片狀的電子部件即作為芯片部件的一種的半導(dǎo)體芯片3。

作為半導(dǎo)體芯片3，搭載互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor)等的數(shù)字控制方面的器件、功率方面的器件等。在實(shí)施例1中，以使半導(dǎo)體芯片3的表面?zhèn)?形成有電極墊的一個面那一側(cè))朝上的方式，在布線基板2的上表面搭載半導(dǎo)體芯片3(面朝上安裝)?？梢栽谝粡埐季€基板2的上表面搭載多個芯片部件(芯片狀的電子部件)，在多個芯片部件中可以包括無源元件的芯片部件。關(guān)于在布線基板2的上表面搭載的芯片部件，在其他的實(shí)施例中也相同。

如圖1的(b)所示，在布線基板2的上表面(搭載半導(dǎo)體芯片3的一個面)，與產(chǎn)品對應(yīng)地設(shè)置有多個布線4。作為布線4的材料，優(yōu)選使用具有小電阻率的銅(Cu)等。如圖1的(b)的右側(cè)所示，多個布線4的一端(內(nèi)側(cè))構(gòu)成與半導(dǎo)體芯片3連接的焊接引線5。多個布線4的另一端(外側(cè))構(gòu)成相當(dāng)于與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置(參考圖3)連接的連接電極的焊盤6。各焊盤6以包圍半導(dǎo)體芯片3的周圍的方式設(shè)置。在圖1中，為了方便起見，示出在半導(dǎo)體芯片3的周圍設(shè)置有24個焊盤6的情況。焊接引線5和焊盤6優(yōu)選以使布線基板2上的布線長度最短的方式配置。

在布線基板2的下表面(另一個面)，設(shè)置有相當(dāng)于與外部設(shè)備電連接的外部電極的焊盤7。在布線基板2的上表面設(shè)置的多個布線4經(jīng)由在布線基板2的內(nèi)部設(shè)置的通孔布線8以及內(nèi)部布線(未圖示)而與焊盤7連接。焊盤7在布線基板2的下表面被設(shè)置為網(wǎng)格狀(grid-like)。

在布線基板2的上表面的除了焊接引線5和焊盤6的表面之外的區(qū)域，設(shè)置有用于保護(hù)多個布線4的阻焊膜9。阻焊膜9是絕緣性的樹脂覆膜。半導(dǎo)體芯片3通過粘接劑10被安裝于在布線基板2的中央部形成的阻焊膜9上。在半導(dǎo)體芯片3的表面?zhèn)?，在半?dǎo)體芯片3的周圍設(shè)置有多個電極墊11。多個電極墊11經(jīng)由由金線、銅線等構(gòu)成的焊線12被分別電連接于焊接引線5。

在布線基板2上，在未被阻焊膜9包覆的各焊盤6上分別設(shè)置有焊球(突起狀電極)13。焊球13是用于連接上側(cè)的半導(dǎo)體裝置(參考圖3)的連接端子。在各焊盤6與各焊球13之間存在助焊劑薄層。助焊劑具有使焊盤6的表面及焊球13的表面活性化的功能以及通過粘著力將焊球13臨時固定于焊盤6的功能。

焊球13例如由錫(Sn)單質(zhì)或在Sn中添加了少量的鉍(Bi)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅(Cu)等后得到的Sn合金或者添加了多種上述金屬后得到的Sn合金等構(gòu)成。焊球13的材料優(yōu)選為無鉛焊料(lead-free solder)。作為突起狀電極，代替焊球13，可以使用通過例如電鍍、引線接合等形成的凸塊。關(guān)于這一點(diǎn)，在其他的實(shí)施例中也相同。

在實(shí)施例1中，焊球13的大小被設(shè)定為構(gòu)成半導(dǎo)體裝置1的密封樹脂14的高度的大致一半的高度。焊球13的上端位置優(yōu)選被設(shè)定為低于芯片部件的上表面的位置。關(guān)于這一點(diǎn)，在其他的實(shí)施例中也相同。

在布線基板2的上表面設(shè)置有密封樹脂14，用以覆蓋半導(dǎo)體芯片3、多個布線4、焊線12、阻焊膜9、焊球13。作為密封樹脂14，例如使用熱硬化性的環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂。

如圖1的(a)所示，在密封樹脂14中形成連續(xù)槽(開口)15，以使焊球13的上部從密封樹脂14中露出。為了使半導(dǎo)體裝置1和上側(cè)的半導(dǎo)體裝置(參考圖3)連接，使焊球13的上部從密封樹脂14中露出。連續(xù)槽15以俯視時重疊于焊球13之上的方式設(shè)置于半導(dǎo)體裝置1的周圍。在圖1的(a)中如虛線所示，還可以形成到達(dá)密封樹脂14的側(cè)面(外周面)的連續(xù)槽15。據(jù)此，在密封樹脂14的側(cè)面形成開口部OP。關(guān)于還可以形成到達(dá)密封樹脂14的側(cè)面的連續(xù)槽15，在其他的實(shí)施例中也相同。

在布線基板2的下表面的除了各焊盤7的表面之外的區(qū)域設(shè)置有阻焊膜16。焊球17隔著助焊劑層分別設(shè)置于各焊盤7上。焊球17相當(dāng)于在PoP型半導(dǎo)體裝置中與外部設(shè)備連接的外部端子。

參考圖2，對制造PoP型半導(dǎo)體裝置中作為下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置1的工序進(jìn)行說明。首先，如圖2的(a)所示，預(yù)先準(zhǔn)備與下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1對應(yīng)的布線基板2。在布線基板2的上表面形成有具有焊接引線5和焊盤6的、由Cu構(gòu)成的布線4。布線4經(jīng)由在布線基板2的內(nèi)部形成的通孔布線8和內(nèi)部布線(未圖示)而與布線基板2的下表面的焊盤7連接。在布線4、焊接引線5、焊盤6、焊盤7的表面，通過電鍍處理而形成有電鍍層(未圖示)。電鍍層優(yōu)選為無鉛的電鍍層。

接著，在布線基板2的表面形成作為絕緣性的樹脂覆膜的阻焊膜9。通過光刻法來去除在焊接引線5及焊盤6的區(qū)域形成的阻焊膜9。通過到此為止的工序，在焊接引線5及焊盤6上形成開口部，露出布線4的表面層(Cu或者電鍍層)。接著，對焊料凸塊用的光致抗蝕劑膜進(jìn)行圖案形成，以使焊盤6的區(qū)域開口。接著，例如使用焊球植入，將焊球13隔著助焊劑層一并搭載于各焊盤6上。

接著，在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行回焊處理，使焊球13熔化而接合于焊盤6。之后，去除焊料凸塊用的光致抗蝕劑膜。

接著，如圖2的(b)所示，例如，使用芯片焊接機(jī)并使用粘接劑10，以使半導(dǎo)體芯片3的表面?zhèn)瘸系姆绞?，在布線基板2的中央部搭載半導(dǎo)體芯片3。接著，使用引線接合器，經(jīng)由焊線12，將在半導(dǎo)體芯片3的表面?zhèn)仍O(shè)置的各電極墊11和在布線基板2上設(shè)置的各自的焊接引線5電連接。為了避免焊線12與半導(dǎo)體芯片3的角部接觸，以使焊線12形成環(huán)路形狀的方式來形成焊線12。

接著，如圖2的(c)所示，例如使用采用了傳遞模塑法或壓縮成型法的樹脂成型裝置，在布線基板2上對密封樹脂14進(jìn)行成型。通過到此為止的工序，包括半導(dǎo)體芯片3、布線4、焊線12、阻焊膜9、焊球13等的布線基板2的上表面被密封樹脂14覆蓋。

接著，如圖2的(d)所示，在布線基板2的下表面形成阻焊膜16。通過光刻法來去除在焊盤7的區(qū)域形成的阻焊膜16。接著，對焊料凸塊用的光致抗蝕劑膜進(jìn)行圖案形成，以使焊盤7的區(qū)域開口。接著，使用焊球植入，將焊球17一并搭載于各焊盤7上。接著，進(jìn)行回焊處理，使焊球17熔化而接合于焊盤7。此外，也可以在圖2的(a)所示的在布線基板2的上表面形成焊球13的工序之后，執(zhí)行圖2的(d)所示的在布線基板2的下表面形成焊球17的工序。

接著，如圖2的(e)所示，在半導(dǎo)體裝置1中，在密封樹脂14中形成連續(xù)槽(開口)15，以使焊球13的至少上部從密封樹脂14中露出。以俯視時重疊于多個焊球13之上的方式在半導(dǎo)體裝置1的周圍形成連續(xù)槽15(參考圖1的(a))。例如，使用激光、旋轉(zhuǎn)刃、磨削磨粒、離子束等物理加工，在密封樹脂14中形成連續(xù)槽15。也可以使用蝕刻等化學(xué)加工，在密封樹脂14中形成連續(xù)槽15。通過到此為止的工序，完成了作為構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置1。

根據(jù)本實(shí)施例，在構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1中，在密封樹脂14的上部形成連續(xù)槽(開口)15以使焊球13的上部露出。連續(xù)槽15通過去除成型于半導(dǎo)體裝置1的密封樹脂14的厚度中的一半程度的厚度的密封樹脂14而形成。據(jù)此，能夠較淺地形成開口。因此，能夠縮短形成連續(xù)槽15的工時。由此，能夠提高生產(chǎn)作為構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置1時的生產(chǎn)率。

而且，由于在焊球13上連續(xù)形成4條連續(xù)槽15，因此能夠縮短形成開口的工時。因此，能夠提高生產(chǎn)作為構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置1時的生產(chǎn)率。

也可以采用以下的變形例。第一變形例是代替在焊球13上形成連續(xù)槽15，而是使用激光、磨削磨粒、離子束、蝕刻等在各焊球13上的密封樹脂14中分別形成單獨(dú)的開口。作為這些單獨(dú)的開口，在圖1的(a)中的左下部分，方便起見由虛線示出3個開口H。當(dāng)使用蝕刻而在密封樹脂14中一并形成多個單獨(dú)的開口時，能夠縮短形成開口的工時。

第二變形例是從圖1的(b)所示的狀態(tài)(也可以是形成焊球17之前的狀態(tài))開始，對密封樹脂14的上表面進(jìn)行研磨(包括磨削。以下相同)。在圖1的(b)中，由虛線示出研磨后的密封樹脂14的上表面。為了進(jìn)行研磨，使用研磨磨粒、研磨輪等。研磨優(yōu)選在控制或測定研磨厚度的同時來進(jìn)行，以免具有環(huán)路形狀的焊線12露出。通過對密封樹脂14的上表面進(jìn)行研磨，第一，能夠縮短進(jìn)行開口的工時；第二，能夠降低PoP型半導(dǎo)體裝置(參考圖5的(c))的厚度。關(guān)于也可以對下側(cè)的半導(dǎo)體裝置所具有的密封樹脂14的上表面進(jìn)行研磨，在其他的實(shí)施例中也相同。

(實(shí)施例2)

對于本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例2，參考圖3～圖5進(jìn)行說明。以下，在實(shí)施例2以及實(shí)施例3中，對與實(shí)施例1使用相同材料的部分或者與實(shí)施例1具有相同功能的部分，賦予與實(shí)施例1相同的符號，并適當(dāng)省略說明。對與實(shí)施例1具有不同的結(jié)構(gòu)和功能的部分，賦予另外的符號。

如圖3所示，半導(dǎo)體裝置18是構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的上側(cè)的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置18具備布線基板19和在該布線基板19上搭載的半導(dǎo)體芯片20。作為半導(dǎo)體芯片20，使用搭載了動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)、閃存、邏輯器件、模擬器件、微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS，Micro Electro Mechanical Systems)、傳感器等的芯片部件，以及將這些芯片部件在垂直方向上堆疊或者在水平方向上排列后得到的組件等。半導(dǎo)體芯片20以表面?zhèn)瘸系姆绞酱钶d于布線基板19。

如圖3的(b)所示，在布線基板19的上表面設(shè)置有多個布線4。在多個布線4的一端(內(nèi)側(cè))設(shè)置有與半導(dǎo)體芯片20連接的焊接引線5。多個布線4的另一端(外側(cè))經(jīng)由在布線基板19的內(nèi)部設(shè)置的通孔布線8和內(nèi)部布線(未圖示)而與在布線基板19的下表面設(shè)置的焊盤21連接。在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18上設(shè)置的焊盤21是與下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1(參考圖1)連接的連接電極。在布線基板19的下表面，各焊盤21分別設(shè)置在與在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1的布線基板2上設(shè)置的各焊盤6相對應(yīng)的位置。

在布線基板19的上表面的除了焊接引線5的表面之外的區(qū)域設(shè)置有阻焊膜9。半導(dǎo)體芯片20通過粘接劑10被安裝于在布線基板19的中央部形成的阻焊膜9上。在半導(dǎo)體芯片20的表面?zhèn)龋鄠€電極墊11被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片20的周圍。多個電極墊11經(jīng)由焊線12分別電連接于焊接引線5。

在布線基板19的上表面設(shè)置有密封樹脂14，用以覆蓋半導(dǎo)體芯片20、多個布線4、焊線12、阻焊膜9。

在布線基板19的下表面的除了各焊盤21的表面之外的區(qū)域設(shè)置有阻焊膜16。焊球22隔著助焊劑層分別設(shè)置于各焊盤21上。焊球22相當(dāng)于與下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1(參考圖1)連接的連接端子。在實(shí)施例2中，焊球22的大小被設(shè)定為構(gòu)成下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1的密封樹脂的高度的大致一半的高度。據(jù)此，在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上設(shè)置的焊球13的大小與在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18上設(shè)置的焊球22的大小成為大致相同的大小。

參考圖4，對制造PoP型半導(dǎo)體裝置中作為上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置18的工序進(jìn)行說明。首先，如圖4的(a)所示，預(yù)先準(zhǔn)備與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18對應(yīng)的布線基板19。在布線基板19的上表面形成有具有焊接引線5的、由Cu構(gòu)成的布線4。布線4經(jīng)由在布線基板19的內(nèi)部形成的通孔布線8和內(nèi)部布線(未圖示)而與布線基板19的下表面的焊盤21連接。在布線4、焊接引線5、焊盤21的表面，通過電鍍處理而形成有無鉛的電鍍層(未圖示)。

接著，在布線基板19的表面形成阻焊膜9。通過光刻法來去除在焊接引線5的區(qū)域形成的阻焊膜9。通過到此為止的工序，在焊接引線5上形成開口部，焊接引線5的表面層(電鍍層)露出。

接著，如圖4的(b)所示，使用芯片焊接機(jī)，以使半導(dǎo)體芯片20的表面?zhèn)瘸系姆绞剑诓季€基板19的中央部搭載半導(dǎo)體芯片20。接著，使用引線接合器并使用焊線12，將在半導(dǎo)體芯片20的表面?zhèn)仍O(shè)置的電極墊11與在布線基板19上設(shè)置的焊接引線5連接。以使焊線12形成環(huán)路形狀的方式來形成焊線12。

接著，如圖4的(c)所示，使用采用了傳遞模塑法或壓縮成型法的樹脂成型裝置，在布線基板19上對密封樹脂14進(jìn)行成型。通過到此為止的工序，包括半導(dǎo)體芯片20、布線4、焊線12、阻焊膜9等等的布線基板19的上表面被密封樹脂14覆蓋。

接著，如圖4的(d)所示，在布線基板19的下表面形成阻焊膜16。通過光刻法來去除在焊盤21的區(qū)域形成的阻焊膜16。接著，對焊料凸塊用的光致抗蝕劑膜進(jìn)行圖案形成，以使焊盤21的區(qū)域開口。接著，使用焊球植入，將焊球22一并搭載于各焊盤21上。接著，進(jìn)行回焊處理，使焊球22熔化而接合于焊盤21。之后，去除焊料凸塊用的光致抗蝕劑膜。通過到此為止的工序，完成了作為構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置18。

參考圖5，對于層壓作為下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置1與作為上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置18來制造PoP型半導(dǎo)體裝置的工序進(jìn)行說明。首先，如圖5的(a)所示，使上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18移動到下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1的上方并進(jìn)行位置對準(zhǔn)。使在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18的布線基板19的下表面設(shè)置的連接端子即多個焊球22分別與在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1的布線基板2的上表面設(shè)置的連接端子即多個焊球13的位置進(jìn)行位置對準(zhǔn)。

接著，如圖5的(b)所示，使上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18下降，并使上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18疊合于下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1之上。通過到此為止的工序，在設(shè)置于下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上的連續(xù)槽15之中插入在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18上設(shè)置的多個焊球22。在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上設(shè)置的焊球13和在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18上設(shè)置的焊球22具有下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1的密封樹脂14的高度的大致一半的大小。因此，在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1的連續(xù)槽15內(nèi)，下側(cè)的焊球13與上側(cè)的焊球22相接觸。

接著，如圖5的(c)所示，對于相疊合的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1和上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18，在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行回焊處理。通過進(jìn)行回焊處理，下側(cè)的焊球13和上側(cè)的焊球22融化而相互接合。據(jù)此，下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1的焊盤6與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18的焊盤21之間隔著焊球13和焊球22被連接。下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18之間隔著焊球13和焊球22被層壓。通過到此為止的工序，能夠制造出PoP型半導(dǎo)體裝置23。

根據(jù)本實(shí)施例，通過將在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上設(shè)置的焊料球13和在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18上設(shè)置的焊球22電連接，來層壓下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18。因此，與如以往那樣僅通過在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置上設(shè)置的焊球來層壓下側(cè)的半導(dǎo)體裝置與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的情況相比，能夠?qū)⑸蟼?cè)的焊球22的大小和下側(cè)的焊球13的大小中的雙方直徑設(shè)為一半左右。具體而言，將焊球13的大小和焊球22的大小這兩者設(shè)為在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上設(shè)置的密封樹脂14的高度的大致一半的大小。據(jù)此，能夠縮小相鄰的焊球13之間的中心間間隔和相鄰的焊球22之間的中心間間隔這兩者。在PoP型半導(dǎo)體裝置23中，即使在焊球13、22的數(shù)量非常多的情況下，也能夠以較小的中心間間隔配置小直徑的焊球13、22來使用。因此，能夠?qū)oP型半導(dǎo)體裝置23小型化。

根據(jù)本實(shí)施例，能夠較淺地形成開口連續(xù)槽15。據(jù)此，能夠縮短形成開口的工時。因此，能夠提高生產(chǎn)作為構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置1時的生產(chǎn)率。

根據(jù)本實(shí)施例，由于在焊球13上連續(xù)形成4條連續(xù)槽15，因此能夠縮短形成開口的工時。因此，能夠提高生產(chǎn)作為構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置1時的生產(chǎn)率。

根據(jù)本實(shí)施例，在設(shè)置于下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上的連續(xù)槽15之中插入在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18上設(shè)置的多個焊球22。據(jù)此，能夠容易地進(jìn)行在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置1上疊合上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18時的位置對準(zhǔn)。因此，能夠提高生產(chǎn)PoP型半導(dǎo)體裝置23時的生產(chǎn)率。

(實(shí)施例3)

對于本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例3，參考圖6～圖8進(jìn)行說明。如圖6所示，半導(dǎo)體裝置24是構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置24具備布線基板25和在布線基板25上搭載的半導(dǎo)體芯片26。在實(shí)施例3中，以使半導(dǎo)體芯片26的表面?zhèn)?形成有電極墊11的一面那一側(cè))朝下的方式搭載于布線基板25(面朝下安裝)。半導(dǎo)體芯片26是使用凸塊27被倒裝芯片式安裝于布線基板25。

如圖6的(b)所示，在布線基板25的上表面設(shè)置有多個布線4。多個布線4的一端(內(nèi)側(cè))構(gòu)成經(jīng)由凸塊27與半導(dǎo)體芯片26的電極墊11連接的基板電極28。多個布線4的另一端(外側(cè))構(gòu)成相當(dāng)于與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置(參考圖7)連接的連接電極的焊盤6。在實(shí)施例3中，各焊盤6以包圍半導(dǎo)體芯片26周圍的方式被設(shè)置為雙重。在圖6中，在半導(dǎo)體芯片26的最外周設(shè)置有32個焊盤6，在其內(nèi)側(cè)設(shè)置有24個焊盤6，共計(jì)56個焊盤6被設(shè)置在布線基板25上。不限于此，也可以將包圍半導(dǎo)體芯片26周圍的焊盤6設(shè)置為三重以上。

在布線基板25的下表面設(shè)置有相當(dāng)于與外部設(shè)備電連接的外部電極的焊盤7。在布線基板25的上表面設(shè)置的多個布線4經(jīng)由在布線基板25的內(nèi)部設(shè)置的通孔布線8和內(nèi)部布線(未圖示)而與各個焊盤7連接。焊盤7在布線基板25的下表面被設(shè)置為網(wǎng)格狀。

在布線基板25的上表面的除了基板電極28和焊盤6的表面之外的區(qū)域設(shè)置有阻焊膜9。各基板電極28經(jīng)由凸塊27與在半導(dǎo)體芯片26上設(shè)置的各個電極墊11連接。在各焊盤6上分別設(shè)置有焊球13(突起狀電極)。焊球13是用于與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置(參考圖7)連接的連接端子。與焊盤6以包圍半導(dǎo)體芯片26周圍的方式被設(shè)置為雙重相對應(yīng)地，焊球13以包圍半導(dǎo)體芯片26周圍的方式被設(shè)置為雙重。

在布線基板25的上表面設(shè)置有密封樹脂14，用以覆蓋半導(dǎo)體芯片26、多個布線4、基板電極28、阻焊膜9、焊球13。在實(shí)施例3中，使用凸塊27將半導(dǎo)體芯片26倒裝芯片式安裝于布線基板25。與在實(shí)施例1中使用焊線相比，在本實(shí)施例中，不使用焊線。據(jù)此，能夠縮小對半導(dǎo)體芯片26進(jìn)行樹脂密封的密封樹脂14的高度。因此，能夠縮小焊球13的大小。在這種情況下，焊球13的大小也被設(shè)定為構(gòu)成半導(dǎo)體裝置24的密封樹脂14的高度的大致一半的高度。

如圖6的(b)所示，連接半導(dǎo)體芯片26和基板電極28的各個凸塊27之間也被密封樹脂14填充。不限于此，可以使底層填料(密封材料)預(yù)先流入到半導(dǎo)體芯片26和基板電極28之間用以預(yù)先將各凸塊27間電絕緣。

如圖6的(a)所示，為了使作為下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置24與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置層壓，需要使焊球13的上部露出。為了使焊球13的上部露出，在密封樹脂14中分別設(shè)置連續(xù)槽15a、15b。各連續(xù)槽15a、15b以俯視時重疊于焊球13之上的方式在半導(dǎo)體芯片26的周圍被設(shè)置為雙重。

在布線基板25的下表面的除了各焊盤7的表面之外的區(qū)域設(shè)置有阻焊膜16。在各焊盤7上分別設(shè)置有相當(dāng)于與外部設(shè)備電連接的PoP型半導(dǎo)體裝置的外部端子的焊球17。

如圖7所示，半導(dǎo)體裝置29是構(gòu)成PoP型半導(dǎo)體裝置的上側(cè)的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置29具備布線基板30和搭載于該布線基板30上的半導(dǎo)體芯片31。作為半導(dǎo)體芯片31，使用搭載了DRAM、閃存、邏輯器件、模擬器件、MEMS、傳感器等的芯片部件，以及將這些芯片部件在垂直方向上堆疊或在水平方向上排列后得到的組件等。半導(dǎo)體芯片31以表面?zhèn)瘸碌姆绞酱钶d于布線基板30。半導(dǎo)體芯片31經(jīng)由凸塊27被倒裝芯片式安裝于布線基板30。

如圖7的(b)所示，在布線基板30的上表面設(shè)置有多個布線4。多個布線4的一端(內(nèi)側(cè))構(gòu)成基板電極28?；咫姌O28經(jīng)由凸塊27與半導(dǎo)體芯片31的電極墊11連接。多個布線4的另一端(外側(cè))經(jīng)由在布線基板30的內(nèi)部設(shè)置的通孔布線8和內(nèi)部布線(未圖示)而分別與在布線基板30的下表面設(shè)置的焊盤21連接。在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29上設(shè)置的焊盤21是與下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24(參考圖6)連接的連接電極。各焊盤21以包圍半導(dǎo)體芯片31周圍的方式被設(shè)置為雙重。在布線基板30的下表面，各焊盤21分別設(shè)置在與在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24的布線基板25上設(shè)置的各焊盤6相對應(yīng)的位置。

在布線基板30的下表面的除了各焊盤21的表面之外的區(qū)域設(shè)置有阻焊膜16。在各焊盤21上分別設(shè)置有相當(dāng)于與下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24(參考圖6)連接的連接端子的焊球22。在實(shí)施例3中，焊球22的大小被設(shè)定為構(gòu)成下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24的密封樹脂的高度的大致一半的高度。因此，在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24上設(shè)置的焊球13的大小和在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29上設(shè)置的焊球22的大小成為大致相同的大小。

在布線基板30的上表面設(shè)置有密封樹脂14，用以覆蓋半導(dǎo)體芯片31、多個布線4、基板電極28、阻焊膜9。

參考圖8，對于層壓作為下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置24與作為上側(cè)的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置29來制造PoP型半導(dǎo)體裝置的工序進(jìn)行說明。首先，如圖8的(a)所示，使上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29移動到下側(cè)的半導(dǎo)體裝置25的上方并進(jìn)行位置對準(zhǔn)。使在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29的最外周設(shè)置的多個焊球22分別與在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24的最外周設(shè)置的多個焊球13的位置進(jìn)行位置對準(zhǔn)。同樣地，使在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29的最外周的內(nèi)側(cè)設(shè)置的多個焊球22分別與在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24的最外周的內(nèi)側(cè)設(shè)置的多個焊球13的位置進(jìn)行位置對準(zhǔn)。

接著，如圖8的(b)所示，使上側(cè)的半導(dǎo)體裝置18下降，并使上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29疊合于下側(cè)的半導(dǎo)體裝置25之上。通過到此為止的工序，在設(shè)置于下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24上的連續(xù)槽15a、15b之中分別插入在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29上設(shè)置的多個焊球22。在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24上設(shè)置的焊球13和在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29上設(shè)置的焊球22具有下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24的密封樹脂14的高度的大致一半的大小。因此，在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24的連續(xù)槽15a、15b內(nèi)，下側(cè)的焊球13與上側(cè)的焊球2相接觸。

接著，對于相疊合的下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29，在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行回焊處理。通過進(jìn)行回焊處理，下側(cè)的焊球13和上側(cè)的焊球22熔化而相互接合。據(jù)此，下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24的焊盤6與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29的焊盤21隔著焊球13和焊球22被連接。下側(cè)的半導(dǎo)體裝置24與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置29隔著焊球13和焊球22被層壓。通過到此為止的工序，能夠制造出PoP型半導(dǎo)體裝置32。

根據(jù)本實(shí)施例，在半導(dǎo)體裝置24、29中，半導(dǎo)體芯片26、31使用凸塊27被分別倒裝芯片式安裝于布線基板25、30。據(jù)此，與使用焊線的情況相比，無需形成用于防止焊線短路的環(huán)路形狀。因此，能夠縮小密封樹脂14的高度，故而能夠縮小焊球13以及焊球22的大小。據(jù)此，能夠縮小相鄰的焊球13之間的中心間間隔和相鄰的焊球22之間的中心間間隔這兩者。在PoP型半導(dǎo)體裝置23中，即使在焊球13、22的數(shù)量非常多的情況下，也能夠以較小的中心間間隔配置小直徑的焊球13、22來使用。因此，能夠?qū)oP型半導(dǎo)體裝置23小型化。

也可以采用以下的變形例。第一變形例是除了從圖6的(b)所示的狀態(tài)開始，對密封樹脂14的上表面進(jìn)行研磨之外，還對半導(dǎo)體芯片26的上表面進(jìn)行研磨。在這種情況下，可以對半導(dǎo)體芯片26進(jìn)行研磨直至不妨礙半導(dǎo)體芯片26的功能的那種程度的厚度為止。在圖6的(b)中，由虛線示出研磨后的半導(dǎo)體裝置24的上表面。因此，能夠進(jìn)一步降低PoP型半導(dǎo)體裝置24的厚度。再者，能夠降低在密封樹脂14中分別形成連續(xù)槽15a、15b的工時。

第二變形例是代替在密封樹脂14中分別形成連續(xù)槽15a、15b的工序，還可以依次對密封樹脂14的上表面和半導(dǎo)體芯片26的上表面進(jìn)行研磨直至使焊球13的上部露出為止。在這種情況下，依次對密封樹脂14的上表面和半導(dǎo)體芯片26的上表面進(jìn)行研磨的工序相當(dāng)于以使焊球13的上部露出為目的而在密封樹脂14中形成開口的工序。

根據(jù)到此為止說明的各實(shí)施例，在設(shè)置于下側(cè)的半導(dǎo)體裝置上的連續(xù)槽之中插入在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置上設(shè)置的多個焊球22之后，進(jìn)行回焊處理。據(jù)此，將下側(cè)的焊球13和上側(cè)的焊球22電連接。通過到此為止的工序，能夠制造出PoP型半導(dǎo)體裝置32。

也可以采用以下的變形例。首先，在即將層壓下側(cè)的半導(dǎo)體裝置與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置之前，將規(guī)定量的樹脂材料供給到在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置上設(shè)置的連續(xù)槽之中。作為樹脂材料，使用顆粒狀、粉狀、糊狀、膠狀等固體形狀樹脂或半固體形狀樹脂。作為樹脂材料，還可以使用液狀樹脂(在常溫下液狀的樹脂)。在固體形狀樹脂或半固體形狀樹脂的情況下，優(yōu)選在進(jìn)行回焊處理的工序中，在樹脂材料熔化而形成流動性樹脂的狀態(tài)下，流動性樹脂容易流動。在液狀樹脂的情況下，優(yōu)選在進(jìn)行回焊處理的溫度下容易流動。作為樹脂材料，還可以使用熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂中的任意一種。

接著，在設(shè)置于下側(cè)的半導(dǎo)體裝置上的連續(xù)槽之中插入在上側(cè)的半導(dǎo)體裝置上設(shè)置的多個焊球22。通過將焊球22插入連續(xù)槽，使得樹脂材料被擠出到焊球22的周圍。在這個狀態(tài)下，進(jìn)行回焊處理。

在回焊處理工序中，下側(cè)的焊球13和上側(cè)的焊球22熔化而被接合，樹脂材料熔化而生成流動性樹脂。據(jù)此，通過流動性樹脂來填充焊球13和焊球22的周圍的空間。在焊球13、22的周圍的空間中，流動性樹脂固化。據(jù)此，通過固化樹脂來填充下側(cè)的焊球13和上側(cè)的焊球22的周圍的空間。因此，能夠使焊球13及焊球22與周圍絕緣。據(jù)此，第一，能夠抑制水分等從PoP型半導(dǎo)體裝置的外部侵入到下側(cè)的焊球13和上側(cè)的焊球22的周邊；第二，PoP型半導(dǎo)體裝置的機(jī)械強(qiáng)度提高。因此，能夠提高PoP型半導(dǎo)體裝置的可靠性。

也可以采用以下其他的變形例。在層壓下側(cè)的半導(dǎo)體裝置與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置之后，將規(guī)定量的樹脂材料供給到在下側(cè)的半導(dǎo)體裝置上設(shè)置的連續(xù)槽之中。在這種情況下，在形成槽15(參考圖1的(a))以及槽15a(參考圖6的(a))的工序中，形成到達(dá)密封樹脂14的各外周面的槽15以及槽15a。據(jù)此，在密封樹脂14的側(cè)面(外周面)形成開口部。在下側(cè)的焊球13和上側(cè)的焊球22被接合的狀態(tài)下(參考圖5的(b))，經(jīng)由開口部將樹脂材料從密封樹脂14的外側(cè)注入到連續(xù)槽之中。例如，使用分配器，將液狀樹脂注入到連續(xù)槽之中。在這種情況下，優(yōu)選從與注入液狀樹脂的開口部相反側(cè)的開口部，對槽15和槽15a的內(nèi)部進(jìn)行吸引。據(jù)此，能夠在短時間內(nèi)將液狀樹脂填充到槽15和槽15a的內(nèi)部。與不將樹脂材料供給到連續(xù)槽之中的情況相比，優(yōu)選擴(kuò)大槽的寬度來形成槽15和槽15a。

此外，關(guān)于PoP型半導(dǎo)體裝置，在使半導(dǎo)體裝置出廠的方式中，有兩種方式。第一方式是作為層壓了下側(cè)的半導(dǎo)體裝置與上側(cè)的半導(dǎo)體裝置后的層壓型半導(dǎo)體裝置(作為最終產(chǎn)品來發(fā)揮功能的半導(dǎo)體裝置)而出廠的方式。第二方式是僅將下側(cè)的半導(dǎo)體裝置作為半成品而出廠的方式。該半成品是下側(cè)的半導(dǎo)體裝置，且該半成品自身能夠發(fā)揮功能。而且，通過將該半成品與其他的半導(dǎo)體裝置(上側(cè)的半導(dǎo)體裝置)組合而完成最終產(chǎn)品。在這種情況下，購買了下側(cè)的半導(dǎo)體裝置的人根據(jù)用途自行層壓上側(cè)的半導(dǎo)體裝置而作為層壓型半導(dǎo)體裝置來使用。本發(fā)明對哪種方式都適用。

在圖1中，僅示出了1組包圍半導(dǎo)體芯片3的焊球13的組。在圖1中示出的焊球13的組的俯視形狀為長方形。在圖6中，僅示出了2組包圍半導(dǎo)體芯片26的焊球13的組。包圍半導(dǎo)體芯片26的焊球13的組的數(shù)量也可以為3組以上。在包圍半導(dǎo)體芯片26的焊球13的組的數(shù)量為多個的情況下，焊球13的各個組在俯視時從距離半導(dǎo)體芯片26遠(yuǎn)側(cè)朝向近側(cè)分別依次形成。

圖6中示出的內(nèi)側(cè)的焊球13的組的俯視形狀與外側(cè)的焊球13的組的俯視形狀是相似的同心長方形。包圍半導(dǎo)體芯片26的焊球13的組的俯視形狀也可以是長方形(包括正方形)以外，可以是橢圓(包括正圓)，還可以是線段和曲線的組合。

包圍半導(dǎo)體芯片26的焊球13的組的俯視形狀并不限定于封閉的線段狀和封閉的曲線狀。其俯視形狀例如也可以為拉丁文字的“L”形狀，也可以為希臘文字的“Π”形狀。具有拉丁文字“L”形狀的焊球13的組或者具有希臘文字“Π”形狀的焊球13的組也可以為兩組以上。

包圍半導(dǎo)體芯片26的焊球13的俯視形狀可以是由連續(xù)的曲線構(gòu)成的螺旋狀，也可以是類似于螺旋的折線狀(多個線段相連而成的形狀)。在這些情況下，包圍半導(dǎo)體芯片26的一圈焊球13相當(dāng)于1組焊球13。這些焊球13的各個組在俯視時從距離半導(dǎo)體芯片26遠(yuǎn)側(cè)朝向近側(cè)分別依次形成。

本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，可根據(jù)需要，任意且適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行組合、變更或選擇性地采用。

符號說明

1、24 半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體裝置、第一半導(dǎo)體裝置)

2、25 布線基板

3、26 半導(dǎo)體芯片(芯片部件)

4 布線

5 焊接引線(基板電極)

6 焊盤(外部電極)

7 焊盤

8 通孔布線

9 阻焊膜

10 粘接劑

11 電極墊(芯片電極)

12 焊線(連接構(gòu)件)

13 焊球(第一突起狀電極)

14 密封樹脂

15、15a、15b 連續(xù)槽(開口)

16 阻焊膜

17 焊球

18、29 半導(dǎo)體裝置(第二半導(dǎo)體裝置)

19、30 布線基板

20、31 半導(dǎo)體芯片

21 焊盤

22 焊球(第二突起狀電極)

23 PoP型半導(dǎo)體裝置

27 凸塊(連接構(gòu)件)

28 基板電極

32 PoP型半導(dǎo)體裝置