本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領域，特別涉及一種浮柵生成方法、閃存浮柵生成方法及閃存制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有閃存制造工藝在存儲區(qū)形成浮柵的具體制程為：在存儲區(qū)已生成淺槽隔離的襯底上沉積生成多晶硅層，再由化學機械研磨的方式去除多晶硅層，直至多晶硅層在存儲區(qū)被淺槽隔離分離形成柵格，然后對多晶硅層進行離子注入，最后去除外圍電路區(qū)的多晶硅層，從而在存儲區(qū)形成浮柵。

但是由于外圍電路區(qū)淺槽隔離少于存儲區(qū)淺槽隔離，導致化學機械研磨時，研磨速率存儲區(qū)低于外圍電路區(qū)，存儲區(qū)和外圍電路區(qū)剩余的多晶硅層的厚度存在臺階差；當存儲區(qū)多晶硅層厚度滿足浮柵要求時，外圍電路區(qū)多晶硅層過??；過薄的外圍電路區(qū)多晶硅層在去除時，容易導致襯底有源區(qū)硅的損傷，從而導致閃存器件無法正常開啟，甚至失效。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的是提供一種浮柵生成方法、閃存浮柵生成方法及閃存制造方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：

一種浮柵生成方法，包括如下步驟：

步驟1，在襯底待生成浮柵區(qū)生成隔離；

步驟2，在襯底上沉積生成多晶硅層；所述多晶硅層包括待生成浮柵區(qū)多晶硅層和非生成浮柵區(qū)多晶硅層；

步驟3，對所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層進行離子注入，以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層的結(jié)晶狀態(tài)；

步驟4，對多晶硅層進行化學機械研磨，直至所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層被所述隔離分離，以形成柵格；

步驟5，去除所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層，以形成浮柵。

本發(fā)明的有益效果是：將現(xiàn)有浮柵生成方式中的離子注入進程提到化學機械研磨進程之前，并且僅對待生成浮柵區(qū)多晶硅層進行離子注入；由于待生成浮柵區(qū)多晶硅層的結(jié)晶狀態(tài)被破壞，從而提高化學機械研磨中待生成浮柵區(qū)多晶硅層的研磨速率，進而彌補由于待生成浮柵區(qū)多晶硅層中存在隔離所降低的研磨速率，保證待生成浮柵區(qū)多晶硅層的研磨速率不低于非生成浮柵區(qū)多晶硅層的研磨速率；進一步保證待生成浮柵區(qū)多晶硅層的厚度滿足浮柵要求時，非生成浮柵區(qū)多晶硅層具有一定厚度；避免去除此非生成浮柵區(qū)多晶硅層的過程中損傷襯底，導致生成的器件無法正常開啟或失效；且有效避免了現(xiàn)有生成方式中化學機械研磨后再完成待生成浮柵區(qū)多晶硅層離子注入，在離子注入進程中，由于非生成浮柵區(qū)多晶硅層過薄，如未對此部分采取保護措施，離子注入會影響襯底的可能。

在上述技術(shù)方案的基礎上，本發(fā)明還可以做如下改進。

進一步，所述步驟3包括，在所述多晶硅層上涂覆光刻膠，光刻去除所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層上的光刻膠，保留所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層上的光刻膠，以保留的光刻膠為掩膜對所述多晶硅層進行離子注入，以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層的結(jié)晶狀態(tài)。

采用上述進一步方案的有益效果是，將光刻膠與光刻相結(jié)合，在非生成浮柵區(qū)多晶硅層上生成離子注入過程中所需的掩膜，保證非生成浮柵區(qū)多晶硅層不受離子注入的影響，工藝簡單可行。

進一步，所述離子注入為垂直于所述多晶硅層上表面的離子注入。

采用上述進一步方案的有益效果是，保證離子注入在待生成浮柵區(qū)多晶硅層的均勻性，且不會影響到非生成浮柵區(qū)多晶硅層。

進一步，所述步驟3還包括，進行離子注入后，去除所述保留的光刻膠。

采用上述進一步方案的有益效果是，避免光刻膠對化學機械研磨的影響。

進一步，所述化學機械研磨使用SiO₂基研磨液或CeO₂基研磨液。

本發(fā)明的另一技術(shù)方案如下：

一種閃存浮柵生成方法，采用上述一種浮柵生成方法，所述隔離為淺槽隔離。

本發(fā)明的有益效果是：避免閃存浮柵生成過程中損傷襯底，導致生成的閃存無法正常開啟或失效。

在上述技術(shù)方案的基礎上，本發(fā)明還可以做如下改進。

進一步，所述離子注入中注入的離子為磷離子。

本發(fā)明的另一技術(shù)方案如下：

一種閃存制造方法，采用上述一種閃存浮柵生成方法，在待制造閃存的存儲區(qū)生成浮柵。

本發(fā)明的有益效果是：避免在閃存的存儲區(qū)生成浮柵過程中損傷襯底，導致生成的閃存無法正常開啟或失效。

在上述技術(shù)方案的基礎上，本發(fā)明還可以做如下改進。

進一步，外圍電路區(qū)所需的淺槽隔離與所述存儲區(qū)的淺槽隔離同時生成。

采用上述進一步方案的有益效果是，離子注入進程在化學機械研磨進程之前，未經(jīng)化學機械研磨的外圍電路區(qū)多晶硅層，能夠防止離子注入對外圍電路區(qū)襯底和淺槽隔離的影響；故外圍電路區(qū)所需的淺槽隔離與所述存儲區(qū)的淺槽隔離可同時生成，簡化閃存制造流程。

附圖說明

圖1為本發(fā)明方法流程圖；

圖2為本發(fā)明隔離生成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明多晶硅層生成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明光刻膠生成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明離子注入結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明化學機械研磨結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明浮柵生成結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中，各標號所代表的部件列表如下：

1、襯底，11、待生成浮柵區(qū)，12、非生成浮柵區(qū)，2、隔離，3、多晶硅層，31、待生成浮柵區(qū)多晶硅層，32、非生成浮柵區(qū)多晶硅層，4、光刻膠，5、淺槽隔離。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

如圖1所示，一種浮柵生成方法，包括如下步驟：

步驟1，如圖2所示，在襯底1待生成浮柵區(qū)11生成隔離2；

步驟2，如圖3所示，在襯底1上沉積生成多晶硅層3；所述多晶硅層3包括待生成浮柵區(qū)多晶硅層31和非生成浮柵區(qū)多晶硅層32；

步驟3，對所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層進行離子注入，以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31的結(jié)晶狀態(tài)；

所述步驟3包括，如圖4所示，在所述多晶硅層3上涂覆光刻膠4；如圖5所示，光刻去除所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31上的光刻膠4，保留所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層32上的光刻膠4，以保留的光刻膠4為掩膜對所述多晶硅層3進行離子注入，以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31的結(jié)晶狀態(tài)，其中，如圖5中箭頭所示，所述離子注入為垂直于所述多晶硅層3上表面的離子注入。

所述步驟3還包括，進行離子注入后，去除所述保留的光刻膠4。

步驟4，如圖6所示，對多晶硅層3進行化學機械研磨，直至所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31被所述隔離2分離，以形成柵格；其中，所述化學機械研磨使用S iO₂基研磨液或CeO₂基研磨液。

步驟5，如圖7所示，去除所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層32；剩余的被隔離2分離成柵格的待生成浮柵區(qū)多晶硅層31，即為所需生成的浮柵。

一種閃存浮柵生成方法，采用上述一種浮柵生成方法，所述隔離2為淺槽隔離；所述離子注入中注入的離子為磷離子。

如圖2所示，一種閃存制造方法，采用上述一種閃存浮柵生成方法，在待制造閃存的存儲區(qū)即待生成浮柵區(qū)11生成浮柵。外圍電路區(qū)即非生成浮柵區(qū)12所需的淺槽隔離5和存儲區(qū)的淺槽隔離即隔離2同時生成，簡化閃存制造流程。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。