技術(shù)總結(jié)
一種芯片中特定電路測試用微型襯墊結(jié)構(gòu)，其從下到上依次包括：頂部金屬層、形成有鋁襯墊層的第一通孔層間介質(zhì)層和第二通孔層間介質(zhì)層、具有鋁襯墊開口的第一鈍化層介質(zhì)層以及具有鈍化層開口區(qū)的第二鈍化層介質(zhì)層和第一鈍化層介質(zhì)層；其中，鋁襯墊在第一鈍化層介質(zhì)層中具有鋁延長部，鈍化層開口位于鋁延長部，且鈍化層開口的底部同鋁襯墊相接觸，以使鈍化層開口與鋁襯墊開口區(qū)錯(cuò)開。本發(fā)明是將鋁襯墊的鋁延長到外部，在這個(gè)延長的鋁上面制作鈍化層的開口，保證鈍化層的開口與鋁襯墊開口的區(qū)域錯(cuò)開，從而可以防止鈍化層開口時(shí)，由于微型襯墊的鋁開口凹陷導(dǎo)致的氧化層殘留的風(fēng)險(xiǎn)，且提高了微型襯墊的最終平整的表面和探測的可行性。

技術(shù)研發(fā)人員：顧珍;田志;殷冠華;陳昊瑜;姬峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201611042082
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.22
技術(shù)公布日：2017.05.31