本申請是申請日為2014年7月11日，申請?zhí)枮?01410330530.2，申請人為朗姆研究公司，名稱為“具有離子加速器的雙室等離子體蝕刻器”的專利申請的分案申請。

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其是涉及具有離子加速器的雙室等離子體蝕刻器。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體的制造中常常采用的一種操作是蝕刻操作。在蝕刻操作中，從半成品集成電路部分或全部地去除一或多種材料。等離子體蝕刻往往被使用，尤其是在涉及的幾何形狀小、深寬比高、或者需要精確的圖案轉(zhuǎn)移的時候。

通常，等離子體含有電子和正負(fù)離子以及一些自由基。這些自由基、正離子和負(fù)離子與襯底互相作用以在該襯底上蝕刻特征、表面和材料。

隨著從平面晶體管結(jié)構(gòu)到3d晶體管結(jié)構(gòu)(例如，用于邏輯器件的finfet柵結(jié)構(gòu))以及諸如磁阻隨機(jī)訪問存儲器(mram)之類的先進(jìn)存儲器結(jié)構(gòu)的發(fā)展，等離子體蝕刻工藝需要越來越精準(zhǔn)和均勻以便生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。傳統(tǒng)蝕刻技術(shù)的一個問題是蝕刻副產(chǎn)品不是被清除掉而是有時會再沉積到表面上，而在該表面上是不希望有這樣的沉積的。例如，所述副產(chǎn)品可沉積回襯底上(這種情況下它們會干擾進(jìn)一步的蝕刻)或者沉積在蝕刻裝置上。在許多情況下，再沉積的蝕刻副產(chǎn)品是其它蝕刻副產(chǎn)品的離解產(chǎn)物。

襯底上的不希望有的沉積可引起許多問題，包括劣質(zhì)的蝕刻結(jié)果(例如，非豎直的蝕刻輪廓、蝕刻不均勻性，等等)和不合標(biāo)準(zhǔn)的襯底(例如，不希望的沉積可形成短的蝕刻堆層)。裝置上的不希望有的沉積可引起另外的問題，包括增加的清潔需求、較短的裝置使用壽命以及效率較低的裝置運(yùn)行。

因此，存在對在蝕刻過程中防止副產(chǎn)品的再沉積的改進(jìn)的半導(dǎo)體制造方法和裝置的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本文的某些實(shí)施方式涉及用于蝕刻半導(dǎo)體的方法和裝置。在這些實(shí)施方式的一個方面，提供了一種用于蝕刻半導(dǎo)體的方法，其包括步驟：(a)在反應(yīng)器的反應(yīng)室中接收其上具有要去除的材料的襯底，其中所述反應(yīng)器包括：(i)上子室和下子室，(ii)柵組件，其位于所述反應(yīng)室中，將所述反應(yīng)室分割成上下子室，其中所述柵組件包括至少最上柵和最下柵，各自連接到電源以獨(dú)立地給所述柵提供負(fù)偏(negativebias)，其中每個柵具有延伸穿過所述柵的厚度的穿孔，(iii)至所述上子室的一或多個進(jìn)口，(iv)至所述下子室的一或多個進(jìn)口，以及(v)等離子體產(chǎn)生源，其被設(shè)計(jì)或配置為在所述上子室中產(chǎn)生等離子體，(b)將等離子體產(chǎn)生氣體供應(yīng)到所述上子室并從所述等離子體產(chǎn)生氣體產(chǎn)生等離子體，(c)將負(fù)偏壓施加給所述柵組件的至少所述最上柵和最下柵，其中施加給所述最下柵的偏壓比施加給所述最上柵的負(fù)壓更大(morenegative)，(d)穿過所述至所述下子室的一或多個進(jìn)口將蝕刻氣體供應(yīng)到所述下子室，以及(e)蝕刻所述襯底以去除所述要去除的材料的至少一部分，其中在操作(a)-(e)的過程中，所述下子室實(shí)質(zhì)上沒有等離子體。

在一些情況下，施加給所述最上柵的偏壓在約-0.5至-50v之間，或者在約-5至-50v之間。施加給所述最下柵的偏壓可在約-0.5至-2000v之間。在一些實(shí)施方式中，在操作(c)的過程中改變施加給所述柵組件的至少一個柵的偏壓。在某些情況下，蝕刻氣體可在操作(d)的過程中按脈沖式(inpulses)進(jìn)行供應(yīng)。

等離子體產(chǎn)生氣體可包括惰性氣體。在這些或其它情況下，等離子體產(chǎn)生氣體可包括反應(yīng)氣體。所述要去除的材料選自由fe、mn、ni、mg、pt、pd、co、ru、cu、ir以及它們的組合物組成的群組。在一些實(shí)施方式中，所述方法可進(jìn)一步包括將工藝氣體供應(yīng)到所述下子室并使所述工藝氣體與所述要去除的材料進(jìn)行反應(yīng)以形成要去除的反應(yīng)層。所述要去除的反應(yīng)層可包括氧化物、氮化物、氫化物、氯化物、氟化物、有機(jī)金屬絡(luò)合物或者它們的組合物。所述方法可進(jìn)一步包括使所述要去除的反應(yīng)層與所述蝕刻氣體進(jìn)行反應(yīng)以去除所述要去除的反應(yīng)層。

在不同實(shí)施方式中，所述方法可進(jìn)一步包括在操作(b)-(e)中的至少一個操作的過程中移動所述柵組件的至少一個柵。所述移動可包括旋轉(zhuǎn)。在一些情況下，存在于所述上子室中的離子加速穿過所述柵組件并與所述襯底的表面互相作用。

在所公開的實(shí)施方式的另一方面，公開了一種用于蝕刻襯底的方法，所述方法包括：(a)在等離子體反應(yīng)器的上部區(qū)域中產(chǎn)生等離子體，(b)將離子從所述等離子體加速到所述等離子體反應(yīng)器的下部區(qū)域中的所述襯底的表面上，其中所述等離子體不與所述襯底接觸，(c)將蝕刻劑氣體輸送到所述襯底的表面，所述蝕刻劑氣體在該表面起反應(yīng)以從該表面蝕刻金屬或半導(dǎo)體并產(chǎn)生含有所述金屬或半導(dǎo)體的一或多種原子和來自所述蝕刻劑氣體的一或多種配體的揮發(fā)性副產(chǎn)品，以及(d)在所述揮發(fā)性副產(chǎn)品實(shí)質(zhì)上不與所述等離子體接觸且所述揮發(fā)性副產(chǎn)品實(shí)質(zhì)上不離解成較低揮發(fā)性的物質(zhì)的情況下從所述等離子體反應(yīng)器去除所述揮發(fā)性副產(chǎn)品。在一些情況下，所述蝕刻劑氣體在操作(c)中起反應(yīng)以蝕刻選自由fe、mn、ni、mg、pt、pd、co、ru、cu、ir以及它們的組合物組成的群組的金屬。

在所公開的實(shí)施方式的又一方面，提供了一種用于蝕刻襯底的裝置，其包括(a)反應(yīng)室，(b)柵組件，其位于所述反應(yīng)室中，將所述反應(yīng)室分割成上子室和下子室，其中所述柵組件包括至少最上柵和最下柵，且其中所述柵組件中的每一個柵具有延伸穿過所述柵的厚度的穿孔，(c)電氣連接件，其與所述柵組件的至少所述最上柵和最下柵連接以獨(dú)立地給所述最上柵和最下柵提供負(fù)偏，(d)至所述上子室的一或多個氣體進(jìn)口，(e)至所述下子室的一或多個氣體進(jìn)口，(f)等離子體產(chǎn)生源，其被設(shè)計(jì)或配置為在所述上子室中產(chǎn)生等離子體，(g)至所述下子室的一或多個氣體出口，其被設(shè)計(jì)或配置為從所述下子室去除氣體，以及(h)控制器，其被設(shè)計(jì)或配置為提供指令用于：(i)將等離子體產(chǎn)生氣體供應(yīng)到所述上子室并從所述等離子體產(chǎn)生氣體產(chǎn)生等離子體，(ii)將負(fù)偏壓施加給所述柵組件的至少所述最上柵和最下柵，其中施加給所述最下柵的偏壓比施加給所述最上柵的偏壓更負(fù)，以及(iii)將蝕刻氣體供應(yīng)到所述下子室。

在一些實(shí)施方式中，在一些情況下，所述上子室的高度與所述下子室的高度之比可在約0.1-10之間。所述柵組件可被設(shè)計(jì)或配置為用作(c)和(d)中的進(jìn)口中的一或多個。所述柵組件還可被設(shè)計(jì)或配置為提供不同級別的離子通量給襯底表面的不同部分。所述柵組件還可包括嵌在所述組件中的冷卻通道。在一些實(shí)施方式中，所述柵組件的至少一個柵是能移動的。進(jìn)一步地，在一些實(shí)施方式中，所述柵組件可包括多于兩個的柵。在不同實(shí)施方式中，所述等離子體產(chǎn)生源包括設(shè)置在所述上子室上方的一或多個等離子體線圈。在其它實(shí)施方式中，所述等離子體產(chǎn)生源是電容耦合等離子體源。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：

1.一種蝕刻襯底的方法，其包括：

(a)在反應(yīng)器的反應(yīng)室中接收具有能去除的材料的襯底，

(b)將等離子體產(chǎn)生氣體供應(yīng)到所述反應(yīng)室中的柵組件上方，所述柵組件包括最上柵和最下柵，并從所述柵組件上方的所述等離子體產(chǎn)生氣體產(chǎn)生等離子體，

(c)同時將第一負(fù)偏壓和第二負(fù)偏壓分別施加給所述柵組件的所述最上柵和最下柵，其中施加給所述最下柵的所述第二負(fù)偏壓比施加給所述最上柵的所述第一負(fù)偏壓負(fù)壓更大，并加速離子從所述等離子體穿過所述柵組件朝向所述襯底，

(d)將蝕刻氣體供應(yīng)到所述柵組件下方，以及

(e)蝕刻所述襯底以去除所述能去除的材料的至少一部分，

其中在操作(a)-(e)的過程中，所述柵組件下方的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上沒有等離子體。

2.根據(jù)條款1所述的方法，其中施加給所述最上柵的所述第一負(fù)偏壓在約-0.5至-50v之間。

3.根據(jù)條款1所述的方法，其中施加給所述最下柵的所述第二負(fù)偏壓在約-0.5至-2000v之間。

4.根據(jù)條款1所述的方法，其進(jìn)一步包括在操作(c)的過程中改變所述第一負(fù)偏壓和所述第二負(fù)偏壓中的至少一個。

5.根據(jù)條款1所述的方法，其中操作(d)中的所述蝕刻氣體按脈沖式進(jìn)行供應(yīng)。

6.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述等離子體產(chǎn)生氣體包括惰性氣體。

7.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述等離子體產(chǎn)生氣體包括反應(yīng)氣體。

8.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述能去除的材料選自由fe、mn、ni、mg、pt、pd、co、ru、cu、ir以及它們的組合物組成的群組。

9.根據(jù)條款1所述的方法，其進(jìn)一步包括將工藝氣體供應(yīng)到所述柵組件下方并使所述工藝氣體與所述能去除的材料進(jìn)行反應(yīng)以形成包括選自由氧化物、氮化物、氫化物、氯化物、氟化物、有機(jī)金屬絡(luò)合物或者它們的組合物組成的群組的材料的能去除的反應(yīng)層。

10.根據(jù)條款9所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述能去除的反應(yīng)層與所述蝕刻氣體進(jìn)行反應(yīng)以去除所述能去除的反應(yīng)層。

11.根據(jù)條款1所述的方法，其進(jìn)一步包括在操作(b)-(e)中的至少一個的過程中移動所述最上柵和所述最下柵中的至少一個。

12.根據(jù)條款11所述的方法，其中移動所述最上柵和所述最下柵中的至少一個導(dǎo)致與在移動所述最上柵和所述最下柵中的至少一個之前相比到所述襯底的離子通量較大。

13.根據(jù)條款11所述的方法，其中移動所述最上柵和所述最下柵中的至少一個導(dǎo)致與在移動所述最上柵和所述最下柵中的至少一個之前相比到所述襯底的離子通量較小。

14.根據(jù)條款11所述的方法，其中所述襯底上的離子通量包括在所述襯底的中心區(qū)域附近的第一離子通量和朝向所述襯底的周邊的第二離子通量，其中，移動所述最上柵和最下柵中的至少一個導(dǎo)致所述第一離子通量的增大和所述第二離子通量的減小。

15.根據(jù)條款11所述的方法，其中所述襯底上的離子通量包括在所述襯底的中心區(qū)域附近的第一離子通量和朝向所述襯底的周邊的第二離子通量，其中，移動所述最上柵和最下柵導(dǎo)致所述第一離子通量的減小和所述第二離子通量的增大。

16.根據(jù)條款11所述的方法，其中移動所述最上柵和所述最下柵中的至少一個導(dǎo)致所述襯底上的離子通量的反復(fù)脈沖。

17.根據(jù)條款16所述的方法，其中所述襯底上的離子通量在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間脈沖，所述第一狀態(tài)是高離子通量狀態(tài)，且所述第二狀態(tài)是低離子通量狀態(tài)。

18.根據(jù)條款17所述的方法，其中在所述低離子通量狀態(tài)期間，在垂直于所述最上柵和所述最下柵的方向上沒有通過所述柵組件的視線。

19.根據(jù)條款1所述的方法，其中加速通過所述柵組件的所述離子與所述襯底的表面相互作用。

20.根據(jù)條款1所述的方法，其中分別施加到所述最上柵和所述最下柵的所述第一負(fù)偏壓和所述第二負(fù)偏壓是dc偏壓。

21.一種用于蝕刻襯底的裝置，其包括：

(a)反應(yīng)室，

(b)柵組件，其位于所述反應(yīng)室中從而將所述反應(yīng)室分割成上部區(qū)域和下部區(qū)域，其中所述柵組件包括至少第一柵和第二柵，

(c)電氣連接件，所述電氣連接件與所述柵組件的至少所述第一柵和第二柵連接以獨(dú)立地給所述第一柵和第二柵提供負(fù)偏，

(d)至所述反應(yīng)室的所述上部區(qū)域的一或多個氣體進(jìn)口，

(e)至所述反應(yīng)室的所述下部區(qū)域的一或多個氣體進(jìn)口，

(f)等離子體產(chǎn)生源，其被配置為在所述反應(yīng)室的所述上部區(qū)域中產(chǎn)生等離子體，

(g)至所述反應(yīng)室的所述下部區(qū)域的一或多個氣體出口，所述出口被配置為從所述反應(yīng)室的所述下部區(qū)域去除氣體，以及

(h)控制器，其被配置為提供指令用于：

(i)在所述反應(yīng)室的所述上部區(qū)域產(chǎn)生所述等離子體；

(ii)將第一負(fù)dc偏壓施加給所述柵組件中的所述第一柵并將第二負(fù)dc偏壓施加給所述柵組件中的所述第二柵，并將離子從所述等離子體加速到所述反應(yīng)室的所述下部區(qū)域中的所述襯底的表面上，其中所述等離子體不與所述襯底接觸；

(iii)將蝕刻劑氣體輸送到所述襯底的所述表面，其中所述蝕刻劑氣體反應(yīng)以從所述襯底的所述表面蝕刻金屬或半導(dǎo)體，從而產(chǎn)生含有所述金屬或半導(dǎo)體的一或多種原子和來自所述蝕刻劑氣體的一或多種配體的揮發(fā)性副產(chǎn)品；以及

(iv)在所述揮發(fā)性副產(chǎn)品實(shí)質(zhì)上不與所述等離子體接觸且所述揮發(fā)性副產(chǎn)品實(shí)質(zhì)上不離解成較低揮發(fā)性的物質(zhì)的情況下從所述反應(yīng)室去除所述揮發(fā)性副產(chǎn)品。

22.根據(jù)條款21所述的裝置，其中所述柵組件包括至少第三柵。

23.根據(jù)條款21所述的裝置，其中所述柵組件被配置為用作(d)和(e)中的進(jìn)口中的一或多個。

24.根據(jù)條款21所述的裝置，其中所述柵組件被配置為提供不同級別的離子通量給所述襯底的所述表面的不同部分。

25.根據(jù)條款21所述的裝置，其中所述柵組件的至少一個柵是能移動的。

26.根據(jù)條款25所述的裝置，其中，能移動的所述柵的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致組件開口區(qū)域從所述柵組件的一個部分到所述柵組件的另一個部分的一定數(shù)量的位移。

27.根據(jù)條款26所述的裝置，其中當(dāng)所述柵組件的所述柵處于第一相對位置時，與當(dāng)所述柵組件的柵處于第二相對位置時相比，所述柵組件開口區(qū)域朝向所述柵組件的中心更集中。

28.根據(jù)條款25所述的裝置，其中，所述柵組件的所述柵可以相對于彼此定位在至少第一位置和第二位置，其中當(dāng)所述柵組件的所述柵處于所述第一位置時，所述柵組件具有一定數(shù)量的開口區(qū)域，并且當(dāng)所述柵組件的所述柵處于所述第二位置時，所述柵組件沒有開口區(qū)域。

29.根據(jù)條款25所述的裝置，其中，所述控制器還被配置為提供用于移動能移動的所述柵的指令，從而獲得離子通量的脈沖，其中所述離子通量在低離子通量狀態(tài)和高離子通量狀態(tài)之間脈沖。

30.根據(jù)條款29所述的裝置，其中在所述低離子通量狀態(tài)期間，所述柵組件沒有開口區(qū)域，從而確保在所述低離子通量狀態(tài)下實(shí)質(zhì)上沒有離子穿過所述柵組件。

31.根據(jù)條款21所述的裝置，其中所述柵組件的所述第一柵和所述第二柵分開約5mm以下的距離。

32.根據(jù)條款21所述的裝置，其中，所述柵組件的所述第一柵和所述第二柵中的至少一個包括布置成柵形狀或蛛網(wǎng)形狀的絲。

33.根據(jù)條款21所述的裝置，其中所述柵組件的至少一個柵是非平面的。

下面參考相關(guān)附圖描述這些特征以及其它特征。

附圖說明

圖1是根據(jù)各種公開實(shí)施方式的蝕刻裝置的簡化剖視圖。

圖2是根據(jù)某些公開實(shí)施方式的圖示蝕刻襯底的方法的流程圖。

圖3a-f示出了制造過程中在各個階段的半成品集成電路。

圖4a-b各自示出了根據(jù)本文不同實(shí)施方式的可用在柵組件中的柵的可能實(shí)施方式。

圖5示出了根據(jù)本文某些實(shí)施方式的蝕刻裝置的簡化剖視圖。

具體實(shí)施方式

在本申請中，術(shù)語“半導(dǎo)體晶片”、“晶片”、“襯底”、“晶片襯底”和“半成品集成電路”可替換使用。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，術(shù)語“半成品集成電路”可以指在硅晶片上制造集成電路的許多階段中的任意階段中的硅晶片。半導(dǎo)體器件工業(yè)中所使用的晶片或襯底通常具有200mm或300mm或450mm的直徑。接下來的詳細(xì)描述假定本發(fā)明是在晶片上實(shí)施。但是，本發(fā)明并不局限于此。工件可以有各種形狀、尺寸和材料。在半導(dǎo)體晶片之外，可以利用本發(fā)明的其它工件包括諸如印刷電路板之類的各種制造品。

在接下來的描述中，許多具體細(xì)節(jié)被闡述以便提供對這些實(shí)施方式的透徹理解。所公開的實(shí)施方式可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實(shí)施。另一方面，公知的工藝操作沒有被詳細(xì)描述以免不必要模糊所公開的實(shí)施方式。雖然結(jié)合具體實(shí)施方式描述了所公開的實(shí)施方式，但可以理解的是，這并沒有限制所公開的實(shí)施方式的意圖。

進(jìn)一步地，雖然描述中常常涉及“上”和“下”元件(或者類似于“頂”和“底”、“左”和“右”，等等)，但這些描述語是以非限制性方式使用的，只為清楚起見。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的是，也可以使用其它構(gòu)造。例如，在某些實(shí)施方式中，本文描述為“上”和“下”的元件可以是“下”和“上”或者“左”和“右”。

本文的實(shí)施方式一般針對半導(dǎo)體處理方法和裝置。更具體地，這些實(shí)施方式涉及用于蝕刻半導(dǎo)體襯底的方法和裝置。在實(shí)施所公開的技術(shù)時，襯底被提供在處理室中。圖1示出了適當(dāng)?shù)奶幚硌b置100的簡化剖視圖。柵組件107將處理室分割成上子室101(產(chǎn)生等離子體處)和下子室103(放置襯底處，在許多實(shí)施方式中這里沒有等離子體)。柵組件107包括至少兩個柵105和106，每個柵在處理過程中通常具有負(fù)偏壓。在處理過程中，上柵105(相較于地電位)可以負(fù)偏以排斥電子，而下柵106(相較于上柵)可以進(jìn)一步負(fù)偏以使正離子朝向由晶片支撐件115支撐的襯底113加速。

通過等離子體產(chǎn)生設(shè)備，等離子體主要或者僅僅在上子室101中產(chǎn)生。在圖1的實(shí)施方式中，通過使用線圈109產(chǎn)生電感耦合等離子體，線圈109通過介電窗119與上子室101分開，但也可使用其它等離子體產(chǎn)生技術(shù)。用于產(chǎn)生等離子體的氣體被稱為等離子體產(chǎn)生氣體。正離子穿過如圖所示的上柵(即最上柵)105和下柵(即最下柵)106中的槽/孔，且在它們穿過時被下柵106加速。這些正離子撞擊襯底113的表面，從而激活該表面以進(jìn)行反應(yīng)。工藝氣體進(jìn)口111將工藝氣體直接輸送到下子室103。通過將一或多種工藝氣體直接提供到下子室103，將它們與上子室101中的等離子體屏蔽開來。類似地，在工藝氣體與襯底113反應(yīng)之后，蝕刻副產(chǎn)品與上子室101中的等離子體屏蔽開來。這種屏蔽有助于防止蝕刻副產(chǎn)品的離解，且因此有助于防止所述副產(chǎn)品在襯底113和裝置100上的再沉積。相反，所述副產(chǎn)品以揮發(fā)形式通過利用施加于該室的真空117從反應(yīng)室去除。通過這種方式，可以得到優(yōu)秀的蝕刻結(jié)果。雖然圖1示出了兩個真空源117，但在某些實(shí)施方式中只需要單個真空源。在一些情況下，單個真空源與下子室103的多個出口相連接。

下面參考圖5描述根據(jù)本公開的等離子體反應(yīng)器的更多詳細(xì)實(shí)施例。適于用作上下柵105和106的柵結(jié)構(gòu)的實(shí)施例在圖4a和4b中示出。

方法

圖2提供了根據(jù)本文不同實(shí)施方式的用于蝕刻材料的流程圖。工藝200開始于方框202，其中，其上具有要去除的材料的襯底被接收到反應(yīng)室中。如上所述，該反應(yīng)室被柵組件分割成上子室和下子室。襯底被接收在下子室中，且通常位于諸如靜電卡盤之類的襯底架上。在方框204，等離子體被產(chǎn)生在上子室中。由于柵組件的存在，所述等離子體一般被約束于上子室且不會大幅擴(kuò)散或者根本不擴(kuò)散到下子室中。但是，等離子體中的某些物質(zhì)(比如正離子和自由基)能夠穿過柵，到達(dá)下子室，并與襯底相互作用，如下所述。

在方框206，負(fù)偏壓(相較于地電位)被施加給所述柵組件的柵中的每一個。負(fù)偏壓被施加給所述組件的上柵以便將等離子體約束于上子室。這可通過排斥電子從而防止電子逸出(bleeding)到下子室中而實(shí)現(xiàn)。更大的負(fù)偏壓被施加給所述組件的下柵以便使正離子加速穿過柵組件并朝向襯底的表面。離開柵組件的離子的能量由設(shè)置在下柵上的偏壓決定。因此，下柵上的偏壓可針對具體應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化以提供希望的離子能量。在方框208，加速的正離子從柵組件行進(jìn)穿過下子室并轟擊襯底的表面以便激活該表面以進(jìn)行反應(yīng)。在方框210，一或多種蝕刻劑氣體/前驅(qū)體被提供給下子室，在方框212，襯底被蝕刻。在一些情況下，方框210中提供的材料直接蝕刻襯底。在另外一些情況下，所提供的材料與其它材料(例如，其它反應(yīng)劑氣體)反應(yīng)以產(chǎn)生蝕刻襯底的化合物。圖2中相關(guān)的操作并非必須以所列順序進(jìn)行，在許多情況下，操作之間會有重疊。例如，蝕刻通常發(fā)生在方框212，但蝕刻劑氣體仍在方框210被供應(yīng)給所述室。此外，在某些實(shí)施方式中，方框204、206和208的操作同時執(zhí)行。這三個操作可同時開始或者一個操作在另一個之前開始。

圖3a-f示出了圖示根據(jù)具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體微細(xì)加工方法的部分的剖視圖。具體地，圖3a-f涉及更廣泛的制造環(huán)境(context)，其中可進(jìn)行圖2中所描述的蝕刻工藝。該更廣泛的半導(dǎo)體制造方法在名稱為dryetchingmethod,microfabricationprocessanddryetchingmask的美國專利no.6,689,283和名稱為dryetchingmethodformagneticmaterial的美國專利no.re40,951中進(jìn)一步討論和描述，所述專利中的每一個通過參考全文并入此處。

首先，如圖3a中所示，待蝕刻的層12被沉積在形成于襯底10上的墊層11(underlayer)上。在具體實(shí)施方式中，襯底是硅晶片，墊層11是鈦，待蝕刻的層是鈷-鉑合金。然后，如圖3b中所示，抗蝕劑層13被沉積在待蝕刻的層12上。抗蝕劑層13使用光刻技術(shù)進(jìn)行微圖案化。在特定情況下，圖案化的抗蝕劑層13通過利用例如旋涂法涂布正性抗蝕劑、利用uv或電子束曝光設(shè)備曝光微圖案并接著顯影所曝光的抗蝕劑圖案而被形成在層12上。

然后，如圖3c中所示，掩模層14被沉積在微圖案化的抗蝕劑層13上。在一些情況下，掩模層由氮化鈦(tin)構(gòu)成，其可通過反應(yīng)濺射法進(jìn)行沉積。接著，如圖3d中所示，抗蝕劑層13通過剝離法(lift-offmethod)被去除以形成圖案化掩模14'。更具體地，舉例來說，所述剝離可利用超聲清洗器通過將晶片浸入諸如四氫呋喃之類的溶劑中而執(zhí)行。此后，根據(jù)本文其它部分所記載的技術(shù)干法蝕刻襯底以形成蝕刻后的層12'，如圖3e中所示。最后，可在蝕刻之后去除掩模層14，如圖3f中所示。前面的描述在本質(zhì)上僅僅是示例性的，示出了一種可實(shí)施所公開的實(shí)施方式的具體環(huán)境。

蝕刻化學(xué)過程

半導(dǎo)體蝕刻工藝的難度受蝕刻副產(chǎn)品及其離解產(chǎn)物的蒸氣壓的顯著影響。事實(shí)上，低蒸氣壓離解產(chǎn)物的形成是蝕刻某些材料(例如，fe、mn、ni、mg、pt、pd、co、ru、cu、ir等)如此具有挑戰(zhàn)性的主要原因。本文的技術(shù)解決了與這些難以蝕刻的材料相關(guān)的某些問題。本文的描述中可替換地使用術(shù)語直接副產(chǎn)品、蝕刻副產(chǎn)品和副產(chǎn)品。直接副產(chǎn)品的一個實(shí)例是下面反應(yīng)1中的pd(pf3)4。術(shù)語離解產(chǎn)物被理解為表示從直接蝕刻副產(chǎn)品的離解中得到的產(chǎn)物。在反應(yīng)1的環(huán)境中，離解產(chǎn)物的一個實(shí)例是pd(pf3)3。

在蝕刻操作中去除的各種材料將基于與蝕刻氣體的反應(yīng)而形成揮發(fā)性的化合物。這些揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物往往是含金屬的化合物，它們在一些情況下具有有機(jī)配體。下面的反應(yīng)1和2示出了形成揮發(fā)性副產(chǎn)品的蝕刻反應(yīng)的實(shí)例。

反應(yīng)1：pd+4pf3→pd(pf3)4↑

反應(yīng)2：co+1/2h2+4co→coh(co)4↑

反應(yīng)3：fe+5co→fe(co)5↑

在反應(yīng)1的情況下，pd是待蝕刻的材料，pf3是蝕刻化學(xué)品，pd(pf3)4是揮發(fā)性副產(chǎn)品。類似地，在反應(yīng)2的情況下，co是待蝕刻的材料，co和h2是蝕刻化學(xué)品，coh(co)4是揮發(fā)性副產(chǎn)品。從這樣的副產(chǎn)品中去除一或多種配體會對蒸氣壓有顯著的負(fù)面影響。例如，coh(co)3具有比coh(co)4低得多的蒸氣壓。由于coh(co)3和類似離解產(chǎn)物的低蒸氣壓，這些材料很可能會再沉積在襯底和/或裝置上。

待蝕刻的材料可包含磁性材料，比如用在磁阻隨機(jī)訪問存儲器器件中的那些材料。在某些情況下，待蝕刻的材料包括fe、mn、ni、mg、pt、pd、co、ru、cu和/或ir。在這些或其它情況下，用于蝕刻所述材料的反應(yīng)劑包括三氟化磷(pf3)、碳酰氟(cof2)、一氧化碳(co)、氧化氮(no)、甲醇(ch3oh)、乙醇(c2h5oh)、乙酰丙酮(c5h8o2)、六氟乙酰丙酮(c5h2f6o2)、亞硫酰氯(socl2)、亞硫酰氟(sof2)、乙酸(ch3cooh)、吡啶(c5h5n)和/或甲酸(hcooh)。在不同實(shí)施方式中，這些蝕刻反應(yīng)劑的組合物被使用。例如，在一些情況下，co+no的組合物被用來形成金屬的亞硝酰羰基。在另一種情況下，co2+no2的組合物被使用。在又一種情況下，吡啶與亞硫酰氯和/或亞硫酰氟組合。其它的組合也是可行的。這些材料和反應(yīng)僅僅是示例性的且并不意在以任何方式限制這些實(shí)施方式。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，本文的技術(shù)可以與各種材料和反應(yīng)一起使用。

揮發(fā)性副產(chǎn)品的穩(wěn)定性在該副產(chǎn)品暴露于等離子體環(huán)境時尤其是在暴露于等離子體環(huán)境中存在的高能電子時顯著受損。這是成問題的，因?yàn)閷τ谠S多要成功的蝕刻反應(yīng)而言，襯底的表面必須以某種方式被激活。這種激活常常通過對該表面的離子轟擊來進(jìn)行。

不希望受到任何反應(yīng)理論或機(jī)制的束縛，相信離子轟擊可以通過在待蝕刻的金屬或其它材料上創(chuàng)建懸掛鍵和/或其它物理化學(xué)接收特征而產(chǎn)生活性部位(activesite)。通過離子轟擊的激活通常通過暴露于等離子體來完成。典型地，等離子體被產(chǎn)生在襯底正上方的區(qū)域中，而用來支撐襯底的靜電卡盤可被負(fù)偏以將正離子吸引到襯底的表面上。在一些傳統(tǒng)方法中，靜電卡盤可被激勵到一定程度使得卡盤本身能夠在襯底的正上方產(chǎn)生等離子體。

由于副產(chǎn)品往往非常大/體積大，在許多配體附著到中心原子的情況下，對等離子體中的能量粒子(特別是電子)而言，通過離解去除所述配體中的一或多種是比較常見的。甚至當(dāng)單一配體被去除時，副產(chǎn)品通常不再是揮發(fā)性的，且因此很可能再沉積在襯底或裝置上。

本文的實(shí)施方式通過提供被柵組件分隔成上子室(用于等離子體產(chǎn)生)和下子室(用于襯底處理)的反應(yīng)室來防止副產(chǎn)品以及相關(guān)離解產(chǎn)物的再沉積，所述柵組件屏蔽蝕刻化學(xué)品/副產(chǎn)品/離解產(chǎn)物以免暴露于等離子體環(huán)境。

在一些情況下，在蝕刻工藝過程中供應(yīng)給下子室的工藝氣體不僅包括蝕刻劑氣體也包括一或多種其它氣體(可被稱為第二工藝氣體、第三工藝氣體、附加工藝氣體，等等)。所述附加氣體可以是例如氧、氫或者氮。在其它情況下，所述附加氣體可包括氯、氟或其它材料。舉例來說，這種氣體可以與襯底的表面反應(yīng)以形成金屬氧化物、金屬氫化物、金屬氮化物、金屬氯化物、金屬氟化物或者其它有機(jī)金屬化合物。在一些情況下，這種氧化物/氫化物/氮化物/氯化物/氟化物等材料會比裸金屬更容易蝕刻。所述附加氣體可被連續(xù)供應(yīng)或脈沖式供應(yīng)。當(dāng)被脈沖式供應(yīng)時，第二工藝氣體可按照脈沖式蝕刻氣體和脈沖式第二工藝氣體的交替重復(fù)循環(huán)進(jìn)行供應(yīng)。

在另一實(shí)施方式中，驅(qū)使氧化物/氫化物/氮化物/氯化物/氟化物等的形成的材料以電離形式從上子室輸送到下子室。在一些實(shí)施方式中，襯底的表面被暴露于化學(xué)惰性離子和化學(xué)活性離子的交替流。

工藝氣體到上下子室的輸送可通過任何方式完成。在一實(shí)施方式中，進(jìn)口噴嘴被設(shè)置在頂子室和下子室中。每個子室可以有多個進(jìn)口。在一實(shí)施例中，圍繞子室的周界設(shè)置許多進(jìn)口以提供均勻的工藝氣體流。在另一實(shí)施方式中，柵的一或多個用作噴頭以將氣體提供到上下子室中的任一個或者兩個。在另一種情況下，工藝氣體可通過延伸到各個子室中的中央噴嘴進(jìn)行供應(yīng)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，在所公開的實(shí)施方式的范圍內(nèi)可以使用不同形式的氣體輸送。

等離子體產(chǎn)生

等離子體主要產(chǎn)生在上子室中，在一些情況下僅僅產(chǎn)生在上子室中。在某些情況下，等離子體由一或多種惰性氣體(包括ar、he、ne、kr和xe)產(chǎn)生。在其它情況下，等離子體由諸如h2、n2、o2等反應(yīng)氣體產(chǎn)生。在一些情況下，惰性氣體和反應(yīng)氣體的組合物被用于產(chǎn)生等離子體。部分地基于所使用的蝕刻化學(xué)品和待蝕刻的材料，用于產(chǎn)生等離子體的氣體可以進(jìn)行選擇以減少或消除反應(yīng)室中的不希望有的反應(yīng)。典型地，等離子體的角色是成為用于注入下子室中的離子的源。這些離子如本文其它部分所述可以是化學(xué)惰性或化學(xué)活性的。

可利用各種類型的等離子體產(chǎn)生技術(shù)在上子室中產(chǎn)生等離子體。在一實(shí)施方式中，等離子體是例如通過利用位于上子室上方的線圈而產(chǎn)生的電感耦合等離子體。在另一實(shí)施方式中，等離子體是電容耦合等離子體。作為選擇，等離子體源可以是電子回旋共振(ecr)等離子體源或螺旋等離子體源。在電感耦合等離子體的情況下，可以使用范圍廣泛的激勵頻率。在某些情況下，激勵頻率是射頻或微波頻率。在一些實(shí)施方式中，耦合到上子室的等離子體源可通過磁場的施加而被加強(qiáng)?？筛鶕?jù)本文的教導(dǎo)進(jìn)行修改的等離子體產(chǎn)生反應(yīng)器的一個實(shí)例是可從加利福尼亞州費(fèi)利蒙市的朗姆研究公司(lamresearchcorporation)獲得的kiyo反應(yīng)器。

在不同實(shí)施方式中，柵組件在等離子體的產(chǎn)生中沒有發(fā)揮顯著作用。但是，柵組件在將等離子體約束于上子室以及過濾出用于輸送給下子室的物質(zhì)方面發(fā)揮了作用。

在反應(yīng)器中設(shè)置柵組件

柵組件被設(shè)置在反應(yīng)室中，從而將該反應(yīng)室分割成上下子室。適于修改以包括此處所述的柵組件的室的一個實(shí)例是來自加利福尼亞州費(fèi)利蒙市的朗姆研究公司的kiyo反應(yīng)器。為了提供背景，接下來的描述參考前面已進(jìn)一步描述的圖1進(jìn)行。在某些實(shí)施方式中，柵組件107被設(shè)置在反應(yīng)室的內(nèi)底(interiorbase)上方約1-6英寸之間，或者在諸如基架之類的襯底支撐件115上方約1-6英寸之間(例如，在約1.5-3英寸之間)。在這些或其它實(shí)施方式中，柵可被設(shè)置在反應(yīng)室的內(nèi)頂(interiorceiling)下方約1-6英寸之間(例如，在約1.5-3英寸之間)。該頂(ceiling)往往配有介電窗。

在某些實(shí)施方式中，上下子室的高度基本相同(例如，在約5％之內(nèi))，但在其它實(shí)施方式中，這些高度可以更顯著不同。上子室的高度與下子室的高度之比(hu/hl)亦稱為子室高度比，可以在約0.1-10之間或者在約0.2-5之間。在一些實(shí)施方式中，子室高度比大于約1/6。

柵不應(yīng)被設(shè)置得過于靠近晶片，因?yàn)檫@會造成在晶片面上發(fā)生柵印刷。換句話說，在處理之后，柵中的槽/孔圖案會不希望地出現(xiàn)在晶片的面上，在襯底表面上造成嚴(yán)重的蝕刻不均勻性。就許多應(yīng)用而言，從襯底的頂部到下柵的底部有至少約1英寸的分隔距離便足夠。

柵組件設(shè)計(jì)

各種設(shè)計(jì)可被用來實(shí)現(xiàn)柵組件。一般而言，柵組件包括至少兩個柵。在許多實(shí)施方式中，柵組件包括2或3個柵。最上柵(有時稱為上柵)是最靠近上子室的柵。最下柵(有時稱為下柵)是最靠近襯底的柵。每個柵具有允許離子穿過柵從上子室到下子室的多個槽、孔和/或其它穿孔。柵結(jié)構(gòu)的非限制性實(shí)例在圖4a-b中示出。在一簡單的實(shí)施方式中，柵是用絲網(wǎng)(wiremesh)構(gòu)造的。絲402可形成如圖4a中所示的縱橫交叉的圖案，其中開口空間404在絲402之間。替代地，絲402可形成如圖4b中所示的蜘蛛網(wǎng)形狀。許多其它的柵設(shè)計(jì)也是可行的。在一種情況下，例如，穿孔是t形的，且按交替設(shè)計(jì)彼此互鎖。在另一種情況下，設(shè)計(jì)具有圓形的孔。在一些情況下，穿孔可被設(shè)計(jì)使得在等離子體產(chǎn)生過程中在柵中幾乎不感生或一點(diǎn)也不感生電流。確保這種結(jié)果的一種設(shè)計(jì)是具有徑向?qū)虿鄣臇?。?dāng)裝置不是被設(shè)計(jì)來防止這類問題時，電流可被感生以圍繞柵大體圓形地流動或者在柵上按小渦流流動，導(dǎo)致寄生功耗增大。

柵組件的柵中的穿孔應(yīng)當(dāng)允許上下子室之間的直接視線，且應(yīng)當(dāng)被配置為將等離子體約束在上子室中。在沒有這樣的視線的情況下，離子會與柵碰撞且會不能穿到下子室中以激活襯底的表面。在一些情況下，穿孔具有約0.5-10mm之間(例如約1-5mm之間)的主維度。該主維度位于與工件平行的方向且跨越穿孔中的最長線性路徑。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，在本公開的范圍內(nèi)可使用各種各樣的穿孔設(shè)計(jì)。

從上方觀察，柵開口區(qū)域代表晶片或其它處理襯底的活性面上的總面積，通過柵開口區(qū)域有從具體柵的上方到下方的清晰視線。從上方觀察，組件開口區(qū)域代表總面積，通過組件開口區(qū)域有穿過組件的所有柵的清晰視線。柵開口區(qū)域和組件開口區(qū)域二者可以以術(shù)語柵上的絕對面積或者以術(shù)語柵上的總面積的百分比來描述。例如，300mm直徑的柵具有大約700cm²的面積。如果柵具有約350cm²的開口區(qū)域，那么它也可被認(rèn)為是具有約50％的開口區(qū)域。在一些情況下，柵開口區(qū)域和組件開口區(qū)域相等。在其它情況下，組件開口區(qū)域低于一或多個柵的柵開口區(qū)域。在一些實(shí)施方式中，至少一個柵具有約30-75％之間的柵開口區(qū)域。在這些或其它實(shí)施方式中，柵組件開口區(qū)域在約0-75％之間。

在一些情況下，柵/組件的開口區(qū)域被設(shè)計(jì)為提供不同級別的離子通量給襯底的不同部分。例如，當(dāng)開口區(qū)域朝柵的中心集中時，相較于晶片的邊緣，離子可在更大程度上激活晶片的中心區(qū)域。同樣地，當(dāng)組件開口區(qū)域集中在柵組件的邊緣附近時，相較于晶片的中心，離子可在更大程度上激活晶片的邊緣區(qū)域。這些技術(shù)在解決中心-邊緣不均勻性時尤其有用，且在一些情況下可通過下面將進(jìn)一步描述的可移動?xùn)艁韺?shí)施。

柵可由各種材料制成且可以被涂布或不被涂布。由于在蝕刻過程中要給柵施加偏壓，所以用于構(gòu)成柵或涂布柵的材料應(yīng)當(dāng)是導(dǎo)電的。在不同實(shí)施方式中，柵由金屬或金屬合金構(gòu)成或者用金屬或金屬合金涂布。在一些情況下，柵可用硬碳材料涂布。在一些特定情況下，柵可用y2o3、yf3、yag、氮化鈦或ceo2的層涂布。為了例如抗腐蝕，柵材料可以被陽極化或不被陽極化或者以其它方式鈍化。

柵應(yīng)當(dāng)足夠堅(jiān)硬使得它們在被置于反應(yīng)室中時不會彎成弓形(bow)或以其它方式彎曲。這有助于確保均勻的蝕刻結(jié)果。

相鄰的柵之間有一些間隔距離。這種間隔距離通常相當(dāng)小(例如，小于約5mm、小于約3mm或者小于約2mm)以便幫助防止電子逸出(bleed)到下子室中。該間隔距離貫穿柵的直徑應(yīng)當(dāng)是均勻的，且這種均勻性可通過用足夠堅(jiān)硬的材料構(gòu)造柵而實(shí)現(xiàn)。

柵組件通?？缭绞业恼麄€水平剖面。當(dāng)室是圓形(從上方或者面向工件觀察)時，柵也會是圓形的。這使得柵能夠有效地將反應(yīng)室分割成兩個子室。在某些設(shè)計(jì)中，柵的形狀由襯底(通常是圓形晶片，但不是必須圓形晶片)的幾何形狀限定。眾所周知，晶片往往具有不同尺寸，比如200mm、300mm、450mm，等等。對正方形或其它多邊形襯底或較小/較大的襯底而言，其它形狀也是可行的。因此，柵的橫截面(從上方觀察)可具有各種形狀和尺寸。進(jìn)一步地，雖然平坦的平面柵橫截面(從側(cè)面觀察)適用于一些實(shí)施方式，但其它非平坦的橫截面可適用于其它一些實(shí)施方式。例如，柵組件的一或多個柵可以是中凹的(dished)、有穹頂?shù)?、上下波動?例如，正弦形、方波形、鋸齒形(chevronshape))、傾斜的，等等。當(dāng)使用非平面的橫截面柵組件時，應(yīng)當(dāng)特別注意穿過柵的視線。沒有穿過該組件的無障礙視線，離子便不能行進(jìn)穿過該組件到下子室中。

柵組件的每個柵的厚度平均可在1-50mm之間，或者在5-20mm之間。在一些情況下，該組件中的柵的厚度的總和在約2-75mm之間或者在約2-50mm之間。所述厚度在很大程度上取決于構(gòu)造所述柵所選用的材料和這種材料的機(jī)械強(qiáng)度。如果柵太厚，或者如果柵中的穿孔太小，則該柵會阻擋太多離子穿過(即，有時離子會在柵中的穿孔的側(cè)壁上與柵碰撞，而不是穿過柵)。這會導(dǎo)致襯底的表面的激活不夠充分，且蝕刻會不太成功。如果柵太薄，則會不夠堅(jiān)硬，會不能承受等離子體處理，且會需要非常頻繁的更換。

在一些實(shí)施方式中，柵組件包含氣體輸送孔。在這樣的實(shí)施方式中，柵組件可服務(wù)于成為用于上子室和/或下子室的噴頭的額外目的。在這些實(shí)施方式中，一或多個通道可被包括在上柵和/或下柵中。這些通道可進(jìn)給來自進(jìn)口(或多個進(jìn)口)的氣體，并將所述氣體輸送到柵中的多個出口孔。所述出口孔可形成將工藝氣體輸送到上下子室中的任一者或二者的氣體分配噴頭。

在一些實(shí)施方式中，柵具有諸如含有用于允許穿過柵設(shè)置探測裝置的特征的中心區(qū)域之類的區(qū)域。所述探測裝置可被提供來在操作過程中探測與等離子體處理系統(tǒng)相關(guān)的工藝參數(shù)。探測工藝可包括光發(fā)射端點(diǎn)檢測、干涉型端點(diǎn)檢測、等離子體密度測量、離子密度測量以及其它度量探測操作。在某些實(shí)施方式中，柵的中心區(qū)域是開口的。在其它實(shí)施方式中，柵的中心區(qū)域包含光學(xué)透明材料(例如，石英、藍(lán)寶石，等等)以允許光透過所述柵。

在一些實(shí)施方式中，柵組件可包括嵌在柵中的冷卻通道，這些冷卻通道可用流動或非流動的冷卻劑材料填充。在某些實(shí)施方式中，冷卻材料是諸如氦或其它惰性氣體之類的流體或者諸如去離子(di)水、工藝?yán)鋮s水、來自3m的fluoroinert^tm等液體，或者諸如全氟化碳、氫氟碳化物、氨和co2等制冷劑。在這些或其它實(shí)施方式中，柵組件可包括嵌入式加熱元件和/或溫度測量設(shè)備。冷卻通道和嵌入式加熱器允許精確的溫度控制，從而允許粒子和壁條件方面的精密控制。在某些情況下，這種控制可被用于調(diào)節(jié)下子室中的條件。例如，當(dāng)下柵或柵組件被維持在較冷的溫度時，來自晶片的蝕刻副產(chǎn)品會優(yōu)先沉積在下柵上，從而降低下子室中的蝕刻副產(chǎn)品的氣相密度。替代地，下柵或柵組件可被維持在升高的溫度(例如，80℃以上)以減少柵上的沉積和確保室能夠保持相對潔凈和/或減少無晶片自動清潔(wac)過程中清潔室所需的時間。

在某些實(shí)施方式中，柵中的一或多個相對于其它柵和/或相對于襯底可以是可移動的。這種移動可通過圍繞垂直于柵的表面的軸的旋轉(zhuǎn)和/或通過沿著該相同的軸上下移動?xùn)艁磉M(jìn)行。這種移動可發(fā)生在處理不同的襯底之間，或者在單個襯底的處理過程中。這有助于提供范圍廣泛的處理?xiàng)l件，從而使得該裝置更多樣化(versatile)。通過移動?xùn)沤M件的一或多個柵，下子室中的工藝條件可被調(diào)節(jié)以適合具體應(yīng)用。例如，通過旋轉(zhuǎn)柵中的一個，組件開口區(qū)域可變化，從而影響能夠穿過該組件并與襯底互相作用的離子的數(shù)量。器件制造往往需要一系列的蝕刻操作，每個蝕刻操作在不同的蝕刻條件下進(jìn)行。這樣的條件可通過柵的定位而聚焦，這提供了一或多個額外的自由度。

在特定實(shí)施方式中，一個柵在蝕刻過程中旋轉(zhuǎn)以(a)在蝕刻工藝即將開始時提供更大的離子通量給襯底，(b)在蝕刻工藝即將結(jié)束時提供更大的離子通量給襯底，(c)提供離子通量的反復(fù)脈沖(即離子通量開/關(guān))，(d)提供高離子通量和低離子通量的反復(fù)脈沖(即離子通量低/高)，或者(e)提供時間依賴和徑向依賴的離子通量。在另一實(shí)施方式中，離子的通量在上述(a)-(d)中有相關(guān)變化，但該通量由輸送給等離子體或柵組件的功率而不是柵的位置(或者由該功率和該位置二者)確定。

為了實(shí)現(xiàn)(a)在蝕刻工藝即將開始時有更大的離子通量到襯底，柵可旋轉(zhuǎn)以在蝕刻工藝即將開始時提供更大的組件開口區(qū)域。同樣地，為了實(shí)現(xiàn)(b)在蝕刻工藝即將結(jié)束時有更大的離子通量到襯底，柵可旋轉(zhuǎn)以在蝕刻工藝即將結(jié)束時提供更大的組件開口區(qū)域。為了實(shí)現(xiàn)(c)離子通量的反復(fù)脈沖或者(d)高離子通量和低離子通量的反復(fù)脈沖，柵可在組件開口區(qū)域的交替圖案之間旋轉(zhuǎn)。例如，柵可在第一位置和第二位置之間旋轉(zhuǎn)，其中第一位置實(shí)現(xiàn)第一數(shù)量的組件開口區(qū)域，第二位置實(shí)現(xiàn)第二數(shù)量的組件開口區(qū)域。當(dāng)然，根據(jù)特定應(yīng)用的需要可使用兩個以上的柵位置。在實(shí)施(c)時，至少一個柵位置會對應(yīng)于具有零組件開口區(qū)域(即，在該位置，沒有離子能夠穿過到達(dá)下子室)。在一些實(shí)施方式中，蝕刻劑在離子通量低或者為零的時間段輸送到下子室。換句話說，襯底可在交替的步驟中暴露于蝕刻劑和離子。為了實(shí)現(xiàn)(e)時間依賴和徑向依賴的離子通量，柵組件的柵必須被設(shè)計(jì)為一起工作使得柵的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致組件開口區(qū)域從柵組件的一個部分(例如，邊緣)到柵組件的另一個部分(例如，中心)的一定數(shù)量的位移。通過這種方式，柵可在處理過程中旋轉(zhuǎn)以在工藝的不同部分提供不同級別的離子通量給襯底的不同部分。如所示，通量可另外由等離子體產(chǎn)生功率和施加給一或兩個柵的偏壓控制。

可移動?xùn)诺氖褂锰貏e有益，因?yàn)檫@在單個處理站中提供了晶片上的反應(yīng)條件廣泛的工藝窗。這種益處在處理具有多個層和/或多種類型的暴露材料的復(fù)雜結(jié)構(gòu)時尤其有用。如所述，往往需要針對要處理的每個層改變處理?xiàng)l件。

偏置柵組件

如上所述，柵組件包括至少兩個柵，每個柵具有與電源連接的電氣連接件，允許獨(dú)立地控制施加給各個柵的偏壓。在一些情況下，每個柵被連接到分開的電源(例如，dc電源)。在其它情況下，單個電源可提供功率給多個柵。在蝕刻過程中，負(fù)偏壓被施加到組件中的每個柵。最上柵被負(fù)偏使得該柵排斥電子，從而保持電子被約束于上子室中的等離子體。這種約束有助于防止電子逸出(bleed)到下子室中。如此，下子室中的物質(zhì)與上子室等離子體中的高能電子被屏蔽開來，且因此不會離解成很可能再沉積在襯底或裝置上的非揮發(fā)性材料。相反，因?yàn)檫@些物質(zhì)(尤其是大量的蝕刻副產(chǎn)品)被屏蔽，所以它們能保持揮發(fā)性并通過施加真空或其它掃除機(jī)構(gòu)(例如，氣體掃除器)從下子室被有效地掃除。在某些實(shí)施方式中，上柵可被偏置在約-0.5至-50v之間，或者在約-5至-50v之間。在特定實(shí)施方式中，上柵被偏置到約-6v。施加于上柵的適當(dāng)?shù)钠珘喝Q于等離子體中的電子能量，等離子體中的電子能量取決于供應(yīng)來產(chǎn)生該等離子體的壓強(qiáng)和功率電平。當(dāng)上子室中產(chǎn)生的等離子體具有較高的電子能量時，需要更大的偏壓以將等離子體約束在該區(qū)域。如此，雖然上述偏壓對許多應(yīng)用而言是足夠的，但在某些實(shí)施方式中，施加給上柵的偏壓可以更大(例如，大于-50v的負(fù)偏)。

相較于組件的最上柵，最下柵被進(jìn)一步負(fù)偏/更加負(fù)偏(例如，如果上柵被偏置到-5v，那么施加給下柵的進(jìn)一步的負(fù)偏可以是-10v)。這種偏置作用來使正離子從上子室加速進(jìn)入下子室并朝向襯底的表面。這些加速的離子會具有垂直速度分量，且因此可有效地轟擊襯底表面以激活它從而通過反應(yīng)蝕刻化學(xué)過程進(jìn)行蝕刻。通過這種方式，所述表面可被激活卻不會將蝕刻化學(xué)品暴露于等離子體中的高能電子，否則會很可能離解某些化學(xué)物質(zhì)。

進(jìn)一步地，加速離子會具有直接取決于施加給最下柵的偏壓的能量。如此，離子能量可通過在最下柵上施加合適的偏壓被調(diào)節(jié)到希望的水平。在一些實(shí)施方式中，離子能量被調(diào)節(jié)卻不施加(或者不改變)給諸如靜電卡盤之類的襯底支撐件的偏置。恰當(dāng)數(shù)量的離子能量(并因此最下柵上的偏置)取決于被處理的特定襯底以及所使用的具體蝕刻條件。在一些實(shí)施方式中，最下柵可被偏置在約-0.5至-2000v之間。在一具體實(shí)施方式中，最下柵被偏置到約-12v。

貫穿蝕刻過程，施加給柵的偏置可以是恒定的或可變的。在一些情況下，只有施加給最下柵的偏置在蝕刻過程中被改變。因?yàn)殡x子能量由施加給最下柵的偏置決定，所以該柵上的偏置可被控制以在蝕刻過程中在不同的點(diǎn)提供具有不同能量的離子。在一實(shí)施例中，最下柵上的偏置最初被設(shè)置為用于激活襯底表面的相對較低的“激活偏壓”(例如，-8v)，之后在蝕刻工藝即將結(jié)束時被設(shè)置為較高的“去除偏壓”(例如，在約-20至-1000v之間)以幫助從襯底去除蝕刻后的材料。在許多情況下，沒有必要使用較高的去除偏壓，因?yàn)槲g刻后的材料由于蝕刻副產(chǎn)品的揮發(fā)本性以及柵組件保護(hù)它們以免離解的事實(shí)而能被高效且有效地去除。

在施加給柵的偏壓可以變化的另一實(shí)施方式中，離子通量/能量被脈沖式地輸送，這在下面“時序”部分中會進(jìn)一步討論。在這種情況下，柵組件(或者柵組件的至少最下柵)上的偏置可在兩或更多個值之間變化以提供不同級別的離子通量和/或離子能量給下子室。在特定實(shí)施方式中，從上子室到下子室的離子通量是連續(xù)的，同時蝕刻劑氣體被脈沖式地供應(yīng)。在該實(shí)施方式中，離子能量可(通過改變柵組件的最下柵上的偏置)在蝕刻劑氣體打開與關(guān)閉的時間之間變化。

在一些實(shí)施方式中，在柵組件中使用多于兩個的柵。在這種情況下，每個柵可具有不同程度的負(fù)偏。更靠近襯底的柵會具有更大程度的負(fù)偏，更靠近等離子體產(chǎn)生子室的柵會具有更低程度的負(fù)偏。通過這種方式，從上子室中的等離子體提取的正離子可被逐步加速穿過柵組件。在一特定實(shí)施方式中，柵組件包括4個獨(dú)立的柵，其中柵a最靠近上子室，然后柵b，然后柵c，然后柵d最靠近襯底。柵a可被偏置到約-6v，柵b可被偏置到約-8v，柵c可被偏置到約-10v，而柵d可被偏置到約-12v。在一些情況下，施加給相鄰柵的偏壓之間的差大幅大于前面實(shí)施例中的差。

偏置襯底架

襯底往往由設(shè)置在下子室中的諸如靜電卡盤之類的襯底架支撐。在常規(guī)操作中，這種靜電卡盤可被負(fù)偏以將正離子吸引到襯底的表面。有時，所述卡盤被偏置到使得卡盤本身在襯底正上方產(chǎn)生等離子體這樣的程度。

在該實(shí)施方式中，襯底架(以及襯底)可以負(fù)偏或者可以不負(fù)偏。在某些實(shí)施方式中，襯底架沒有必要被偏置，因?yàn)闁沤M件本身能有效地加速離子朝向襯底以進(jìn)行激活。但在一些其它情況下，負(fù)偏可被施加給襯底架以幫助將正離子吸引到襯底表面。在偏置被施加給襯底架的一些情況下，偏置的程度可以足夠低(在頻率和/或功率方面)使得沒有等離子體形成在下子室中。希望的是，在各種實(shí)施方式中，下子室沒有等離子體以便防止蝕刻副產(chǎn)品的離解。為了防止在下子室中形成等離子體，施加給襯底架的偏壓可具有相對較低的頻率(例如，約400khz或者約2mhz或者介于這些值之間的頻率)。通常導(dǎo)致在襯底上方產(chǎn)生等離子體(當(dāng)足夠的功率被施加時)的頻率的實(shí)例是13.56mhz。當(dāng)施加給襯底支撐件的偏壓在該值或在該值附近時，供應(yīng)給襯底支撐件的功率可被維持得相對較低(例如，就單個300mm襯底而言低于約200w)以避免在下子室中產(chǎn)生大量等離子體。

在一些實(shí)施方式中，在下子室中具有等離子體可能是有益的。在這些實(shí)施方式中，施加給襯底支撐件的rf偏置頻率/功率可以足夠大以在下子室中產(chǎn)生等離子體。在該實(shí)施方式中，輸送不同組分和/或流率的氣體給上子室和下子室可以是有利的。一般而言，當(dāng)?shù)入x子體存在于襯底上方時，施加給襯底支撐件的偏置會在襯底上產(chǎn)生自偏置。當(dāng)沒有等離子體存在于襯底上方時，施加給襯底支撐件的rf功率不會導(dǎo)致襯底上的自偏置。

在一些實(shí)施方式中，襯底架上偏置可以是脈沖式的。這在其它參數(shù)(比如例如來自上子室的離子的通量)是脈沖式的時尤其有用。

下子室中的條件

在許多實(shí)施方式中，在處理過程中，下子室中不存在等離子體。如本文其它部分所述，這有助于防止揮發(fā)性蝕刻副產(chǎn)品的離解。

下子室中的壓強(qiáng)通常在約0.5-100毫托(mtorr)之間，或者在約0.5-5毫托之間。除了其它好處，在低壓下操作有助于防止不希望有的氣相反應(yīng)發(fā)生。另外，下子室中的壓強(qiáng)可以低于上子室中的壓強(qiáng)，使得存在于下子室中的物質(zhì)不擴(kuò)散到上子室中。在交替的離子激活和蝕刻劑暴露循環(huán)發(fā)生的一種實(shí)施方式中，下子室中的壓強(qiáng)可以稍微較高(相較于不循環(huán)的情況)。在這種方案中，應(yīng)當(dāng)注意確保下子室中的氣體不會污染上子室中的等離子體。處理這個問題的一種技術(shù)是在激發(fā)等離子體之前清除上子室中的氣體。襯底和/或下子室的溫度可由襯底支撐件控制，襯底支撐件在許多情況下是靜電卡盤。在各種情況下，襯底和/或下子室的溫度應(yīng)當(dāng)被維持在約0-250℃之間。

時序

上面已詳細(xì)描述的圖2提供了根據(jù)本文實(shí)施方式的蝕刻工藝的實(shí)施例。但是，在一些情況下，所述操作可按不同的順序執(zhí)行，一些操作可重疊，和/或一些操作可重復(fù)。

不同的工藝條件可被脈沖式地提供(例如，蝕刻劑氣體流、第二工藝氣體流、施加給一或多個柵的偏置、施加給襯底架的偏置、從上子室到下子室的離子的通量，等等)。貫穿本公開所使用的“脈沖”表示在“開”和“關(guān)”狀態(tài)之間、或者在“低”和“高”狀態(tài)之間、或者在多于兩個的這種狀態(tài)之間變化，除非另有說明。

在一實(shí)施例中，蝕刻劑氣體可被脈沖式地提供。在其它情況下，蝕刻劑氣體被連續(xù)提供。類似地，從上子室到下子室的離子通量可被脈沖式地或者連續(xù)地供應(yīng)。在特定情況下，離子通量和蝕刻劑氣體以交替脈沖的方式提供。換句話說，在幾乎沒有或者完全沒有離子通量時供應(yīng)蝕刻劑氣體，然后，在幾乎沒有或者完全沒有蝕刻劑氣體被輸送時提供離子通量。該方法可被重復(fù)直到達(dá)到希望的蝕刻深度。

在一些情況下，襯底的表面在暴露于蝕刻劑氣體之前用離子通量轟擊。

蝕刻反應(yīng)器裝置

本文所描述的方法可由具有支持恰當(dāng)負(fù)偏的至少兩個柵的任何合適的等離子體蝕刻裝置執(zhí)行。合適的裝置包括用于提供和維持本文所述的蝕刻條件的室和電子硬件。合適的裝置有時還包括具有指令的控制器，所述指令用于指揮如上所述的硬件以及用于執(zhí)行一系列適于蝕刻應(yīng)用(例如，用于蝕刻mram結(jié)構(gòu)或fet的柵極)的工藝操作。在一些實(shí)施方式中，所述裝置可包括包含在處理工具中的一或多個處理站。

圖5提供了根據(jù)某些實(shí)施方式的電感耦合等離子體蝕刻裝置500的剖視圖。如前所述，本文的實(shí)施方式也可用非電感耦合等離子體實(shí)施。電感耦合等離子體蝕刻裝置500包括在結(jié)構(gòu)上由室壁501和窗511限定的整體蝕刻室，室壁501通常由不銹鋼或鋁制成。窗511通常由石英或其它介電材料制成。

包括上柵(即最上柵)551和下柵(即最下柵)552的內(nèi)部等離子體柵組件550將整體蝕刻室分割成上子室502和下子室503。柵551和552中的每一個含有延伸穿過所述柵的厚度的穿孔(未圖示)。進(jìn)一步地，柵551和552的每一個與它們自己的電源557和567連接。例如，上柵551通過連接件554與匹配電路555連接，而匹配電路555通過連接件556與電源557連接。類似地，下柵552通過連接件564與匹配電路565連接，同時匹配電路565通過連接件566與電源567連接。這些電源557和567將適當(dāng)?shù)钠珘汗?yīng)給柵551和552中的每一個。在某些其它實(shí)施方式中，使用更復(fù)雜的等離子體柵組件。在處理過程中，等離子體通常存在于上子室502中且不存在于下子室503中。

卡盤517被設(shè)置在下子室503內(nèi)靠近底部內(nèi)表面?？ūP517被配置為接收并保持半導(dǎo)體晶片519，在半導(dǎo)體晶片519上執(zhí)行蝕刻工藝?？ūP517可以是靜電卡盤，用于在晶片存在時支撐晶片。在一些實(shí)施方式中，邊緣環(huán)(未圖示)圍繞卡盤517且在晶片存在于卡盤517上時具有與晶片的上表面大致在同平面的上表面?？ūP517還包括靜電電極以實(shí)現(xiàn)晶片的夾持和去夾持。為此目的可提供濾波器和dc夾持電源。也可提供用于使晶片抬升離開卡盤517的其它控制系統(tǒng)?？ūP517可用rf電源523充電。rf電源523通過連接件527連接到匹配電路521。匹配電路521通過連接件525連接到卡盤517。通過這種方式，rf電源523被連接到卡盤517。

線圈533被設(shè)置在窗511上方。線圈533由導(dǎo)電材料制成且包括至少一個完整的匝。圖5中所示的示例性線圈533包括三個匝。線圈533的橫截面的具有“x”的符號表示線圈533旋轉(zhuǎn)地延伸到頁面(page)中。相反地，具有“·”的線圈533符號表示線圈533旋轉(zhuǎn)地延伸到頁面(page)之外。rf電源541被配置為供應(yīng)rf功率給線圈533?？傮w上，rf電源541通過連接件545連接到匹配電路539。匹配電路539通過連接件543連接到線圈533。通過這種方式，rf電源541被連接到線圈533。任選的法拉第屏罩549被維持在線圈533與窗511之間。法拉第屏罩549被維持與線圈533間隔開的關(guān)系。法拉第屏罩549被置于窗511正上方。線圈533、法拉第屏罩549和窗511各自被配置為大體上彼此平行。法拉第屏罩可防止金屬或其它物質(zhì)沉積在等離子體室的介電窗上。

工藝氣體可通過位于上室中的主注入端口560以及通過側(cè)注入端口570(有時也稱為stg)進(jìn)行供應(yīng)。在不同實(shí)施方式中，蝕刻劑氣體通過側(cè)注入端口570供應(yīng)，而用于產(chǎn)生等離子體的氣體通過主注入端口560注入。氣體排放端口未示出。此外，未圖示的還有連接到室501以在操作性等離子體處理的過程中實(shí)現(xiàn)泵控制和從該室去除氣態(tài)副產(chǎn)品的泵。

將射頻功率從rf電源541施加到線圈533以使rf電流流過線圈533。流過線圈533的rf電流圍繞線圈533產(chǎn)生電磁場。該電磁場在上子室502內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流。所述感應(yīng)電流作用于上子室502中存在的氣體上從而在上子室502中產(chǎn)生等離子體。柵組件550限制能夠遷移到下子室503中的等離子體物質(zhì)的數(shù)量。

各種離子和其它物質(zhì)與晶片519的物理和化學(xué)作用選擇性地蝕刻晶片的特征。揮發(fā)性的蝕刻副產(chǎn)品通過排放端口(未圖示)從下子室503去除。重要的是，這些揮發(fā)性副產(chǎn)品基本上不暴露于等離子體中的高能電子，且因此不太可能離解成非揮發(fā)性的副產(chǎn)品。

典型地，本文所公開的卡盤操作在范圍介于約30攝氏度和約250攝氏度之間、優(yōu)選地介于約30-150攝氏度之間的升高溫度下。該溫度取決于蝕刻工藝操作和具體配方。

雖然沒有圖示，但室501在安裝在潔凈室或制造設(shè)備中時通常耦合到設(shè)備。設(shè)備包括提供工藝氣體、真空、溫度控制以及環(huán)境粒子控制的管道裝置。這些設(shè)備在安裝到目標(biāo)制造設(shè)備中時耦合到室501。另外，室501可耦合到轉(zhuǎn)移室，轉(zhuǎn)移室利用典型的自動操作使機(jī)器人能夠傳送半導(dǎo)體晶片進(jìn)出室501。

系統(tǒng)控制器

在一些實(shí)施方式中，系統(tǒng)控制器(可包括一或多個物理或邏輯控制器)控制處理工具的操作中的一些或全部。該系統(tǒng)控制器通常包括一或多個存儲器設(shè)備和一或多個處理器。所述處理器可包括中央處理器(cpu)或計(jì)算機(jī)、模塊和/或數(shù)字輸入/輸出連接件、步進(jìn)馬達(dá)控制器板、以及其它類似部件。用于執(zhí)行恰當(dāng)?shù)目刂撇僮鞯闹噶钤谒鎏幚砥魃蠄?zhí)行。這些指令可被存儲在與控制器相關(guān)聯(lián)的存儲器設(shè)備上或者它們可通過網(wǎng)絡(luò)提供。在某些實(shí)施方式中，系統(tǒng)控制器執(zhí)行系統(tǒng)控制軟件。

系統(tǒng)控制軟件可包括用于控制由處理工具執(zhí)行的具體工藝的時間、工藝氣體組分(例如，蝕刻劑氣體的組分和用于產(chǎn)生等離子體的氣體的組分)的混合、室壓、室溫、晶片溫度、施加給卡盤/晶片和任何其它電極的電流和電勢、施加給柵組件的每一個柵的偏置、晶片位置以及其它參數(shù)的指令。系統(tǒng)控制軟件可按任何適合的方式進(jìn)行配置。例如，可編寫各種處理工具部件子程序或控件對象以控制執(zhí)行各種處理工具工藝所需的處理工具部件的操作。系統(tǒng)控制軟件可用任何合適的計(jì)算機(jī)可讀程序語言編寫代碼。

在一些實(shí)施方式中，系統(tǒng)控制軟件包括用于控制上述各種參數(shù)的輸入/輸出控制(ioc)序列指令。例如，蝕刻工藝的每個階段可包括由系統(tǒng)控制器執(zhí)行的一或多個指令。用于設(shè)置用于等離子體產(chǎn)生工藝階段的工藝條件的指令可被包括在相應(yīng)的等離子體產(chǎn)生配方階段中。在一些實(shí)施方式中，蝕刻配方階段可以順序排列，因此用于蝕刻工藝階段的所有指令可與該工藝階段同時執(zhí)行。

在一些實(shí)施方式中可采用其它計(jì)算機(jī)軟件和/或程序。用于該目的的程序或程序段的實(shí)例包括襯底放置程序、等離子體氣體組分控制程序、蝕刻氣體組分控制程序、氣體進(jìn)口定時控制程序、柵組件偏置控制程序、柵組件位置控制程序、靜電卡盤偏置控制程序、壓強(qiáng)控制程序、加熱器控制程序、加熱器控制程序和電勢/電流電源控制程序。本文所述的任何軟件/程序可包含用于在蝕刻過程中修改相關(guān)參數(shù)的指令。在一實(shí)施例中，柵組件偏置控制程序可包含指令以在蝕刻過程中修改對柵組件的一或多個柵的偏置。因此，可在蝕刻工藝的過程中修改行進(jìn)到下子室中的離子的離子能量。

在一些情況下，控制器控制下列事項(xiàng)中的一或多個：將蝕刻劑氣體輸送到下子室、將等離子體產(chǎn)生氣體輸送到上子室、上子室中的等離子體產(chǎn)生條件、施加給柵組件的每一個柵的偏置，等等。例如，將氣體輸送到子室可以通過操縱某些閥以在特定時間打開和關(guān)閉而實(shí)現(xiàn)。這允許控制器控制氣體輸送的時間和所輸送的氣體的組分二者?？刂破骺赏ㄟ^例如操縱電源以在特定頻率/功率電平提供功率給等離子體發(fā)生器(icp反應(yīng)器的線圈)來控制等離子體產(chǎn)生條件。進(jìn)一步地，控制器可通過引導(dǎo)惰性氣體(和/或一些實(shí)施方式中的反應(yīng)氣體)流進(jìn)入上子室或者通過控制子室中的壓強(qiáng)或者通過控制子室中的溫度等來控制等離子體產(chǎn)生條件?？刂破骺苫趥鞲衅鬏敵?例如，當(dāng)電流、電流密度、電勢、壓強(qiáng)等達(dá)到某個閾值時)、操作的時序(例如，在工藝中在某些時間打開閥)或者基于從用戶處接收的指令來控制這些方面。

上述各種硬件和方法的實(shí)施方式可結(jié)合光刻圖案化工具或工藝用于例如半導(dǎo)體器件、顯示器、led、光伏板等的制造或生產(chǎn)。雖然不一定，但一般而言，這樣的工具/工藝會在通用制造設(shè)備中被聯(lián)合使用或管理。

膜的光刻圖案化通常包括下述步驟中的一些或全部，每個步驟使用許多可能的工具：(1)利用旋涂或噴涂工具將光致抗蝕劑施加在工件(例如，其上形成有氮化硅膜的襯底)上；(2)利用熱板或爐子或其它合適的固化工具固化光致抗蝕劑；(3)利用諸如步進(jìn)式晶片曝光器之類的工具將光致抗蝕劑暴露于可見光或uv光或x光；(4)利用諸如濕式清洗臺或噴射顯影器之類的工具顯影該抗蝕劑以便選擇性地去除抗蝕劑從而將其圖案化；(5)利用干法或等離子體輔助蝕刻工具將抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)印到底層膜或工件中；以及(6)利用諸如rf或微波等離子體抗蝕劑剝離器之類的工具移除該抗蝕劑。在一些實(shí)施方式中，可灰化硬掩模層(比如非晶碳層)和其它合適的硬掩模(比如抗反射層)可在施加光致抗蝕劑之前被沉積。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本文所述的配置和/或方法在本質(zhì)上是示例性的，且這些具體的實(shí)施方式或?qū)嵤├荒芤暈橄拗?，因?yàn)楸姸嗟淖兓强尚械?。本文所述的具體程序或方法可代表任意數(shù)量的處理策略中的一種或多種。就其本身而言，所述各種操作可按所述順序、按其它順序、平行地、或者按照所省略的其它情況來執(zhí)行。同樣地，也可改變上述工藝的順序。

本公開的主題包括此處所公開的各種工藝、系統(tǒng)和配置、以及其它特征、功能、操作、和/或性質(zhì)的所有的具備新穎性和創(chuàng)造性的組合和子組合，及其任意和所有的等同方式。