本發(fā)明涉及一種大功率橋式整流器，特別涉及10-300A的單相橋式整流器或三相橋式整流器。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的橋式整流器采用整體環(huán)氧樹脂包封結(jié)構(gòu)，如附圖10所示，因環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)太?。s1W/m.℃）,器件內(nèi)部芯片產(chǎn)生的熱量無法有效散出，而芯片能承受的溫度是有限的（約150-175℃）這樣就限制了作為橋式整流器的輸出功率。

另一種如附圖11所示，經(jīng)改進(jìn)過的封裝結(jié)構(gòu)仍無法克服高功率散熱問題。因?yàn)樾酒?06所產(chǎn)生的熱能 ,系生成于芯片內(nèi)部的半導(dǎo)體接合處之PN 界面(PN junction), 芯片106和導(dǎo)線架108用焊料連接,再用整體環(huán)氧樹脂105包封結(jié)構(gòu), 使得導(dǎo)線架108與散熱片109之間存在低導(dǎo)熱的封裝體105無法快速消散熱量 , 在高功率負(fù)載或高溫的應(yīng)用環(huán)境下，產(chǎn)品有嚴(yán)重功能失效的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有高功率整流器散熱問題，本發(fā)明得供一種高導(dǎo)熱大功率橋式整流器結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)熱基板，引腳，連接線，芯片，封裝體，焊料；所述芯片直接布設(shè)于導(dǎo)熱基板的一個(gè)面，芯片用焊料焊接引腳和連接線或直接用連接線鍵合，并用封裝體灌封，導(dǎo)熱基板的另一面曝露于空間，與設(shè)備散熱體接觸。

所述導(dǎo)熱基板是在導(dǎo)熱基板的兩個(gè)面覆銅鉑。

所述導(dǎo)熱基板是導(dǎo)熱陶瓷板，或是鋁基板，或是銅基板。

所述連接線是銅片，或是銅線，或是鋁帶，或是鋁線。

所述引腳與導(dǎo)熱基板為兩個(gè)獨(dú)立的部件，通過焊料焊接互連或直接鍵合。

所述引腳為4只或5只。

所述封裝體采用環(huán)氧樹脂、或黑膠、或模塑料半包覆。

所述封裝體灌封后的整流器厚度為2.5-6mm。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，熱源（芯片）與熱沉之間都是高導(dǎo)熱材料，可實(shí)現(xiàn)內(nèi)部熱量順暢散出，其熱阻遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu)。從而突破了因熱量無法散出而整個(gè)器件的輸出功率受限的瓶頸，由此實(shí)現(xiàn)了封裝尺寸不變的情況下提升輸出功率（電流）達(dá)到10-300A。

附圖說明

圖1是本發(fā)明外形平面圖

圖2是圖1的側(cè)視圖

圖3是圖1內(nèi)部元件布置平面圖

圖4是圖3的側(cè)視剖視圖

圖5是圖3局部剖視放大圖

圖6是圖5的局部放大圖

圖7是引腳平面圖

圖8是導(dǎo)熱基板平面圖

圖9是連接線平面圖

圖10是傳統(tǒng)的橋式整流器采用整體環(huán)氧樹脂包封結(jié)構(gòu)圖

圖11是另一種傳統(tǒng)的橋式整流器采用整體環(huán)氧樹脂包封結(jié)構(gòu)圖

圖中標(biāo)號(hào)說明：

1-陶瓷板；2-背面銅板；3-正面銅板（含電路）4-連接線；5-封裝體； 6-芯片；7-導(dǎo)熱基板；8-引腳。

圖10、11中標(biāo)號(hào)說明：

104-跳線；105-封裝體；106-芯片；108-導(dǎo)線架；109-散熱片。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱附圖3、4所示，所述芯片6直接布設(shè)于導(dǎo)熱基板7的一個(gè)面，芯片6用焊料焊接引腳8和連接線4或用連接線直接鍵合，并用封裝體5灌封，導(dǎo)熱基板7的另一面曝露于空間（如附圖4的銅鉑標(biāo)號(hào)2），與設(shè)備散熱體接觸。

所述導(dǎo)熱基板7是在導(dǎo)熱基板的兩個(gè)面覆銅鉑3和銅鉑2；銅鉑3的一面，布設(shè)芯片、連接線和引腳下，并用封裝體灌封；銅鉑2的面曝露于空間。

所述導(dǎo)熱基板7是導(dǎo)熱陶瓷板1。

所述引腳8與導(dǎo)熱基板7為兩個(gè)獨(dú)立的部件，通過焊料焊接互連或直接鍵合。

所述引腳為4只或5只。

所述封裝體采用環(huán)氧樹脂、或黑膠、或模塑料膠半包覆。

所述封裝體灌封后的整流器厚度為2.5-6mm。

本發(fā)明每個(gè)封裝外形包含導(dǎo)熱基板7共一片，引腳8共四支或五支，連接線4共四支（或組）或六支（或組），芯片4共四個(gè)或六個(gè)；所述產(chǎn)品長度為20~35mm, 寬度為17~25mm, 厚度為2.5~6mm，中間有圓形或橢圓形鎖鏍絲孔。

本發(fā)明針對(duì)大功率整流器件而設(shè)計(jì)，當(dāng)熱阻要求小于1℃/W時(shí)，因本設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)中在熱源（芯片）與熱沉之間都是高導(dǎo)熱材料，使熱阻極大減小，當(dāng)溫度差在100℃時(shí)GBU產(chǎn)品僅0.4℃/W,GBJ產(chǎn)品僅0.36℃/W，可以大量提升產(chǎn)品可承載功率 , 同時(shí)由于高散熱之特性 , 可承受大電流 ,用于300A以下的整流器。