技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例提供了半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在襯底上方的第一溝道層、設(shè)置在襯底上方的第一源極/漏極區(qū)域、設(shè)置在每個(gè)第一溝道層上的柵極介電層、設(shè)置在柵極電介質(zhì)上的柵電極層。每個(gè)第一溝道層均包括由第一半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體線。該半導(dǎo)體線穿過(guò)第一源極/漏極區(qū)域并且進(jìn)入錨狀區(qū)域。在錨狀區(qū)域處，半導(dǎo)體線不具有柵電極層并且不具有柵極電介質(zhì)，并且?jiàn)A置在第二半導(dǎo)體材料之間。

技術(shù)研發(fā)人員：陳奕升;吳政憲;葉致鍇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201611047027
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.22
技術(shù)公布日：2017.06.20