本發(fā)明涉及一種顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電壓輸出控制電路及液晶顯示器。

背景技術(shù)：

隨著中小尺寸電子顯示行業(yè)日新月異的發(fā)展，人們對(duì)中小尺寸LCD液晶顯示屏的分辨率等品質(zhì)要求也越來(lái)高。顯示品質(zhì)的提高與顯示數(shù)據(jù)的傳輸速率和信號(hào)的完整性都有著密不可分的聯(lián)系。對(duì)于目前中小尺寸LCD顯示屏，在柵極開(kāi)啟的時(shí)間周期內(nèi)，分別同時(shí)開(kāi)啟所有的多路復(fù)用器，以完成RGB子像素的充電。但當(dāng)所有的多路復(fù)用器開(kāi)啟的同時(shí)，會(huì)導(dǎo)致顯示模組瞬間對(duì)液晶面板驅(qū)動(dòng)芯片形成一個(gè)較大的抽載，從而會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)芯片輸出的控制信號(hào)出現(xiàn)毛刺，不僅會(huì)影響顯示質(zhì)量，產(chǎn)生噪聲，而且也會(huì)增加顯示模組的功耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，以提高顯示質(zhì)量，避免產(chǎn)生噪聲，且降低顯示模組的功耗。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種液晶面板。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括多組薄膜晶體管及多個(gè)RGB像素單元，一組薄膜晶體管對(duì)應(yīng)一個(gè)RGB像素單元，每一組薄膜晶體管包括分別位于第一至第三行的三個(gè)薄膜晶體管，三個(gè)薄膜晶體管分別對(duì)應(yīng)相應(yīng)RGB像素單元中的R子像素、G子像素及B子像素，每一行中所有的薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不完全相同，且均在預(yù)設(shè)比例范圍內(nèi)，以使得該行的總的漏電流在預(yù)設(shè)電流范圍內(nèi)。

其中，在第一行薄膜晶體管中，相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不同。

其中，第一行薄膜晶體管包括2N個(gè)薄膜晶體管，N為自然數(shù)，第2N個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同。

其中，第2N-1個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同，且與第2N個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比不同。

其中，在第二行薄膜晶體管中，相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不同。

其中，第二行薄膜晶體管包括2N個(gè)薄膜晶體管，N為自然數(shù)，第2N個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同。

其中，第2N-1個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同。

其中，在第三行薄膜晶體管中，相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不同。

其中，第三行薄膜晶體管包括2N個(gè)薄膜晶體管，N為自然數(shù)，第2N個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同。

其中，第2N-1個(gè)薄膜晶體管的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同。

本發(fā)明還提供一種液晶面板，包括上述的薄膜晶體管陣列基板、液晶及彩膜基板。

本發(fā)明實(shí)施例具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板，包括多組薄膜晶體管及多個(gè)RGB像素單元，一組薄膜晶體管對(duì)應(yīng)一個(gè)RGB像素單元，每一組薄膜晶體管包括分別位于第一至第三行的三個(gè)薄膜晶體管，三個(gè)薄膜晶體管分別對(duì)應(yīng)相應(yīng)RGB像素單元中的R子像素、G子像素及B子像素，每一行中所有的薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不完全相同，且均在預(yù)設(shè)比例范圍內(nèi)，以使得該行的總的漏電流在預(yù)設(shè)電流范圍內(nèi)。由于漏電流只與該薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的寬長(zhǎng)比相關(guān)，寬長(zhǎng)比W/L越大則漏極電流越大，寬長(zhǎng)比越小則漏極電流越小。因此，本實(shí)施例通過(guò)改變對(duì)應(yīng)R子像素、G子像素及B子像素的相應(yīng)行的薄膜晶體管的長(zhǎng)寬比，可以調(diào)節(jié)該行的總的漏電流在預(yù)設(shè)電流范圍(即為減小該行的總的漏電流的大小，但還大于一個(gè)電流閾值)，這樣可以在不影響顯示效果的前提下，使驅(qū)動(dòng)芯片不再形成一個(gè)較大的抽載，避免驅(qū)動(dòng)芯片輸出的控制信號(hào)出現(xiàn)毛刺，從而提高了液晶面板的顯示質(zhì)量，避免了噪聲，而且還降低了顯示模組的功耗。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明第一方案實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板的電路圖。

圖2是圖1中薄膜晶體管的剖面俯視圖。

圖3是圖1中薄膜晶體管的剖面排布俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

此外，以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明中所提到的方向用語(yǔ)，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語(yǔ)是為了更好、更清楚地說(shuō)明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接；可以是機(jī)械連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。若本說(shuō)明書(shū)中出現(xiàn)“工序”的用語(yǔ)，其不僅是指獨(dú)立的工序，在與其它工序無(wú)法明確區(qū)別時(shí)，只要能實(shí)現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語(yǔ)中。另外，本說(shuō)明書(shū)中用“～”表示的數(shù)值范圍是指將“～”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的用相同的標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參閱圖1-圖2，本發(fā)明第一方案實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列基板100。所述薄膜晶體管陣列基板100包括多組薄膜晶體管10及多個(gè)RGB像素單元20，一組薄膜晶體管10對(duì)應(yīng)一個(gè)RGB像素單元20，每一組薄膜晶體管包括分別位于第一至第三行的三個(gè)薄膜晶體管11、12及13，三個(gè)薄膜晶體管11、12及13分別對(duì)應(yīng)相應(yīng)RGB像素單元中的R子像素、G子像素及B子像素，每一行中所有的薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L不完全相同，且均在預(yù)設(shè)比例范圍內(nèi)，以使得該行的總的漏電流在預(yù)設(shè)電流范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，第一行的薄膜晶體管11對(duì)應(yīng)所有的R子像素，第二行的薄膜晶體管12對(duì)應(yīng)所有的G子像素，第三行的薄膜晶體管13對(duì)應(yīng)所有的R子像素。其中，每一行的總的漏電流為該行中的每一個(gè)薄膜晶體管的漏電流之和。每一個(gè)薄膜晶體管的漏電流為Id＝0.5*K*W/L*(Vgs-Vth)^2(其中K、Vth都是只與薄膜晶體管的材料相關(guān)的常數(shù))可知，當(dāng)給薄膜晶體管的Vgs一定時(shí)，其漏極電流Id只與該薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的寬長(zhǎng)比W/L相關(guān)，寬長(zhǎng)比W/L越大則漏極電流Id越大，寬長(zhǎng)比W/L越小則漏極電流Id越小。因此，本實(shí)施例通過(guò)改變對(duì)應(yīng)R子像素、G子像素及B子像素的相應(yīng)行的薄膜晶體管的長(zhǎng)寬比，可以調(diào)節(jié)該行的總的漏電流在預(yù)設(shè)電流范圍(即為減小該行的總的漏電流的大小，但還大于一個(gè)電流閾值)，這樣可以在不影響顯示效果的前提下，使驅(qū)動(dòng)芯片不再形成一個(gè)較大的抽載，避免驅(qū)動(dòng)芯片輸出的控制信號(hào)出現(xiàn)毛刺，從而提高了液晶面板的顯示質(zhì)量，避免了噪聲，而且還降低了顯示模組的功耗。

請(qǐng)參閱圖3，在本實(shí)施例中，在第一行薄膜晶體管11中，相鄰兩個(gè)薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L不同。

具體地，第一行薄膜晶體管11包括2N個(gè)薄膜晶體管，N為自然數(shù)，第2N個(gè)薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比W/L相同。

需要說(shuō)明的是，在第一行的薄膜晶體管11中，第二、四、六等偶數(shù)位置上的薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L相同。

第2N-1個(gè)薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同，且與第2N個(gè)薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比不同。

需要說(shuō)明的是，在第一行的薄膜晶體管11中，第一、三、五等奇數(shù)位置上的薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L相同，且與偶數(shù)位置上的薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不同。這樣，在第一行薄膜晶體管11中，薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比呈現(xiàn)大、小、大、小依次重復(fù)上述狀態(tài)的排列狀況，或呈現(xiàn)小、大、小、大依次重復(fù)上述狀態(tài)的排列狀況。在本實(shí)施例中，所述第2N個(gè)薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬大于第2N-1個(gè)薄膜晶體管11的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比。

在本實(shí)施例中，所述第二行的薄膜晶體管12也與第一行的薄膜晶體管11結(jié)構(gòu)及呈現(xiàn)的排列狀況相同。具體為：

在第二的行薄膜晶體管12中，相鄰兩個(gè)薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L不同。

具體地，第二行薄膜晶體管12包括2N個(gè)薄膜晶體管，N為自然數(shù)，第2N個(gè)薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比W/L相同。

需要說(shuō)明的是，在第二行的薄膜晶體管12中，第二、四、六等偶數(shù)位置上的薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L相同。

第2N-1個(gè)薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同，且與第2N個(gè)薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比不同。

需要說(shuō)明的是，在第二行的薄膜晶體管12中，第一、三、五等奇數(shù)位置上的薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L相同，且與偶數(shù)位置上的薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不同。這樣，在第二行薄膜晶體管12中，薄膜晶體管12的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比呈現(xiàn)大、小、大、小依次重復(fù)上述狀態(tài)的排列狀況，或呈現(xiàn)小、大、小、大依次重復(fù)上述狀態(tài)的排列狀況。

在本實(shí)施例中，所述第三行薄膜晶體管13的結(jié)構(gòu)及排布方式與所述第一及第二行的薄膜晶體管11及12相同。具體為：

在第三行薄膜晶體管13中，相鄰兩個(gè)薄膜晶體管13的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不同。

需要說(shuō)明的是，在第三行的薄膜晶體管13中，第二、四、六等偶數(shù)位置上的薄膜晶體管13的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L相同。

第2N-1個(gè)薄膜晶體管13的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比相同，且與第2N個(gè)薄膜晶體管13的導(dǎo)電溝通的長(zhǎng)寬比不同。

需要說(shuō)明的是，在第三行的薄膜晶體管13中，第一、三、五等奇數(shù)位置上的薄膜晶體管13的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L相同，且與偶數(shù)位置上的薄膜晶體管13的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比不同。這樣，在第二行薄膜晶體管13中，薄膜晶體管13的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比呈現(xiàn)大、小、大、小依次重復(fù)上述狀態(tài)的排列狀況，或呈現(xiàn)小、大、小、大依次重復(fù)上述狀態(tài)的排列狀況。

在其他實(shí)施例中，由于每一行的薄膜晶體管都是相互獨(dú)立的，所述第一至第三行的薄膜晶體管11-13可以結(jié)構(gòu)和排布方式上不同。只要滿(mǎn)足，每一行中所有的薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L不完全相同，且均在預(yù)設(shè)比例范圍內(nèi)，以使得該行的總的漏電流在預(yù)設(shè)電流范圍內(nèi)即可。

本發(fā)明第二方案實(shí)施例提供一種液晶面板400。所述液晶面板400包括薄膜晶體管陣列基板、液晶410及彩膜基板420。其中，所述薄膜晶體管陣列基板為上述第一方案實(shí)施例中提供的薄膜晶體管陣列基板100。由于薄膜晶體管陣列基板100已在第一方案中進(jìn)行了詳細(xì)地描述，故在此不再贅述。

在本實(shí)施例中，所述液晶面板400包括所述薄膜晶體管陣列基板100。所述薄膜晶體管陣列基板100包括多組薄膜晶體管10及多個(gè)RGB像素單元20，一組薄膜晶體管10對(duì)應(yīng)一個(gè)RGB像素單元20，每一組薄膜晶體管包括分別位于第一至第三行的三個(gè)薄膜晶體管11、12及13，三個(gè)薄膜晶體管11、12及13分別對(duì)應(yīng)相應(yīng)RGB像素單元中的R子像素、G子像素及B子像素，每一行中所有的薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比W/L不完全相同，且均在預(yù)設(shè)比例范圍內(nèi)，以使得該行的總的漏電流在預(yù)設(shè)電流范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，第一行的薄膜晶體管11對(duì)應(yīng)所有的R子像素，第二行的薄膜晶體管12對(duì)應(yīng)所有的G子像素，第三行的薄膜晶體管13對(duì)應(yīng)所有的R子像素。其中，每一行的總的漏電流為該行中的每一個(gè)薄膜晶體管的漏電流之和。每一個(gè)薄膜晶體管的漏電流為Id＝0.5*K*W/L*(Vgs-Vth)^2(其中K、Vth都是只與薄膜晶體管的材料相關(guān)的常數(shù))可知，當(dāng)給薄膜晶體管的Vgs一定時(shí)，其漏極電流Id只與該薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的寬長(zhǎng)比W/L相關(guān)，寬長(zhǎng)比W/L越大則漏極電流Id越大，寬長(zhǎng)比W/L越小則漏極電流Id越小。因此，本實(shí)施例通過(guò)改變對(duì)應(yīng)R子像素、G子像素及B子像素的相應(yīng)行的薄膜晶體管的長(zhǎng)寬比，可以減小該行的總的漏電流的大小，但還大于一個(gè)電流閾值，這樣可以在不影響顯示效果的前提下，使驅(qū)動(dòng)芯片不再形成一個(gè)較大的抽載，避免驅(qū)動(dòng)芯片輸出的控制信號(hào)出現(xiàn)毛刺，從而提高了液晶面板的顯示質(zhì)量，避免了噪聲，而且還降低了顯示模組的功耗。

在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。