本申請(qǐng)要求于2015年12月29日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第2015-0188439號(hào)的權(quán)益，其通過(guò)引用合并到本文中如同在本文中完全闡述一樣。

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，并且更具體地，涉及可以簡(jiǎn)化有機(jī)發(fā)光顯示裝置的構(gòu)造并且可以減少掩模工藝的數(shù)目的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

在屏幕上顯示各種信息的圖像顯示裝置為信息通信時(shí)代的核心技術(shù)，并且正被開(kāi)發(fā)為更薄、更輕并且更方便攜帶并仍具有較高性能。與傳統(tǒng)重的并且體積大的陰極射線管(crt)相比，作為具有減小重量和體積的平板顯示裝置的一個(gè)實(shí)例，通過(guò)控制來(lái)自有機(jī)發(fā)光層的光的發(fā)射來(lái)顯示圖像的有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置受到關(guān)注。oled裝置為具有低功耗、高響應(yīng)速度、高亮度效率、高亮度以及寬視角的自發(fā)光裝置。

為了制造這種oled裝置，進(jìn)行了使用光掩模的單獨(dú)的掩模工藝。每個(gè)掩模工藝涉及一系列工藝，例如洗滌、曝光、顯影以及蝕刻工藝。為此，每當(dāng)增加另外的掩模工藝時(shí)，制造oled裝置的時(shí)間和成本增大，并且有缺陷的產(chǎn)品的產(chǎn)生率增大，從而導(dǎo)致較低的產(chǎn)品收率。因此，需要簡(jiǎn)化的構(gòu)造以及減少掩模工藝的數(shù)目以降低生產(chǎn)成本、增大產(chǎn)品收率并且提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明涉及一種基本上避免了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所造成的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的目的是提供一種簡(jiǎn)化了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的構(gòu)造并且減少了掩模工藝的數(shù)目的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的另一目的是提供一種具有降低的生產(chǎn)成本、增大的產(chǎn)品收率以及提高的生產(chǎn)效率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

將在下面的描述中闡述本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)，并且部分根據(jù)描述將變得明顯，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐獲知這些另外的特征和優(yōu)點(diǎn)?？梢酝ㄟ^(guò)在所書(shū)寫的描述和其權(quán)利要求書(shū)以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目標(biāo)，如本文中所呈現(xiàn)以及寬泛描述的，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其包括：具有多個(gè)溝槽的基板；在基板上的薄膜晶體管；連接至薄膜晶體管的發(fā)光二極管；連接至發(fā)光二極管的陽(yáng)極和陰極中之一的上輔助電極；以及在基板的多個(gè)溝槽中的輔助電極溝槽中并且連接至上輔助電極的下輔助電極。

在另一方面，一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括：在基板中形成多個(gè)溝槽；在多個(gè)溝槽之一中設(shè)置下輔助電極；在基板上形成薄膜晶體管；形成連接至薄膜晶體管的陽(yáng)極和連接至下輔助電極的上輔助電極；在陽(yáng)極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及在有機(jī)發(fā)光層上形成陰極。

應(yīng)理解的是，本發(fā)明的前述總體描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和說(shuō)明性的，并且旨在提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

本申請(qǐng)包括附圖來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且附圖并入本說(shuō)明書(shū)并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方案并且與描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的第一示例性實(shí)施方案的截面圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的第二示例性實(shí)施方案的截面圖；

圖3a至圖3d是示出制造用于如圖1中所示的裝置的遮光層、下輔助電極、下焊盤電極、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和溝槽的方法的截面圖；

圖4a至圖4d是示出制造用于如圖2中所示的裝置的遮光層、下輔助電極、下焊盤電極、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和溝槽的方法的截面圖；

圖5是將其中沒(méi)有對(duì)基板進(jìn)行表面處理的比較例其中對(duì)基板進(jìn)行表面處理的實(shí)施例彼此進(jìn)行比較的圖；以及

圖6a至圖6h是示出制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的第一示例性實(shí)施方案的截面圖。

如圖1中所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(未示出)、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100、有機(jī)發(fā)光二極管130、存儲(chǔ)電容器140、輔助電極160、信號(hào)焊盤150以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100包括柵電極106、源電極108、漏電極110以及氧化物半導(dǎo)體層104。同時(shí)，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管具有與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100的構(gòu)造類似的構(gòu)造，并且因此包括與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100的部件類似的部件。

柵電極106形成在可以具有與柵電極106的圖案相同的圖案的柵極絕緣體圖案112上。柵電極106與氧化物半導(dǎo)體層104交疊，并且柵極絕緣體圖案112介于柵電極106與氧化物半導(dǎo)體層104之間。柵電極106可以是由選自鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)，鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或其合金中任一種形成的單個(gè)層或多個(gè)層，但是不限于此。

源電極108通過(guò)穿過(guò)層間絕緣膜116的源極接觸孔124s連接至氧化物半導(dǎo)體層104。漏電極110通過(guò)穿過(guò)層間絕緣膜116的漏極接觸孔124d連接至氧化物半導(dǎo)體層104。另外，漏電極110通過(guò)穿過(guò)保護(hù)膜118和平坦化層148的像素接觸孔120連接至陽(yáng)極132。

源電極108和漏電極110中的每一個(gè)可以包括透明導(dǎo)電層172a和形成在透明導(dǎo)電層172a上的不透明導(dǎo)電層172b。透明導(dǎo)電層172a可以由諸如銦錫氧化物(ito)的透明導(dǎo)電材料形成，不透明導(dǎo)電層172b可以是由選自鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)，鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或其合金中任一種形成的單個(gè)層或多個(gè)層，但是不限于此。

氧化物半導(dǎo)體層104形成為在柵極絕緣體圖案112下方并且與柵電極106交疊或者沿柵電極106的至少一個(gè)維度延伸到柵電極106之外，從而形成源電極108與漏電極110之間的溝道。氧化物半導(dǎo)體層104由包括選自zn、cd、ca、in、sn、hf和zr的至少一種金屬的氧化物形成?？梢栽谘趸锇雽?dǎo)體層104與遮光層102之間以及信號(hào)鏈路174與下輔助電極162之間依次上下堆疊第一緩沖層126、耐熱緩沖層122和第二緩沖層128，從而有效確保裝置的穩(wěn)定性。在此，耐熱緩沖層122和第二緩沖層128可以具有相同的圖案。

耐熱緩沖層122由介電常數(shù)比第一緩沖層126和第二緩沖層128的介電常數(shù)小的有機(jī)膜材料例如丙烯酸類樹(shù)脂形成。耐熱緩沖層122形成在開(kāi)關(guān)/驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100的氧化物半導(dǎo)體層104的下方。另外，耐熱緩沖層122形成在信號(hào)鏈路174的下方，每個(gè)信號(hào)鏈路174將選自柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線中的至少一個(gè)信號(hào)線與信號(hào)焊盤150連接。此外，耐熱緩沖層122還形成在信號(hào)線與下輔助電極162(其與信號(hào)線交叉(交疊))之間。以這種方式，(a)信號(hào)線、每個(gè)信號(hào)鏈路以及嵌入在基板101的溝槽101a中的下輔助電極162之間的寄生電容，以及(b)開(kāi)關(guān)/驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100的每個(gè)電極與遮光層102之間的寄生電容，隨著耐熱緩沖層122的介電常數(shù)成比例地減小。以這種方式，信號(hào)線、每個(gè)信號(hào)鏈路、以及嵌入在基板101的溝槽101a中的下輔助電極162之間的信號(hào)干擾、以及開(kāi)關(guān)/驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100的每個(gè)電極與遮光層102之間的信號(hào)干擾可以最小化。

第二緩沖層128以與耐熱緩沖層122相同的圖案形成在耐熱緩沖層122上，并且用于防止在由有機(jī)膜材料形成的耐熱緩沖層122中生成煙。因此，第二緩沖層128例如可以防止由于這種煙而導(dǎo)致薄膜晶體管100的劣化。第二緩沖層128可以以與第一緩沖層126相同的方式由sinx或siox形成。

與氧化物半導(dǎo)體層104交疊的遮光層102嵌入在基板101的溝槽101a中。遮光層102可以吸收或反射從外部引入的光，并且因此可以使引入氧化物半導(dǎo)體層104的光最小化。遮光層102可以由諸如mo、ti、al、cu、cr、co、w、ta、ni、au、ag、sn或zn的不透明金屬形成。

存儲(chǔ)電容器140包括彼此交疊的存儲(chǔ)下電極142和存儲(chǔ)上電極144，并且層間絕緣膜116介于存儲(chǔ)下電極142與存儲(chǔ)上電極144之間。作為與柵電極106相同層的存儲(chǔ)下電極142使用與柵電極106相同的材料形成在柵極絕緣體圖案112上。作為與源電極108相同層的存儲(chǔ)上電極144使用與源電極108相同的材料形成在層間絕緣膜116上。

發(fā)光二極管130包括連接至薄膜晶體管100的漏電極110的陽(yáng)極132、形成在陽(yáng)極132上的有機(jī)發(fā)光層134、以及形成在有機(jī)發(fā)光層134上方的陰極136。

陽(yáng)極132連接至使用穿過(guò)保護(hù)膜118和平坦化層148的像素接觸孔120露出的漏電極110。同時(shí)，在頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，陽(yáng)極132可以形成為其中由例如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)形成的透明導(dǎo)電層和由例如鋁(al)、銀(ag)或apc(ag；pb；cu)形成的金屬層彼此堆疊的堆疊體。

有機(jī)發(fā)光層134在由堤部138限定的發(fā)光區(qū)域中形成在陽(yáng)極132上。有機(jī)發(fā)光層134由以如下順序或者相反順序在陽(yáng)極132上堆疊空穴相關(guān)層、發(fā)光層和電子相關(guān)層形成。

堤部138具有與有機(jī)發(fā)光層134接觸的內(nèi)側(cè)表面以及沿陽(yáng)極132的側(cè)表面設(shè)置以覆蓋陽(yáng)極132的側(cè)表面的外側(cè)表面。如此，由于堤部138沿陽(yáng)極132的除了發(fā)光區(qū)域之外的邊緣形成以覆蓋陽(yáng)極132的側(cè)表面，因此發(fā)光區(qū)域具有島形狀。堤部138可以由不透明材料例如黑色材料形成以防止相鄰子像素之間的光干涉。在該情況下，堤部138包含由選自著色顏料、有機(jī)黑色材料和碳材料中的至少之一形成的遮光材料。

陰極136形成在有機(jī)發(fā)光層134和堤部138的上表面和側(cè)表面上以與陽(yáng)極132相對(duì)并且有機(jī)發(fā)光層134介于其間。在頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，陰極136可以由透明導(dǎo)電氧化物(tco)形成。

輔助電極160可以減小陰極136的電阻，陰極136隨著有機(jī)發(fā)光顯示裝置的面積的增大而增大。輔助電極160包括下輔助電極162、中間輔助電極164和上輔助電極166。

下輔助電極162嵌入在基板101的溝槽101a中并且由與遮光層102的材料相同的材料形成。由于下輔助電極162嵌入在基板101的溝槽101a中以形成在耐熱緩沖層(厚膜)下方，與相關(guān)技術(shù)的將下輔助電極形成在厚有機(jī)膜上不同，這防止了信號(hào)干擾，因此可以防止諸如腐蝕的工藝失效，從而確保結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

中間輔助電極164電連接至經(jīng)由穿過(guò)第一緩沖層126和層間絕緣膜116的第一輔助接觸孔168a露出的下輔助電極162。中間輔助電極164包括透明導(dǎo)電層172a和形成在透明導(dǎo)電層172a上的不透明導(dǎo)電層172b。

上輔助電極166電連接至經(jīng)由穿過(guò)保護(hù)膜118和平坦化層148的第二輔助接觸孔168b露出的中間輔助電極164。上輔助電極166使用與陽(yáng)極132的材料相同的材料形成在與陽(yáng)極132相同的平面中。

形成在上輔助電極166上的間隔物146具有倒錐形形狀，其寬度隨著距間隔物146上表面距離的減小而逐漸增大。通過(guò)提供間隔物146，垂直向下沉積的有機(jī)發(fā)光層134的材料僅形成在間隔物146的上表面以及位于通過(guò)堤部138露出的發(fā)光區(qū)域中的陽(yáng)極132的上表面上。另一方面，臺(tái)階覆蓋率優(yōu)于有機(jī)發(fā)光層134的材料的陰極136的材料也形成在間隔物146和堤部138的側(cè)表面上。因此，可以使陰極136的材料與上輔助電極166容易地接觸。同時(shí)，雖然已經(jīng)通過(guò)實(shí)施例的方式描述了上輔助電極162連接至陰極136的情況，但是上輔助電極162可以連接至陽(yáng)極132。

信號(hào)焊盤150通過(guò)信號(hào)鏈路174連接至柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線中的至少一種信號(hào)線。信號(hào)焊盤150包括下焊盤電極152和上焊盤電極154。

下焊盤電極152由與遮光層102的材料相同的材料形成，并且嵌入基板101的溝槽101a中。上焊盤電極154電連接至通過(guò)穿過(guò)第一緩沖層126和層間絕緣膜116的焊盤接觸孔156露出的下焊盤電極152。上焊盤電極154包括透明導(dǎo)電層172a。上焊盤電極154通過(guò)穿過(guò)第一保護(hù)膜118的焊盤孔158暴露于外部。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170用作基板101與用于在基板101上形成薄膜的制造裝置(例如光掩模或遮擋掩模)之間的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)尺。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170可以以與遮光層102、下輔助電極162和下焊盤電極152相同的方式嵌入到基板101的溝槽101a中，如圖1中所示，或者可以以其中遮光層102、下輔助電極162和下焊盤電極152中的每一個(gè)嵌入溝槽101a中的狀態(tài)形成在基板101上。

圖1中所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170經(jīng)由電鍍或化學(xué)鍍形成，如圖3a至圖3d中所示。具體地，在經(jīng)由光刻工藝在基板101上形成光致抗蝕劑圖案182之后，如圖3a中所示，基板101經(jīng)由其中光致抗蝕劑圖案182用作掩模的蝕刻工藝來(lái)圖案化，從而在基板101中形成多個(gè)溝槽101a。隨后，如圖3b中所示，在室溫下在其上保留有光致抗蝕劑圖案182的基板101上沉積籽金屬184。在此，籽金屬184是諸如銀(ag)、金(au)、銅(cu)、鎳(ni)、錫(sn)或鋅(zn)的低電阻金屬。隨后，如圖3c中所示，經(jīng)由光致抗蝕劑圖案182的剝離來(lái)去除光致抗蝕劑圖案182以及光致抗蝕劑圖案182上的籽金屬184。隨后，隨著保留在溝槽101a中的籽金屬184的生長(zhǎng)，如圖3d中所示，在溝槽101a中同時(shí)形成遮光層102、下輔助電極162、下焊盤電極152以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170。同時(shí)，使用電鍍或化學(xué)鍍由籽金屬(例如cu)形成的遮光層102、下輔助電極162、下焊盤電極152以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170具有與經(jīng)由沉積由銅cu形成的薄層相同的電阻率。

圖2中所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170使用多臺(tái)階光致抗蝕劑圖案186來(lái)形成，如圖4a至圖4d中所示。具體地，如圖4a中所示，在遍及基板101的表面沉積不透明金屬層170a之后，經(jīng)由使用半色調(diào)掩模的光刻工藝在不透明金屬層170a上形成多臺(tái)階光致抗蝕劑圖案186。多臺(tái)階光致抗蝕劑圖案186包括具有第一厚度的第一光致抗蝕劑圖案186a和具有第二厚度的第二光致抗蝕劑圖案186b，第二厚度大于第一厚度。通過(guò)經(jīng)由其中多臺(tái)階光致抗蝕劑圖案186用作掩模的蝕刻工藝蝕刻不透明金屬層170a和基板101，如圖4b中所示，不透明金屬層170a保留在多臺(tái)階光致抗蝕劑圖案186與基板101之間，并且在基板101中形成溝槽101a。

隨后，通過(guò)灰化光致抗蝕劑圖案186，減小第二光致抗蝕劑圖案186b的厚度并且去除第一光致抗蝕劑圖案186a。通過(guò)使用具有減小厚度的第二光致抗蝕劑圖案186b作為掩模來(lái)蝕刻不透明金屬層170a，如圖4c中所示，去除了除了位于第二光致抗蝕劑圖案186b下方的不透明金屬層170a之外的剩余不透明金屬層170a。在第二光致抗蝕劑圖案186b下方的剩余不透明金屬層170a成為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170。經(jīng)由剝離工藝去除對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170上剩余的光致抗蝕劑圖案186b，如圖4d中所示。在形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170之后，在其中已經(jīng)形成溝槽101a的基板101上沉積不透明金屬層，并且其后，經(jīng)由光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)不透明金屬層進(jìn)行圖案化。因此，在溝槽101a中同時(shí)形成遮光層102、下輔助電極162以及下焊盤電極152。

同時(shí)，需要使用光致抗蝕劑圖案182作為掩模的蝕刻工藝在基板101中形成溝槽101a。然而，在其中基板101與光致抗蝕劑圖案182之間的粘合力不好的比較例的情況下，如圖5中所示，蝕刻溶液在基板101與光致抗蝕劑圖案182之間滲透。因此，在基板101的側(cè)表面與光致抗蝕劑圖案182之間形成具有第一寬度d1的底切口(undercut)。位于相鄰溝槽101a之間的基板101的寬度可能減小，從而導(dǎo)致嵌入溝槽101a中的電極之間短路，并且使溝槽101a中的電極的尾部延長(zhǎng)，這使得難以獲得高的分辨率。

另一方面，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在將光致抗蝕劑施加至基板101上之前，在基板101上施加六甲基二硅氮烷(hmds)用于基板101的表面處理。由于hmds用于增加基板101與光致抗蝕劑圖案182之間的粘合力，所以當(dāng)蝕刻基板101時(shí)，可以防止蝕刻溶液在基板101與光致抗蝕劑圖案182之間滲透。因此，在基板101的側(cè)表面與光致抗蝕劑圖案182之間形成了比比較例的底切口寬度小的第二寬度d2的底切口。以這種方式，位于相鄰溝槽101a之間的基板101的寬度可以大于比較例中的寬度，因此防止嵌入溝槽101a中的電極之間短路并且使溝槽101a中電極的尾部減短，這促進(jìn)實(shí)現(xiàn)高分辨率。

圖6a至圖6h是示出制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。同時(shí)，由于從形成第一緩沖層126開(kāi)始，制造圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法類似于制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，因此在本文中省略與制造圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法有關(guān)的描述。

如圖6a中所示，如以上參照?qǐng)D3a至3d所述，在基板101中形成溝槽101a，并且在溝槽101a中嵌入遮光層102、下輔助電極162、下焊盤電極152以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170。

如圖6b中所示，在遮光層102、下輔助電極162、下焊盤電極152以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170已經(jīng)形成在溝槽101a中的基板101上形成第一緩沖層126，并且耐熱緩沖層122、第二緩沖層128及氧化物半導(dǎo)體層104形成在第一緩沖層126上。具體地，第一緩沖層126、耐熱緩沖層122、第二緩沖層128及氧化物半導(dǎo)體層104經(jīng)由在遮光層102、下輔助電極162、下焊盤電極152以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記170已經(jīng)形成在溝槽101a中的基板101上沉積形成。隨后，經(jīng)由使用半色調(diào)掩模的光刻工藝以及蝕刻工藝來(lái)選擇性地去除耐熱緩沖層122、第二緩沖層128以及氧化物半導(dǎo)體層104。因此，具有相同圖案的耐熱緩沖層122、第二緩沖層128以及氧化物半導(dǎo)體層104依次上下堆疊在其與遮光層102交疊的區(qū)域中，并且耐熱緩沖層122和第二緩沖層128依次上下堆疊在其與下輔助電極162交疊的區(qū)域中。

以這種方式，耐熱緩沖層122和第二緩沖層128經(jīng)由與氧化物半導(dǎo)體層104相同的掩模工藝形成。在該情況下，由于具有與第二緩沖層128和氧化物半導(dǎo)體層104不同蝕刻性能的耐熱緩沖層122設(shè)置在第二緩沖層128和氧化物半導(dǎo)體層104下方，因此可以防止蝕刻工藝后諸如出現(xiàn)底切口的工藝失效，并且可以獲得工藝穩(wěn)定性。

參照?qǐng)D6c，在其上已經(jīng)形成有耐熱緩沖層122、第二緩沖層128以及氧化物半導(dǎo)體層104的基板101上形成柵極絕緣體圖案112、下存儲(chǔ)電極142以及柵電極106。具體地，在其上已經(jīng)形成有耐熱緩沖層122、第二緩沖層128以及氧化物半導(dǎo)體層104的基板101上形成柵極絕緣膜，并且經(jīng)由沉積例如濺射在柵極絕緣膜上形成柵極金屬層。柵極絕緣膜由諸如siox或sinx的無(wú)機(jī)絕緣體材料形成。柵極金屬層可以是由諸如mo、ti、cu、alnd、al、cr或其合金的金屬形成的單個(gè)層，或者可以是使用所述金屬形成的多個(gè)層。隨后，通過(guò)經(jīng)由光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)柵極金屬層和柵極絕緣膜同時(shí)進(jìn)行圖案化，柵電極106和下存儲(chǔ)電極142中的每一個(gè)可以以與柵極絕緣體圖案112相同的圖案形成。

如圖6d中所示，在其上形成有柵電極106和下存儲(chǔ)電極142的基板101上形成具有源極接觸孔124s和漏極接觸孔124d、第一焊盤接觸孔156以及第一輔助接觸孔168a的層間絕緣膜116。具體地，經(jīng)由沉積例如pecvd在其上形成有柵電極106和下存儲(chǔ)電極142的基板101上形成層間絕緣膜116。隨后，通過(guò)經(jīng)由光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)層間絕緣膜116和第一緩沖層126進(jìn)行圖案化，形成了源極接觸孔124s和漏極接觸孔124d、第一焊盤接觸孔156以及第一輔助接觸孔168a。

在圖6e中，在具有源極接觸孔124s和漏極接觸孔124d、第一焊盤接觸孔156以及第一輔助接觸孔168a的層間絕緣膜116上形成源電極108、漏電極110、上存儲(chǔ)電極144以及上焊盤電極154。具體地，透明導(dǎo)電層172a和不透明導(dǎo)電層174經(jīng)由例如濺射依次沉積在具有源極接觸孔124s和漏極接觸孔124d、第一焊盤接觸孔156以及第一輔助接觸孔168a的層間絕緣膜116上。隨后，通過(guò)經(jīng)由使用半色調(diào)掩模的光刻工藝以及蝕刻工藝對(duì)透明導(dǎo)電層172a和不透明導(dǎo)電層174進(jìn)行圖案化，形成了源電極108、漏電極110、上存儲(chǔ)電極144以及上焊盤電極154。此時(shí)，源電極108、漏電極110以及上存儲(chǔ)電極144采用包括透明導(dǎo)電層172a和不透明導(dǎo)電層174的堆疊體的形式，并且上焊盤電極154由具有高耐蝕性和耐酸性的透明導(dǎo)電層172a形成。

參照?qǐng)D6f，在其上已經(jīng)形成有源電極108、漏電極110、上存儲(chǔ)電極144以及上焊盤電極154的層間絕緣膜116上形成具有像素接觸孔120和第二輔助接觸孔168b的保護(hù)膜118和平坦化層148。具體地，在其上已經(jīng)形成有源電極108、漏電極110、上存儲(chǔ)電極144以及上焊盤電極154的層間絕緣膜116上依次形成保護(hù)膜118和平坦化層148。保護(hù)層118由諸如siox或sinx的無(wú)機(jī)絕緣體材料形成，平坦化層148由諸如光丙烯酸類的有機(jī)絕緣體材料形成。隨后，通過(guò)經(jīng)由使用半色調(diào)掩模的光刻工藝以及蝕刻工藝選擇性地蝕刻保護(hù)膜118和平坦化層148來(lái)形成像素接觸孔120和第二輔助接觸孔168b。像素接觸孔120穿過(guò)保護(hù)膜118和平坦化層148以露出漏電極110，并且第二輔助接觸孔168b穿過(guò)保護(hù)膜118和平坦化層148以露出中間輔助電極164。然后，從信號(hào)焊盤150的頂部選擇性地去除平坦化層148，使得信號(hào)焊盤150頂部上的保護(hù)膜118露出。

在圖6g中，在其上已經(jīng)形成有具有像素接觸孔120和第二輔助接觸孔168b的保護(hù)膜118和平坦化層148的基板101上形成陽(yáng)極132、堤部138以及焊盤孔158。具體地，在其上已經(jīng)形成有保護(hù)膜118的基板101的整個(gè)表面上施加不透明導(dǎo)電膜和堤部光敏膜。隨后，通過(guò)經(jīng)由使用半色調(diào)掩模的光刻工藝以及蝕刻工藝對(duì)堤部光敏膜、不透明導(dǎo)電膜以及保護(hù)膜118進(jìn)行圖案化，形成了陽(yáng)極132、堤部138以及焊盤孔158。

如圖6h中所示，在具有陽(yáng)極132、堤部138和焊盤孔158的基板101上依次形成有間隔物146、有機(jī)發(fā)光層134和陰極136。具體地，在將間隔物光敏膜施加到具有陽(yáng)極132、堤部138和焊盤孔158的基板上之后，經(jīng)由光刻工藝對(duì)間隔物光敏膜進(jìn)行圖案化以形成倒錐形間隔物146。隨后，有機(jī)發(fā)光層134形成在通過(guò)堤部138露出的發(fā)光區(qū)域中，并且陰極136形成在其上已經(jīng)形成有機(jī)發(fā)光層134的基板101上。

如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，遮光層102和下輔助電極162經(jīng)由相同的單個(gè)掩模工藝形成，并且氧化物半導(dǎo)體層104、耐熱緩沖層122以及第二緩沖層128經(jīng)由相同的單個(gè)掩模工藝形成。以這種方式，與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以將掩模工藝的數(shù)目減少總計(jì)至少兩個(gè)工藝，從而實(shí)現(xiàn)提高的生產(chǎn)率和降低的成本。

另外，在本發(fā)明中，由于下輔助電極162嵌入在基板101的溝槽101a中，并且耐熱緩沖層122設(shè)置在基板101上，因此耐熱緩沖層可以防止包括下輔助電極162的信號(hào)線的腐蝕失效，從而確保結(jié)構(gòu)上的穩(wěn)定性。

同時(shí)，雖然本發(fā)明通過(guò)實(shí)施例的方式描述了其中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100的半導(dǎo)體層104由氧化物形成的情況，但是驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100的半導(dǎo)體層104可以由多晶硅形成。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，上述本發(fā)明不限于上述實(shí)施方案以及附圖，并且可以在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)設(shè)想各種替代方案、修改方案以及改變方案。