技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種頂發(fā)射QLED器件，包括依次設(shè)置的基板、圖案化像素電極、電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，所述電子傳輸層和所述量子點發(fā)光層之間層疊設(shè)置有傳輸中間層，所述圖案化像素電極的像素電極之間設(shè)置有陣列結(jié)構(gòu)的絕緣層，所述絕緣層穿透所述電子傳輸層與所述傳輸中間層相連，且所述傳輸中間層和所述絕緣層均采用PMMA材料制成；在所述傳輸中間層上、且與所述絕緣層對應(yīng)區(qū)域設(shè)置有用于隔離不同顏色量子點材料的隔離柱。

技術(shù)研發(fā)人員：張?zhí)?向超宇;李樂;辛征航;張東華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TCL集團(tuán)股份有限公司
文檔號碼：201611061585
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.24
技術(shù)公布日：2017.01.11