本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示裝置及其制作方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

OLED器件通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽(yáng)極、設(shè)于陽(yáng)極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機(jī)發(fā)光材料在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，通過(guò)載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽(yáng)極和陰極，在一定電壓驅(qū)動(dòng)下，電子和空穴分別從陰極和陽(yáng)極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過(guò)電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過(guò)輻射弛豫而發(fā)出可見(jiàn)光。

OLED器件制備完成后，為防止外界環(huán)境中的水汽和氧氣侵入器件內(nèi)部，影響其使用壽命，通常還需要對(duì)OLED器件進(jìn)行封裝，薄膜封裝技術(shù)(TFE)是目前常見(jiàn)的OLED封裝技術(shù)之一，其主要采用無(wú)機(jī)/有機(jī)薄膜交替生長(zhǎng)的方法來(lái)形成OLED器件的封裝層，其中所述無(wú)機(jī)薄膜可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、濺射(Sputter)或脈沖激光沉積(PLD)等方法制備。

隨著新材料和新工藝的不斷開(kāi)發(fā)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的理論內(nèi)量子效率已經(jīng)接近100％，但其光耦合效率仍然很低。因?yàn)榛?、有機(jī)層以及封裝層等材料的折射率差異，OLED發(fā)出的光通量主要有以下三個(gè)去向：波導(dǎo)模式、基板模式、及空氣模式，而通常只有20％左右的光能出射到器件外。為了提高OLED的光耦合效率，人們通常會(huì)在基板和空氣界面加上一層微透鏡陣列結(jié)構(gòu)來(lái)減小因基板模式而損失的光通量，結(jié)果表明OLED的光耦合效率可以提高50％左右。而光學(xué)計(jì)算結(jié)果也表明當(dāng)半球形的微棱鏡材料和基板的折射率匹配時(shí)，光耦合效率可以提高45％。半球形微透鏡陣列的制備通常采用光刻膠熱熔法或刻蝕法，這些方法不僅工藝復(fù)雜，而且材料選擇有限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示裝置的制作方法，能夠提高OLED器件的出光效率。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示裝置，OLED器件的出光效率較高。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一OLED基板，所述OLED基板包括襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的TFT層、及設(shè)于所述TFT層上的OLED器件；

在所述OLED器件及TFT層上形成第一無(wú)機(jī)膜層，在所述第一無(wú)機(jī)膜層上形成第一有機(jī)膜層，在所述第一有機(jī)膜層上形成第二無(wú)機(jī)膜層；

步驟2、在所述第二無(wú)機(jī)膜層上形成一疏水薄膜，在所述疏水薄膜上形成微透鏡陣列。

所述疏水薄膜的材料包括聚四氟乙烯；所述疏水薄膜的厚度為10nm-1000nm；所述步驟2中，采用脈沖激光沉積設(shè)備來(lái)制備所述疏水薄膜。

所述微透鏡陣列包括呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡，所述微透鏡的形狀為球形或橢球形；所述微透鏡的材料包括聚碳酸酯；

所述步驟2中，采用噴墨打印設(shè)備在所述疏水薄膜上打印出呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡材料液滴，固化后，形成數(shù)個(gè)微透鏡，構(gòu)成所述微透鏡陣列。

優(yōu)選的，所述OLED顯示裝置的制作方法還包括：步驟3、在所述微透鏡陣列及疏水薄膜上形成第三無(wú)機(jī)膜層。

更優(yōu)選的，所述OLED顯示裝置的制作方法還包括：步驟4、在所述第三無(wú)機(jī)膜層上形成數(shù)層第二有機(jī)膜層與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層；

所述數(shù)層第二有機(jī)膜層與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層中，所述第二有機(jī)膜層與第四無(wú)機(jī)膜層交錯(cuò)設(shè)置，且與所述第三無(wú)機(jī)膜層鄰接的膜層為第二有機(jī)膜層；

所述第一無(wú)機(jī)膜層、第二無(wú)機(jī)膜層、第三無(wú)機(jī)膜層、及第四無(wú)機(jī)膜層的材料分別包括氮化硅、氧化硅、及氧化鋁中的至少一種；

所述第一無(wú)機(jī)膜層、第二無(wú)機(jī)膜層、第三無(wú)機(jī)膜層、及第四無(wú)機(jī)膜層的厚度分別為1μm-2μm；

所述第一有機(jī)膜層與第二有機(jī)膜層的厚度分別為1μm-10μm。

本發(fā)明還提供一種OLED顯示裝置，包括：襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的TFT層、設(shè)于所述TFT層上的OLED器件、設(shè)于所述OLED器件及TFT層上的第一無(wú)機(jī)膜層、設(shè)于所述第一無(wú)機(jī)膜層上的第一有機(jī)膜層、設(shè)于所述第一有機(jī)膜層上的第二無(wú)機(jī)膜層、設(shè)于所述第二無(wú)機(jī)膜層上的疏水薄膜、及設(shè)于所述疏水薄膜上的微透鏡陣列。

所述疏水薄膜的材料包括聚四氟乙烯；所述疏水薄膜的厚度為10nm-1000nm。

所述微透鏡陣列包括呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡，所述微透鏡的形狀為球形或橢球形；所述微透鏡的材料包括聚碳酸酯。

優(yōu)選的，所述OLED顯示裝置還包括：設(shè)于所述微透鏡陣列及疏水薄膜上的第三無(wú)機(jī)膜層。

更優(yōu)選的，所述OLED顯示裝置還包括：設(shè)于所述第三無(wú)機(jī)膜層上的數(shù)層第二有機(jī)膜層與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層；所述數(shù)層第二有機(jī)膜層與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層中，所述第二有機(jī)膜層與第四無(wú)機(jī)膜層交錯(cuò)設(shè)置，且與所述第三無(wú)機(jī)膜層鄰接的膜層為第二有機(jī)膜層；

所述第一無(wú)機(jī)膜層、第二無(wú)機(jī)膜層、第三無(wú)機(jī)膜層、及第四無(wú)機(jī)膜層的材料分別包括氮化硅、氧化硅、及氧化鋁中的至少一種；

所述第一無(wú)機(jī)膜層、第二無(wú)機(jī)膜層、第三無(wú)機(jī)膜層、及第四無(wú)機(jī)膜層的厚度分別為1μm-2μm；

所述第一有機(jī)膜層與第二有機(jī)膜層的厚度分別為1μm-10μm。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED顯示裝置的制作方法，通過(guò)在OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)中加入一層疏水薄膜，再將微透鏡材料液滴打印到所述疏水薄膜上，固化之后形成一層由呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡構(gòu)成的微透鏡陣列；該制作方法不僅工藝簡(jiǎn)單，而且可以利用現(xiàn)有的封裝設(shè)備實(shí)現(xiàn)，制程經(jīng)濟(jì)性高，并且由于將微透鏡材料液滴打印到疏水薄膜上，固化后形成的微透鏡的接觸角較大，有利于提高所述微透鏡陣列的光耦合效率，進(jìn)而提升OLED器件的出光效率。本發(fā)明提供的一種OLED顯示裝置，通過(guò)在OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)中加入一層疏水薄膜，再于所述疏水薄膜上形成一層由呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡構(gòu)成的微透鏡陣列，所述微透鏡的接觸角較大，有利于提高所述微透鏡陣列的光耦合效率，進(jìn)而提升OLED器件的出光效率。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說(shuō)明

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的OLED顯示裝置的制作方法的流程圖；

圖2-3為本發(fā)明的OLED顯示裝置的制作方法的步驟1的示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED顯示裝置的制作方法的步驟2的示意圖暨本發(fā)明的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED顯示裝置的制作方法的步驟3的示意圖暨本發(fā)明的OLED顯示裝置的一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明的OLED顯示裝置的制作方法的步驟4的示意圖暨本發(fā)明的OLED顯示裝置的另一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種OLED顯示裝置的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖2所示，提供一OLED基板10，所述OLED基板10包括襯底基板11、設(shè)于所述襯底基板11上的TFT層12、及設(shè)于所述TFT層12上的OLED器件13；

如圖3所示，在所述OLED器件13及TFT層12上形成第一無(wú)機(jī)膜層20，在所述第一無(wú)機(jī)膜層20上形成第一有機(jī)膜層30，在所述第一有機(jī)膜層30上形成第二無(wú)機(jī)膜層40。

優(yōu)選的，所述襯底基板11為柔性襯底，從而后續(xù)采用薄膜封裝技術(shù)(TFE)對(duì)所述OLED器件13進(jìn)行封裝后，制得的OLED顯示裝置為柔性O(shè)LED顯示裝置。

具體的，所述步驟1中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備、濺射(Sputter)設(shè)備、或脈沖激光沉積(PLD)設(shè)備來(lái)制備所述第一無(wú)機(jī)膜層20與第二無(wú)機(jī)膜層40。

具體的，所述步驟1中，采用噴墨打印(IJP)設(shè)備來(lái)制備所述第一有機(jī)膜層30。

具體的，所述第一無(wú)機(jī)膜層20與第二無(wú)機(jī)膜層40的厚度分別為1μm-2μm。

具體的，所述第一無(wú)機(jī)膜層20與第二無(wú)機(jī)膜層40的材料分別包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、及氧化鋁(Al₂O₃)中的至少一種。

具體的，所述第一無(wú)機(jī)膜層20與第二無(wú)機(jī)膜層40主要起到阻隔水汽和氧氣的作用。

具體的，所述第一有機(jī)膜層30的厚度為1μm-10μm。

具體的，所述第一有機(jī)膜層30的材料包括聚丙烯酰胺、聚偏二氟乙烯、聚丙烯酸酯、及含氟丙烯酸嵌段共聚物中的至少一種。

具體的，所述第一有機(jī)膜層30主要起到進(jìn)一步平坦化所述OLED基板10的表面并釋放應(yīng)力的作用，以實(shí)現(xiàn)柔性顯示。

步驟2、如圖4所示，在所述第二無(wú)機(jī)膜層40上形成一疏水薄膜50，在所述疏水薄膜50上形成微透鏡陣列60。

優(yōu)選的，所述步驟2中，采用脈沖激光沉積(PLD)設(shè)備來(lái)制備所述疏水薄膜50。

優(yōu)選的，所述疏水薄膜50為表面與水的接觸角大于150°的超疏水薄膜。

優(yōu)選的，所述疏水薄膜50的材料包括聚四氟乙烯(Teflon)。

具體的，所述疏水薄膜50的厚度為10nm-1000nm。

具體的，所述微透鏡陣列60包括呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡61，所述微透鏡61的形狀為球形或橢球形。

優(yōu)選的，所述微透鏡61的材料包括聚碳酸酯(PC)。

具體的，所述步驟2中，采用噴墨打印(IJP)設(shè)備在所述疏水薄膜50上打印出呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡材料液滴，固化后，形成數(shù)個(gè)微透鏡61，構(gòu)成所述微透鏡陣列60。

具體的，與打印于其它襯底上相比，打印于疏水薄膜50上的微透鏡材料液滴的水滴角(接觸角)較大，固化后形成的微透鏡61的接觸角也較大，所述微透鏡61的接觸角越大，聚光效果越好，從而提高所述微透鏡陣列60的光耦合效率，提升OLED器件13的出光效率。

具體的，所述疏水薄膜50包括對(duì)應(yīng)于OLED器件13上方的像素區(qū)域51以及除所述像素區(qū)域以外的非像素區(qū)域52。優(yōu)選的，所述微透鏡陣列60僅形成于所述疏水薄膜50的像素區(qū)域51上。

優(yōu)選的，所述OLED顯示裝置的制作方法還包括：步驟3、如圖5所示，在所述微透鏡陣列60及疏水薄膜50上形成第三無(wú)機(jī)膜層70。由于所述第三無(wú)機(jī)膜層70可以起到阻隔水汽和氧氣的作用，從而能夠?qū)λ鑫⑼哥R陣列60形成保護(hù)并進(jìn)一步提升所述OLED器件13的封裝效果。

具體的，所述第三無(wú)機(jī)膜層70的材料包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、及氧化鋁(Al₂O₃)中的至少一種。所述第三無(wú)機(jī)膜層70的厚度為1μm-2μm。

具體的，所述步驟3中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備、濺射(Sputter)設(shè)備、或脈沖激光沉積(PLD)設(shè)備來(lái)制備所述第三無(wú)機(jī)膜層70。

更優(yōu)選的，所述OLED顯示裝置的制作方法還包括：步驟4、如圖6所示，在所述第三無(wú)機(jī)膜層70上形成數(shù)層第二有機(jī)膜層80與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層90，以進(jìn)一步提升所述OLED器件13的封裝效果；

所述數(shù)層第二有機(jī)膜層80與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層90中，所述第二有機(jī)膜層80與第四無(wú)機(jī)膜層90交錯(cuò)設(shè)置，且與所述第三無(wú)機(jī)膜層70鄰接的膜層為第二有機(jī)膜層80。

優(yōu)選的，所述數(shù)層第二有機(jī)膜層80與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層90中，最外側(cè)的膜層為第四無(wú)機(jī)膜層90。

具體的，所述第四無(wú)機(jī)膜層90的材料包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、及氧化鋁(Al₂O₃)中的至少一種。所述第四無(wú)機(jī)膜層90的厚度為1μm-2μm。

具體的，所述步驟4中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備、濺射(Sputter)設(shè)備、或脈沖激光沉積(PLD)設(shè)備來(lái)制備所述第四無(wú)機(jī)膜層90。

具體的，所述第二有機(jī)膜層80的材料包括聚丙烯酰胺、聚偏二氟乙烯、聚丙烯酸酯、及含氟丙烯酸嵌段共聚物中的至少一種。所述第二有機(jī)膜層80的厚度為1μm-10μm。

具體的，所述步驟4中，采用噴墨打印(IJP)設(shè)備來(lái)制備所述第二有機(jī)膜層80。

具體的，上述OLED顯示裝置的制作方法制得的OLED顯示裝置為頂發(fā)光OLED顯示裝置，所述OLED器件13發(fā)出的光線從頂部射出，經(jīng)由所述微透鏡陣列60耦合后射出所述OLED顯示裝置，由于所述微透鏡陣列60的光耦合效率較高，從而提升OLED器件13的出光效率。

上述OLED顯示裝置的制作方法，通過(guò)在OLED器件的薄膜封裝(TFE)結(jié)構(gòu)中加入一層疏水薄膜50，再將微透鏡材料液滴打印到所述疏水薄膜50上，固化之后形成一層由呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡61構(gòu)成的微透鏡陣列60；該制作方法不僅工藝簡(jiǎn)單，而且可以利用現(xiàn)有的封裝設(shè)備實(shí)現(xiàn)，無(wú)需其它設(shè)備，制程經(jīng)濟(jì)性高，并且由于將微透鏡材料液滴打印到疏水薄膜50上，固化后形成的微透鏡61的接觸角較大，有利于提高所述微透鏡陣列60的光耦合效率，進(jìn)而提升OLED器件13的出光效率。

請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明還提供一種OLED顯示裝置，包括：襯底基板11、設(shè)于所述襯底基板11上的TFT層12、設(shè)于所述TFT層12上的OLED器件13、設(shè)于所述OLED器件13及TFT層12上的第一無(wú)機(jī)膜層20、設(shè)于所述第一無(wú)機(jī)膜層20上的第一有機(jī)膜層30、設(shè)于所述第一有機(jī)膜層30上的第二無(wú)機(jī)膜層40、設(shè)于所述第二無(wú)機(jī)膜層40上的疏水薄膜50、及設(shè)于所述疏水薄膜50上的微透鏡陣列60。

優(yōu)選的，如圖5所示，所述OLED顯示裝置還包括：設(shè)于所述微透鏡陣列60及疏水薄膜50上的第三無(wú)機(jī)膜層70。

更優(yōu)選的，如圖6所示，所述OLED顯示裝置還包括：設(shè)于所述第三無(wú)機(jī)膜層70上的數(shù)層第二有機(jī)膜層80與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層90；

所述數(shù)層第二有機(jī)膜層80與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層90中，所述第二有機(jī)膜層80與第四無(wú)機(jī)膜層90交錯(cuò)設(shè)置，且與所述第三無(wú)機(jī)膜層70鄰接的膜層為第二有機(jī)膜層80。

優(yōu)選的，所述數(shù)層第二有機(jī)膜層80與數(shù)層第四無(wú)機(jī)膜層90中，最外側(cè)的膜層為第四無(wú)機(jī)膜層90。

優(yōu)選的，所述襯底基板11為柔性襯底，所述OLED顯示裝置為柔性O(shè)LED顯示裝置。

具體的，所述OLED顯示裝置為頂發(fā)光OLED顯示裝置。

具體的，所述第一無(wú)機(jī)膜層20、第二無(wú)機(jī)膜層40、第三無(wú)機(jī)膜層70、及第四無(wú)機(jī)膜層90的厚度分別為1μm-2μm。

具體的，所述第一無(wú)機(jī)膜層20、第二無(wú)機(jī)膜層40、第三無(wú)機(jī)膜層70、及第四無(wú)機(jī)膜層90的材料分別包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、及氧化鋁(Al₂O₃)中的至少一種。

具體的，所述第一有機(jī)膜層30與第二有機(jī)膜層80的厚度為1μm-10μm。

優(yōu)選的，所述第一有機(jī)膜層30與第二有機(jī)膜層80的材料分別包括聚丙烯酰胺、聚偏二氟乙烯、聚丙烯酸酯、及含氟丙烯酸嵌段共聚物中的至少一種。

具體的，所述OLED顯示裝置中，所述第一無(wú)機(jī)膜層20、第二無(wú)機(jī)膜層40、第三無(wú)機(jī)膜層70、及第四無(wú)機(jī)膜層90主要起到阻隔水汽和氧氣的作用；

所述第一有機(jī)膜層30與第二有機(jī)膜層80主要起到平坦化及釋放應(yīng)力的作用，以實(shí)現(xiàn)柔性顯示。

優(yōu)選的，所述疏水薄膜50為表面與水的接觸角大于150°的超疏水薄膜。

優(yōu)選的，所述疏水薄膜50的材料包括聚四氟乙烯(Teflon)。

具體的，所述疏水薄膜50的厚度為10nm-1000nm。

具體的，所述微透鏡陣列60包括呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡61，所述微透鏡61的形狀為球形或橢球形。

優(yōu)選的，所述微透鏡61的材料包括聚碳酸酯(PC)。

具體的，所述疏水薄膜50包括對(duì)應(yīng)于OLED器件13上方的像素區(qū)域51以及除所述像素區(qū)域51以外的非像素區(qū)域52。優(yōu)選的，所述微透鏡陣列60僅形成于所述疏水薄膜50的像素區(qū)域51上。

上述OLED顯示裝置，通過(guò)在OLED器件的薄膜封裝(TFE)結(jié)構(gòu)中加入一層疏水薄膜50，再于所述疏水薄膜50上形成一層由呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡61構(gòu)成的微透鏡陣列60，所述微透鏡61的接觸角較大，有利于提高所述微透鏡陣列60的光耦合效率，進(jìn)而提升OLED器件13的出光效率。

綜上所述，本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置及其制作方法。本發(fā)明的OLED顯示裝置的制作方法，通過(guò)在OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)中加入一層疏水薄膜，再將微透鏡材料液滴打印到所述疏水薄膜上，固化之后形成一層由呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡構(gòu)成的微透鏡陣列；該制作方法不僅工藝簡(jiǎn)單，而且可以利用現(xiàn)有的封裝設(shè)備實(shí)現(xiàn)，制程經(jīng)濟(jì)性高，并且由于將微透鏡材料液滴打印到疏水薄膜上，固化后形成的微透鏡的接觸角較大，有利于提高所述微透鏡陣列的光耦合效率，進(jìn)而提升OLED器件的出光效率。本發(fā)明的OLED顯示裝置，通過(guò)在OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)中加入一層疏水薄膜，再于所述疏水薄膜上形成一層由呈陣列排布的數(shù)個(gè)微透鏡構(gòu)成的微透鏡陣列，所述微透鏡的接觸角較大，有利于提高所述微透鏡陣列的光耦合效率，進(jìn)而提升OLED器件的出光效率。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。