本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種具有鰭形結(jié)構(gòu)的晶圓封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

利用封裝技術(shù)將電子元件的體積減至最小并提高產(chǎn)品的集成度 (Integration)，是制造電子產(chǎn)品的趨勢。同時(shí)，基于現(xiàn)今電子產(chǎn)品的功能需求，在產(chǎn)品內(nèi)的有限空間必須設(shè)置最多的電子元件，因此使電子產(chǎn)品內(nèi)供設(shè)置電子元件的位置的大小相當(dāng)于電子元件的尺寸。因此， 電子元件之外觀公差大小亦成為需要控管的項(xiàng)目。

以目前35mm×35mm尺寸的半導(dǎo)體封裝件為例，該半導(dǎo)體封裝件的平面單邊公差不得大于0.2mm，亦即，該半導(dǎo)體封裝的外距介于 37.98mm至35.02mm之間；而若為更小的半導(dǎo)體封裝件，甚至?xí)秸?fù)0.1mm左右。所以，如果要用人力檢查半導(dǎo)體封裝件的基板的邊緣位置實(shí)在困難，所以現(xiàn)在普遍導(dǎo)入自動(dòng)檢查機(jī)進(jìn)行檢查。

然而，在應(yīng)用自動(dòng)檢查機(jī)進(jìn)行前述半導(dǎo)體封裝件時(shí)，會(huì)發(fā)生誤判的情況，而其原因在于一般托盤多為黑色或深色，而半導(dǎo)體封裝件表面的拒焊層也是深色，使得影像傳感器常無法分辨出半導(dǎo)體封裝件的基板的邊緣界限，因此導(dǎo)致誤判。

同時(shí)，由于靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)會(huì)產(chǎn)生燒毀、 劣化半導(dǎo)體金屬層或發(fā)生潛在性失效等，所以，就電子元件而言必須相當(dāng)注重靜電防護(hù)功能。

最后，由于集成度的不斷提升，高密度器件的晶圓襯底上將產(chǎn)生大量的熱，當(dāng)熱量過大，溫度過高，就會(huì)導(dǎo)致器件的失效，因而，封裝的散熱性能也是必須考慮的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于解決上述封裝中的問題，本發(fā)明提供了一種具有鰭形結(jié)構(gòu)的晶圓封裝，包括：半導(dǎo)體襯底，具有相對的上表面和下表面；位于所述上表面的多個(gè)焊盤；位于所述多個(gè)焊盤上的多個(gè)焊球；覆蓋所述上表面的阻焊層，所述阻焊層漏出所述多個(gè)焊球并且為覆蓋所述上表面的邊緣位置；圍繞所述襯底側(cè)面上的刻蝕所述襯底形成的鰭形結(jié)構(gòu)；環(huán)繞所述阻焊層的金屬導(dǎo)熱層，所述金屬導(dǎo)熱層僅位于所述上表面的邊緣位置；位于所述下表面的散熱層；以及連接所述金屬導(dǎo)熱層和所述散熱層并覆蓋所述鰭形結(jié)構(gòu)的的鰭形金屬層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬導(dǎo)熱層的厚度不大于所述阻焊層的厚度。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬導(dǎo)熱層緊貼于所述阻焊層的邊緣。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述阻焊層厚度為100-200微米。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬導(dǎo)熱層的寬度大于所述鰭形結(jié)構(gòu)的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬導(dǎo)熱層的材料選自Cu和Ni中的至少一種。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述鰭形金屬層的材料優(yōu)選為Cu或Au。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述鰭形結(jié)構(gòu)為方形或錐形齒輪狀結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述散熱層的材料為金屬。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述散熱層為散熱鰭片結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的技術(shù)方案，利用上表面周邊的金屬導(dǎo)熱層進(jìn)行第一步散熱，然后通過鰭形結(jié)構(gòu)和鰭形金屬層進(jìn)行第二步散熱，鰭形結(jié)構(gòu)和鰭形金屬層將一部分熱量傳導(dǎo)至下表面的散熱層上進(jìn)行第三步散熱，散熱層面積大，散熱效率高，且不易對上表面的器件造成影響，極大的提高了散熱效率，保證了封裝的可靠性；并且周邊的金屬導(dǎo)熱層和鰭形金屬層具有電磁屏蔽作用，保證其他電子部件對封裝件的干擾；邊緣的金屬導(dǎo)熱層與阻焊層顏色不同，可以輕易的分辨出邊緣位置；最后，所述阻焊層高于所述金屬導(dǎo)熱層，可以防止金屬導(dǎo)熱層與焊球間的相互影響（短路等）。

附圖說明

圖1為本發(fā)明晶圓封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖；

圖2為本發(fā)明晶圓封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。

具體實(shí)施方式

參見圖1，本發(fā)明提供了一種具有鰭形結(jié)構(gòu)的晶圓封裝，包括：半導(dǎo)體襯底10，具有相對的上表面和下表面；位于所述上表面的多個(gè)焊盤11；位于所述多個(gè)焊盤11上的多個(gè)焊球13；覆蓋所述上表面的阻焊層12，所述阻焊層12漏出所述多個(gè)焊球13并且為覆蓋所述上表面的邊緣位置；在襯底10的側(cè)面上具有鋸齒或齒輪狀鰭形結(jié)構(gòu)，參見圖2，所述鰭形結(jié)構(gòu)包括凸出部17和凹入部16；環(huán)繞所述阻焊層12的金屬導(dǎo)熱層14，所述金屬導(dǎo)熱層14僅位于所述上表面的邊緣位置，在所述鰭形結(jié)構(gòu)的表面上覆蓋有與所述金屬導(dǎo)熱層14相同材料或不同材料的鰭形金屬層；位于所述下表面的散熱層15；鰭形金屬層連接所述金屬導(dǎo)熱層14和所述散熱層15；在本實(shí)施例中，所述金屬導(dǎo)熱層14的厚度小于所述阻焊層12的厚度，這樣可以更加突出焊球的高度，在外連接其他電子部件或基板時(shí)，可以避免金屬導(dǎo)熱層14與焊球的短路或者與其他電子部件或基板的短路。

優(yōu)選的，參見圖1和圖2，所述金屬導(dǎo)熱層14緊貼于所述阻焊層12的邊緣，所述金屬導(dǎo)熱層14環(huán)繞所述焊球陣列。所述金屬導(dǎo)熱層14的寬度大于所述鰭形結(jié)構(gòu)的寬度，以使得所述金屬導(dǎo)熱層完全覆蓋住鰭形結(jié)構(gòu)以保證散熱。所述鰭形結(jié)構(gòu)可以是例如圖2所示的方形鋸齒狀結(jié)構(gòu)，也可以是其他的鰭形結(jié)構(gòu)，例如三角狀或錐狀。所述阻焊層厚度為100-200微米，所述金屬導(dǎo)熱層14的厚度為50-200微米。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬導(dǎo)熱層14的材料選自Cu和Ni中的至少一種。所述鰭形金屬層可以優(yōu)選為Cu或Au。所述散熱層15的材料為金屬或散熱鍵合片等。所述散熱層也可以為散熱鰭片結(jié)構(gòu)（未示出）。

最后應(yīng)說明的是：顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。