本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種底柵型多晶硅TFT基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(Backlight Module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機(jī)發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

薄膜晶體管(TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅(qū)動式有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中的主要驅(qū)動元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。

圖1為現(xiàn)有的一種底柵型多晶硅TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，所述底柵型多晶硅TFT基板包括玻璃基板100、設(shè)于所述玻璃基板100上的緩沖層110、設(shè)于所述緩沖層110上的柵極120、設(shè)于所述柵極120與緩沖層110上的柵極絕緣層130、設(shè)于所述柵極絕緣層130上的有源層200、設(shè)于所述有源層200及柵極絕緣層130上的源極510與漏極520、以及設(shè)于所述源極510、漏極520、有源層200與柵極絕緣層130上的鈍化層600。該底柵型多晶硅TFT基板的制作方法包括：

步驟101、提供一玻璃基板100，在所述玻璃基板100上從下到上依次制作緩沖層110、柵極120、及柵極絕緣層130；

步驟102、在所述柵極絕緣層130上依次沉積未摻雜非晶硅層(未圖示)與硼離子摻雜非晶硅層(未圖示)，采用固相晶化法(Solid Phase Crystallization，SPC)對所述未摻雜非晶硅層與硼離子摻雜非晶硅層進(jìn)行晶化處理，分別得到未摻雜多晶硅層210與硼離子摻雜多晶硅層220；

步驟103、對所述未摻雜多晶硅層210與硼離子摻雜多晶硅層220進(jìn)行圖形化處理，得到有源層200；

步驟104、在所述有源層200及柵極絕緣層130上沉積金屬層(未圖示)，對所述金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到源極510與漏極520；

步驟105、在所述源極510、漏極520、有源層200、及柵極絕緣層130上沉積鈍化層600，并在所述鈍化層600上形成對應(yīng)于所述漏極520上方的過孔610。

上述底柵型多晶硅TFT基板的制作方法中，所述步驟103中對所述未摻雜多晶硅層210與硼離子摻雜多晶硅層220進(jìn)行圖形化處理時，容易造成柵極絕緣層130的薄化，薄化后的柵極絕緣層130容易被擊穿，使得源極510、漏極520與柵極120之間導(dǎo)通；另外，所述步驟104制備的源極510和漏極520分別與所述未摻雜多晶硅層210的側(cè)壁相接觸，造成漏電過大，影響TFT器件性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種底柵型多晶硅TFT基板的制作方法，能夠增強(qiáng)TFT器件的穩(wěn)定性，提升其電學(xué)性能。

本發(fā)明的目的還在于提供一種底柵型多晶硅TFT基板，TFT器件的穩(wěn)定性強(qiáng)，具有較好的電學(xué)性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種底柵型多晶硅TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上沉積緩沖層；

在所述緩沖層上形成柵極；

在所述柵極與緩沖層上沉積柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上從下到上依次沉積未摻雜非晶硅層與硼離子摻雜非晶硅層；

步驟2、對所述未摻雜非晶硅層與硼離子摻雜非晶硅層進(jìn)行晶化處理，分別得到未摻雜多晶硅層與硼離子摻雜多晶硅層；

步驟3、在所述硼離子摻雜多晶硅層上形成一光阻層，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層進(jìn)行圖形化處理，得到一對應(yīng)于所述柵極上方的光阻圖案，所述光阻圖案包括位于兩側(cè)的第一光阻段與第二光阻段以及位于所述第一光阻段與第二光阻段之間的第三光阻段，所述第一光阻段與第二光阻段的高度均大于所述第三光阻段；

步驟4、以所述光阻圖案為刻蝕阻擋層，對所述未摻雜多晶硅層與硼離子摻雜多晶硅層進(jìn)行蝕刻處理，去除所述未摻雜多晶硅層與硼離子摻雜多晶硅層上未被所述光阻圖案遮擋的區(qū)域；

步驟5、對所述光阻圖案進(jìn)行整體減薄，去除所述第三光阻段，并薄化所述第一光阻段與第二光阻段；

步驟6、以所述第一光阻段與第二光阻段為刻蝕阻擋層，對所述硼離子摻雜多晶硅層進(jìn)行蝕刻處理，去除所述硼離子摻雜多晶硅層上對應(yīng)于所述第一光阻段與第二光阻段之間的區(qū)域，形成對應(yīng)于所述第一光阻段的第一硼離子摻雜多晶硅段與對應(yīng)于所述第二光阻段的第二硼離子摻雜多晶硅段；所述未摻雜多晶硅層與設(shè)于所述未摻雜多晶硅層上且間隔設(shè)置的第一硼離子摻雜多晶硅段與第二硼離子摻雜多晶硅段共同構(gòu)成有源層；

步驟7、去除所述第一光阻段與第二光阻段，在所述有源層與柵極絕緣層上形成層間介電層；

對所述層間介電層進(jìn)行圖形化處理，在所述層間介電層上分別形成對應(yīng)于所述第一硼離子摻雜多晶硅段上方的源極接觸孔與對應(yīng)于所述第二硼離子摻雜多晶硅段上方的漏極接觸孔；

步驟8、在所述層間介電層上形成源極與漏極，所述源極經(jīng)由所述源極接觸孔與所述第一硼離子摻雜多晶硅段相接觸，所述漏極經(jīng)由所述漏極接觸孔與所述第二硼離子摻雜多晶硅段相接觸；

步驟9、在所述源極、漏極、及層間介電層上沉積鈍化層；

對所述鈍化層進(jìn)行圖形化處理，在所述鈍化層上形成對應(yīng)于所述漏極上方的過孔。

所述步驟1中，所述未摻雜非晶硅層與硼離子摻雜非晶硅層均采用化學(xué)氣相沉積方法制備。

所述硼離子摻雜非晶硅層與所述未摻雜非晶硅層的制備方法的區(qū)別為：在化學(xué)氣相沉積過程中通入硼烷氣體。

所述硼烷氣體為乙硼烷。

所述步驟2中，采用快速熱退火方法對所述未摻雜非晶硅層與硼離子摻雜非晶硅層進(jìn)行晶化處理。

所述步驟4與步驟6中蝕刻處理的方法均為干蝕刻。

所述步驟5中，采用光阻灰化工藝對所述光阻圖案進(jìn)行整體減薄。

所述襯底基板為玻璃基板；

所述緩沖層、柵極絕緣層、層間介電層、及鈍化層分別為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層交疊設(shè)置形成的多層復(fù)合層；

所述柵極、源極、及漏極的材料分別包括鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種。

本發(fā)明還提供一種底柵型多晶硅TFT基板，包括：襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的柵極、設(shè)于所述柵極與緩沖層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上且對應(yīng)于所述柵極上方的有源層、設(shè)于所述有源層與柵極絕緣層上的層間介電層、設(shè)于所述層間介電層上的源極與漏極、設(shè)于所述源極、漏極、及層間介電層上的鈍化層、及設(shè)于所述鈍化層上且對應(yīng)于所述漏極上方的過孔；

所述有源層包括未摻雜多晶硅層與設(shè)于所述未摻雜多晶硅層上且間隔設(shè)置的第一硼離子摻雜多晶硅段與第二硼離子摻雜多晶硅段；

所述層間介電層上設(shè)有對應(yīng)于所述第一硼離子摻雜多晶硅段上方的源極接觸孔與對應(yīng)于所述第二硼離子摻雜多晶硅段上方的漏極接觸孔；

所述源極經(jīng)由所述源極接觸孔與所述第一硼離子摻雜多晶硅段相接觸，所述漏極經(jīng)由所述漏極接觸孔與所述第二硼離子摻雜多晶硅段相接觸。

所述襯底基板為玻璃基板；

所述緩沖層、柵極絕緣層、層間介電層、及鈍化層分別為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層交疊設(shè)置形成的多層復(fù)合層；

所述柵極、源極、及漏極的材料分別包括鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種底柵型多晶硅TFT基板的制作方法，通過在有源層與柵極絕緣層上沉積層間介電層，并在所述層間介電層上形成源極接觸孔與漏極接觸孔，之后在所述層間介電層上形成源極與漏極，所述源極和漏極分別經(jīng)由所述源極接觸孔和漏極接觸孔與所述有源層相接觸。本發(fā)明通過設(shè)置所述層間介電層，可防止所述源極和漏極與所述有源層中的未摻雜多晶硅層的側(cè)壁相接觸，避免漏電發(fā)生；另外，所述層間介電層的引入增加了所述源極和漏極與柵極之間的絕緣層的厚度，避免了因?yàn)樗鲈礃O和漏極與柵極之間的絕緣層的厚度較薄導(dǎo)致的絕緣層被擊穿的問題。本發(fā)明提供的一種底柵型多晶硅TFT基板，TFT器件的穩(wěn)定性強(qiáng)，具有較好的電學(xué)性能。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的一種底柵型多晶硅TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟1的示意圖；

圖4為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖；

圖5與圖6為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖；

圖7為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟4的示意圖；

圖8為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟5的示意圖；

圖9為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟6的示意圖；

圖10與圖11為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟7的示意圖；

圖12為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟8的示意圖；

圖13為本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法的步驟9的示意圖暨本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖2，本發(fā)明首先提供一種底柵型多晶硅TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖3所示，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上沉積緩沖層11；

在所述緩沖層11上形成柵極12；

在所述柵極12與緩沖層11上沉積柵極絕緣層13；

在所述柵極絕緣層13上從下到上依次沉積未摻雜非晶硅層14與硼離子摻雜非晶硅層15。

具體的，所述襯底基板10為玻璃基板。

具體的，所述步驟1中，所述柵極12的制備方法為：在所述緩沖層11上沉積一金屬層，對所述金屬層進(jìn)行圖形化處理后得到柵極12。

具體的，所述柵極12的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)中的一種或多種。

具體的，所述緩沖層11與柵極絕緣層13分別為氧化硅(SiO_x)層、氮化硅(SiN_x)層、或者由氧化硅層與氮化硅層交疊設(shè)置形成的多層復(fù)合層。

具體的，所述未摻雜非晶硅層14與硼離子摻雜非晶硅層15均采用化學(xué)氣相沉積方法(CVD)制備。

具體的，所述硼離子摻雜非晶硅層15與所述未摻雜非晶硅層14的制備方法的區(qū)別為：在化學(xué)氣相沉積過程中通入硼烷氣體；所述硼烷氣體優(yōu)選為乙硼烷(B₂H₆)。

步驟2、如圖4所示，對所述未摻雜非晶硅層14與硼離子摻雜非晶硅層15進(jìn)行晶化處理，分別得到未摻雜多晶硅層21與硼離子摻雜多晶硅層22。

具體的，所述步驟2中，采用快速熱退火方法(RTA)對所述未摻雜非晶硅層14與硼離子摻雜非晶硅層15進(jìn)行晶化處理。在快速熱退火制程中，所述硼離子摻雜非晶硅層15中的硼離子誘導(dǎo)所述硼離子摻雜非晶硅層15中的非晶硅結(jié)晶形成多晶硅，并進(jìn)一步誘導(dǎo)所述未摻雜多晶硅層21中的非晶硅結(jié)晶形成多晶硅，能夠提高非晶硅的晶化效率與晶化效果。

步驟3、如圖5與圖6所示，在所述硼離子摻雜多晶硅層22上形成一光阻層30，采用一半色調(diào)光罩70對所述光阻層30進(jìn)行圖形化處理，得到一對應(yīng)于所述柵極12上方的光阻圖案31，所述光阻圖案31包括位于兩側(cè)的第一光阻段311與第二光阻段312以及位于所述第一光阻段311與第二光阻段312之間的第三光阻段313，所述第一光阻段311與第二光阻段312的高度均大于所述第三光阻段313。

優(yōu)選的，所述第一光阻段311與第二光阻段312的高度相同。

步驟4、如圖7所示，以所述光阻圖案31為刻蝕阻擋層，對所述未摻雜多晶硅層21與硼離子摻雜多晶硅層22進(jìn)行蝕刻處理，去除所述未摻雜多晶硅層21與硼離子摻雜多晶硅層22上未被所述光阻圖案31遮擋的區(qū)域。

步驟5、如圖8所示，對所述光阻圖案31進(jìn)行整體減薄，去除所述第三光阻段313，并薄化所述第一光阻段311與第二光阻段312。

具體的，所述步驟5中，采用光阻灰化工藝對所述光阻圖案31進(jìn)行整體減薄。優(yōu)選的，所述光阻灰化工藝中采用的刻蝕氣體為氧氣。

步驟6、如圖9所示，以所述第一光阻段311與第二光阻段312為刻蝕阻擋層，對所述硼離子摻雜多晶硅層22進(jìn)行蝕刻處理，去除所述硼離子摻雜多晶硅層22上對應(yīng)于所述第一光阻段311與第二光阻段312之間的區(qū)域，形成對應(yīng)于所述第一光阻段311的第一硼離子摻雜多晶硅段221與對應(yīng)于所述第二光阻段312的第二硼離子摻雜多晶硅段222；所述未摻雜多晶硅層21與設(shè)于所述未摻雜多晶硅層21上且間隔設(shè)置的第一硼離子摻雜多晶硅段221與第二硼離子摻雜多晶硅段222共同構(gòu)成有源層20。

具體的，所述第一硼離子摻雜多晶硅段221與第二硼離子摻雜多晶硅段222分別構(gòu)成所述有源層20的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)。

優(yōu)選的，所述步驟6還包括對所述未摻雜多晶硅層21上對應(yīng)于所述第一光阻段311與第二光阻段312之間的區(qū)域進(jìn)行部分蝕刻處理的步驟，以保證所述硼離子摻雜多晶硅層22上對應(yīng)于所述第一光阻段311與第二光阻段312之間的區(qū)域去除徹底，防止殘留的硼離子摻雜多晶硅導(dǎo)通所述第一硼離子摻雜多晶硅段221與第二硼離子摻雜多晶硅段222，影響TFT器件性能。

具體的，所述步驟4與步驟6中蝕刻處理的方法均為干蝕刻。

具體的，所述步驟4與步驟6對所述未摻雜多晶硅層21與硼離子摻雜多晶硅層22進(jìn)行蝕刻處理時，會在一定程度上減薄所述柵極絕緣層13的厚度，這在傳統(tǒng)的底柵型TFT結(jié)構(gòu)(如圖1所示)中會導(dǎo)致后續(xù)制備的源極51和漏極52與柵極12之間的絕緣層的厚度較薄，從而容易出現(xiàn)絕緣層被擊穿，使得源極51和漏極52與柵極12導(dǎo)通的問題，而本發(fā)明會在后續(xù)制程中形成一層間介電層40，以避免上述問題的發(fā)生。

步驟7、如圖10與圖11所示，去除所述第一光阻段311與第二光阻段312，在所述有源層20與柵極絕緣層13上形成層間介電層40；

對所述層間介電層40進(jìn)行圖形化處理，在所述層間介電層40上分別形成對應(yīng)于所述第一硼離子摻雜多晶硅段221上方的源極接觸孔41與對應(yīng)于所述第二硼離子摻雜多晶硅段222上方的漏極接觸孔42。

具體的，所述步驟7中，采用光阻剝離工藝?yán)霉庾鑴冸x液去除所述第一光阻段311與第二光阻段312。

具體的，所述層間介電層40為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層交疊設(shè)置形成的多層復(fù)合層。

步驟8、如圖12所示，在所述層間介電層40上形成源極51與漏極52，所述源極51經(jīng)由所述源極接觸孔41與所述第一硼離子摻雜多晶硅段221相接觸，所述漏極52經(jīng)由所述漏極接觸孔42與所述第二硼離子摻雜多晶硅段222相接觸。

具體的，通過設(shè)置所述層間介電層40，可防止所述源極51和漏極52與所述未摻雜多晶硅層21的側(cè)壁相接觸，避免漏電發(fā)生；另外，所述層間介電層40的引入增加了所述源極51和漏極52與所述柵極12之間的絕緣層的厚度，避免了因?yàn)樗鲈礃O51和漏極52與所述柵極12之間的絕緣層的厚度較薄導(dǎo)致的絕緣層被擊穿的問題。

具體的，所述步驟8中，所述源極51與漏極52的制備方法為：在所述層間介電層40上沉積一金屬層，對所述金屬層進(jìn)行圖形化處理后，得到源極51與漏極52。

具體的，所述源極51與漏極52的材料分別包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)中的一種或多種。

步驟9、如圖13所示，在所述源極51、漏極52、及層間介電層40上沉積鈍化層60；

對所述鈍化層60進(jìn)行圖形化處理，在所述鈍化層60上形成對應(yīng)于所述漏極52上方的過孔61。

進(jìn)一步的，所述步驟9還可以包括在所述鈍化層60上形成像素電極80的步驟，所述像素電極80經(jīng)由所述過孔61與所述漏極52實(shí)現(xiàn)電性連接。

具體的，所述鈍化層60為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層交疊設(shè)置形成的多層復(fù)合層。

上述底柵型多晶硅TFT基板的制作方法，通過在有源層20與柵極絕緣層13上沉積層間介電層40，并在所述層間介電層40上形成源極接觸孔41與漏極接觸孔42，之后在所述層間介電層40上形成源極51與漏極52，所述源極51和漏極52分別經(jīng)由所述源極接觸孔41和漏極接觸孔42與所述有源層20相接觸。本發(fā)明通過設(shè)置所述層間介電層40，可防止所述源極51和漏極52與所述有源層20中的未摻雜多晶硅層21的側(cè)壁相接觸，避免漏電發(fā)生；另外，所述層間介電層40的引入增加了所述源極51和漏極52與柵極12之間的絕緣層的厚度，避免了因?yàn)樗鲈礃O51和漏極52與柵極12之間的絕緣層的厚度較薄導(dǎo)致的絕緣層被擊穿的問題。

請參閱圖13，基于上述底柵型多晶硅TFT基板的制作方法，本發(fā)明還提供一種底柵型多晶硅TFT基板，包括：襯底基板10、設(shè)于所述襯底基板10上的緩沖層11、設(shè)于所述緩沖層11上的柵極12、設(shè)于所述柵極12與緩沖層11上的柵極絕緣層13、設(shè)于所述柵極絕緣層13上且對應(yīng)于所述柵極12上方的有源層20、設(shè)于所述有源層20與柵極絕緣層13上的層間介電層40、設(shè)于所述層間介電層40上的源極51與漏極52、設(shè)于所述源極51、漏極52、及層間介電層40上的鈍化層60、及設(shè)于所述鈍化層60上且對應(yīng)于所述漏極52上方的過孔61；

所述有源層20包括未摻雜多晶硅層21與設(shè)于所述未摻雜多晶硅層21上且間隔設(shè)置的第一硼離子摻雜多晶硅段221與第二硼離子摻雜多晶硅段222；

所述層間介電層40上設(shè)有對應(yīng)于所述第一硼離子摻雜多晶硅段221上方的源極接觸孔41與對應(yīng)于所述第二硼離子摻雜多晶硅段222上方的漏極接觸孔42；

所述源極51經(jīng)由所述源極接觸孔41與所述第一硼離子摻雜多晶硅段221相接觸，所述漏極52經(jīng)由所述漏極接觸孔42與所述第二硼離子摻雜多晶硅段222相接觸。

進(jìn)一步的，所述底柵型多晶硅TFT基板還可以包括設(shè)于所述鈍化層60上的像素電極80，所述像素電極80經(jīng)由所述過孔61與所述漏極52實(shí)現(xiàn)電性連接。

具體的，所述第一硼離子摻雜多晶硅段221與第二硼離子摻雜多晶硅段222分別構(gòu)成所述有源層20的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)。

具體的，所述襯底基板10為玻璃基板。

具體的，所述緩沖層11、柵極絕緣層13、層間介電層40、及鈍化層60分別為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層交疊設(shè)置形成的多層復(fù)合層。

具體的，所述柵極12、源極51、及漏極52的材料分別包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)中的一種或多種。

上述底柵型多晶硅TFT基板，通過設(shè)置層間介電層40，可防止源極51和漏極52與未摻雜多晶硅層21的側(cè)壁相接觸，避免漏電發(fā)生；另外，所述層間介電層40的引入增加了所述源極51和漏極52與柵極12之間的絕緣層的厚度，避免了因?yàn)樗鲈礃O51和漏極52與柵極12之間的絕緣層的厚度較薄導(dǎo)致的絕緣層被擊穿的問題。

綜上所述，本發(fā)明提供一種底柵型多晶硅TFT基板及其制作方法。本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板的制作方法，通過在有源層與柵極絕緣層上沉積層間介電層，并在所述層間介電層上形成源極接觸孔與漏極接觸孔，之后在所述層間介電層上形成源極與漏極，所述源極和漏極分別經(jīng)由所述源極接觸孔和漏極接觸孔與所述有源層相接觸。本發(fā)明通過設(shè)置所述層間介電層，可防止所述源極和漏極與所述有源層中的未摻雜多晶硅層的側(cè)壁相接觸，避免漏電發(fā)生；另外，所述層間介電層的引入增加了所述源極和漏極與柵極之間的絕緣層的厚度，避免了因?yàn)樗鲈礃O和漏極與柵極之間的絕緣層的厚度較薄導(dǎo)致絕緣層被擊穿的問題。本發(fā)明的底柵型多晶硅TFT基板，TFT器件的穩(wěn)定性強(qiáng)，具有較好的電學(xué)性能。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。