本發(fā)明涉及半導體領域，尤其涉及一種LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的制造方法及基板。

背景技術：

在傳統(tǒng)的半導體顯示器產(chǎn)品發(fā)展到今天，在高密度領域我們已經(jīng)習慣性定義為像素間距小于1.0mm的顯示器。然而傳統(tǒng)的LED顯示技術在高密度領域已經(jīng)出現(xiàn)瓶頸。

因為受制于LED光源的傳統(tǒng)結(jié)構，同時受制于后集成加工的模組所涉及的材料結(jié)構，譬如傳統(tǒng)的恒流源封裝的驅(qū)動容量和結(jié)構，傳統(tǒng)的FR4PCB板松散的材質(zhì)帶來的集成成品的熱不穩(wěn)定性問題，以及平整度強度問題，以及為安裝拼接為大屏幕所需要的注塑面罩和塑殼等，都嚴重限制著LED顯示技術在高密度領域的突破和應用。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術的缺陷，提供一種LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的制造方法及基板，制造成本低，而且制造方法簡便易行。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的制造方法，所述方法包括：

在藍寶石基板的一側(cè)表面進行圖形化開槽，形成多個等間距的凹槽；

在所述多個凹槽中的第(3m-2)個凹槽和第(3m-1)個凹槽間制作待填充槽；m為自然數(shù)；

在所述待填充槽中定量填入硅酸鹽焊料，并在高溫爐設備中加熱至熔融；

在二次熔融后，在所述填充槽內(nèi)植入紅光磊晶襯底方片，并且所述紅光磊晶襯底方片與所述藍寶石基板的一側(cè)表面處于同一平面；

按照所述硅酸鹽焊料的溫度曲線進行退火；

在所述凹槽內(nèi)淀積SiO₂，形成隔離層；

對所述一側(cè)表面進行碾磨拋光，即得到所述磊晶復合藍寶石基板。

優(yōu)選的，所述在所述填充槽內(nèi)植入紅光磊晶襯底方片之前，所述方法還包括：

制備所述紅光磊晶襯底方片。

優(yōu)選的，所述制備所述紅光磊晶襯底方片具體包括：

將紅光磊晶圓片進行減??；

對減薄后的紅光磊晶圓片進行切割劃片，得到所述紅光磊晶襯底方片。

優(yōu)選的，所述減薄厚度為50um。

優(yōu)選的，所述紅光磊晶襯底方片具有定位標記；所述在所述填充槽內(nèi)植入紅光磊晶襯底方片具體為：

根據(jù)所述定位標記，對所述紅光磊晶襯底方片和所述填充槽進行對位對準，并將所述紅光磊晶襯底方片植入所述填充槽中。

優(yōu)選的，所述紅光磊晶襯底方片為GaAs襯片。

第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種根據(jù)上述第一方面所述的方法制備得到的磊晶復合藍寶石基板。

優(yōu)選的，所述磊晶復合藍寶石基板用于LED顯示模組。

本發(fā)明實施例提供的LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的制造方法，制造方法簡便易行，成本低廉。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的制造方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的制造過程示意圖之一；

圖3為本發(fā)明實施例提供的制造過程示意圖之二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的制造過程示意圖之三；

圖5為本發(fā)明實施例提供的制造過程示意圖之四；

圖6為本發(fā)明實施例提供的制造過程示意圖之五；

圖7為本發(fā)明實施例提供的LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的示意圖。

具體實施方式

下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。

本發(fā)明的LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的制造方法及基板，主要用于3D LED顯示屏、超小間距3D LED顯示屏、超高密度3D LED顯示屏、3D LED電視、3D LED視頻墻、3D LED指示、3D LED特殊照明等領域的顯示面板的基板制造。

圖1為本發(fā)明實施例提供的用于微米LED顯示模組的3D LED晶片的制造方法流程圖，圖2-圖6為制備過程示意圖，下面如圖1并結(jié)合圖2-圖7所示進行說明，涉及步驟包括：

步驟110，在藍寶石基板1的一側(cè)表面進行圖形化開槽，形成多個等間距的凹槽2；

具體的，在對藍寶石基板1進行圖形化開槽之前，首先要對藍寶石基板1進行表面預處理，通過碾磨、清洗、干燥的過程獲得平整的待處理表面。

圖形化開槽時，開槽寬度可以根據(jù)實際需要確定。開槽后的多個凹槽2之間間距相等。具體如圖2所示。

步驟120，在多個凹槽中的第(3m-2)個凹槽和第(3m-1)個凹槽間制作待填充槽；

具體的，在每相鄰3個凹槽2中的其中兩個凹槽2間制作待填充槽3。任兩個待填充槽3之間間隔一個完整的凹槽2。在上述表達式中m為自然數(shù)。

待填充槽3的深度大于凹槽2的深度，且待填充槽3的兩端側(cè)壁分別處于一個凹槽2的中間。具體如圖3所示。

步驟130，在待填充槽中定量填入硅酸鹽焊料，并在高溫爐設備中加熱至熔融；

其中硅酸鹽(Soldering Glass,SG)焊料4填充在待填充槽的底部，定量以滿足后續(xù)紅光磊晶襯底方片黏結(jié)需要為準。具體如圖4所示。

加熱熔融過程優(yōu)選為熔融兩次。

步驟140，在二次熔融后，在填充槽內(nèi)植入紅光磊晶襯底方片，并且紅光磊晶襯底方片與藍寶石基板的一側(cè)表面處于同一平面；

當然，在填充槽內(nèi)植入紅光磊晶襯底方片5之前，需要預先制備紅光磊晶襯底方片。

紅光磊晶襯底方片5可以由紅光磊晶圓片進行減薄得到。將減薄后的紅光磊晶圓片進行切割劃片，優(yōu)選的減薄厚度為50um，即得到紅光磊晶襯底方片5。具體的，紅光磊晶襯底方片5為GaAs材料的襯片。

制備得到的紅光磊晶襯底方片5具有定位標記。因此在植入時，根據(jù)定位標記對紅光磊晶襯底方片5和待填充槽3進行對位對準，將紅光磊晶襯底方片5植入待填充槽3中。如圖5所示。

步驟150，按照硅酸鹽焊料的溫度曲線進行退火；

具體可以在退火爐中進行工藝。

步驟160，在凹槽內(nèi)淀積SiO₂，形成隔離層；

具體的，如圖6所示。在沉積SiO₂隔離保護層6后，SiO₂隔離保護層6的表面會因為沉積工藝而突出于基板表面所在平面。

步驟170，對一側(cè)表面進行碾磨拋光，即得到磊晶復合藍寶石基板。

具體的，碾磨拋光后基板上嵌入紅光磊晶襯底方片5的一面呈平面。在清洗、干燥、測試后，即可待用于后續(xù)制備LED顯示模組使用。

所得到的磊晶復合藍寶石基板如圖7所示。

本發(fā)明實施例提供的LED顯示模組的磊晶復合藍寶石基板的制造方法，制造方法簡便易行，成本低廉，能夠用于LED顯示模組，尤其適用于高密度LED顯示領域，能夠滿足高密度、小像素間距對于顯示模組基板的需求。

專業(yè)人員應該還可以進一步意識到，結(jié)合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計算機軟件或者二者的結(jié)合來實現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術方案的特定應用和設計約束條件。專業(yè)技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法來實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)不應認為超出本發(fā)明的范圍。

結(jié)合本文中所公開的實施例描述的方法或算法的步驟可以用硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結(jié)合來實施。軟件模塊可以置于隨機存儲器(RAM)、內(nèi)存、只讀存儲器(ROM)、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、寄存器、硬盤、可移動磁盤、CD-ROM、或技術領域內(nèi)所公知的任意其它形式的存儲介質(zhì)中。

以上所述的具體實施方式，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。