1.一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，包括半導體光放大器芯片（1）、體布拉格光柵（4），所述半導體光放大器芯片（1）、體布拉格光柵（4）形成諧振腔，其中，所述體布拉格光柵（4）作為窄線寬半導體激光器的外腔選頻元件，所述半導體光放大器芯片（1）提供增益，且所述體布拉格光柵（4）為高衍射效率、窄帶寬的布拉格光柵以使激光器輸出窄線寬激光。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，還包括用于補償溫度變化導致諧振腔長偏移的相位補償片（3），所述相位補償片（3）位于半導體光放大器芯片（1）與體布拉格光柵（4）光路之間。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述半導體光放大器芯片（1）后端面鍍有高反膜作為激光器諧振腔的后腔鏡，所述半導體光放大器芯片（1）前端面鍍有增透膜，所述體布拉格光柵（4）作為激光器諧振腔的前腔鏡，所述半導體光放大器芯片（1）前端面輸出光信號經(jīng)過相位補償片（3）后進入體布拉格光柵（4），一部分衍射光經(jīng)濾波后反射回半導體光放大器芯片（1）形成激光諧振，另一部分光作為激光輸出。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，還包括輸出準直透鏡（2）、光隔離器（5），所述半導體光放大器芯片（1）、輸出準直透鏡（2）、相位補償片（3）、體布拉格光柵（4）、光隔離器（5）依次排列，所述半導體光放大器芯片（1）前端面輸出光信號經(jīng)過輸出準直透鏡（2）準直以及相位補償片（3）后，進入體布拉格光柵（4），一部分衍射光經(jīng)濾波后反射回半導體光放大器芯片（1）形成激光諧振，另一部分光通過光隔離器（5）作為激光輸出。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述體布拉格光柵（4）的衍射效率不低于50%，帶寬不高于0.1nm。
6.根據(jù)權利要求2所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述體布拉格光柵（4）作為激光器諧振腔的后腔鏡，所述半導體光放大器芯片（1）后端面鍍有增透膜，所述半導體光放大器芯片（1）前端面鍍有部分反射膜作為激光器諧振腔的前腔鏡，所述體布拉格光柵（4）的衍射光經(jīng)相位補償片（3）后進入所述半導體光放大器芯片（1），經(jīng)所述半導體光放大器芯片（1）前端面將一部分光反射回體布拉格光柵（4），另一部分光從所述半導體光放大器芯片（1）前端面輸出。
7.根據(jù)權利要求6所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，還包括輸出準直透鏡（2）、光隔離器（5）及外腔準直器透鏡（6），所述體布拉格光柵（4）、相位補償片（3）、外腔準直器透鏡（6）、半導體光放大器芯片（1）、輸出準直透鏡（2）、光隔離器（5）依次排列，其中，所述體布拉格光柵（4）、相位補償片（3）、外腔準直器透鏡（6）、半導體光放大器芯片（1）構成外腔部分，所述輸出準直透鏡（2）、光隔離器（5）構成耦合輸出部分，所述體布拉格光柵（4）的衍射光經(jīng)相位補償片（3）、外腔準直器透鏡（6）后進入所述半導體光放大器芯片（1），經(jīng)所述半導體光放大器芯片（1）前端面將一部分光反射回體布拉格光柵（4），另一部分光從所述半導體光放大器芯片（1）前端面出射后經(jīng)過輸出準直透鏡（2）、光隔離器（5）輸出激光。
8.根據(jù)權利要求7所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述體布拉格光柵（4）的衍射效率不低于95%，帶寬不高于0.1nm。
9.根據(jù)權利要求2所述的一種基于體布拉格光柵的窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述相位補償片（3）是正溫度系數(shù)或者負溫度系數(shù)的透光材料；
如果激光諧振腔是隨環(huán)境溫度的升高而縮短，則選用正溫度系數(shù)的相位補償片（3），如果激光諧振腔隨環(huán)境溫度的升高而增長，則選用負溫度系數(shù)的相位補償片（3）。