技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅穿孔的制備方法，包括：于經(jīng)過圖形化工藝的復(fù)合結(jié)構(gòu)的上表面制備包括一通孔的具有低介電系數(shù)的一介質(zhì)層；采用一第一溫度電鍍形成具有一第一厚度的一金屬層以填充通孔并且覆蓋介質(zhì)層的上表面；部分去除金屬層，使得金屬層具有小于第一厚度的一第二厚度；采用高于第一溫度的第二溫度對金屬層進(jìn)行熱退火工藝，使得金屬層中的晶粒受熱穩(wěn)定；部分去除熱退火后的金屬層，以將介質(zhì)層的上表面以及通孔內(nèi)的金屬層的上表面暴露；采用第二溫度于暴露出的介質(zhì)層以及金屬層的上表面沉積一保護(hù)層，所形成的硅穿孔能夠在介質(zhì)層的通孔中形成穩(wěn)定的金屬層，從而避免在保護(hù)層表面形成凸起，以形成性能更為優(yōu)良的硅穿孔。

技術(shù)研發(fā)人員：黃攀;占瓊;程亞杰;張玉靜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號碼：201611085114
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.03.22