本發(fā)明涉及蓄電池領(lǐng)域，特別是涉及一種鉛酸膠體蓄電池電解質(zhì)。
背景技術(shù)：
鉛酸蓄電池以其經(jīng)濟(jì)性在動(dòng)力、通訊、電力等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是膠體鉛酸蓄電池在結(jié)構(gòu)上能夠做到密封，在充放電時(shí)沒有酸霧的發(fā)生，使用也更加方便。鉛酸膠體蓄電池的電解質(zhì)呈膠體狀態(tài)，是一種性能更為優(yōu)異的富液式密封蓄電池，是影響膠體蓄電池容量和循環(huán)壽命的關(guān)鍵因素。目前，膠體鉛酸蓄電池的電解液主要是由一定量的硅溶膠或氣相 SiO2分散在硫酸中形成的膠體。前者制備的電解質(zhì)存在穩(wěn)定性差、觸變性不佳、易水化、易龜裂等缺點(diǎn)；后者成本較高，電解液的性能很大程度上取決于氣相 SiO2的利用程度，而且用這種膠體灌注的蓄電池易出現(xiàn)電池容量低、內(nèi)阻大、膠體易水化等問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種鉛酸膠體蓄電池電解質(zhì)，能夠解決現(xiàn)有鉛酸膠體蓄電池存在的上述缺點(diǎn)。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種鉛酸膠體蓄電池電解質(zhì)，包括如下重量百分比的組分：氣相法二氧化硅10～20%、混合硫酸鹽1～1.5%、磷酸2～5%、高分子穩(wěn)定劑1～3%、超細(xì)玻璃纖維1～2%、碳納米管0.5～1.5%、濃硫酸溶液20～35%，余量為去離子水。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述混合硫酸鹽包括硫酸鈷、硫酸釤和硫酸亞錫。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述硫酸鈷、硫酸釤和硫酸亞錫的質(zhì)量比為1：1.5～2：1.5～2。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述高分子穩(wěn)定劑包括聚乙烯純、聚丙烯酰胺和聚丙烯酸鉀。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述聚乙烯純、聚丙烯酰胺和聚丙烯酸鉀的質(zhì)量比為2～3：1：1～2。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述濃硫酸的質(zhì)量濃度為40～55%。
本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明一種鉛酸膠體蓄電池電解質(zhì)，通過合理的原料選擇和配方設(shè)計(jì)，使得電解質(zhì)具有電池容量大、內(nèi)阻小、不析水、不漏酸等優(yōu)點(diǎn)，使用安全，有效提高了鉛酸膠體蓄電池的使用壽命和使用安全性能。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
本發(fā)明實(shí)施例包括：
實(shí)施例1
一種鉛酸膠體蓄電池電解質(zhì)，包括如下重量百分比的組分：氣相法二氧化硅10%、混合硫酸鹽1%、磷酸2%、高分子穩(wěn)定劑1%、超細(xì)玻璃纖維1%、碳納米管0.5%、質(zhì)量濃度40～55%的濃硫酸溶液20%，余量為去離子水。
其中，所述混合硫酸鹽包括質(zhì)量比為1：1.5：1.5的硫酸鈷、硫酸釤和硫酸亞錫；所述高分子穩(wěn)定劑包括質(zhì)量比為2：1：1的聚乙烯純、聚丙烯酰胺和聚丙烯酸鉀。
實(shí)施例2
一種鉛酸膠體蓄電池電解質(zhì)，包括如下重量百分比的組分：氣相法二氧化硅20%、混合硫酸鹽1.5%、磷酸5%、高分子穩(wěn)定劑3%、超細(xì)玻璃纖維2%、碳納米管1.5%、質(zhì)量濃度40～55%的濃硫酸溶液35%，余量為去離子水。
其中，所述混合硫酸鹽包括質(zhì)量比為1：2：2的硫酸鈷、硫酸釤和硫酸亞錫；所述高分子穩(wěn)定劑包括質(zhì)量比為3：1：2的聚乙烯純、聚丙烯酰胺和聚丙烯酸鉀。
上述電解質(zhì)的凝膠時(shí)間短，0.5～1h，凝結(jié)后的質(zhì)量好，表面均勻，有彈性，無液體析出。
由上述電解質(zhì)制備的蓄電池，具有使用安全，自放電小、耐深放電性能優(yōu)良、循環(huán)使用壽命長、內(nèi)阻小、可靠性能突出等優(yōu)點(diǎn)，且使用過程中無滲漏酸霧、酸液現(xiàn)象，使用安全環(huán)保。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。