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有機半導(dǎo)體器件的封裝方法與流程

文檔序號:12066198閱讀:338來源:國知局
有機半導(dǎo)體器件的封裝方法與流程

本發(fā)明屬于器件封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體地講,涉及一種有機半導(dǎo)體器件的封裝方法。



背景技術(shù):

近年來,有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)成為國內(nèi)外非常熱門的新興平面顯示器產(chǎn)品,這是因為OLED顯示器具有自發(fā)光、廣視角(達175°以上)、短反應(yīng)時間(1μs)、高發(fā)光效率、廣色域、低工作電壓(3~10V)、薄厚度(可小于1mm)、可制作大尺寸與可撓曲的面板及制程簡單等特性,而且它還具有低成本的潛力。

針對柔性O(shè)LED顯示器,目前制約其發(fā)展的一大瓶頸就在柔性O(shè)LED顯示器的封裝上。眾所周知,制作OELD的材料對水分和氧氣十分敏感,如果不能有效的阻隔外界的水分和氧氣對制作OELD的材料的傷害,就無法實現(xiàn)長壽命的OLED器件。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠有效阻隔外界的水分和氧氣的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法。

根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種有機半導(dǎo)體器件的封裝方法,其包括步驟:在柔性襯底上制作形成有機半導(dǎo)體器件;在柔性襯底上制作形成分別位于有機半導(dǎo)體器件兩側(cè)且與有機半導(dǎo)體器件保持預(yù)定間隔的光阻塊;在光阻塊、有機半導(dǎo)體器件及柔性襯底上沉積無機層;將光阻塊及其上的無機層去除;在有機半導(dǎo)體器件和柔性襯底上的無機層上沉積有機層。

可選地,所述封裝方法還包括步驟:在有機層上交替制作無機層和有機層;在最后一層有機層上沉積無機層。

可選地,制作所述光阻塊的方法包括步驟:在柔性襯底和有機半導(dǎo)體器件上涂布一層光阻層;利用預(yù)定的光照掩膜版對光阻層進行曝光;其中所述光罩掩膜版包括遮光部及分別位于所述遮光部兩側(cè)的透光部,所述遮光部與所述有機半導(dǎo)體器件相對,所述遮光部的兩側(cè)分別超出所述有機半導(dǎo)體器件的兩側(cè);對經(jīng)曝光后的光阻層進行顯影,以將與所述遮光部相對的光阻層去除,從而形成所述光阻塊。

可選地,利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、脈沖激光沉積法或者濺射沉積法沉積所述無機層。

可選地,所述無機層包含Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一種。

可選地,利用噴墨印刷成型法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法或者夾縫式擠壓型涂布法制作所述有機層。

可選地,所述有機層包含丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂和聚苯乙烯中的至少一種。

可選地,將光阻塊及其上的無機層去除的具體方法為:利用有機溶劑浸泡預(yù)定時間,以使光阻塊從柔性襯底上脫離。

本發(fā)明的有益效果:在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法中,形成了無機/有機結(jié)構(gòu)的柔性O(shè)LED薄膜封裝結(jié)構(gòu),這種封裝結(jié)構(gòu)不但將傳統(tǒng)薄膜封裝工藝中無機層沉積需要使用的沉積光罩省去,還有效地提高了OLED器件的水分和氧氣的阻隔性,從而延長OLED器件的壽命。

附圖說明

通過結(jié)合附圖進行的以下描述,本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚,附圖中:

圖1A至圖1G是根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖;

圖2A至圖2C是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖。

具體實施方式

以下,將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而,可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明,并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反,提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用,從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

在附圖中,為了清楚器件,夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標號在整個說明書和附圖中表示相同的元器件。

圖1A至圖1G是根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖。

參照圖1A,在柔性襯底110上制作形成有機半導(dǎo)體器件120。這里,柔性襯底110可以采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等柔性材料制成。有機半導(dǎo)體器件120可例如是OLED器件,但本發(fā)明并不限制于此。

參照圖1B,在柔性襯底110和有機半導(dǎo)體器件120上涂布一層光阻層130。具體地,利用勻膠機旋涂儀(spin-coater)在柔性襯底110和有機半導(dǎo)體器件120上涂覆一層含氟的聚合物光阻,在溫度為80℃下干燥10min,以形成光阻層130。

參照圖1C,利用預(yù)定的光照掩膜版200對光阻層130進行曝光。這里,光照掩膜版200包括遮光部210及分別位于遮光部210兩側(cè)的透光部220,其中該遮光部210與有機半導(dǎo)體器件120相對,并且遮光部210的兩側(cè)分別超出有機半導(dǎo)體器件120的兩側(cè)。也就是說,有機半導(dǎo)體器件120在遮光部210中的投影完全位于遮光部210以內(nèi)。

參照圖1D,對經(jīng)曝光后的光阻層130進行顯影,以將與遮光部210相對的光阻層130去除,從而形成光阻塊130a。

通過以上圖1B至圖1D的方法步驟,完成了在柔性襯底110上制作形成分別位于有機半導(dǎo)體器件120兩側(cè)且與有機半導(dǎo)體器件120保持預(yù)定間隔的光阻塊130a。

參照圖1E,在光阻塊130a、有機半導(dǎo)體器件120及柔性襯底110上沉積無機層140。具體地,利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、脈沖激光沉積法(PLD)或者濺射沉積法(Sputter)沉積一層覆蓋在光阻塊130a、有機半導(dǎo)體器件120及柔性襯底110上的無機層140。在本實施例中,無機層140可以采用Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一種制成,但本發(fā)明并不限制于此,例如無機層140還可以利用其它具有高防水分和氧氣效果的無機材料制成。

參照圖1F,將光阻塊130a及其上的無機層140去除。具體地,在有機溶劑中侵泡1~30min,這時光阻塊130a會從柔性襯底110上脫離,而其他部件(諸如有機半導(dǎo)體器件120及其上的無機層140、柔性襯底110上的無機層140等)會保留,從而將光阻塊130a及其上的無機層140去除。

參照圖1G,在有機半導(dǎo)體器件120上的無機層140上沉積有機層150。具體地,利用噴墨印刷成型法(IJP)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)或者夾縫式擠壓型涂布法(Slot Coating)制作有機層150。在本實施例中,有機層150可以采用丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂和聚苯乙烯中的至少一種制作,但本發(fā)明并不限制于此,例如有機層150還可以采用具有緩沖器件在彎曲、折疊時的應(yīng)力以及避免顆粒污染物覆蓋的有機材料制成。

綜上所述,根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法,其形成無機/有機結(jié)構(gòu)的柔性O(shè)LED薄膜封裝結(jié)構(gòu),這種封裝結(jié)構(gòu)不但將傳統(tǒng)薄膜封裝工藝中無機層沉積需要使用的沉積光罩省去,還有效地提高了OLED器件的水分和氧氣的阻隔性,從而延長OLED器件的壽命。

圖2A至圖2C是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖。

在進行完圖1A至圖1G所示的有機半導(dǎo)體器件的封裝方法之后,還包括圖2A至圖2C的封裝方法。

參照圖2A,在有機層150上沉積無機層140a。具體地,利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、脈沖激光沉積法(PLD)或者濺射沉積法(Sputter)沉積一層覆蓋在有機層150上的無機層140a。在本實施例中,無機層140a可以采用Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一種制成,但本發(fā)明并不限制于此,例如無機層140a還可以利用其它具有高防水分和氧氣效果的無機材料制成。

參照圖2B,在無機層140a上沉積有機層150a。具體地,利用噴墨印刷成型法(IJP)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)或者夾縫式擠壓型涂布法(Slot Coating)制作有機層150a。在本實施例中,有機層150a可以采用丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂和聚苯乙烯中的至少一種制作,但本發(fā)明并不限制于此,例如有機層150a還可以采用具有緩沖器件在彎曲、折疊時的應(yīng)力以及避免顆粒污染物覆蓋的有機材料制成。

參照圖2C,在有機層150a上沉積無機層140b。具體地,利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、脈沖激光沉積法(PLD)或者濺射沉積法(Sputter)沉積一層覆蓋在有機層150a上的無機層140b。在本實施例中,無機層140b可以采用Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一種制成,但本發(fā)明并不限制于此,例如無機層140b還可以利用其它具有高防水分和氧氣效果的無機材料制成。

需要說明的是,在進行圖2C所示的步驟之前,可以根據(jù)實際需求重復(fù)圖2A和圖2B所示的步驟,從而在有機層150上交替制作無機層和有機層。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可在此進行形式和細節(jié)上的各種變化。

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