本發(fā)明屬于一種DFN封裝的制造，適用于雙向ESD防護(hù)二極管芯片的DFN封裝。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體電路集成度不斷提高，ESD防護(hù)二極管的封裝尺寸也隨之變小，從原來(lái)的SOD523、SOD723到SOD923，再到DFN1006、DFN0603、 DFN0201，乃至將來(lái)的CSP封裝，封裝尺寸不斷在縮小，但是對(duì)ESD防護(hù)二極管的性能要求卻越來(lái)越高，抗浪涌能力，低電容，低電壓等等參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)不斷提升，怎么樣在更小的芯片上實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能逐漸成為難題，由于最開(kāi)始的ESD防護(hù)二極管是用在SOD523，SOD723封裝上的，發(fā)展到后來(lái)，DFN封裝仍然延續(xù)了SOD封裝的工藝，即背面銀膠連接，正面打金屬線連接，目的是不改變最開(kāi)始芯片的設(shè)計(jì)。隨著封裝尺寸變的越來(lái)越小，當(dāng)?shù)竭_(dá)DFN0603封裝時(shí)，打線工藝已經(jīng)占去了1/4的封裝體高度空間，產(chǎn)生很多工藝上的難題，芯片厚度需要做到小于100微米，芯片尺寸也要做到小于200微米×200微米，芯片的成品率下降，封裝的成品率同時(shí)也在下降，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，兩個(gè)芯片電極可以都是從正面引出，兩個(gè)電極都通過(guò)銀膠和框架連接，拋棄了正面打線工藝，芯片厚度只需做到200微米，而且省去了背面金屬化，此結(jié)構(gòu)提升了芯片成品率，提升了封裝成品率，減少了芯片制造工藝，最重要的是芯片尺寸可以是原來(lái)的1.5-2倍，為超低電容產(chǎn)品、更強(qiáng)抗浪涌能力產(chǎn)品提供更大的芯片設(shè)計(jì)空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

1、一種雙向ESD防護(hù)二極管的DFN封裝結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)包括：DFN框架上（105）連接銀膠（104），銀膠連接芯片電極（103），兩個(gè)芯片電極都是從芯片（102）正面引出，芯片厚度小于200微米。

2、一種雙向ESD防護(hù)二極管的DFN封裝的制造方法，其方法包括：

A、將晶圓芯片通過(guò)劃片切割成單個(gè)芯片，然后通過(guò)倒片使芯片正面與藍(lán)膜粘接；

B、使用點(diǎn)膠機(jī)和固晶機(jī)，將芯片與框架通過(guò)銀膠連接，然后固化銀膠；

C、使用塑封機(jī)將載有芯片的框架塑封；

D、將塑封后裸露在外部的框架表面通過(guò)電鍍，鍍上銀或者金；

E、將整個(gè)電鍍好的塑封模塊切割成單個(gè)的DFN封裝體。

附圖說(shuō)明

圖1是雙向ESD防護(hù)二極管的DFN封裝的截面圖。

編號(hào)說(shuō)明

101：DFN封裝體；

102：雙向ESD防護(hù)二極管芯片，厚度小于200微米；

103：芯片電極，金屬，一般情況下是鋁或者銀，不局限于鋁和銀；

104：銀膠，導(dǎo)電的膠狀物，內(nèi)含有銀粉成分，高溫固化；

105：框架，金屬，一般情況下是銅，不局限于銅。

具體實(shí)施方式

1．芯片劃片及倒片，芯片背面貼藍(lán)膜，用劃片機(jī)將整個(gè)的晶圓芯片，切割成單個(gè)芯片，切割完成后，用倒片機(jī)，將藍(lán)膜上的芯片倒到另外一張藍(lán)膜上，此時(shí)芯片的正面與藍(lán)膜接觸。

2．芯片與框架連接，用點(diǎn)膠機(jī)將銀膠點(diǎn)到框架上，固晶機(jī)將單個(gè)芯片從藍(lán)膜上取下，放在銀膠上，芯片電極和銀膠連接，進(jìn)入固化爐固化。

3．塑封，將載有芯片的框架，放入塑封機(jī)進(jìn)行塑封。

4．電鍍，將漏在外部的框架電鍍，一般鍍銀或者金。

5．塑封切割，將整個(gè)塑封模塊切割成單個(gè)的DFN封裝體。

6．測(cè)試包裝。

通過(guò)上述實(shí)施例闡述了本發(fā)明，同時(shí)也可以采用其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明不局限于上述具體實(shí)施例，因此本發(fā)明由所附權(quán)利要求范圍限定。