本發(fā)明涉及多芯片模塊封裝技術(shù)，特別是關(guān)于一種半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

隨著對(duì)功率半導(dǎo)體和功率模塊的節(jié)能要求，封裝在產(chǎn)品的整體性能中起著重要的作用。傳統(tǒng)的引線鍵合的方法被廣泛應(yīng)用于各種封裝。目前，引線鍵合技術(shù)成熟，成本低，可適用于多種封裝。但是，在功率半導(dǎo)體和功率模塊封裝中若采用引線鍵合方法，則需要較多的引線來連接源極以降低導(dǎo)通電阻R_DS(ON)或增加功率密度，這種方式一方面仍然無法顯著降低整個(gè)封裝產(chǎn)品的R_DS(ON，另一方面多條引線會(huì)增加電感，同時(shí)影響生產(chǎn)效率及增加材料成本(Au絲)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)，以提高導(dǎo)電性能，提高散熱能力，降低電感，從而提高整個(gè)封裝體性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)，包括：

襯底，所述襯底上設(shè)置有第一導(dǎo)電焊盤、第二導(dǎo)電焊盤、第三導(dǎo)電焊盤；

第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件，每個(gè)半導(dǎo)體器件具有設(shè)置在其下表面的第一接觸件和設(shè)置在其上表面的第二接觸件；其中所述第一半導(dǎo)體器件的第一接觸件連接至第一導(dǎo)電焊盤，所述第二半導(dǎo)體器件的第二接觸件連接至所述第二導(dǎo)電焊盤；

第一導(dǎo)電元件，所述第一導(dǎo)電元件的下表面連接至所述第一半導(dǎo)體器件的第二接觸件；

第二導(dǎo)電元件，所述第二導(dǎo)電元件的下表面連接至所述第一半導(dǎo)體器件的第二接觸件及所述第二半導(dǎo)體器件的第一接觸件；

其中，所述第一導(dǎo)電元件及第二導(dǎo)電元件中的至少一個(gè)連接至所述第三導(dǎo)電焊盤。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件及第二導(dǎo)電元件的至少之一具有連接器，所述連接器通過導(dǎo)電層連接至所述第三導(dǎo)電焊盤。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件與所述第二導(dǎo)電元件間隔設(shè)置于同一水平面上，通過導(dǎo)電層連接。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件與所述第二導(dǎo)電元件疊放在一起，接觸部分通過導(dǎo)電層連接。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件與所述第二導(dǎo)電元件部分重疊或者全部重疊。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件與所述第二導(dǎo)電元件通過卡鎖部件連接。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件或第二導(dǎo)電元件具有一連接器，所述連接器從所述第一導(dǎo)電元件或第二導(dǎo)電元件的一端向下伸出。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件及第二導(dǎo)電元件分別具有一連接器，所述第一導(dǎo)電元件的連接器從所述第一導(dǎo)電元件的一端向下伸出；所述第二導(dǎo)電元件的連接器從所述第二導(dǎo)電元件的一端向下伸出。

一實(shí)施例中，所述連接器相對(duì)的兩個(gè)端部分別設(shè)有卡固部件，用于卡在所述襯底上。

一實(shí)施例中，所述卡固部件具有兩個(gè)支撐腳。

一實(shí)施例中，所述第一功率半導(dǎo)體器件的第一接觸件通過導(dǎo)電層連接至第一導(dǎo)電焊盤。

一實(shí)施例中，所述第二功率半導(dǎo)體器件的第二接觸件通過導(dǎo)電層連接至所述第二導(dǎo)電焊盤。

一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電元件的下表面通過導(dǎo)電層連接至所述第一半導(dǎo)體器件的第二接觸件。

一實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電元件的下表面分別通過導(dǎo)電層分別連接至所述第一功率半導(dǎo)體器件的第二接觸件及所述第二功率半導(dǎo)體器件的第一接觸件。

一實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層為焊料或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂。

本發(fā)明的半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)中包括導(dǎo)電元件，可以降低電阻值，提高導(dǎo)電性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電元件之間的位置關(guān)系示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電元件之間的位置關(guān)系示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電元件之間的位置關(guān)系示意圖；

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電元件之間的位置關(guān)系示意圖；

圖6至圖11為本發(fā)明實(shí)施例的連接器示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例的連接器的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)包括：襯底40，半導(dǎo)體器件42，半導(dǎo)體器件30，導(dǎo)電元件60及導(dǎo)電元件59等。

半導(dǎo)體器件42及半導(dǎo)體器件30均可以為功率半導(dǎo)體器件(MOSFET)，其中一個(gè)可以為倒裝的功率半導(dǎo)體器件(MOSFET)，本發(fā)明僅以半導(dǎo)體器件為功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行說明，并非用于限定。

襯底40上設(shè)置有導(dǎo)電焊盤50、導(dǎo)電焊盤38及至少一導(dǎo)電焊盤66。

功率半導(dǎo)體器件42的下表面設(shè)置有接觸件46，功率半導(dǎo)體器件42的上表面設(shè)置有接觸件44。功率半導(dǎo)體器件42的接觸件46連接至導(dǎo)電焊盤50。功率半導(dǎo)體器件42的接觸件46及接觸件44可以分別為源極接觸件及漏極接觸件，本發(fā)明僅以功率半導(dǎo)體器件42的接觸件46及接觸件44分別為源極接觸件及漏極接觸件進(jìn)行說明。

功率半導(dǎo)體器件30的上表面設(shè)置有接觸件32，功率半導(dǎo)體器件30的下表面設(shè)置有接觸件36。功率半導(dǎo)體器件的接觸件36連接至導(dǎo)電焊盤38。功率半導(dǎo)體器件30的接觸件32、接觸件36可以分別為源極接觸件及漏極接觸件，本發(fā)明僅以功率半導(dǎo)體器件42的接觸件32、接觸件36分別為源極接觸件及漏極接觸件進(jìn)行說明。

導(dǎo)電元件60的下表面連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44。

導(dǎo)電元件59的下表面連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44及功率半導(dǎo)體器件30的源極接觸件32。

需要說明的是，本發(fā)明要求保護(hù)導(dǎo)電元件60及導(dǎo)電元件59與功率半導(dǎo)體器件42及功率半導(dǎo)體器件30的所有連接方式，即其中一個(gè)導(dǎo)電元件的下表面的任何部位均可連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44，另一個(gè)導(dǎo)電元件的下表面的任何部位均可連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44及功率半導(dǎo)體器件30的源極接觸件32。也可以，一個(gè)導(dǎo)電元件的下表面的任何部位均可連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44及功率半導(dǎo)體器件30的源極接觸件32，另一個(gè)導(dǎo)電元件的下表面的任何部位均可連接至功率半導(dǎo)體器件30的源極接觸件32，不限于圖1所示的連接方式。

圖1所示的實(shí)施例中，襯底40上還可以設(shè)置導(dǎo)電焊盤52，功率半導(dǎo)體器件42的下表面還可以設(shè)置有柵極接觸件48，柵極接觸件48可以通過導(dǎo)電層62連接至導(dǎo)電焊盤52。本發(fā)明中，柵極接觸件48及導(dǎo)電焊盤52均為可選的部件，圖1所示的柵極接觸件48及導(dǎo)電焊盤52僅用于說明本實(shí)施例，并非用于限定本發(fā)明。

其中，導(dǎo)電元件60及導(dǎo)電元件59中的至少一個(gè)連接至導(dǎo)電焊盤66。

具體實(shí)施時(shí)，導(dǎo)電元件60與導(dǎo)電元件59可以相互電連接，也可以不相互電連接。

導(dǎo)電元件60及導(dǎo)電元件59的至少之一具有連接器，連接器通過導(dǎo)電層連接至電焊盤66。

導(dǎo)電元件60與導(dǎo)電元件59的位置關(guān)系有多種，一實(shí)施例中，如圖1及圖2所示，導(dǎo)電元件60與導(dǎo)電元件59間隔設(shè)置于同一水平面上。導(dǎo)電元件60與導(dǎo)電元件59可以通過導(dǎo)電層61電連接，并且導(dǎo)電元件60通過導(dǎo)電層61連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44，導(dǎo)電元件59的下表面通過導(dǎo)電層61連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44，如圖1所示。

一實(shí)施例中，如圖3所示，導(dǎo)電元件60與導(dǎo)電元件59疊放在一起，接觸部分通過導(dǎo)電層67連接。導(dǎo)電元件60與導(dǎo)電元件59可以是部分重疊，(如圖3所示)，也可以是全部重疊。

一實(shí)施例中，導(dǎo)電元件60與導(dǎo)電元件59通過卡鎖部件連接。具體實(shí)施例時(shí)，卡鎖部件包括凸起部及卡合部，如圖4及圖5所示，導(dǎo)電元件59設(shè)置有凸起部82，導(dǎo)電元件60設(shè)置有卡合部80，當(dāng)凸起部82插入卡合部80時(shí)，可以被卡合部80卡鎖住。

本發(fā)明具體實(shí)施時(shí)，可以不設(shè)置連接器，可以設(shè)置1個(gè)連接器，可以設(shè)置2個(gè)連接器，也可以設(shè)置多個(gè)連接器。一實(shí)施例中，導(dǎo)電元件60或?qū)щ娫?9具有一連接器，連接器從導(dǎo)電元件或?qū)щ娫囊欢讼蛳律斐觯鐖D6至圖9所示。連接器可以與導(dǎo)電元件60或?qū)щ娫?9連接，或者與導(dǎo)電元件60或?qū)щ娫?9一體成型。具體實(shí)施時(shí)，如圖1所示，可以在導(dǎo)電元件60的一端設(shè)置連接器64，連接器64通過導(dǎo)電層62連接至導(dǎo)電焊盤66。

一實(shí)施例中，導(dǎo)電元件60及導(dǎo)電元件59分別具有至少一個(gè)連接器，導(dǎo)電元件的每一連接器從導(dǎo)電元件的一端向下伸出；導(dǎo)電元件的每一連接器從導(dǎo)電元件的一端向下伸出，如圖10及圖11所示。

一較佳實(shí)施例中，連接器相對(duì)的兩個(gè)端部分別設(shè)有卡固部件70，卡固部件70可以卡在襯底40上，使導(dǎo)電元件固定。具體實(shí)施例時(shí)，每一卡固部件70可以具有兩個(gè)支撐腳72及74，如圖12所示。

本發(fā)明具體實(shí)施時(shí)，多個(gè)部件之間可以通過導(dǎo)電層連接，具體地，功率半導(dǎo)體器件42的源極接觸件46分別通過導(dǎo)電層62連接至導(dǎo)電焊盤50，功率半導(dǎo)體器件30的漏極接觸件36通過導(dǎo)電層62連接至導(dǎo)電焊盤38，導(dǎo)電元件60的下表面通過導(dǎo)電層62連接至半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44，導(dǎo)電元件59的下表面分別通過導(dǎo)電層62分別連接至功率半導(dǎo)體器件42的漏極接觸件44及功率半導(dǎo)體器件30的源極接觸件32。導(dǎo)電層可以為焊料或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂等材料。

本發(fā)明的半導(dǎo)體多芯片模塊系統(tǒng)中包括導(dǎo)電元件，可以降低電阻值，提高導(dǎo)電性能。

本發(fā)明中應(yīng)用了具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。