技術(shù)領(lǐng)域

一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管基底和一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置使用多個(gè)像素顯示圖像。像素包括連接到薄膜晶體管(TFT)的像素電極以及接收共電壓的共電極。TFT響應(yīng)于柵極信號(hào)而導(dǎo)通。導(dǎo)通的TFT將接收的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)较袼仉姌O。通過被施加數(shù)據(jù)電壓的像素電極與被施加共電壓的共電極形成電場。液晶層被電場驅(qū)動(dòng)從而顯示圖像。

用于使從背光輸出的光被遮擋而不通過液晶顯示裝置的TFT照射到外部的遮光層在薄膜晶體管TFT上。開口率(即，照射了光以顯示圖像的區(qū)域與顯示裝置的總區(qū)域的比率)受遮光層的限制。隨著顯示裝置的分辨率的增大，開口率逐漸減小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

另外的方面將在隨后的描述中部分地被闡述，并且將部分地通過所述描述清楚，或者可通過所提出的實(shí)施例的實(shí)踐而被獲知。

根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，薄膜晶體管基底包括基底和多個(gè)薄膜晶體管，所述多個(gè)薄膜晶體管在基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多個(gè)薄膜晶體管中的每個(gè)包括柵電極、漏電極、源電極和半導(dǎo)體層，柵電極在基底上，漏電極在柵電極上面，并且包括：第一漏極傾斜部分，在第一方向和第二方向之間的方向上延伸；和第二漏極傾斜部分，在與第一方向相反的方向和第二方向之間的方向上從第一漏極傾斜部分的端部延伸，源電極在柵電極上面與漏電極分隔開，并且包括：第一源極傾斜部分，在第一方向和第二方向之間的所述方向上延伸；和第二源極傾斜部分，在與第一方向相反的方向和第二方向之間的方向上從第一源極傾斜部分的端部延伸，半導(dǎo)體層與柵電極至少部分地疊置，并且包括：漏區(qū)，連接到漏電極，源區(qū)，連接到源電極，以及溝道區(qū)，位于漏區(qū)和源區(qū)之間。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極和源電極的平面形狀可以是左尖括號(hào)“<”或右尖括號(hào)“>”。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極的平面形狀可以與在第三方向上觀察的源電極的平面形狀對(duì)應(yīng)。

源電極可以在第一方向上與漏電極分隔開。

漏電極還可以包括在第一方向和第二方向之間的方向上從第二漏極傾斜部分的端部延伸的第三漏極傾斜部分，源電極還可以包括在第一方向和第二方向之間的方向上從第二源極傾斜部分的端部延伸的第三源極傾斜部分。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極和源電極的平面形狀可以是z字形。

在第一漏極傾斜部分、第二漏極傾斜部分、第一源極傾斜部分和第二源極傾斜部分中的每個(gè)傾斜部分可以延伸的方向與第二方向之間的角度可以在大約30°和大約60°之間。

根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，顯示裝置包括：基底；多個(gè)薄膜晶體管，在基底上面沿第一方向和第二方向布置；多個(gè)像素，包括多個(gè)薄膜晶體管，其中，所述多個(gè)薄膜晶體管中的每個(gè)包括柵電極、漏電極、源電極和半導(dǎo)體層，柵電極在基底上，漏電極在柵電極上面，并且包括：第一漏極傾斜部分，在第一方向和第二方向之間的方向上延伸；和第二漏極傾斜部分，在與第一方向相反的方向和第二方向之間的方向上從第一漏極傾斜部分的端部延伸，源電極在柵電極上面與漏電極分隔開，并且包括：第一源極傾斜部分，在第一方向和第二方向之間的所述方向上延伸；和第二源極傾斜部分，在與第一方向相反的方向和第二方向之間的方向上從第一源極傾斜部分的端部延伸，半導(dǎo)體層與柵電極至少部分地疊置，并且包括：漏區(qū)，連接到漏電極，源區(qū)，連接到源電極，以及溝道區(qū)，位于漏區(qū)和源區(qū)之間。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極和源電極的形狀可以是左尖括號(hào)“<”或右尖括號(hào)“>”。

漏電極還可以包括在第一方向和第二方向之間的方向上從第二漏極傾斜部分的端部延伸的第三漏極傾斜部分，源電極還可以包括在第一方向和第二方向之間的所述方向上從第二源極傾斜部分的端部延伸的第三源極傾斜部分。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極和源電極的平面形狀可以是z字形。

顯示裝置還可以包括：多條柵極線，在第一方向上延伸并且連接所述多個(gè)薄膜晶體管之中的布置在第一方向上的薄膜晶體管的柵電極；以及多條數(shù)據(jù)線，在第二方向上延伸并且連接所述多個(gè)薄膜晶體管之中的布置在第二方向上的薄膜晶體管的漏電極。

所述多條數(shù)據(jù)線中的每條數(shù)據(jù)線可以包括在第二方向上線性地延伸的多個(gè)數(shù)據(jù)線性部分，所述多個(gè)數(shù)據(jù)線性部分中的每個(gè)數(shù)據(jù)線性部分可以在所述多個(gè)薄膜晶體管之中的兩個(gè)相鄰的薄膜晶體管的漏電極之間。

所述多條數(shù)據(jù)線中的每條數(shù)據(jù)線可以包括連接在所述多個(gè)薄膜晶體管之中的在第二方向上兩個(gè)相鄰的薄膜晶體管的漏電極的多個(gè)連接部分，所述多個(gè)連接部分中的每個(gè)可以包括：第一數(shù)據(jù)傾斜部分，在與第一方向相反的方向和第二方向之間的方向上從兩個(gè)相鄰的薄膜晶體管的第一薄膜晶體管的漏電極的第二漏極傾斜部分的端部延伸；第二數(shù)據(jù)傾斜部分，在第一方向和第二方向之間的方向上從第一漏極傾斜部分的端部延伸到兩個(gè)相鄰的薄膜晶體管的第二薄膜晶體管的漏電極的第一漏極傾斜部分的端部。

在第二漏極傾斜部分可延伸的方向和第二方向之間的角度可以大于在第一數(shù)據(jù)傾斜部分延伸的方向和第二方向之間的角度，在第一漏極傾斜部分可延伸的方向和第二方向之間的角度可以大于在第二數(shù)據(jù)傾斜部分延伸的方向和第二方向之間的角度。

在第二漏極傾斜部分可延伸的方向和第二方向之間的角度與在第一數(shù)據(jù)傾斜部分延伸的方向和第二方向之間的角度可以相同，在第一漏極傾斜部分可延伸的方向和第二方向之間的角度與第二數(shù)據(jù)傾斜部分延伸的方向和第二方向之間的角度可以相同。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極的平面形狀可以對(duì)應(yīng)于在第三方向上觀察的源電極的平面形狀，源電極可以在第一方向上與漏電極分隔開。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極的平面形狀可以對(duì)應(yīng)于在第三方向上觀察的源電極的平面形狀，源電極可以在與第一方向相反的方向上與漏電極分隔開。

所述多個(gè)薄膜晶體管中的每個(gè)薄膜晶體管可以布置在所述多個(gè)像素之中的與薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的像素的中心區(qū)中。

顯示裝置還可以包括：多個(gè)像素電極，分別連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的源電極并包括在所述多個(gè)像素中；以及液晶層，在所述多個(gè)像素電極上。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，這些和/或其它方面將變得明顯并更容易理解，在附圖中：

圖1是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的平面圖；

圖2是根據(jù)實(shí)施例的包括薄膜晶體管(TFT)的像素的平面圖；

圖3是沿圖2的線III-III'截取的剖視圖；

圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的TFT的平面圖；

圖5是根據(jù)另一實(shí)施例的包括TFT的像素的平面圖；

圖6是根據(jù)另一實(shí)施例的包括TFT的像素的平面圖；

圖7是根據(jù)另一實(shí)施例的包括TFT的像素的平面圖；

圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的包括TFT的像素的平面圖。

具體實(shí)施方式

通過參照下面對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)描述與附圖，可以更容易地理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施并且不應(yīng)該被理解為受限于這里所闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的且完整的，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的構(gòu)思，本發(fā)明將僅受權(quán)利要求的限制。在一些實(shí)施例中，不將對(duì)公知的工藝、公知的結(jié)構(gòu)和公知的技術(shù)做出具體的描述，以避免使本發(fā)明的解釋模糊。貫穿本說明書，同樣的附圖標(biāo)記通常指示同樣的元件。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，不存在中間元件或中間層。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意和全部的組合。

為了易于描述，在這里可使用諸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上面”、“上”等空間相對(duì)術(shù)語來描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語意在包含除了在附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或組件“下面”或“下方”的元件將隨后被定位為“在”其它元件或組件“上面”。因此，示例術(shù)語“在……下面”或“在……下方”可包括上面和下面兩種方位。此外，所述裝置可被另外定位并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述符。

這里使用的術(shù)語僅為了描述具體實(shí)施例的目的，并不意圖限制本發(fā)明。如這里使用的，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種、者)”和“所述(該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，說明存在陳述的組件、步驟、操作和/或元件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它組件、步驟、操作、元件和/或它們的組。

這里參照作為理想化的實(shí)施例和本發(fā)明的中間結(jié)構(gòu)的示意圖的平面圖和剖視圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的示圖的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被理解為受限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀上的偏差。因此，附圖中示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不意圖限制本發(fā)明的范圍。

現(xiàn)在將詳細(xì)地參照實(shí)施例，其中，實(shí)施例的示例示出在附圖中。在這點(diǎn)上，給出的實(shí)施例可以具有不同的形式，并且不應(yīng)該被解釋為受限于這里闡述的描述。因此，下面僅通過參考附圖來描述實(shí)施例以解釋本說明書的多個(gè)方面。

圖1是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置500的平面圖。

參照?qǐng)D1，顯示裝置500可以包括顯示面板100、柵極驅(qū)動(dòng)器200、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300和驅(qū)動(dòng)電路基底400。

顯示面板100可以包括多個(gè)像素PX11～PXnm、多條柵極線GL1～GLn以及多條數(shù)據(jù)線DL1～DLm。顯示面板100可以包括顯示區(qū)DA以及圍繞顯示區(qū)DA的非顯示區(qū)NDA。

像素PX11～PXnm沿第一方向D1和第二方向D2以矩陣形式布置在顯示區(qū)DA中。例如，像素PX11～PXnm可以布置成彼此交叉的n行和m列?！癿”和“n”是大于0的整數(shù)。雖然第一方向D1被指示為從圖1中的左側(cè)到右側(cè)的方向，但是這僅是示例，第一方向D1可以是從右到左的方向。雖然第二方向D2被指示為從圖1中的頂部到底部的方向，但是這僅是示例，第二方向D2可以是從底部到頂部的方向。第三方向D3可以被限定為與第一方向D1和第二方向D2垂直的方向。

柵極線GL1～GLn和數(shù)據(jù)線DL1～DLm彼此交叉并且彼此絕緣。在第一方向D1上延伸的柵極線GL1～GLn連接到連接到柵極驅(qū)動(dòng)器200并且從柵極驅(qū)動(dòng)器200接收柵極信號(hào)。在第二方向D2上延伸的數(shù)據(jù)線DL1至DLm連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300并且從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300以模擬形式接收數(shù)據(jù)電壓。

像素PX11～PXnm連接到對(duì)應(yīng)的柵極線GL1～GLn并且連接到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL1～DLm。響應(yīng)于經(jīng)由對(duì)應(yīng)的柵極線GL1～GLn傳輸?shù)臇艠O信號(hào)，像素PX11～PXnm經(jīng)由對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL1～DLm接收數(shù)據(jù)電壓。像素PX11～PXnm顯示對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓的層次。

響應(yīng)于從安裝在驅(qū)動(dòng)電路基底400上的時(shí)序控制器(未示出)輸出的柵極控制信號(hào)，柵極驅(qū)動(dòng)器200產(chǎn)生柵極信號(hào)，并且經(jīng)由柵極線GL1～GLn將柵極信號(hào)順序地且以行為單位地提供到像素PX11～PXnm。

柵極驅(qū)動(dòng)器200可以布置在與顯示區(qū)DA相鄰的非顯示區(qū)NDA中。雖然柵極驅(qū)動(dòng)器200被示出為布置在顯示區(qū)DA的左側(cè)處，但是這僅是示例，柵極驅(qū)動(dòng)器200可以布置在與顯示區(qū)DA的右側(cè)或者一側(cè)或更多側(cè)相鄰的非顯示區(qū)NDA中。

柵極驅(qū)動(dòng)器200可以包括多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片(未示出)。柵極驅(qū)動(dòng)芯片可以以玻璃上芯片(COG)方法安裝在與顯示區(qū)DA的左側(cè)相鄰的非顯示區(qū)NDA中。然而，本公開不限于此，柵極驅(qū)動(dòng)芯片可以以帶載封裝(TCP)方法或其它種方法連接到與顯示區(qū)DA相鄰的非顯示區(qū)NDA。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300從時(shí)序控制器接收?qǐng)D像信號(hào)和數(shù)據(jù)控制信號(hào)。響應(yīng)于數(shù)據(jù)控制信號(hào)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于圖像信號(hào)的模擬數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL1～DLm向像素PX11～PXnm提供數(shù)據(jù)電壓。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以包括多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)芯片310-1～310-k?！発”是大于0且小于“m”的整數(shù)。源極驅(qū)動(dòng)芯片310-1～310-k安裝在與其對(duì)應(yīng)的柔性電路基底320-1～320-k上，并且經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路基底400連接到與顯示區(qū)DA相鄰的非顯示區(qū)NDA。雖然數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300被示出為連接到與顯示區(qū)DA的上側(cè)相鄰的非顯示區(qū)NDA，但是這僅是示例，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路基底400連接到與顯示區(qū)DA的下側(cè)或兩側(cè)相鄰的非顯示區(qū)NDA。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以通過TCP方法連接到顯示面板100。然而，本公開不限于此，源極驅(qū)動(dòng)芯片310-1～310-k可以通過COG方法或其它方法安裝在與顯示區(qū)DA的上側(cè)相鄰的非顯示區(qū)NDA中。

雖然未示出，但是數(shù)據(jù)線DL1～DLm可以經(jīng)由布置在非顯示區(qū)NDA中的焊盤電極而連接到源極驅(qū)動(dòng)芯片310-1～310-k。此外，柵極線GL1～GLn可以經(jīng)由布置在非顯示區(qū)NDA中的焊盤電極連接到柵極驅(qū)動(dòng)器200。

圖2是根據(jù)實(shí)施例的包括TFT的像素的平面圖。

雖然圖2示出了單個(gè)像素PXij作為示例，但是圖1中示出的其它像素可以具有相同的結(jié)構(gòu)。為了便于解釋，下面描述像素PXij的結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D2，在像素PXij的平面上的區(qū)域可以包括像素區(qū)PA以及圍繞像素區(qū)PA的非像素區(qū)。像素區(qū)PA可以被限定為照射具有層次的光以顯示圖像的區(qū)域，而非像素區(qū)可以被限定為沒有照射光的區(qū)域。非像素區(qū)可以被限定為像素區(qū)PA之間的區(qū)域。為了防止光通過非像素區(qū)的照射，諸如黑矩陣的遮光構(gòu)件(未示出)可以在非像素區(qū)上面或下面。

柵極線GLi-1和GLi以及數(shù)據(jù)線DLj和DLj+1布置在非像素區(qū)中。柵極線GLi-1和GLi在第一方向D1上延伸。數(shù)據(jù)線DLj和DLj+1在與第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸且與柵極線GLi-1和GLi交叉，并且彼此絕緣。

像素PXij可以包括薄膜晶體管TFTa以及連接到薄膜晶體管TFTa的像素電極PE。薄膜晶體管TFTa布置在非像素區(qū)中。像素電極PE主要布置在像素區(qū)PA中。薄膜晶體管TFTa連接到對(duì)應(yīng)的柵極線GLi和對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DLj。

薄膜晶體管TFTa可以包括連接到柵極線GLi的柵電極GE、連接到數(shù)據(jù)線DLj的漏電極DE、連接到像素電極PE的源電極SE以及用于形成薄膜晶體管TFTa的溝道的半導(dǎo)體層ACT。

柵電極GE從柵極線GLi分支。柵極線GLi與在第一方向D1上布置的薄膜晶體管TFTa的柵電極GE電連接。柵電極GE可以與柵極線GLi一體地形成。

漏電極DE可以包括第一漏極傾斜部分DEa和第二漏極傾斜部分DEb，第一漏極傾斜部分DEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二漏極傾斜部分DEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一漏極傾斜部分DEa的端部延伸。如圖2中示出的，在第三方向D3上觀察的漏電極DE的平面形狀可以是右尖括號(hào)“>”。然而，本公開不限于此，漏電極DE的平面形狀可以是左尖括號(hào)“<”。

在第一漏極傾斜部分DEa延伸的方向與第二方向D2之間的角度θ1可以在大約30°和大約60°之間選擇。角度θ1可以是大約45°。此外，在第二漏極傾斜部分DEb延伸的方向與第二方向D2之間的角度θ2可以在大約30°和大約60°之間選擇。角度θ2可以是大約45°。

漏電極DE可以與數(shù)據(jù)線DLj一體地形成。在這種情況下，漏電極DE可以被限定為數(shù)據(jù)線DLj的與柵電極GE至少部分地疊置的部分。此外，數(shù)據(jù)線DLj可以被限定為包括連接部分以連接在第二方向D2上相鄰的薄膜晶體管TFTa的漏電極DE。如圖2中示出的，連接部分可以是指在第二方向D2上線性地延伸的數(shù)據(jù)線性部分。

源電極SE在柵電極GE上面與漏電極DE分隔開。如圖2中示出的，在第三方向D3上觀察的源電極SE的平面形狀可以對(duì)應(yīng)于漏電極DE的平面形狀。此外，源電極SE可以布置為在第一方向D1上與漏電極DE分隔開。在另一實(shí)施例中，源電極SE可以在與第一方向D1相反的方向上與漏電極DE分隔開。

與漏電極DE類似，源電極SE可以包括第一源極傾斜部分SEa和第二源極傾斜部分SEb，第一源極傾斜部分SEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二源極傾斜部分SEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一源極傾斜部分SEa的端部延伸。如圖2中示出的，源電極SE的平面形狀可以是與漏電極DE的平面形狀對(duì)應(yīng)的右尖括號(hào)“>”。在另一實(shí)施例中，源電極SE的平面形狀可以是與漏電極DE的平面形狀對(duì)應(yīng)的左尖括號(hào)“<”。

在第一源極傾斜部分SEa延伸的方向與第二方向D2之間的角度θ1以及在第二源極傾斜部分SEb延伸的方向與第二方向D2之間的角度θ2中的每一個(gè)角度可以在大約30°和大約60°之間選擇。角度θ1和角度θ2中的每一個(gè)角度可以是大約45°。

半導(dǎo)體層ACT可以布置為在柵電極GE上面與柵電極GE至少部分地疊置。半導(dǎo)體層ACT可以包括連接到漏電極DE的漏區(qū)、連接到源電極SE的源區(qū)、以及位于漏區(qū)和源區(qū)之間的溝道區(qū)。

溝道區(qū)可以具有與漏電極DE和源電極SE的平面形狀對(duì)應(yīng)的右尖括號(hào)“>”的形狀。因此，當(dāng)溝道區(qū)的平面形狀為尖括號(hào)時(shí)，與“I”形狀的情況相比，即使溝道寬度相同，也可以減小薄膜晶體管TFTa的在第二方向D2上的長度。在第二方向D2上相鄰的像素區(qū)PA之間的非像素區(qū)的寬度受到薄膜晶體管TFTa的在第二方向D2上的長度的限制。在實(shí)施例中，由于漏電極DE、源電極SE和溝道區(qū)形成為尖括號(hào)形狀，所以可以減小薄膜晶體管TFTa的在第二方向D2上的長度，并因此可以減少非像素區(qū)的整個(gè)區(qū)域。因此，可以相對(duì)地增大像素區(qū)PA的區(qū)域，并因此可以提高顯示面板100的開口率。

像素電極PE朝向非像素區(qū)延伸以經(jīng)由接觸孔CH連接到薄膜晶體管TFTa的源電極SE。從像素電極PE分支的分支電極BE經(jīng)由接觸孔CH連接到薄膜晶體管TFTa的源電極SE。分支電極BE布置在非像素區(qū)中。

多個(gè)開口OP可以形成在像素電極PE中。像素電極PE可以包括由開口OP限定的多個(gè)分支電極PE1、第一連接部分PE2和第二連接部分PE3。分支電極PE1以相同的間隔距離在第二方向D2上延伸。第一連接部分PE2和第二連接部分PE3在第一方向D1上延伸。第一連接部分PE2連接分支電極PE1的一端，而第二連接部分PE3連接分支電極PE1的另一端。

盡管未示出，但是數(shù)據(jù)線DLj在第二方向D2上延伸以電連接到源極驅(qū)動(dòng)芯片310-1～310-k。因此，從源極驅(qū)動(dòng)芯片310-1～310-k輸出的數(shù)據(jù)電壓可以施加到數(shù)據(jù)線DLj。此外，柵極線GLi在第一方向D1上延伸以電連接到柵極驅(qū)動(dòng)器200。從柵極驅(qū)動(dòng)器200輸出的柵極信號(hào)可以施加到柵極線GLi。

共電極CE可以布置在像素PXij中。共電壓施加到共電極CE。共電極CE可以布置在基底和像素電極PE之間。在另一實(shí)施例中，共電極CE可以布置在相對(duì)的基底上，液晶層可以布置在共電極CE和像素電極PE之間。

圖3是沿圖2的線III-III'截取的剖視圖。

參照?qǐng)D3和圖2，顯示面板100可以包括彼此面對(duì)的下顯示面板10和上顯示面板30、以及注入在下顯示面板10和上顯示面板30之間的液晶層40。顯示面板100可以是液晶顯示面板。

下顯示面板10可以包括第一基底11、薄膜晶體管TFTa和像素電極PE。下顯示面板10可以被稱為TFT基底。像素PX11～PXnm可以布置在下顯示面板10上。

第一基底11可以包括透明玻璃或塑料。

包括柵極線GLi和柵電極GE的柵極導(dǎo)體12可以布置在第一基底11上。圖3中示出的柵極導(dǎo)體12對(duì)應(yīng)于柵電極GE。柵極導(dǎo)體12可以包括諸如鋁(Al)或鋁合金的鋁基金屬、諸如銀(Ag)或銀合金的銀基金屬、諸如銅(Cu)或銅合金的銅基金屬、諸如鉬(Mo)或鉬合金的鉬基金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等。柵極導(dǎo)體12可以具有多層結(jié)構(gòu)，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括具有不同的物理性質(zhì)的至少兩個(gè)導(dǎo)電層。

柵極絕緣層13可以布置在柵極導(dǎo)體12之上。柵極絕緣層13可以包括氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)。柵極絕緣層13可以具有多層結(jié)構(gòu)，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括具有不同的物理性質(zhì)的至少兩個(gè)絕緣層。

半導(dǎo)體層ACT 14可以布置在柵極絕緣層13上。半導(dǎo)體層14可以包括非晶硅或多晶硅。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體層14可以包括氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體可以包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)。半導(dǎo)體層14可以包括連接到漏電極DE的漏區(qū)14d、連接到源電極SE的源區(qū)14s以及在漏區(qū)14d和源區(qū)14s之間的溝道區(qū)14c。

電阻式接觸構(gòu)件15d和15s可以布置在半導(dǎo)體層14上。電阻式接觸構(gòu)件15d和15s可以包括硅化物或者諸如以高濃度摻雜有諸如磷的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅的材料。電阻式接觸構(gòu)件15d和15s可以布置在半導(dǎo)體層14的漏區(qū)14d和源區(qū)14s上。當(dāng)半導(dǎo)體層14是氧化物半導(dǎo)體時(shí)，在一些實(shí)施例中可以省略電阻式接觸構(gòu)件15d和15s。

數(shù)據(jù)導(dǎo)體16可以布置在柵極絕緣層13以及電阻式接觸構(gòu)件15d和15s上。數(shù)據(jù)導(dǎo)體16可以包括具有漏電極DE 16d的數(shù)據(jù)線DLj以及源電極SE16s。

如上所述，漏電極DE可以包括第一漏極傾斜部分DEa和第二漏極傾斜部分DEb，第一漏極傾斜部分DEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二漏極傾斜部分DEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一漏極傾斜部分DEa的端部延伸。此外，源電極SE可以包括第一源極傾斜部分SEa和第二源極傾斜部分SEb，第一源極傾斜部分SEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二源極傾斜部分SEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一源極傾斜部分SEa的端部延伸。

數(shù)據(jù)線DLj將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)奖∧ぞw管TFTa并且在第二方向D2上延伸，數(shù)據(jù)線DLj與沿第一方向D1延伸的柵極線GLi交叉。數(shù)據(jù)線DLj可以包括漏電極DE之間的連接部分。連接部分可以具有如圖2中示出的在第二方向D2上延伸的線性形狀。在另一實(shí)施例中，連接部分可以具有彎曲形狀以增加顯示面板100的開口率。在這點(diǎn)上，下面參照?qǐng)D5至圖8來提供詳細(xì)的描述。

柵電極GE、漏電極DE和源電極SE以及半導(dǎo)體層ACT 14形成單個(gè)薄膜晶體管TFTa。薄膜晶體管TFTa的溝道形成在漏電極DE和源電極SE之間的溝道區(qū)14c中。

數(shù)據(jù)導(dǎo)體16可以包括諸如鉬、鉻、鉭或鈦或者它們的合金的難熔金屬。數(shù)據(jù)導(dǎo)體16可以具有包括難熔金屬層(未示出)和低電阻式導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。例如，數(shù)據(jù)導(dǎo)體16可以具有包括下層和上層的雙層結(jié)構(gòu)，下層可包括鉻或鉬或者它們的合金，上層包括鋁或其合金。在另一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)導(dǎo)體16可以具有包括鉬或其合金的下層、包括鋁或其合金的中間層以及包括鉬或其合金的上層的三層結(jié)構(gòu)。然而，除此之外，數(shù)據(jù)導(dǎo)體16可以包括其它各種金屬或?qū)w。數(shù)據(jù)線DLj的寬度可以是大約3.5±0.75μm。

第一保護(hù)層17可以布置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體16、柵極絕緣層13和半導(dǎo)體層14的暴露部分上，例如，可以布置在溝道區(qū)14c之上。第一保護(hù)層17可以包括有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料。

第二保護(hù)層18可以布置在第一保護(hù)層17上。在一些實(shí)施例中可以省略第二保護(hù)層18。在實(shí)施例中，第二保護(hù)層18可以是濾色器。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層18是濾色器時(shí)，第二保護(hù)層18可以顯示原色中的一種。例如，第二保護(hù)層18可以是用于選擇性地使紅色光、綠色光和藍(lán)色光中的僅一種光通過的濾色器。在另一實(shí)施例中，第二保護(hù)層18可以是用于選擇性地使黃色光、青色光和品紅色光中的僅一種光通過的濾色器。

共電極CE可以布置在第二保護(hù)層18上。如圖2中示出的，共電極CE以面板形式布置在像素區(qū)PA中，而只有連接像素區(qū)PA之上的共電極CE的連接部分可以布置在非像素區(qū)中。共電極CE可以接收從顯示區(qū)DA的外部供應(yīng)的特定尺寸的共電壓。在另一實(shí)施例中，共電極CE可形成在第一基底11的整個(gè)表面上。

第三保護(hù)層19可以布置在共電極CE上。第三保護(hù)層19可以包括有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料。

像素電極PE和分支電極BE 20可以布置在第三保護(hù)層19上。像素電極PE可以具有多個(gè)開口OP，并且可以包括由開口OP限定的分支電極PE1以及連接分支電極PE1的連接部分PE2和PE3。分支電極BE 20是從像素電極PE朝向非像素區(qū)延伸并將像素電極PE連接到源電極SE 16s的部分。

像素電極PE和分支電極BE 20可以包括透明導(dǎo)電材料。例如，像素電極PE和分支電極BE 20可以包括諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)的透明導(dǎo)電金屬氧化物。

用于暴露源電極SE 16s的一部分的接觸孔CH形成在第一保護(hù)層17、第二保護(hù)層18和第三保護(hù)層19中。分支電極BE 20經(jīng)由接觸孔CH電連接到源電極SE 16s。

雖然未示出，但是取向?qū)涌梢圆贾迷谙袼仉姌OPE和第三保護(hù)層19上。取向?qū)涌梢允撬饺∠驅(qū)?。取向?qū)影ü忭憫?yīng)材料并且是光學(xué)取向的。例如，環(huán)丁烷類可光降解材料或偶氮苯類可光致異構(gòu)化材料可以用作光學(xué)取向的取向?qū)印?/p>

上顯示面板30可以包括第二基底31和遮光構(gòu)件32。

第二基底31可以包括透明玻璃或塑料。遮光構(gòu)件32可以布置在第二基底31上。遮光構(gòu)件32可以被稱為黑矩陣，并且防止光泄漏。

多個(gè)濾色器(未示出)可以布置在第二基底31上。濾色器可以布置為對(duì)應(yīng)于像素區(qū)PA。濾色器可以透射原色中僅一種顏色的光。當(dāng)下顯示面板10的第二保護(hù)層18是濾色器時(shí)，在一些實(shí)施例中在上顯示面板30中可以省略濾色器。此外，上顯示面板30的遮光構(gòu)件32也可以布置在下顯示面板10上。

覆蓋層33可以布置在遮光構(gòu)件32和濾色器上。覆蓋層33包括絕緣材料、防止濾色器暴露并且提供平坦表面。在一些實(shí)施例中可以省略覆蓋層33。

取向?qū)涌梢圆贾迷诟采w層33上。取向?qū)涌梢允撬饺∠驅(qū)?。取向?qū)涌梢园ü忭憫?yīng)材料并且可以光學(xué)取向。

液晶層40可以包括具有正介電各向異性的向列型液晶材料。液晶層40的液晶分子可以具有這樣的結(jié)構(gòu)：液晶分子的長軸方向平行于下顯示面板10和上顯示面板30，并且液晶分子的長軸方向從下顯示面板10的取向?qū)拥娜∠蚍较虻缴巷@示面板30螺旋地扭轉(zhuǎn)大約90°。

像素電極PE經(jīng)由數(shù)據(jù)線DLj和薄膜晶體管TFTa接收數(shù)據(jù)電壓，而共電極CE可以從布置在顯示區(qū)DA外部的共電壓施加器(未示出)接收恒定量的共電壓。

由于像素電極PE和共電極CE產(chǎn)生電場，所以位于像素電極PE和共電極CE上面的液晶層40的液晶分子在平行于電場方向的方向上旋轉(zhuǎn)。穿過液晶層40的光的偏振根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向而變化。

顯示面板100可以具有大于約200PPI的分辨率。換句話說，顯示面板100可以在大約1英寸×1英寸的區(qū)域內(nèi)包括大約200個(gè)或更多個(gè)像素PX。一個(gè)像素PX可以具有大約40μm或更小的寬度以及大約120μm或更小的高度。在這種狀態(tài)下，像素PX的寬度由兩條相鄰的數(shù)據(jù)線DLj和DLj+1的豎直中心部分之間的間隔來限定，而像素PX的高度可以由兩條相鄰柵極線GLi-1和GLi的水平中心部分之間的間隔來限定。

圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的薄膜晶體管TFTb的平面圖。

參照?qǐng)D4，薄膜晶體管TFTb可以布置在圖2的像素PXij中。例如，可以用圖4的薄膜晶體管TFTb替代圖2的薄膜晶體管TFTa。

薄膜晶體管TFTb可以包括柵電極GE、漏電極DE、源電極SE和半導(dǎo)體層ACT。柵電極GE連接到柵極線GLi，漏電極DE連接到數(shù)據(jù)線DLj，源電極SE連接到圖2的像素電極PE。

漏電極DE可以包括第一漏極傾斜部分DEa、第二漏極傾斜部分DEb和第三漏極傾斜部分DEc，第一漏極傾斜部分DEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二漏極傾斜部分DEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一漏極傾斜部分DEa的端部延伸，第三漏極傾斜部分DEc在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上從第二漏極傾斜部分DEb的端部延伸。第三漏極傾斜部分DEc可以布置為平行于第一漏極傾斜部分DEa。在另一實(shí)施例中，漏電極DE可以具有相對(duì)于圖4的漏電極DE左右對(duì)稱的形狀。

漏電極DE可以與數(shù)據(jù)線DLj一體地形成。在這種情況下，漏電極DE可以被限定為數(shù)據(jù)線DLj的與柵電極GE至少部分地疊置的部分。此外，數(shù)據(jù)線DLj可以被限定為包括連接部分以連接在第二方向D2上相鄰的薄膜晶體管TFTb的漏電極DE。漏電極DE的第一漏極傾斜部分DEa和第三漏極傾斜部分DEc分別連接到數(shù)據(jù)線DLj的連接部分。

源電極SE在柵電極GE上面布置為與漏電極DE分隔開。源電極SE可以布置為在第一方向D1上與漏電極DE分隔開。在另一實(shí)施例中，源電極SE可以布置為在與第一方向D1相反的方向上與漏電極DE分隔開。

與漏電極DE類似，源電極SE可以包括第一源極傾斜部分SEa、第二源極傾斜部分SEb和第三源極傾斜部分SEc，第一源極傾斜部分SEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二源極傾斜部分SEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一源極傾斜部分SEa的端部延伸，第三源極傾斜部分SEc在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上從第二源極傾斜部分SEb的端部延伸。第一源極傾斜部分SEa可以布置為與第一漏極傾斜部分DEa平行，第二源極傾斜部分SEb可以布置為與第二漏極傾斜部分DEb平行，第三源極傾斜部分SEc可以布置為與第三漏極傾斜部分DEc平行。

如圖4中示出的，在第三方向D3上觀察的漏電極DE和源電極SE的平面形狀可以是z字形形狀。

在第一漏極傾斜部分DEa延伸的方向與第二方向D2之間的角度θ1可以在大約30°和大約60°之間選擇。在第二漏極傾斜部分DEb延伸的方向與第二方向D2之間的角度θ2可以在大約30°和大約60°之間選擇。在第三漏極傾斜部分DEc延伸的方向與第二方向D2之間的角度θ3可以在大約30°和大約60°之間選擇。例如，角度θ1、角度θ2和角度θ3中的每一個(gè)角度可以是大約45°。

半導(dǎo)體層ACT可以布置為在柵電極GE上面與柵電極GE至少部分地疊置。半導(dǎo)體層ACT可以包括連接到漏電極DE的漏區(qū)、連接到源電極SE的源區(qū)、以及位于漏區(qū)和源區(qū)之間的溝道區(qū)。溝道區(qū)可以具有與漏電極DE和源電極SE的平面形狀對(duì)應(yīng)的z字形形狀。因此，當(dāng)溝道區(qū)的平面形狀為z字形形狀時(shí)，與“I”形狀的情況相比，即使溝道寬度相同，也可以減小薄膜晶體管TFTb的在第二方向D2上的長度。

在第二方向D2上相鄰的像素區(qū)PA之間的非像素區(qū)的寬度受到薄膜晶體管TFTb的在第二方向D2上的長度的限制。在實(shí)施例中，由于漏電極DE、源電極SE和溝道區(qū)形成為z字形形狀，所以可以減小薄膜晶體管TFTb的在第二方向D2上的長度以及非像素區(qū)的寬度。因此，可以相對(duì)地增大像素區(qū)PA的區(qū)域，并因此可以提高顯示面板100的開口率。

圖5是根據(jù)另一實(shí)施例的包括TFT的像素的平面圖。

圖5示出了根據(jù)另一實(shí)施例的包括薄膜晶體管TFTc的單個(gè)像素PXa的示例?？梢杂孟袼豍Xa替代圖2的像素PXij。像素PXa可以具有與圖2的像素PXij的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。在下面的描述中，主要討論像素PXa和像素PXij之間的差異，并且省略對(duì)它們的共同的描述。

參照?qǐng)D5，像素PXa可以包括薄膜晶體管TFTc和像素電極PE。像素PXa連接到在第一方向D1上延伸的柵極線GLi以及在第二方向D2上延伸的數(shù)據(jù)線DLj。在圖5中，第一方向D1被限定為從右到左的方向。

薄膜晶體管TFTc可以布置在非像素區(qū)中。薄膜晶體管TFTc可以包括連接到柵極線GLi的柵電極GE、連接到數(shù)據(jù)線DLj的漏電極DE、連接到像素電極PE的源電極SE以及用于形成薄膜晶體管TFTc的溝道的半導(dǎo)體層ACT。

柵電極GE從柵極線GLi分支。柵極線GLi與在第一方向D1上布置的薄膜晶體管TFTc的柵電極GE電連接。柵電極GE可以與柵極線GLi一體地形成。

漏電極DE可以包括第一漏極傾斜部分DEa和第二漏極傾斜部分DEb，第一漏極傾斜部分DEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二漏極傾斜部分DEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一漏極傾斜部分DEa的端部延伸。如圖5中示出的，在第三方向D3上觀察的漏電極DE的平面形狀可以是左尖括號(hào)“<”。

源電極SE布置為在柵電極GE上面與漏電極DE分隔開。如圖5中示出的，在第三方向D3上觀察的源電極SE的平面形狀可以對(duì)應(yīng)于漏電極DE的平面形狀。源電極SE可以布置為在與第一方向D1相反的方向上與漏電極DE分隔開。

源電極SE可以包括第一源極傾斜部分SEa和第二源極傾斜部分SEb，第一源極傾斜部分SEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二源極傾斜部分SEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一源極傾斜部分SEa的端部延伸。如圖5中示出的，源電極SE的平面形狀可以與漏電極DE的平面形狀對(duì)應(yīng)并且可以是左尖括號(hào)“<”。

半導(dǎo)體層ACT可以布置為在柵電極GE上面與柵電極GE至少部分地疊置。半導(dǎo)體層ACT可以包括連接到漏電極DE的漏區(qū)、連接到源電極SE的源區(qū)、以及位于漏區(qū)和源區(qū)之間的溝道區(qū)。

溝道區(qū)可以具有與漏電極DE和源電極SE的平面形狀對(duì)應(yīng)的左尖括號(hào)“<”的形狀。因此，當(dāng)溝道區(qū)的平面形狀為尖括號(hào)時(shí)，與“I”形狀的情況相比，即使溝道寬度相同，也可以減小薄膜晶體管TFTc的在第二方向D2上的長度。因此，可以減小非像素區(qū)的寬度，因此可以提高顯示面板100的開口率。

漏電極DE可以與數(shù)據(jù)線DLj一體地形成。在這種情況下，漏電極DE可以被限定為數(shù)據(jù)線DLj的與柵電極GE至少部分地疊置的部分。此外，數(shù)據(jù)線DLj可以被限定為包括連接部分DLc以連接在第二方向D2上相鄰的薄膜晶體管TFTc的漏電極DE。因此，數(shù)據(jù)線DLj可以包括漏電極DE和連接部分DLc。

如圖5示出的，數(shù)據(jù)線DLj可以具有彎曲形狀以增加顯示面板100的開口率。連接部分DLc可以包括第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa和第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb，第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從兩個(gè)相鄰薄膜晶體管TFTc和TFTc'中的第一薄膜晶體管TFTc'的漏電極DE的第二漏極傾斜部分DEb的端部延伸，第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上從第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa的端部延伸到兩個(gè)相鄰薄膜晶體管TFTc和TFTc'中的第二薄膜晶體管TFTc的漏電極DE的第一漏極傾斜部分DEa的端部。第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa和第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb在像素PXa的形成V形狀的中間區(qū)中相交。在實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa可以相對(duì)于第二方向D2傾斜大約7°，而第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb可以相對(duì)于第二方向D2傾斜大約-7°。

如圖5中示出的，第二漏極傾斜部分DEb可以比第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa相對(duì)于第二方向D2傾斜更多，第一漏極傾斜部分DEa可以比第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb相對(duì)于第二方向D2傾斜更多。

像素電極PE主要布置在像素區(qū)PA中。像素電極PE朝向非像素區(qū)延伸，并經(jīng)由接觸孔CH連接到薄膜晶體管TFTc的源電極SE。從像素電極PE分支的分支電極BE經(jīng)由接觸孔CH連接到薄膜晶體管TFTc的源電極SE。分支電極BE布置在非像素區(qū)中。

像素電極PE可以具有與數(shù)據(jù)線DLj的連接部分DLc對(duì)應(yīng)的彎曲的邊緣。

多個(gè)開口OP可以形成在像素電極PE中。像素電極PE可以包括由開口OP限定的多個(gè)分支電極PE1、第一連接部分PE2和第二連接部分PE3。分支電極PE1可以具有相同的間隔距離。第一連接部分PE2和第二連接部分PE3在第一方向D1上延伸。第一連接部分PE2連接分支電極PE1的一端，而第二連接部分PE3連接分支電極PE1的另一端。

開口OP可以具有與數(shù)據(jù)線DLj的連接部分DLc的平面形狀對(duì)應(yīng)的彎曲形狀。如圖5中示出的，開口OP的中間區(qū)和端部區(qū)可以具有相比于其它區(qū)域進(jìn)一步傾斜的形狀。

被施加共電壓的共電極CE可以布置在像素PXa中。

雖然薄膜晶體管TFTc的漏電極DE和源電極SE以及半導(dǎo)體層ACT的溝道區(qū)被示出為具有左尖括號(hào)“<”的平面形狀，但是這僅是示例，它們可以具有右尖括號(hào)“>”的平面形狀或z字形形狀的平面形狀。

圖6是根據(jù)另一實(shí)施例的包括TFT的像素的平面圖。

圖6示出了根據(jù)另一實(shí)施例的包括薄膜晶體管TFTd的單個(gè)像素PXb的示例?？梢杂孟袼豍Xb替代圖2的像素PXij。像素PXb可以具有與圖5的像素PXa的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。在下面的描述中，主要討論像素PXb和像素PXa之間的差異，并且省略對(duì)它們的共同的描述。

參照?qǐng)D6，像素PXb可以包括薄膜晶體管TFTd和像素電極PE。像素PXb連接到在第一方向D1上延伸的柵極線GLi以及在第二方向D2上延伸的數(shù)據(jù)線DLj。在圖6中，第一方向D1被限定為從左到右的方向。雖然在圖5中柵極線GLi布置為與像素PXa的端部區(qū)交叉，但是如圖6中示出的，柵極線GLi布置為與像素PXb的中間區(qū)交叉。

薄膜晶體管TFTd可以包括連接到柵極線GLi的柵電極GE、連接到數(shù)據(jù)線DLj的漏電極DE、連接到像素電極PE的源電極SE以及用于形成薄膜晶體管TFTd的溝道的半導(dǎo)體層ACT。

作為柵極線GLi的一部分，柵電極GE可以是寬度增加的部分。柵極線GLi電連接布置在第一方向D1上的薄膜晶體管TFTd的柵電極GE。

漏電極DE可以包括第一漏極傾斜部分DEa和第二漏極傾斜部分DEb，第一漏極傾斜部分DEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二漏極傾斜部分DEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一漏極傾斜部分DEa的端部延伸。如圖6中示出的，在第三方向D3上觀察的漏電極DE的平面形狀可以是右尖括號(hào)“>”。

漏電極DE可以被限定為數(shù)據(jù)線DLj的與柵電極GE至少部分地疊置的部分。數(shù)據(jù)線DLj可以被限定為包括連接部分DLc以連接在第二方向D2上相鄰的薄膜晶體管TFTd的漏電極DE。因此，數(shù)據(jù)線DLj可以包括漏電極DE和連接部分DLc。

數(shù)據(jù)線DLj可以具有彎曲形狀以增加顯示面板100的開口率。連接部分DLc可以包括第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa和第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb，第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上延伸，第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸。在實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa可以相對(duì)于第二方向D2傾斜大約7°，而第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb可以相對(duì)于第二方向D2傾斜大約-7°。

如圖6示出的，第二漏極傾斜部分DEb可以是隨著第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa在同一方向上延伸而獲得的部分，而第一漏極傾斜部分DEa可以是隨著第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb在同一方向上延伸而獲得的部分。第二漏極傾斜部分DEb和第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa可以相對(duì)于第二方向D2以相同的角度傾斜，而第一漏極傾斜部分DEa和第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb可以相對(duì)于第二方向D2以相同的角度傾斜。

源電極SE布置為在柵電極GE上面與漏電極DE分隔開。當(dāng)在第三方向D3上觀察時(shí)，源電極SE的平面形狀對(duì)應(yīng)于漏電極DE的平面形狀，并且可以布置為在與第一方向D1相反的方向上與漏電極DE分隔開。

源電極SE可以包括第一源極傾斜部分SEa和第二源極傾斜部分SEb，第一源極傾斜部分SEa在第一方向D1和第二方向D2之間的方向上延伸，第二源極傾斜部分SEb在與第一方向D1相反的方向和第二方向D2之間的方向上從第一源極傾斜部分SEa的端部延伸。如圖6中示出的，源電極SE的平面形狀可以是與漏電極DE的平面形狀對(duì)應(yīng)的右尖括號(hào)“>”。

半導(dǎo)體層ACT布置為在柵電極GE上面與柵電極GE至少部分地疊置。半導(dǎo)體層ACT可以包括連接到漏電極DE的漏區(qū)、連接到源電極SE的源區(qū)、以及位于漏區(qū)和源區(qū)之間的溝道區(qū)。

溝道區(qū)可以具有與漏電極DE和源電極SE的平面形狀對(duì)應(yīng)的右尖括號(hào)“>”的形狀。因此，當(dāng)溝道區(qū)的平面形狀為尖括號(hào)時(shí)，與“I”形狀的情況相比，即使溝道寬度相同，也可以減小薄膜晶體管TFTd的在第二方向D2上的長度。因此，可以減小非像素區(qū)的寬度，因此可以提高顯示面板100的開口率。

像素電極PE可以包括第一像素電極部分PEa、第二像素電極部分PEb和像素連接部分PEc。第一和第二像素電極部分PEa和PEb可以布置在像素區(qū)PA中，而像素連接部分PEc可以布置在非像素區(qū)中。像素連接部分PEc經(jīng)由接觸孔CH連接到薄膜晶體管TFTd的源電極SE。此外，像素連接部分PEc連接第一像素電極部分PEa和第二像素電極部分PEb。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，薄膜晶體管TFTd布置在像素PXb的中心區(qū)中。此外，柵極線GLi可以布置為與像素PXb的中心區(qū)交叉。像素連接部分PEc可以布置在像素PXb的中心區(qū)中。

第一像素電極部分PEa可以具有與數(shù)據(jù)線DLj-1和DLj的第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb對(duì)應(yīng)的傾斜形狀。第二像素電極部分PEb可以具有與數(shù)據(jù)線DLj-1和DLj的第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa對(duì)應(yīng)的傾斜形狀。

多個(gè)第一開口OPa可以形成在第一像素電極部分PEa中。第一開口OPa可以具有與數(shù)據(jù)線DLj-1和DLj的第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb對(duì)應(yīng)的傾斜的縫隙形狀。第一開口OPa的相對(duì)的端部可以相比于其中心部分進(jìn)一步地傾斜。

多個(gè)第二開口OPb可以形成在第二像素電極部分PEb中。第二開口OPb可以具有與數(shù)據(jù)線DLj-1和DLj的第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa對(duì)應(yīng)的傾斜的縫隙形狀。第二開口OPb的相對(duì)的端部可以相比于其中心部分進(jìn)一步地傾斜。

被施加共電壓的共電極CE可以布置在像素PXb中。

圖7是根據(jù)另一實(shí)施例的包括薄膜晶體管TFTe的像素的平面圖。

圖7示出了根據(jù)另一實(shí)施例的包括薄膜晶體管TFTe的單個(gè)像素PXc的示例?？梢杂孟袼豍Xc替代圖2的像素PXij。像素PXc可以具有與圖6的像素PXb的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。在下面的描述中，主要討論像素PXc和像素PXb之間的差異，并且省略對(duì)它們的共同的描述。

參照?qǐng)D7，像素PXc可以包括薄膜晶體管TFTe和像素電極PE。薄膜晶體管TFTe連接到在第一方向D1上延伸的柵極線GLi以及在第二方向D2上延伸的數(shù)據(jù)線DLj。

薄膜晶體管TFTe可以包括具有第一漏極傾斜部分DEa和第二漏極傾斜部分DEb的漏電極DE以及具有第一源極傾斜部分SEa和第二源極傾斜部分SEb的源電極SE。

雖然在圖6中源電極SE布置為在與第一方向D1相反的方向上與漏電極DE分隔開，但是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，源電極SE可以布置成如圖7中示出的在第一方向D1上與漏電極DE分隔開。

圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的包括薄膜晶體管TFTf的像素的平面圖。

圖8示出了根據(jù)另一實(shí)施例的包括薄膜晶體管TFTf的單個(gè)像素PXd的示例?？梢杂孟袼豍Xd替代圖2的像素PXij。像素PXd可以具有與圖6的像素PXb的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。在下面的描述中，主要討論像素PXd和像素PXb之間的差異，并且省略對(duì)它們的共同的描述。

參照?qǐng)D8，像素PXd可以包括薄膜晶體管TFTf和像素電極PE。薄膜晶體管TFTf連接到在第一方向D1上延伸的柵極線GLi以及在第二方向D2上延伸的數(shù)據(jù)線DLj。數(shù)據(jù)線DLj可以包括具有第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa和第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb的連接部分DLc。

薄膜晶體管TFTf可以包括具有第一漏極傾斜部分DEa和第二漏極傾斜部分DEb的漏電極DE以及具有第一源極傾斜部分SEa和第二源極傾斜部分SEb的源電極SE。

在圖8中，在第二漏極傾斜部分DEb延伸的方向與第二方向D2之間的角度與在第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa延伸的方向與第二方向D2之間的角度相同。在第一漏極傾斜部分DEa延伸的方向與第二方向D2之間的角度與在第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb延伸的方向與第二方向D2之間的角度相同。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，薄膜晶體管TFTf的漏電極DE可以相比于數(shù)據(jù)線DLj的連接部分DLc進(jìn)一步地彎曲。例如，在第二漏極傾斜部分DEb延伸的方向與第二方向D2之間的角度可以大于在第一數(shù)據(jù)傾斜部分DLa延伸的方向與第二方向D2之間的角度，在第一漏極傾斜部分DEa延伸的方向與第二方向D2之間的角度可以大于在第二數(shù)據(jù)傾斜部分DLb延伸的方向與第二方向D2之間的角度。

應(yīng)該理解的是，這里描述的實(shí)施例應(yīng)該僅被認(rèn)為是描述性的含義，而不是為了限制的目的。對(duì)每個(gè)實(shí)施例內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其它實(shí)施例中的其它類似的特征或方面。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，于此可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。