本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管是一種由含有III-Ⅴ族元素的半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的發(fā)光元件，且發(fā)光二極管具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產(chǎn)生及低功率消耗等優(yōu)點(diǎn)，因此已被廣泛應(yīng)用于家用及各種設(shè)備中的指示器或光源。近年來，發(fā)光二極管已朝多色彩及高亮度發(fā)展，因此其應(yīng)用領(lǐng)域已擴(kuò)展至大型戶外看板、交通號志燈及相關(guān)領(lǐng)域。在未來，發(fā)光二極管甚至可能成為兼具省電及環(huán)保功能的主要照明光源，亦可能廣泛應(yīng)用于各種裝飾性或指示性照明。

舉例來說，可將發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)裝設(shè)于電子裝置的按鍵而使所述按鍵能夠發(fā)光，以便于使用者在黑暗中操作按鍵，或借所述光提升電子裝置的美感。為了讓發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光能夠有效率地進(jìn)行傳遞以提供按鍵良好的發(fā)光能力，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)本身在各方向的發(fā)光強(qiáng)度的控制顯得十分重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，在特定方向具有較大的發(fā)光強(qiáng)度。

本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一基材、一發(fā)光二極管以及一封裝膠體。基材具有一第一表面，發(fā)光二極管配置于基材的第一表面上且適于產(chǎn)生及發(fā)射一光。封裝膠體配置于基材上且包覆發(fā)光二極管，其中封裝膠體具有與基材的第一表面平行的一第二表面以及與基材的第一表面垂直的多個(gè)第三表面。光通過與基材的第一表面平行的第二表面后具有一第一發(fā)光強(qiáng)度，光通過與基材的第一表面垂直的這些第三表面后具有一第二發(fā)光強(qiáng)度，第一發(fā)光強(qiáng)度大于第二發(fā)光強(qiáng)度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一覆蓋元件，其設(shè)置于封裝膠體與基材的第一表面垂直的多個(gè)第三表面的至少其中之一，光通過覆蓋元件后具有一第三發(fā)光強(qiáng)度，其中第三發(fā)光強(qiáng)度小于第二發(fā)光強(qiáng)度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管在與基材的第一表面呈垂直的至少一第四表面以及相對于至少一第三表面的封裝膠體表面之間設(shè)置有一覆蓋元件，使得通過覆蓋元件自封裝膠體表面透出的光具有一第三發(fā)光強(qiáng)度，其中第三發(fā)光強(qiáng)度小于第二發(fā)光強(qiáng)度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管在與基材的第一表面呈垂直的至少一第四表面上設(shè)置有一覆蓋元件，使得通過覆蓋元件自封裝膠體表面透出的光具有一第三發(fā)光強(qiáng)度，其中第三發(fā)光強(qiáng)度小于第二發(fā)光強(qiáng)度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的覆蓋元件是借由噴涂、濺鍍、壓模、或磨砂的方式所形成。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的覆蓋元件主要是由膠材及填充物所構(gòu)成，其中該填充物占整體覆蓋元件重量百分濃度的50％以上，更佳的是能夠達(dá)到70％以上。該填充物可以至少包括反射元件以及折射粒子，因此能夠?qū)⒂煞庋b膠體所透出的光再進(jìn)行折射，因此覆蓋元件的透光率將低于封裝膠體的透光率。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的覆蓋元件的一端至少部分切入基材表面，并且，該覆蓋元件與基材的材料可以使用相同，或者是不同的材料所構(gòu)成。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管為由一氮化鎵系的半導(dǎo)體芯片所組成，該半導(dǎo)體芯片還包括一發(fā)光層結(jié)構(gòu)，當(dāng)該半導(dǎo)體芯片放置于基材表面后，該發(fā)光層將與覆蓋元件垂直，同時(shí)，該半導(dǎo)體芯片長與寬長度可以為不同，而該半導(dǎo)體芯片的厚度將大于芯片較短邊長度的一半。因此，該發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)能夠有效的加強(qiáng)第一發(fā)光強(qiáng)度而大于第二發(fā)光強(qiáng)度或第三發(fā)光強(qiáng)度。

另外，氮化鎵系半導(dǎo)體芯片另外還包括一藍(lán)寶石基板，為了避免因第一發(fā)光強(qiáng)度、第二發(fā)光強(qiáng)度以及第三發(fā)光強(qiáng)度彼此之間的光強(qiáng)度相差過大，而導(dǎo)致光色不均勻的現(xiàn)象。因此可以在半導(dǎo)體芯片的藍(lán)寶石基板外側(cè)邊進(jìn)行圖案化，以形成凹凸不平的截面。如此則可增加第二發(fā)光強(qiáng)度以及第三發(fā)光強(qiáng)度。

除了借由芯片基板的圖案化來降低光強(qiáng)度相差過大的問題，另外，氮化鎵是半導(dǎo)體芯片與覆蓋元件之間的距離也必須要加以控制，來降低第一發(fā)光強(qiáng)度與第三發(fā)光強(qiáng)度彼此之間的差異。例如氮化鎵系半導(dǎo)體芯片與覆蓋元件最接近的一側(cè)邊，該側(cè)邊與覆蓋元件距離較佳應(yīng)設(shè)定為不超過芯片較短邊的長度的一半。如此，不但可以降低發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的厚度，同樣還可以降低第一發(fā)光強(qiáng)度與第三發(fā)光強(qiáng)度的差異。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的具有第一發(fā)光強(qiáng)度、第二發(fā)光強(qiáng)度、以及第三發(fā)光強(qiáng)度的光的透出方向相互垂直。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述發(fā)光二極管設(shè)置于該基材表面或接墊，而因?yàn)樵诒景l(fā)明的設(shè)計(jì)中，發(fā)光二極管難以借由導(dǎo)線通孔或者是端子進(jìn)行散熱，因此于覆蓋膠體的選擇上，優(yōu)選的應(yīng)選擇熱固型材料以避免因發(fā)熱而造成的膠體變型。同時(shí)于覆蓋膠體中，優(yōu)選的可以填充粒子以提升熱傳導(dǎo)功效，相關(guān)材料例如TiO₂、SiO₂或者是Al₂O₃等陶瓷材料。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述封裝膠體中的填充粒子，其中可以包含一熒光粉材料，該熒光材料可選自由下述所構(gòu)成的群組中之一或多者：Sr₅(PO₄)₃Cl:Eu²⁺、(Sr,Ba)MgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺、(Sr,Ba)₃MgSi₂O₈:Eu²⁺、SrAl₂O₄:Eu²⁺、SrBaSiO₄:Eu²⁺、CdS:In、CaS:Ce³⁺、Y₃(Al,Gd)₅O₁₂:Ce²⁺、Ca₃Sc₂Si₃O₁₂:Ce³⁺、SrSiON:Eu²⁺、ZnS:Al³⁺,Cu⁺、CaS:Sn²⁺、CaS:Sn²⁺,F、CaSO₄:Ce³⁺,Mn²⁺、LiAlO₂:Mn²⁺、BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS:Cu⁺,Cl^-、Ca₃WO₆:U、Ca₃SiO₄C_l2:Eu²⁺、Sr_xBa_yCl_zAl₂O_4-z/2:Ce³⁺,Mn²⁺(X:0.2、Y:0.7、Z:1.1)、Ba₂MgSi₂O₇:Eu²⁺、Ba₂SiO₄:Eu²⁺、Ba₂Li₂Si₂O₇:Eu²⁺、ZnO:S、ZnO:Zn、Ca₂Ba₃(PO₄)₃Cl:Eu²⁺、BaAl₂O₄:Eu²⁺、SrGa₂S₄:Eu²⁺、ZnS:Eu²⁺、Ba₅(PO₄)₃Cl:U、Sr₃WO₆:U、CaGa₂S₄:Eu²⁺、SrSO₄:Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS:P、ZnS:P^3-,Cl^-、ZnS:Mn²⁺、CaS:Yb²⁺,Cl、Gd₃Ga₄O₁₂:Cr³⁺、CaGa₂S₄:Mn²⁺、Na(Mg,Mn)₂LiSi₄O₁₀F₂:Mn、ZnS:Sn²⁺、Y₃Al₅O₁₂:Cr³⁺、SrB₈O₁₃:Sm²⁺、MgSr₃Si₂O₈:Eu²⁺,Mn²⁺、α-SrO·3B₂O₃:Sm²⁺、ZnS-CdS、ZnSe:Cu⁺,Cl、ZnGa₂S₄:Mn²⁺、ZnO:Bi³⁺、BaS:Au,K、ZnS:Pb²⁺、ZnS:Sn²⁺,Li⁺、ZnS:Pb,Cu、CaTiO₃:Pr³⁺、CaTiO₃:Eu³⁺、Y₂O₃:Eu³⁺、(Y,Gd)₂O₃:Eu³⁺、CaS:Pb²⁺,Mn²⁺、YPO₄:Eu³⁺、Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Mn²⁺、Y(P,V)O₄:Eu³⁺、Y₂O₂S:Eu³⁺、SrAl₄O₇:Eu³⁺、CaYAlO₄:Eu³⁺、LaO₂S:Eu³⁺、LiW₂O₈:Eu³⁺,Sm³⁺、(Sr,Ca,Ba,Mg)₁₀(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺,Mn²⁺、Ba₃MgSi₂O₈:Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS:Mn²⁺,Te²⁺、Mg₂TiO₄:Mn⁴⁺、K₂SiF₆:Mn⁴⁺、SrS:Eu²⁺、Na_1.23K_0.42Eu_0.12TiSi₄O₁₁、Na_1.23K_0.42Eu_0.12TiSi₅O₁₃:Eu³⁺、CdS:In,Te、CaAlSiN₃:Eu²⁺、CaSiN₃:Eu²⁺、(Ca,Sr)₂Si₅N₈:Eu²⁺、Eu₂W₂O₇。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，為了加強(qiáng)覆蓋元件以及基板的接合強(qiáng)度，可以于上述的基板的外側(cè)邊形成一階梯構(gòu)造，而該覆蓋元件則可設(shè)置于該階梯構(gòu)造中，于此則可以增加覆蓋元件以及基板之間的接觸面積，避免因發(fā)光二極管發(fā)熱而導(dǎo)致覆蓋元件與基板或封裝膠體脫層的現(xiàn)象。

本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟。提供一基材。設(shè)置多個(gè)發(fā)光二極管于基材上，其中多個(gè)發(fā)光二極管形成一陣列。設(shè)置一封裝膠體于基材上且包覆多個(gè)發(fā)光二極管。沿陣列的行方向或列方向在多個(gè)發(fā)光二極管之間預(yù)切割封裝膠體，以形成相互平行的多個(gè)切槽，其中各切槽切入基材的表面。填充一膠材于各切槽中。對封裝膠體及基材進(jìn)行單體化切割，以形成多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中膠材成為各發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的一覆蓋元件。

本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一發(fā)光二極管以及一封裝膠體。發(fā)光二極管發(fā)射一光，封裝膠體包覆該發(fā)光二極管，其中封裝膠體具有一第一表面以及與第一表面垂直的多個(gè)第二表面。其中光通過與第一表面后具有一第一發(fā)光強(qiáng)度，光通過與多個(gè)第二表面后具有一第二發(fā)光強(qiáng)度，第一發(fā)光強(qiáng)度不同于該第二發(fā)光強(qiáng)度。

在一實(shí)施例中，第一發(fā)光強(qiáng)度大于第二發(fā)光強(qiáng)度。

在一實(shí)施例中，第一發(fā)光強(qiáng)度小于第二發(fā)光強(qiáng)度。

基于上述，在本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，發(fā)光二極管發(fā)出的光通過與基材表面平行的表面后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第一發(fā)光強(qiáng)度)，是大于所述光通過與基材表面垂直的表面后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第二發(fā)光強(qiáng)度)。據(jù)此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在特定方向具有較大的發(fā)光強(qiáng)度，使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光能夠因應(yīng)其裝設(shè)環(huán)境而有效率地進(jìn)行傳遞。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說明，其中：

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖2是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的前視圖。

圖3是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。

圖4繪示圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于電子裝置的按鍵內(nèi)的導(dǎo)光結(jié)構(gòu)。

圖5是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。

圖6是本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。

圖7是本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的前視圖。

圖8是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。

圖中元件標(biāo)號說明如下：

50：導(dǎo)光結(jié)構(gòu)

50a：反射面

52：側(cè)邊

54：底面

100、200、300：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

110、210、310：基材

110a、130a、130b、130c、130d、130e、310a、330a、330b、330c、330d、330e：表面

110b、210b、310b：接墊

110c、210c、310c：導(dǎo)線

112、212：第一基板

112a：線路層

112b、212b：端子

114、214：第二基板

114a：導(dǎo)電通孔

120、220、320：發(fā)光二極管

130、230、330：封裝膠體

140、240、340：覆蓋元件

142、242：覆蓋元件的一端

L1、L1’、L2、L2’、L3、L3’：光

具體實(shí)施方式

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的前視圖。圖3是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。請參考圖1至圖3，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100包括一基材110、一發(fā)光二極管120以及一封裝膠體130。發(fā)光二極管120配置于基材110的表面110a上且適于產(chǎn)生及發(fā)射光。封裝膠體130配置于基材110上且包覆發(fā)光二極管120。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管120例如為朗伯型(Lambertian)光源。

封裝膠體130具有與基材110的表面110a平行的一表面130a以及與基材110的表面110a垂直的多個(gè)表面130b、130c、130d、130e。發(fā)光二極管120發(fā)射的光通過與基材110的表面110a平行的表面130a后具有第一發(fā)光強(qiáng)度(標(biāo)示為光L1)，發(fā)光二極管120發(fā)射的光通過與基材110的表面110a垂直的表面130b、130c、130d后具有第二發(fā)光強(qiáng)度(標(biāo)示為光L2)，且所述第一發(fā)光強(qiáng)度大于所述第二發(fā)光強(qiáng)度。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管120的出光具有方向性，且發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100例如是借由發(fā)光二極管120的出光的方向性而使所述第一發(fā)光強(qiáng)度大于所述第二發(fā)光強(qiáng)度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，封裝膠體130的表面110b與130c平行，封裝膠體130的表面110d與130e平行，封裝膠體130的表面110b與130c連接于封裝膠體130的表面110d與130e。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，光通過封裝膠體130表面130b、130c、130d、130e具有不同發(fā)光強(qiáng)度。

此外，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100更包括一覆蓋元件140，覆蓋元件140設(shè)置于封裝膠體130與基材110的表面110a垂直的表面130e，發(fā)光二極管120發(fā)射的光通過覆蓋元件140后具有第三發(fā)光強(qiáng)度(標(biāo)示為光L3)。覆蓋元件140的透光率低于封裝膠體130的透光率，而使所述第三發(fā)光強(qiáng)度小于所述第二發(fā)光強(qiáng)度。覆蓋元件140例如是借由噴涂、濺鍍、壓模、磨砂或其他適當(dāng)方式所形成，本發(fā)明不對此加以限制。在本實(shí)施例中，封裝膠體130例如為矩形體，且具有所述第一發(fā)光強(qiáng)度、所述第二發(fā)光強(qiáng)度及所述第三發(fā)光強(qiáng)度的光的透出方向是如圖1至圖3所示相互垂直。對于封裝膠體130外型，本發(fā)明不對此加以限制，如圖1的右視圖，覆蓋元件140以及第二基板114的外型為一“L”型。第一基板112及第二基板114的外型為一“L”型。覆蓋元件140以及與基材110的外型為一“T”型。

借由上述配置方式，發(fā)光二極管120發(fā)出的光通過與基材110的表面110a平行的表面130a后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第一發(fā)光強(qiáng)度)，大于所述光通過與基材110的表面110a垂直的表面130b、130c、130d后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第二發(fā)光強(qiáng)度)。此外，所述光通過與基材110的表面110a垂直的表面130b、130c、130d后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第二發(fā)光強(qiáng)度)，大于所述光通過覆蓋元件140后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第三發(fā)光強(qiáng)度)。據(jù)此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100在特定方向具有較大的發(fā)光強(qiáng)度，使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100產(chǎn)生的光能夠因應(yīng)其裝設(shè)環(huán)境而有效率地進(jìn)行傳遞。

圖4繪示圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于電子裝置的按鍵內(nèi)的導(dǎo)光結(jié)構(gòu)。舉例來說，可如圖4所示將發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100嵌設(shè)于按鍵內(nèi)的導(dǎo)光結(jié)構(gòu)50的側(cè)邊52而非裝設(shè)于導(dǎo)光結(jié)構(gòu)50的底面54，以降低導(dǎo)光結(jié)構(gòu)50與發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100結(jié)合后的整體厚度。如前所述將發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100設(shè)計(jì)為在特定方向具有較大的發(fā)光強(qiáng)度，可使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100發(fā)出的光有效率地沿水平方向傳遞至導(dǎo)光結(jié)構(gòu)50內(nèi)側(cè)的多個(gè)反射面50a，借由反射面50a對所述光的反射而達(dá)到最佳的整體發(fā)光效果，以提供按鍵良好的發(fā)光能力。在其他實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100可應(yīng)用于其他種類的裝置或構(gòu)件，本發(fā)明不對此加以限制。

請參考圖3，本實(shí)施例的基材110的表面110a上具有兩接墊110b，發(fā)光二極管120配置于一接墊110b上并借由導(dǎo)線110c分別連接兩接墊110b，各接墊110b則借由對應(yīng)的導(dǎo)電通孔114a及線路層112a而連接至對應(yīng)的端子112b，其中該端子的形狀可以為一半通孔形狀。進(jìn)一步而言，本實(shí)施例的基材110包括相疊設(shè)的一第一基板112及一第二基板114。借由將基材110分為第一基板112及第二基板114，可在第一基板112與第二基板114相結(jié)合之前，先在第一基板112上形成線路層112a并在第二基板114上形成導(dǎo)電通孔114a，然后將第一基板112與第二基板114相結(jié)合而使導(dǎo)電通孔114a連接線路層112a，且使線路層112a被第一基板112覆蓋。據(jù)此，不需將線路層112a形成于基材110的表面110a上，以節(jié)省表面110a上的配置空間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光二極管120藉由覆晶連接方式與接墊110b電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光二極管120藉由導(dǎo)電粘合劑與導(dǎo)線連接的方式與與接墊110b電性連接。

圖5是圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。請參考圖5，本實(shí)施例的覆蓋元件140的一端142并未切入基材110的表面110a。然本發(fā)明不以此為限，以下借由附圖對此舉例說明。圖6是本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。在圖6的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200中，基材210、接墊210b、導(dǎo)線210c、第一基板212、第二基板214、端子212b、發(fā)光二極管220、封裝膠體230、覆蓋元件240的配置與作用方式類似圖5的基材110、接墊110b、導(dǎo)線110c、第一基板112、第二基板114、端子112b、發(fā)光二極管120、封裝膠體130、覆蓋元件140的配置與作用方式，于此不再贅述。

發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200與發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的不同處在于，覆蓋元件240的一端242至少部分切入基材210的表面210a。詳細(xì)而言，在對發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200及其封裝膠體230進(jìn)行單體化之前，例如是先對封裝膠體230進(jìn)行預(yù)切割以形成用以配置覆蓋元件240的切槽，而此切槽可切入基材210的表面210a，從而，形成于所述切槽內(nèi)的覆蓋元件240亦如圖6所示切入基材210的表面210a。

圖7是本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的前視圖。在圖7的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)300中，基材310、表面310a、接墊310b、導(dǎo)線310c、發(fā)光二極管320、封裝膠體330、表面330a、表面330b、表面330c、表面330d、表面330e的配置與作用方式類似圖2的基材110、表面110a、接墊110b、導(dǎo)線110c、發(fā)光二極管120、封裝膠體130、表面130a、表面130b、表面130c、表面130d、表面130e的配置與作用方式，于此不再贅述。

發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)300與發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的不同處在于，覆蓋元件340是設(shè)置于發(fā)光二極管320與基材310的表面310a呈垂直的表面320a上。類似于圖2的實(shí)施例的所述第一發(fā)光強(qiáng)度、第二發(fā)光強(qiáng)度及第三發(fā)光強(qiáng)度的大小關(guān)系，在圖7的實(shí)施例中，通過覆蓋元件340自封裝膠體330的表面330e透出的光的第三發(fā)光強(qiáng)度(標(biāo)示為光L3’)，小于通過與基材310的表面310a垂直的表面330b、330c、330d的光的第二發(fā)光強(qiáng)度(標(biāo)示為光L2’)，且更小于通過與基材310的表面310a平行的表面330a的光的第一發(fā)光強(qiáng)度(標(biāo)示為光L1’)。在其他實(shí)施例中，覆蓋元件340可設(shè)置于發(fā)光二極管320與基材310的表面310a呈垂直的表面320a以及相對于表面320a的封裝膠體330的表面330e之間的任何適當(dāng)位置，本發(fā)明不對此加以限制。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，封裝膠體130的表面110b與130c平行，封裝膠體130的表面110d與130e平行，封裝膠體130的表面110b與130c連接于封裝膠體130的表面110d與130e。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，光通過封裝膠體130表面130b、130c、130d、130e具有不同發(fā)光強(qiáng)度。

以下說明本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。圖8是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。請參考圖8，首先，提供大面積的一基材(步驟S620)。接著，設(shè)置多個(gè)發(fā)光二極管于基材上，其中多個(gè)發(fā)光二極管形成一陣列(步驟S604)。設(shè)置一封裝膠體于基材上且包覆多個(gè)發(fā)光二極管(步驟S606)。沿陣列的行方向或列方向在多個(gè)發(fā)光二極管之間預(yù)切割封裝膠體，以形成相互平行的多個(gè)切槽，其中各切槽切入基材的表面(步驟S608)。填充一膠材于各切槽中(步驟S610)。對封裝膠體及基材進(jìn)行單體化切割，以形成多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中膠材成為各發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的一覆蓋元件(步驟S612)，為了增加覆蓋元件與該基材表面的連接強(qiáng)度，該覆蓋元件可以至少部分切入基材表面。

綜上所述，在本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，發(fā)光二極管發(fā)出的光通過與基材表面平行的表面后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第一發(fā)光強(qiáng)度)，是大于所述光通過與基材表面垂直的表面后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第二發(fā)光強(qiáng)度)。此外，所述光通過與基材的表面垂直的表面后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第二發(fā)光強(qiáng)度)，大于所述光通過覆蓋元件后的發(fā)光強(qiáng)度(即所述第三發(fā)光強(qiáng)度)。據(jù)此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在特定方向具有較大的發(fā)光強(qiáng)度，使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光能夠因應(yīng)其裝設(shè)環(huán)境而有效率地進(jìn)行傳遞。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。