1.一種晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括如下步驟：
步驟1：利用強酸或強堿對硅片表面進行腐蝕性制絨；
步驟2：利用磷雜質(zhì)源對硅片進行擴散處理；
步驟3：通過拋光處理去除硅片表面的磷硅玻璃和提高硅片表面光潔度；
步驟4：硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：在硅片背面進行激光刻蝕；
步驟7：利用酸清洗硅片；
步驟8：利用離心干燥機對硅片進行離心甩干；
步驟9：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟10：背電極、背電場和正電極的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟1中的強酸為氫氟酸和硝酸，強堿為氫氧化鈉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟6中激光刻蝕為激光打孔或激光刻槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟7中的酸為氫氟酸或氯化氫，氫氟酸和氯化氫的質(zhì)量濃度分別為0.2-2％和0.5-3％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟7和步驟8之間還有步驟71：硅片置于去離子水中，并通入超聲波清洗20-80秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一條所述晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟8中離心干燥機轉(zhuǎn)速為50-150轉(zhuǎn)/分，溫度為40-80℃，干燥時間60-180秒。