技術總結
本發(fā)明公開了一種LED芯片及其制作方法，屬于半導體技術領域。所述LED芯片包括襯底、以及依次層疊在襯底上的n型氮化物半導體層、發(fā)光層、p型氮化物半導體層、電流阻擋層、透明導電層，p型氮化物半導體層上設有延伸至n型氮化物半導體層的凹槽，n型氮化物半導體層、凹槽的側壁、透明導電層上設有鈍化層，透明導電層上的鈍化層上設有延伸至p型氮化物半導體層的第一通孔，p型電極設置在第一通孔內，n型氮化物半導體層上的鈍化層上設有延伸至n型氮化物半導體層的第二通孔，n型電極設置在第二通孔內，電流阻擋層上設有若干延伸至p型氮化物半導體層的第三通孔。本發(fā)明電流阻擋層下方發(fā)出的光線可以通過第三通孔射出，提高出光和亮度。

技術研發(fā)人員：于娜;田艷紅;顧小云;王力明
受保護的技術使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號碼：201611148825
技術研發(fā)日：2016.12.13
技術公布日：2017.05.31