技術總結
本發(fā)明公開了一種雙閾值VDMOS器件的制作方法，屬于分立器件技術領域。該方法通過對P體區(qū)的形成過程進行改進，獲得具有兩個閾值電壓的VDMOS器件，P體區(qū)改進工藝：制備多晶硅柵極后，光刻P?離子注入窗口，在柵極兩側形成兩個p阱區(qū)Ⅰ；在兩個p阱區(qū)Ⅰ內注入P型離子形成兩個P體區(qū)Ⅰ；在其中一個P體區(qū)Ⅰ再次進行光刻，再次注入P型離子后具有不同摻雜濃度的P體區(qū)Ⅱ。本發(fā)明于實現(xiàn)了VDMOS器件的雙閾值電壓，實現(xiàn)了其多功能的應用，打開了器件多功能應用的大門，簡化電路，更進一步推進產品小型化，推廣器件的廣泛使用。

技術研發(fā)人員：唐冬;劉旸;劉昕陽;白羽;徐衡;孔明;鄭陽
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第四十七研究所
文檔號碼：201611149370
技術研發(fā)日：2016.12.14
技術公布日：2017.05.17