本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換技術(shù)。

背景技術(shù)：

以往提出有利用包含半導(dǎo)體層的光電轉(zhuǎn)換元件檢測光的技術(shù)。例如，在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種光電轉(zhuǎn)換層介于下部電極和上部電極之間的光電轉(zhuǎn)換元件。在光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序中，首先，在基板的整面上形成作為光電轉(zhuǎn)換元件的下部電極的導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層的表面形成半導(dǎo)體材料的覆蓋層。然后，通過蝕刻等制造技術(shù)對覆蓋層進(jìn)行圖案化是其呈島狀，形成光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層后，通過導(dǎo)電層的圖案化形成光電轉(zhuǎn)換元件的下部電極。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2014-78651號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

在專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，在對覆蓋層進(jìn)行圖案化的工序中，成為基底的導(dǎo)電層(下部電極)露出的狀態(tài)。因此，例如有時會通過覆蓋層的圖案化所使用的蝕刻溶液的附著從導(dǎo)電層分解導(dǎo)電材料，半導(dǎo)體層的表面或側(cè)面附著導(dǎo)電材料，由此形成漏電流的路徑?？紤]到以上的事實，本發(fā)明的目的在于降低在形成光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層的工序中電極的導(dǎo)電材料附著于半導(dǎo)體層的可能性。

用于解決課題的手段

為了解決上述課題，本發(fā)明的優(yōu)選的方式提供一種光電轉(zhuǎn)換元件的制造方法，該光電轉(zhuǎn)換元件具備半導(dǎo)體層，光電轉(zhuǎn)換元件的制造方法包括：形成電極的工序；形成覆蓋電極的絕緣層的工序；在絕緣層中俯視下與電極重疊的區(qū)域形成開口的工序；在絕緣層的表面形成半導(dǎo)體材料的覆蓋層的工序；以及通過覆蓋層的圖案化來形成半導(dǎo)體層的工序，在形成半導(dǎo)體層的工序中，以半導(dǎo)體層的外周緣位于俯視下比開口的內(nèi)周緣靠外側(cè)處的方式，形成半導(dǎo)體層。在以上的方式中，通過覆蓋層的圖案化來形成半導(dǎo)體層的工序中，以半導(dǎo)體層的外周緣位于俯視下比絕緣層的開口的內(nèi)周緣靠外側(cè)處的方式，形成半導(dǎo)體層。即，在形成半導(dǎo)體層的工序中，電極被半導(dǎo)體層及絕緣層覆蓋。因此，在形成半導(dǎo)體層的圖案化的工序中，能夠降低電極的導(dǎo)電材料分解而附著于半導(dǎo)體層的可能性。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式中，光電轉(zhuǎn)換元件的制造方法還包括形成導(dǎo)電層的工序，導(dǎo)電層是將第一導(dǎo)電材料的第一層和光反射性比第一導(dǎo)電材料高的第二導(dǎo)電材料(例如鋁)的第二層以第一層位于表面的方式層疊而成，在形成電極的工序中，以第二導(dǎo)電材料在導(dǎo)電層的表面形成電極。在以上的方式中，通過光反射性比第二層的第二導(dǎo)電材料低的第一導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層的表面的第一層，而通過第二導(dǎo)電材料在導(dǎo)電層的表面形成電極，因此，通過使光在電極的表面反射，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的光電轉(zhuǎn)換。另外，由于在導(dǎo)電層的表面形成電極，與在覆蓋導(dǎo)電層的絕緣層的表面形成電極并經(jīng)由該絕緣層的導(dǎo)通孔使電極導(dǎo)通于導(dǎo)電層的構(gòu)成相比較，有抑制電極和導(dǎo)電層之間導(dǎo)通不良(例如斷線)的優(yōu)點。

在本發(fā)明的優(yōu)選的方式中，在形成電極的工序中，將第一導(dǎo)電材料的第一層和光反射性比第一導(dǎo)電材料高的第二導(dǎo)電材料(例如鋁)的第二層以第一層位于表面并且第二層從作為在該表面的第一層形成的開口的電極開口露出的方式層疊多層，形成電極，在絕緣層形成開口的工序中，以俯視下與電極開口重疊的方式在絕緣層形成開口。在以上的方式中，光反射性的第二層從層疊第一層和第二層所構(gòu)成的電極中位于表面的第一層的電極開口露出，因此通過使光在第二層的表面反射，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的光電轉(zhuǎn)換。

在本發(fā)明的優(yōu)選的方式中，在形成電極的工序中，將第一導(dǎo)電材料的第一層和光反射性比第一導(dǎo)電材料高的第二導(dǎo)電材料(例如鋁)的第二層以第一層位于表面并且第二層從作為在該表面的第一層形成的開口的電極開口露出的方式層疊多層，形成電極，在絕緣層形成開口的工序中，以該開口的內(nèi)周緣位于俯視下比電極開口的內(nèi)周緣靠內(nèi)側(cè)處的方式，在絕緣層形成開口。在以上的方式中，光反射性的第二層從層疊第一層和第二層所構(gòu)成的電極中位于表面的第一層的電極開口露出，因此通過使光在第二層的表面反射，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的光電轉(zhuǎn)換。

本發(fā)明的優(yōu)選方式提供光電轉(zhuǎn)換元件，其具備：電極；絕緣層，覆蓋電極并且形成有俯視下與電極重疊的開口；以及半導(dǎo)體層，俯視下與開口重疊，半導(dǎo)體層的外周緣位于俯視下比開口的內(nèi)周緣靠外側(cè)處。另外，本發(fā)明的優(yōu)選的方式的光電轉(zhuǎn)換裝置具備以上方式的光電轉(zhuǎn)換元件。在以上的各方式中，由于半導(dǎo)體層的外周緣位于俯視下比絕緣層的開口的內(nèi)周緣靠外側(cè)處，因此在通過覆蓋層的圖案化形成半導(dǎo)體層的工序中，由絕緣層覆蓋電極。因此，能夠降低在形成半導(dǎo)體層的圖案化的工序中電極的導(dǎo)電材料分解而附著于半導(dǎo)體層的可能性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的第一實施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的構(gòu)成圖。

圖2是光電轉(zhuǎn)換元件的截面圖。

圖3是將光電轉(zhuǎn)換層的附近放大后的截面圖。

圖4是形成導(dǎo)電層的工序的說明圖。

圖5是形成第一電極的工序的說明圖。

圖6是形成絕緣層的工序的說明圖。

圖7是形成開口的工序的說明圖。

圖8是形成半導(dǎo)體材料的覆蓋層的工序的說明圖。

圖9是形成第一半導(dǎo)體層及中間半導(dǎo)體層的工序的說明圖。

圖10是形成絕緣層及遮光層的工序的說明圖。

圖11是形成第二半導(dǎo)體層的工序的說明圖。

圖12是第二實施方式中的光電轉(zhuǎn)換元件的截面圖。

圖13是第二實施方式中形成電極的工序的說明圖。

圖14是第二實施方式中的變形例中的光電轉(zhuǎn)換元件的截面圖。

圖15是第三實施方式中的光電轉(zhuǎn)換元件的截面圖。

圖16是第四實施方式中的光電轉(zhuǎn)換元件的截面圖。

附圖標(biāo)記的說明

100…光電轉(zhuǎn)換裝置、10…基板、112…定電位線、114…檢測線、12、132、134…晶體管、14…光電轉(zhuǎn)換元件、20…電路層、22…基底層、24…半導(dǎo)體層、25…柵極絕緣層、26…柵極電極、28…層間絕緣層、32…導(dǎo)電層、l1…第一層、l2…第二層、34…配線層、36…配線層、41…第一電極、42…第二電極、43…光電轉(zhuǎn)換層、431…第一半導(dǎo)體層、432…中間半導(dǎo)體層、433…第二半導(dǎo)體層、45…第一電極、50…絕緣層、52…保護(hù)層、53…絕緣層、54…平坦化層、56…絕緣層、58…開口、62…絕緣層、64…遮光層、66…絕緣層、80…覆蓋層、81…第一層、82…第二層。

具體實施方式

<第一實施方式>

圖1是本發(fā)明的第一實施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置100的構(gòu)成圖。光電轉(zhuǎn)換裝置100是例如為了生物體認(rèn)證而對生物體的靜脈圖像進(jìn)行攝像的攝像裝置(靜脈傳感器)，如圖1例示的那樣，具備基板10和多個單位元件u。基板10是玻璃基板、石英基板等板狀部件。多個單位元件u呈矩陣狀排列在基板10的面上。

關(guān)于一個單位元件u，如圖1中代表性圖示的那樣，各單位元件u與定電位線112和檢測線114的交叉對應(yīng)配置，包括晶體管12、晶體管132、晶體管134及光電轉(zhuǎn)換元件14。光電轉(zhuǎn)換元件14對應(yīng)受光量產(chǎn)生電荷。第一實施方式的光電轉(zhuǎn)換元件14能夠接收近紅外光(波長700nm～1000nm)。定電位線112和檢測線114之間串聯(lián)連接晶體管12和晶體管134。晶體管12的柵極電極連接于光電轉(zhuǎn)換元件14，晶體管132連接于晶體管12的柵極電極和定電位線112之間。

通過控制晶體管132為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管12的柵極電極的電位被初始化成定電位線112的電位后，變?yōu)閷?yīng)光電轉(zhuǎn)換元件14的受光量的電位。因此，如果控制晶體管134為導(dǎo)通狀態(tài)，則與光電轉(zhuǎn)換元件14的受光量(晶體管12的柵極電極的電位)對應(yīng)的電流值的檢測信號從定電位線112經(jīng)由晶體管12和晶體管134，向檢測線114輸出。即，單位元件u內(nèi)的各晶體管(12、132、134)是用于檢測信號的輸入輸出的控制(光電轉(zhuǎn)換元件14的驅(qū)動)的半導(dǎo)體元件。此外，單位元件u的具體構(gòu)成不限定于圖1的例示。

<光電轉(zhuǎn)換元件14的結(jié)構(gòu)>

圖2是光電轉(zhuǎn)換裝置100中與任一個單位元件u對應(yīng)的部分的截面圖。如圖2所示，在基板10的表面形成電路層20。電路層20包括基底層22、多個晶體管(12、132、134)和層間絕緣層28。基底層22例如由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)等絕緣材料形成。

各單位元件u內(nèi)的多個晶體管(12、132、134)是同樣構(gòu)成的薄膜晶體管。圖2中代表性地例示出晶體管12。晶體管12是包含半導(dǎo)體層24、柵極絕緣層25和柵極電極26的薄膜晶體管。半導(dǎo)體層24例如由多晶硅等半導(dǎo)體材料在基底層22的表面呈島狀形成。柵極電極26例如由鉬(mo)等導(dǎo)電材料形成，隔著柵極絕緣層25與半導(dǎo)體層24的溝道區(qū)域相對。層間絕緣層28是覆蓋半導(dǎo)體層24和柵極電極26的絕緣性的覆膜，例如由氧化硅、氮化硅等絕緣材料形成。

在電路層20(層間絕緣層28)的表面形成有晶體管12的源極電極及漏極電極(略圖示)之外，還形成有導(dǎo)電層32、配線層34和配線層36。導(dǎo)電層32經(jīng)由貫通層間絕緣層28的導(dǎo)通孔(接觸孔)，導(dǎo)通于晶體管12的柵極電極26。如圖2例示的那樣，導(dǎo)電層32是交替層疊第一層l1和第二層l2的結(jié)構(gòu)的電極。第一層l1以熔點比第二層l21高的第一導(dǎo)電材料形成，第二層l2以光反射性比第一層l1高的第二導(dǎo)電材料形成。第一導(dǎo)電材料是例如鉬(mo)、鈦(ti)等高熔點金屬，第二導(dǎo)電材料是例如包含鋁、銀等的光反射性金屬。如圖2所例示那樣，第一實施方式的導(dǎo)電層32是第二層l2介于彼此相對的一對第一層l1之間的合計三層的層疊體，高熔點的第一層l1位于表面。因此，具有如下優(yōu)點：例如在光電轉(zhuǎn)換元件14的制造工序中，即便在加熱導(dǎo)電層32的情況下，也能夠抑制導(dǎo)電層32的電特性波動。另外，在以鋁為代表的第二導(dǎo)電材料位于最表層的構(gòu)成中，存在表面容易產(chǎn)生小丘的問題。在第一實施方式中，由于通過鉬、鈦等的第一導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層32的表面，有能夠抑制小丘產(chǎn)生的優(yōu)點。

圖2的配線層34及配線層36也與晶體管12的源極電極、漏極電極一起以與導(dǎo)電層32同樣的層疊結(jié)構(gòu)形成。配線層34及配線層36例如維持接地電位。

如圖2例示的那樣，光電轉(zhuǎn)換元件14是光電轉(zhuǎn)換層43介于第一電極41和第二電極42之間的受光元件(光電二極管)。第一電極41是位于光電轉(zhuǎn)換層43的下層的下部電極，按照單位元件u單獨(dú)形成。第一實施方式的第一電極41由與導(dǎo)電層32的第二層l2同樣的低電阻且光反射性的第二導(dǎo)電材料(例如包含鋁的導(dǎo)電材料)形成在導(dǎo)電層32的表面。即，以接觸于導(dǎo)電層32中位于最表層的第一層l1的表面的方式形成第一電極41。

形成導(dǎo)電層32、配線層34和配線層36的電路層20的表面被絕緣層50覆蓋。第一實施方式的絕緣層50以保護(hù)層52、平坦化層54和絕緣層56的層疊構(gòu)成。保護(hù)層52(鈍化層)是用于保護(hù)晶體管12的覆膜，例如由氧化硅、氮化硅等絕緣材料形成。平坦化層54是用于使電路層20的表面的凹凸(高低差)平坦化的覆膜，例如由透光性的樹脂材料(例如丙烯酸類樹脂)形成。絕緣層56是覆蓋保護(hù)層52和平坦化層54的覆膜，例如由氧化硅、氮化硅等絕緣材料形成。此外，在圖2中例示出了以單層分別形成保護(hù)層52及絕緣層56的構(gòu)成，但也能通過層疊不同的絕緣材料所形成的多層層疊體來形成保護(hù)層52或絕緣層56。

在絕緣層50中俯視下(即從與基板10的表面垂直的方向觀察)與第一電極41重疊的區(qū)域，按照每個單位元件u單獨(dú)形成開口58。具體而言，在絕緣層50中層疊有保護(hù)層52和絕緣層56的區(qū)域形成開口58。圖3是將絕緣層50的開口58的附近放大后的截面圖。如從圖3所理解的那樣，絕緣層50的開口58的內(nèi)周緣e1位于俯視下第一電極41的外周緣(輪廓線)e2的內(nèi)側(cè)。即，絕緣層50的開口58的區(qū)域在俯視下包含于第一電極41的輪廓線所包圍的范圍(即第一電極41所在的區(qū)域)內(nèi)。因此，第一電極41經(jīng)由開口58從絕緣層50露出，構(gòu)成該開口58的內(nèi)壁面所包圍的空間(凹部)的底面。

如圖2例示的那樣，第一實施方式的光電轉(zhuǎn)換層43是從第一電極41側(cè)依次層疊第一半導(dǎo)體層431、中間半導(dǎo)體層432和第二半導(dǎo)體層433的層疊體，形成為俯視下重疊于絕緣層50的開口58。因此，第一半導(dǎo)體層431在開口58的內(nèi)側(cè)接觸于第一電極41的表面。第一半導(dǎo)體層431、中間半導(dǎo)體層432和第二半導(dǎo)體層433例如由非晶硅等半導(dǎo)體材料形成。具體而言，第一半導(dǎo)體層431是由n型半導(dǎo)體形成的下部接觸層(n⁺層)，第二半導(dǎo)體層433是由p型半導(dǎo)體形成的上部接觸層(p⁺層)。介于第一半導(dǎo)體層431和第二半導(dǎo)體層433之間的中間半導(dǎo)體層432是由本征半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體層(i層)。如從以上說明理解的那樣，第一實施方式的光電轉(zhuǎn)換元件14是將第一電極41作為陰極的pin型二極管。此外，能夠由p型半導(dǎo)體形成第一半導(dǎo)體層431，并且由n型半導(dǎo)體形成第二半導(dǎo)體層433。

如從圖3理解的那樣，第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432的外周緣(輪廓線)e3位于俯視下絕緣層50的開口58的內(nèi)周緣e1的外側(cè)。即，形成開口58的區(qū)域俯視下包含于第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432的輪廓線所包圍的范圍(光電轉(zhuǎn)換層43所在的區(qū)域)內(nèi)。因此，第一半導(dǎo)體層431在開口58的內(nèi)側(cè)覆蓋從絕緣層50露出的第一電極41的表面和開口58的內(nèi)壁面并到達(dá)絕緣層50的表面，覆蓋該表面中位于開口58的內(nèi)周緣e1附近的環(huán)狀及框狀的區(qū)域。

如圖2例示的那樣，形成第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432的絕緣層50的表面被絕緣層62覆蓋。絕緣層62例如由氧化硅、氮化硅等絕緣材料形成。在絕緣層62的表面形成有遮光層64。遮光層64由遮光性的導(dǎo)電材料(例如鉻)形成，經(jīng)由貫通絕緣層50及絕緣層62的導(dǎo)通孔，導(dǎo)通于所述配線層34。因此，遮光層64維持接地電位。通過遮光層64遮光朝向晶體管12的光，從而能夠抑制起因于光照射的晶體管12的漏電流。此外，在樹脂材料的平坦化層54的表面形成遮光層64的構(gòu)成中，存在遮光層64易于從平坦化層54的表面剝離的問題。在第一實施方式中，由于在覆蓋平坦化層54的絕緣層62的表面形成遮光層64，有能夠抑制遮光層64的剝離的優(yōu)點。

形成遮光層64的絕緣層62的表面被絕緣層66覆蓋。絕緣層66例如由氧化硅、氮化硅等絕緣材料形成。如圖2所示的那樣，在絕緣層62及絕緣層66形成有和絕緣層50同樣的開口67。即，中間半導(dǎo)體層432經(jīng)由開口67，從絕緣層62及絕緣層66露出。第二半導(dǎo)體層433形成為俯視下與開口67重疊。因此，第二半導(dǎo)體層433在開口67的內(nèi)側(cè)接觸于中間半導(dǎo)體層432的表面。通過以上說明的第一半導(dǎo)體層431、中間半導(dǎo)體層432和第二半導(dǎo)體層433的層疊體，形成光電轉(zhuǎn)換層43。

在形成有第二半導(dǎo)體層433的絕緣層66的表面形成第二電極42。第二電極42是例如ito(indiumtinoxide：氧化銦錫)、izo(indiumzincoxide：氧化銦鋅)等透光性的導(dǎo)電材料在絕緣層66的表面形成的上部電極，作為光電轉(zhuǎn)換元件14的陽極發(fā)揮功能。第二電極42遍及多個單位元件u連續(xù)地形成，介于貫通絕緣層50、絕緣層62和絕緣層66的導(dǎo)通孔，導(dǎo)通于配線層36。因此，第二電極42維持接地電位。

<光電轉(zhuǎn)換元件14的制造方法>

圖4到圖11是第一實施方式的光電轉(zhuǎn)換元件14的制造工序的說明圖。在基板10的表面形成電路層20的階段開始圖4的工序p1。如圖4例示的那樣，在最初的工序p1(形成導(dǎo)電層的工序)中，通過濺射等公知的成膜技術(shù)在電路層20的表面形成導(dǎo)電層32、配線層34和配線層36。在執(zhí)行工序p1后的工序p2(形成電極的工序)中，如圖5例示的那樣，用鋁等光反射性的第二導(dǎo)電材料在導(dǎo)電層32的表面形成第一電極41。在第一電極41的形成中，利用濺射等公知的成膜技術(shù)、光刻法及蝕刻等公知的加工技術(shù)等。

在執(zhí)行工序p2后的工序p3(形成絕緣層的工序)中，如圖6例示的那樣，形成覆蓋第一電極41的絕緣層50。具體而言，工序p3包括遍及電路層20的整面形成保護(hù)層52的工序，在保護(hù)層52的表面形成平坦化層54的工序，形成覆蓋保護(hù)層52及平坦化層54的絕緣層56的工序。在保護(hù)層52及絕緣層56的形成中，利用例如化學(xué)氣相沉積法(cvd：chemicalvapordeposition)等公知的成膜技術(shù)，在平坦化層54的形成中例如利用旋轉(zhuǎn)涂膠等成膜技術(shù)。

在執(zhí)行工序p3后的工序p4(形成開口的工序)中，如圖7例示的那樣，在絕緣層50中俯視下與第一電極41重疊的區(qū)域形成開口58。在開口58的形成中，利用例如光刻法及蝕刻等公知的加工技術(shù)。如參照圖3來已敘述那樣，絕緣層50的開口58的內(nèi)周緣e1位于俯視下第一電極41的外周緣e2的內(nèi)側(cè)。

在執(zhí)行工序p4后的工序p5(形成覆蓋層的工序)中，如圖8例示的那樣，在絕緣層50的表面形成半導(dǎo)體材料的覆蓋層80。覆蓋層80是成為第一半導(dǎo)體層431的第一層81和成為中間半導(dǎo)體層432的第二層82的層疊體，在工序p4所形成的開口58的內(nèi)側(cè)接觸于第一電極41并遍及絕緣層50的表面的整個區(qū)域連續(xù)。在覆蓋層80的形成中，利用例如濺射等公知的成膜技術(shù)。

在執(zhí)行工序p5后的工序p6(形成半導(dǎo)體層的工序)中，如圖9例示的那樣，通過工序p5所形成的覆蓋層80的圖案化，形成光電轉(zhuǎn)換層43的第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432。在覆蓋層80的圖案化中，利用例如光刻法及蝕刻等公知的加工技術(shù)。在工序p6中，通過以使得半導(dǎo)體層的外周緣e3位于在俯視下比開口58的內(nèi)周緣e1靠外側(cè)處的方式對覆蓋層80進(jìn)行圖案化，形成第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432。因此，第一電極41成為被絕緣層50及第一半導(dǎo)體層431密封的狀態(tài)。

在執(zhí)行工序p6后的工序p7中，如圖10例示的那樣，通過公知的成膜技術(shù)依次形成絕緣層62、遮光層64和絕緣層66，并且遍及絕緣層62及絕緣層66的開口67形成為俯視下與第一電極41重疊。在執(zhí)行工序p7后的工序p8中，如圖11例示的那樣，通過覆蓋絕緣層62及絕緣層66的半導(dǎo)體材料的成膜和圖案化，形成第二半導(dǎo)體層433。即，在工序p8中，層疊了第一半導(dǎo)體層431、中間半導(dǎo)體層432和第二半導(dǎo)體層433的光電轉(zhuǎn)換層43。然后，通過以覆蓋第二半導(dǎo)體層433和絕緣層66的方式形成遍及多個單位元件u的第二電極42，形成圖2例示的光電轉(zhuǎn)換元件14。

如以上例示的那樣，在第一實施方式的工序p6(圖9)中，第一電極41成為被絕緣層50、第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432覆蓋的狀態(tài)，因而降低了覆蓋層80的圖案化中所使用的蝕刻溶液附著于第一電極41的可能性。因此，降低蝕刻溶液的附著導(dǎo)致從導(dǎo)電層32脫離的導(dǎo)電材料附著于第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432的表面、側(cè)面的可能性，結(jié)果上，能夠抑制例如光電轉(zhuǎn)換元件14中產(chǎn)生電流的漏電。另外，通過光反射性比第二層l2的第二導(dǎo)電材料低的第一導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層32的表面的第一層l1，而通過光反射性的第二導(dǎo)電材料在導(dǎo)電層32的表面形成第一電極41，因此，通過使光在第一電極41的表面反射，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的光電轉(zhuǎn)換。

＜第二實施方式＞

對本發(fā)明的第二實施方式進(jìn)行說明。此外，在以下例示的各方式中，對于作用、功能與第一實施方式相同的部分，將直接使用在第一實施方式的說明中參照的附圖標(biāo)記并適當(dāng)省略各附圖標(biāo)記的詳細(xì)說明。

圖12是例示出第二實施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置100的構(gòu)成的截面圖。如圖12例示的那樣，在第二實施方式中，將第一實施方式的導(dǎo)電層32和第一電極41置換為圖12的第一電極45。第二實施方式的第一電極45是通過以使第一層l1位于表面的方式將由高熔點的第一導(dǎo)電材料形成的第一層l1和由光反射性的第二導(dǎo)電材料形成的第二層l2層疊的層疊體。具體而言，圖12例示的第一電極45是由第二層l2介于彼此相對的一對第一層l1之間的合計三層構(gòu)成。如圖12例示的那樣，在第一電極45中位于表層側(cè)的第一層l1形成開口(以下稱為“電極開口”)452。因此，第二層l2的表面從第一層l1的電極開口452露出。

如圖12例示的那樣，在第二實施方式的絕緣層50(保護(hù)層52及絕緣層56)中，在俯視下重疊于第一電極45的電極開口452的區(qū)域形成開口58。因此，第一電極45中俯視下位于電極開口452的內(nèi)側(cè)的第二層l2的表面從絕緣層50的開口58的內(nèi)側(cè)露出。

和第一實施方式同樣地，第一半導(dǎo)體層431以俯視下重疊于絕緣層50的開口58的方式形成。因此，在開口58的內(nèi)側(cè)，第一半導(dǎo)體層431與第一電極45中從電極開口452的內(nèi)側(cè)露出的第二層l2的表面接觸。第一半導(dǎo)體431及中間半導(dǎo)體層432的外周緣e3位于俯視下絕緣層50的開口58的內(nèi)周緣e1的外側(cè)的構(gòu)成是與第一實施方式相同。

在第二實施方式的光電轉(zhuǎn)換元件14的制造工序中，將第一實施方式的工序p1及工序p2置換為圖13的工序pa。在工序pa(形成電極的工序)中，以第二層l2從最表層的第一層l1中形成的電極開口452露出的方式，形成將第一層l1和第二層l2層疊成多層的第一電極45。另外，在工序p4(在絕緣層形成開口的工序)中，以俯視下重疊于電極開口452的方式，在絕緣層50形成開口58。

在第二實施方式中，和第一實施方式同樣地，在通過覆蓋層80的圖案化形成第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432的工序p6中，第一電極45為被絕緣層50及半導(dǎo)體層覆蓋的狀態(tài)，因而能夠降低覆蓋層80的圖案化所使用的蝕刻溶液附著于第一電極45的可能性。另外，光反射性的第二層l2從由第一層l1和第二層l2的層疊體所構(gòu)成的電極中位于表層側(cè)的第一層l1的電極開口452露出，因此通過在第二層l2的表面反射光，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的光電轉(zhuǎn)換。

此外，在圖12中，例示出了絕緣層50的開口58的內(nèi)周緣e1與電極開口452的內(nèi)周緣俯視下大致一致的構(gòu)成，但開口58和電極開口452在俯視下的關(guān)系并不限定于以上的例示。例如，如圖14所例示的那樣，在工序p4(在絕緣層形成開口的工序)中，也能夠以開口58的內(nèi)周緣e1位于俯視下比電極開口452的內(nèi)周緣靠內(nèi)側(cè)處的方式，在絕緣層50形成開口58。

<第三實施方式>

圖15是例示出第三實施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置100的構(gòu)成的截面圖。在前述的第一實施方式中，在導(dǎo)電層32的表面(第一層l1的表面)形成了第一電極41。在第三實施方式中，如圖15例示的那樣，在保護(hù)層52的表面形成有第一電極41，所述保護(hù)層52覆蓋導(dǎo)電層32、配線層34和配線層36。第三實施方式的第一電極41由與導(dǎo)電層32的第二層l2同樣的光反射性的第二導(dǎo)電材料形成，經(jīng)由保護(hù)層52中形成的導(dǎo)通孔，導(dǎo)通于導(dǎo)電層32。

如圖15例示的那樣，第三實施方式的絕緣層50由絕緣層53、平坦化層54和絕緣層62構(gòu)成。絕緣層53形成于保護(hù)層52的表面，覆蓋第一電極41。在絕緣層50(絕緣層53及絕緣層56)形成開口58的構(gòu)成、俯視下第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432的外周緣e3位于開口58的內(nèi)周緣e1的外側(cè)的構(gòu)成是與第一實施方式相同。因此，在第三實施方式中，也可以實現(xiàn)與第一實施方式同樣的效果。

<第四實施方式>

圖16是例示出第四實施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置100的構(gòu)成的截面圖。如從圖16所理解的那樣，在第四實施方式中，在平坦化層54的面上形成有光電轉(zhuǎn)換元件14(第一電極41、光電轉(zhuǎn)換層43、第二電極42)。

與第一實施方式同樣地，第一電極41由光反射性的第二導(dǎo)電材料形成于平坦化層54的表面，經(jīng)由形成在該平坦化層54的導(dǎo)通孔542，導(dǎo)通于導(dǎo)電層32。第一電極41和遮光層64例如通過對共同的導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化而一并形成。

形成第一電極41的平坦化層54的表面被絕緣層68覆蓋。絕緣層68例如由氧化硅、氮化硅形成。在絕緣層68中與第一電極41重疊的區(qū)域形成有開口58，第一電極41的表面從開口58的內(nèi)側(cè)露出。另外，以俯視下重疊于開口58的方式形成光電轉(zhuǎn)換層43的第一半導(dǎo)體層431及中間半導(dǎo)體層432。因此，第一半導(dǎo)體層431在開口58的內(nèi)側(cè)接觸于第一電極41的表面。第一半導(dǎo)體層431的外周緣位于絕緣層68的開口58的內(nèi)周緣的外側(cè)。因此，在第四實施方式中，也可以實現(xiàn)與第一實施方式同樣的效果。其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。

此外，如第三實施方式及第四實施方式那樣，在第一電極41經(jīng)由形成在絕緣層(圖15的保護(hù)層52或圖16的平坦化層54)上的導(dǎo)通孔導(dǎo)通于導(dǎo)電層32的構(gòu)成中，在導(dǎo)通孔的內(nèi)壁面的面上導(dǎo)電膜變薄，可能會產(chǎn)生第一電極41和導(dǎo)電層32之間的導(dǎo)通不良(例如斷線)。相對于第三實施方式、第四實施方式來說，在上述第一實施方式中，在導(dǎo)電層32的表面形成第一電極41，因此，無需經(jīng)由絕緣層的導(dǎo)通孔使第一電極41和導(dǎo)電層32導(dǎo)通。因此，根據(jù)第一實施方式，與第三實施方式、第四實施方式相比較，有能夠抑制第一電極41和導(dǎo)電層32之間的導(dǎo)通不良的優(yōu)點。在將導(dǎo)電層32自身用作光電轉(zhuǎn)換元件14的第一電極45的第二實施方式中，也與第一實施方式同樣地，不需要經(jīng)由導(dǎo)通孔的第一電極45和導(dǎo)電層32間的導(dǎo)通，因此，能夠抑制第一電極45和導(dǎo)電層32之間的導(dǎo)通不良。

<變形例>

以上例示的各實施方式能得到多種變形。以下例示具體的變形方式。

(1)光電轉(zhuǎn)換層43的構(gòu)成不限于上述各方式的例示。例如，省略中間半導(dǎo)體層432，也能夠用第一半導(dǎo)體層431和第二半導(dǎo)體層433的層疊(pn型二極管)形成光電轉(zhuǎn)換層43。另外，也能夠采用以黃銅礦型半導(dǎo)體形成光電轉(zhuǎn)換層43的半導(dǎo)體層的構(gòu)成。

(2)在上述的各方式中，雖然例示了拍攝生物體認(rèn)證用的靜脈圖像的光電轉(zhuǎn)換裝置100(靜脈傳感器)，但本發(fā)明的用途是任意的。例如，靜脈圖像之外，包含指紋、虹膜的生物體信息的獲取中也可以利用光電轉(zhuǎn)換裝置100。另外，例如，本發(fā)明還可適用于根據(jù)光電轉(zhuǎn)換裝置100所拍攝到的生物體的靜脈圖像推定血液中酒精濃度的酒精檢測裝置、根據(jù)光電轉(zhuǎn)換裝置100所拍攝到的生物體的靜脈圖像推定血糖值的血糖值推定裝置等醫(yī)療設(shè)備。另外，也可在從印刷物讀取圖像的圖像讀取裝置中適用本發(fā)明。此外，圖像讀取裝置中適用本發(fā)明的情況下，可優(yōu)選利用可見光作為攝像光。光電轉(zhuǎn)換元件14的用途不限于拍攝。例如，在將太陽光轉(zhuǎn)換并儲存為電能的太陽能電池中，也能夠利用上述各方式的光電轉(zhuǎn)換元件14。