技術總結
本發(fā)明提供了一種半導體器件，該半導體器件包括襯底、柵極結構、介電層、蝕刻停止層和粘合層。柵極結構形成在襯底上方。介電層形成在柵極結構旁邊。粘合層覆蓋柵極結構的頂面且延伸至介電層的第一頂面。蝕刻停止層在粘合層上方且與介電層的第二頂面接觸。本發(fā)明實施例涉及半導體器件及其制造方法。

技術研發(fā)人員：葉啟瑞;詹文炘;郭康民
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201611156536
技術研發(fā)日：2016.12.14
技術公布日：2017.06.23