相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考

本申請(qǐng)要求于2016年2月19日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/297,750號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，并且更具體地，涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)為更高的器件密度、更高性能以及更低成本而努力，已經(jīng)涉及包括的同時(shí)遇到的制造和設(shè)計(jì)的問(wèn)題。這些問(wèn)題的一種解決辦法是發(fā)展鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)。典型的finfet包括通過(guò)在襯底中蝕刻隔開(kāi)的凹槽形成的薄的垂直的“鰭”。在鰭內(nèi)限定源極、漏極以及溝道區(qū)。晶體管的柵極圍繞鰭的溝道區(qū)圍裹。這種結(jié)構(gòu)使柵極能夠在三個(gè)方向溝道中誘導(dǎo)電流流動(dòng)。因此，finfet器件具有增高電流流動(dòng)并且減少短溝道效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。

隨著集成電路材料和高k金屬柵極(hkmg)工藝已經(jīng)取得的技術(shù)進(jìn)步并且已經(jīng)應(yīng)用到finfet，finfet和其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)的尺寸已經(jīng)逐漸減小。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件沒(méi)有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意增加或減少。

圖1至圖16是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的各個(gè)階段的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；以及位于半導(dǎo)體襯底上的至少一個(gè)柵極堆疊件，柵極堆疊件包括：至少一個(gè)功函數(shù)導(dǎo)體，在功函數(shù)導(dǎo)體中具有凹槽；以及填充導(dǎo)體，填充導(dǎo)體包括插塞部和蓋部，插塞部位于功函數(shù)導(dǎo)體的凹槽中，蓋部覆蓋功函數(shù)導(dǎo)體。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底上的至少一個(gè)n型柵極堆疊件，在n型柵極堆疊件中包括填充導(dǎo)體，填充導(dǎo)體具有頭部和尾部，尾部位于頭部和半導(dǎo)體襯底之間；以及位于半導(dǎo)體襯底上的至少一個(gè)p型柵極堆疊件，在p型柵極堆疊件中包括填充導(dǎo)體，填充導(dǎo)體具有頭部和尾部，尾部位于頭部和半導(dǎo)體襯底之間，其中，n型柵極堆疊件和p型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體的頭部具有相同的寬度。

根據(jù)本方面的另一方面，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成至少兩個(gè)柵極間隔件；在柵極間隔件之間形成至少一個(gè)功函數(shù)導(dǎo)體，在功函數(shù)導(dǎo)體中具有凹槽；使功函數(shù)導(dǎo)體在柵極間隔件之間凹陷以暴露柵極間隔件的側(cè)壁的至少一部分；以及在凹槽以及柵極間隔件的側(cè)壁的暴露部分之間的空間中形成填充導(dǎo)體。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?，用于?shí)現(xiàn)主題提供的不同特征。下面描述組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件，使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可以在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，并且其本身并不表示所討論的實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，以描述如圖中所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)旨在包括在使用或操作過(guò)程中器件的不同方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關(guān)系描述符可以同樣地作相應(yīng)地解釋。

可以提升本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的器件的實(shí)例是半導(dǎo)體器件。例如，這樣的器件是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)器件。以下公開(kāi)內(nèi)容將繼續(xù)以finfet實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。然而，應(yīng)該理解，除了權(quán)利要求中特別聲明，本申請(qǐng)不應(yīng)限制于特定類(lèi)型的器件。

圖1至圖16是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的處于各個(gè)階段處的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。參考圖1。提供了襯底110。在一些實(shí)施例中，襯底110包括硅?？蛇x地，襯底110可以包括鍺、硅鍺、砷化鎵或其他合適的半導(dǎo)體材料。同樣可選地，襯底110可以包括外延層。例如，襯底110可以具有位于塊狀半導(dǎo)體上面的外延層。此外，襯底110可以應(yīng)變以用于性能增強(qiáng)。例如，外延層可以包括那些與塊狀半導(dǎo)體的材料不同的半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體材料諸如位于塊狀硅上面的硅鍺層或位于塊狀硅鍺上面的硅層。可以通過(guò)選擇性外延生長(zhǎng)(seg)形成這樣的應(yīng)變的襯底。此外，襯底110可以包括絕緣體上半導(dǎo)體(soi)結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步可選的，襯底110可以包括埋介電層，埋介電層諸如通過(guò)注氧隔離(simox)技術(shù)、晶圓接合、seg或其它合適方法形成的埋氧化物(box)層，埋氧化物(box)層諸如通過(guò)注氧隔離(simox)技術(shù)、晶圓接合、seg或其它合適方法形成。

半導(dǎo)體鰭112和114形成在襯底110上。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體鰭112、114包括硅。例如，可以通過(guò)使用光刻技術(shù)圖案化和蝕刻襯底110來(lái)形成半導(dǎo)體鰭112和114。在一些實(shí)施例中，光刻膠材料層(未示出)順序沉積在襯底110上方。根據(jù)所需圖案(這里為半導(dǎo)體鰭112和114)光照(曝光)并顯影光刻膠材料層，從而去除部分的光刻膠材料層。剩余的光刻膠材料保護(hù)下面的材料免于隨后的工藝步驟(諸如蝕刻)的損害。需要注意的是，諸如氧化物掩?；虻柩谀５钠渌谀Ｒ部梢杂迷谖g刻工藝中。

形成了隔離介電質(zhì)105作為淺溝槽隔離(sti)以填充半導(dǎo)體鰭112和114之間的溝槽。隔離介電質(zhì)105可以包括諸如氧化硅的任何合適的介電材料。形成隔離介電質(zhì)105的方法可以包括：在襯底110上沉積隔離介電質(zhì)105以覆蓋半導(dǎo)體鰭112和114，可選的實(shí)施平坦化工藝以去除在溝槽外側(cè)的過(guò)量的隔離介電質(zhì)105，并且然后在隔離介電質(zhì)105上實(shí)施蝕刻工藝直至暴露半導(dǎo)體鰭112和114的上部。

柵極介電質(zhì)122和124分別形成在半導(dǎo)體鰭112和114以及襯底110上。柵極介電質(zhì)122和124可以通過(guò)熱氧化、化學(xué)汽相沉積、濺射或本領(lǐng)域已知的和用于形成柵極介電質(zhì)的其他方法來(lái)形成。根據(jù)柵極介電質(zhì)的形成工藝，位于半導(dǎo)體鰭112的頂部上的柵極介電質(zhì)122的厚度可以不同于位于半導(dǎo)體鰭112的側(cè)壁(未示出)上的柵極介電質(zhì)122的厚度。相似的，位于半導(dǎo)體鰭114的頂部上的柵極介電質(zhì)124的厚度可以不同于位于半導(dǎo)體鰭114的側(cè)壁(未示出)上的柵極介電質(zhì)124的厚度?？梢詧D案化柵極介電質(zhì)122和124以分別圍裹半導(dǎo)體鰭112和114的中央部分，同時(shí)分別暴露部分的半導(dǎo)體鰭112和114。例如，至少一個(gè)柵極介電質(zhì)122和124中可以包括高k介電材料，高k介電材料諸如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅鹽酸、過(guò)渡金屬氧化物、過(guò)渡金屬氮化物、過(guò)渡金屬硅鹽酸、金屬的氮氧化物、金屬鋁酸、硅酸鋯、鋁酸鋯，或它們的組合。在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)122和124可以包括氧化鉿(hfo2)、氧化鉿硅(hfsio)、氮氧化鉿硅(hfsion)、氧化鉿鉭(hftao)、氧化鉿鈦(hftio)、氧化鉿鋯(hfzro)、氧化鑭(lao)、氧化鋯(zro)、氧化鈦(tio)、氧化鉭(ta2o5)、氧化釔(y2o3)、氧化鍶鈦(srtio3、sto)、氧化鋇鈦(batio3、bto)、氧化鋇鋯(bazro)、氧化鉿鑭(hflao)、氧化鑭硅(lasio)、氧化鋁硅(alsio)、氧化鋁(al2o3)、氮化硅(si3n4)、氮氧化硅(sion)以及它們的組合。至少一個(gè)柵極介電質(zhì)122和124可以具有多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)諸如一層的氧化硅(即，界面層)和另一層高k材料。至少一個(gè)柵極介電質(zhì)122和124可以使用化學(xué)汽相沉積(cvd)、物理汽相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、熱氧化、臭氧氧化、其他合適的工藝，或它們的組合形成。

偽柵極層132和134分別形成在柵極介電質(zhì)122和124上。至少一個(gè)偽柵極層132和134可以通過(guò)cvd、濺射沉積或通過(guò)用于沉積導(dǎo)體材料的其它合適的技術(shù)形成?？梢詧D案化偽柵極層132和134以分別圍裹半導(dǎo)體鰭112和114的中央部分的同時(shí)分別暴露部分的半導(dǎo)體鰭112和114。在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)相同的工藝圖案化柵極介電質(zhì)122和在柵極介電層122上的偽柵極層132。相似的，可以通過(guò)相同的工藝圖案化柵極介電質(zhì)124和偽柵極層134。至少一個(gè)偽柵極層132和134可以包括多晶硅(poly-si)或多晶硅鍺(poly-sige)。

參考圖2。一對(duì)柵極間隔件142形成在襯底110上并且一對(duì)柵極間隔件142沿著偽柵極結(jié)構(gòu)132形成，同時(shí)一對(duì)柵極間隔件144形成在襯底110上并且一對(duì)柵極間隔件144沿著偽柵極結(jié)構(gòu)134形成。在一些實(shí)施例中，柵極間隔件142和144可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合適的材料。柵極間隔件142和144可以包括單層或多層結(jié)構(gòu)。為了形成柵極間隔件142和144，可以通過(guò)cvd、pvd、ald或其他合適的技術(shù)在襯底110上形成毯層。然后，在毯層上實(shí)施各向異性蝕刻以分別在偽柵極結(jié)構(gòu)132和134的相對(duì)側(cè)上形成柵極間隔件142和144。在一些實(shí)施例中，柵極間隔件142和144用于偏移隨后形成的摻雜區(qū)域，摻雜區(qū)域諸如源極/漏極區(qū)域。柵極間隔件142和144可以進(jìn)一步用于設(shè)計(jì)或改變?cè)礃O/漏極區(qū)域(結(jié))輪廓。

參考圖3。通過(guò)偽柵極結(jié)構(gòu)132和134以及柵極間隔件142和144兩者暴露部分的半導(dǎo)體鰭112和114，去除(或凹陷)部分的半導(dǎo)體鰭112和114以在襯底110中形成凹槽112r和114r?？梢匀コ魏魏线m量的材料。保留的半導(dǎo)體鰭112具有多個(gè)源極/漏極部分112s和位于源極/漏極部分112s之間的溝道部112c。保留的半導(dǎo)體鰭114具有多個(gè)源極/漏極部分114s和位于源極/漏極部分114s之間的溝道部114c。源極/漏極部分112s和114s嵌入在襯底110中并且部分的源極/漏極部分112s和114s通過(guò)凹槽112r和114r暴露。溝道部112c和114c分別位于偽柵極結(jié)構(gòu)132和134下方。

去除部分的半導(dǎo)體鰭112和114可以包括在圖2的結(jié)構(gòu)上方形成光刻膠層或覆蓋層(例如，氧化物覆蓋層)，然后對(duì)光刻膠層或覆蓋層圖案化以得到使半導(dǎo)體鰭112和114的一部分暴露的開(kāi)口，接著蝕刻半導(dǎo)體鰭112和114的暴露部分。在一些實(shí)施例中，可以使用干法蝕刻工藝來(lái)蝕刻半導(dǎo)體鰭114?？蛇x地，該蝕刻工藝可以是濕法蝕刻工藝，或干法和濕法蝕刻工藝的組合。去除可包括光刻工藝來(lái)促進(jìn)蝕刻工藝。該光刻工藝可包括光刻膠涂覆(例如，旋轉(zhuǎn)涂覆)、軟烘烤、掩模對(duì)準(zhǔn)、曝光、曝光后烘烤、顯影光刻膠、漂洗、干燥(例如，硬烘烤)、其他合適的工藝，或它們的組合?？蛇x地，通過(guò)其他方法實(shí)現(xiàn)或替換光刻工藝，其他方法諸如無(wú)掩模光刻、電子束寫(xiě)入以及離子束寫(xiě)入。在另外一些其他的實(shí)施例中，光刻工藝可以實(shí)施納米壓印技術(shù)。在一些實(shí)施例中，可用hf或其他合適的溶液來(lái)實(shí)施預(yù)清洗過(guò)程以清洗凹槽112r和114r。

參考圖4。多個(gè)外延結(jié)構(gòu)152和154分別形成在半導(dǎo)體鰭112和114的凹槽112r和114r中并且多個(gè)外延結(jié)構(gòu)152和154分別形成在源極/漏極區(qū)域112s和114s上?？梢允褂靡粋€(gè)或多個(gè)外延或外延的(epi)工藝來(lái)形成該外延結(jié)構(gòu)152和154，使得可以在半導(dǎo)體鰭112和114的源極/漏極區(qū)域112s和114s上以晶體狀態(tài)形成si部件、sige部件和/或其他合適的部件。在一些實(shí)施例中，外延結(jié)構(gòu)152和154的晶格常數(shù)不同于半導(dǎo)體鰭112和114的晶格常數(shù)，使得半導(dǎo)體鰭112和114的溝道可以通過(guò)外延結(jié)構(gòu)152和154應(yīng)力或應(yīng)變以提高半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)載流子遷移以及提高器件的性能。外延工藝包括cvd沉積技術(shù)(例如，汽相外延(vpe)和/或超高真空cvd(uhv-cvd))、分子束外延，和/或其他合適的工藝。該外延工藝可使用氣體和/或液體前體，該氣體和/或液體前體與半導(dǎo)體鰭112和114(例如，硅)的嵌入部分122s和114s的組成部分相互作用。因此，可獲得應(yīng)變的溝道以提高載流子遷移率同時(shí)加強(qiáng)器件性能。外延結(jié)構(gòu)152和154可以是原位摻雜的。摻雜的物質(zhì)包括p型摻雜物(諸如硼或bf2)；n型摻雜物(例如磷或砷)；和/或包含它們的組合在內(nèi)的其他合適的摻雜物。如果外延結(jié)構(gòu)152和154不是原位摻雜的，那么將實(shí)施第二注入工藝(即，結(jié)注入工藝)以摻雜該外延結(jié)構(gòu)152和154?？梢詫?shí)施一個(gè)或多個(gè)退火工藝以激活外延結(jié)構(gòu)152和154。退火工藝包括快速熱退火(rta)和/或激光退火工藝。

然后，層間介電(ild)層160形成在柵極間隔件142和144的外側(cè)以及襯底110上。ild層160可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、低介電常數(shù)介電材料或它們的組合制成。ild層160包括單層或多層。ild層160通過(guò)諸如cvd的合適的技術(shù)形成。可以應(yīng)用化學(xué)機(jī)械平坦化(cmp)工藝以去除過(guò)量的ild層160并且將偽柵極結(jié)構(gòu)132和134的頂面暴露于隨后的偽柵極去除工藝。

參考圖5。去除偽柵極結(jié)構(gòu)132和134(參考圖4)以形成具有柵極間隔件142作為側(cè)壁的開(kāi)口162和具有柵極間隔件144作為側(cè)壁的開(kāi)口164。在一些實(shí)施例中，也去除柵極介電質(zhì)122和124?？蛇x的，在一些實(shí)施例中，如圖5中示出的，去除偽柵極結(jié)構(gòu)132和134的同時(shí)也保留柵極介電質(zhì)122和124?？梢酝ㄟ^(guò)干法蝕刻、濕法蝕刻或干法蝕刻和濕法蝕刻的組合去除偽柵極結(jié)構(gòu)132和134(以及柵極介電層122和124)。例如，濕法蝕刻工藝可以包括暴露含氫氧化物溶液(如，氫氧化銨)、去離子水，和/或其他合適的蝕刻劑溶液。

參考圖6。p型功函數(shù)材料172可以形成在圖5中示出的結(jié)構(gòu)上。p型功函數(shù)材料172可以提供用于p型半導(dǎo)體器件的p型柵極堆疊件的所需的功函數(shù)值。p型功函數(shù)材料172可以通過(guò)合適的工藝形成，合適的工藝諸如ald、cvd、pvd、遠(yuǎn)程等離子cvd(rpcvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)、金屬有機(jī)物cvd(mocvd)、濺射、電鍍、其它合適的工藝，和/或其組合物。在一些實(shí)施例中，p型功函數(shù)材料172可以由tin、co、wn或tac制成。

可以形成介電材料240(例如，旋涂玻璃)，介電材料240覆蓋部分的p型功函數(shù)材料172并且介電材料240填充開(kāi)口164?？梢栽诮殡姴牧?40上方限定光刻膠245?？梢蕴峁┙殡姴牧?40和/或光刻膠245用于p型功函數(shù)材料172，該p型功函數(shù)材料172用于p型半導(dǎo)體器件。例如，可以通過(guò)旋涂工藝、光刻工藝以及蝕刻工藝限定介電材料240和光刻膠245。

參考圖7?？梢匀コ龍D6的未通過(guò)介電材料240和光刻膠245覆蓋的部分的p型功函數(shù)材料172，限定了一個(gè)p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p。在限定了p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p后，可以通過(guò)濕法蝕刻工藝、干法蝕刻工藝，和/或其組合方法去除圖6的介電材料240和光刻膠245，暴露p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p。

參考圖8。n型功函數(shù)材料174可以形成在圖7中示出的結(jié)構(gòu)上。n型功函數(shù)材料174可以提供用于n型半導(dǎo)體器件的n型柵極堆疊件的所需的功函數(shù)值。n型功函數(shù)材料174可以通過(guò)合適的工藝形成，合適的工藝諸如ald、cvd、pvd、遠(yuǎn)程等離子cvd(rpcvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)、金屬有機(jī)物cvd(mocvd)、濺射、電鍍、其它合適的工藝，和/或其組合物。在一些實(shí)施例中，n型功函數(shù)材料174可以由ti、al或tial制成。

參考圖9?？梢圆捎胏mp工藝去除開(kāi)口162和164外側(cè)的過(guò)量的部分的p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p和n型功函數(shù)材料174，以提供一個(gè)對(duì)于p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p、n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n和174p的基本上為平面的頂面。保留的n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n位于開(kāi)口162中。保留的p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p和n型功函數(shù)導(dǎo)體層174p位于開(kāi)口164中。

參考圖10。掩模180形成在圖9中示出的結(jié)構(gòu)上。具體來(lái)說(shuō)，功函數(shù)導(dǎo)體在開(kāi)口162中，功函數(shù)導(dǎo)體包括n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n，在n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n中具有凹槽r1。具體來(lái)說(shuō)，功函數(shù)導(dǎo)體在開(kāi)口164中，功函數(shù)導(dǎo)體包括n型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和n型功函數(shù)導(dǎo)體層172p，在n型功函數(shù)導(dǎo)體層174p中具有凹槽r2。掩模180可以作為填充層，并且掩模180至少形成在凹槽r1和r2的下部。使得填充層可以保護(hù)下面的功函數(shù)導(dǎo)體免于隨后對(duì)功函數(shù)導(dǎo)體的上部實(shí)施的蝕刻工藝的損害。在一些實(shí)施例中，掩模180過(guò)量填充凹槽r1和r2。在一些實(shí)施例中，掩模180可以是硬掩模，掩模180包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅，和/或其它合適的材料?？梢允褂弥T如cvd或者pvd的方法形成掩模180。

參考圖11。去除部分的掩模180以至少暴露在開(kāi)口162和164中的功函數(shù)導(dǎo)體的頂面，以對(duì)于在開(kāi)口162和164中的功函數(shù)導(dǎo)體隨后實(shí)施的蝕刻工藝有益。換句話(huà)說(shuō)，在凹槽r1和r2中凹陷的掩模180用作填充層，以在開(kāi)口162和164中暴露部分的功函數(shù)導(dǎo)體。特別是，在去除掩模180的覆蓋部分之后，暴露在開(kāi)口162中的n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n的頂面。相似地，在去除掩模180的覆蓋部分之后，暴露n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n和p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p的頂面。在一些實(shí)施例中，在移除工藝后，去除掩模180的上部以至少暴露功函數(shù)導(dǎo)體的頂面，并且保留在凹槽r1和r2中掩模180的下部以保護(hù)下面的功函數(shù)導(dǎo)體。去除掩模180的上部的實(shí)例方法可以是回蝕工藝。

參考圖12。凹陷在開(kāi)口162和164中的功函數(shù)導(dǎo)體，以至少暴露柵極間隔件142和144的部分的側(cè)壁1422和1442。特別地，每個(gè)柵極間隔件142具有側(cè)壁1422，并且柵極間隔件142的側(cè)壁1422是相對(duì)的同時(shí)在側(cè)壁間隔件1422之間限定開(kāi)口162。在開(kāi)口162中的和在柵極間隔件142的側(cè)壁1422之間凹陷n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n，使得暴露側(cè)壁1422的上部。相似地，每個(gè)柵極間隔件144具有側(cè)壁1442，并且柵極間隔件144的側(cè)壁1442是相對(duì)的同時(shí)在側(cè)壁間隔件1422之間限定開(kāi)口164。在開(kāi)口164中的和在柵極間隔件144的側(cè)壁1442之間凹陷n型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p，使得暴露側(cè)壁1442的上部。在凹陷工藝后，可以塑形在開(kāi)口162中的n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n的頂面，使得凹槽r1具有錐形開(kāi)口r12和與錐形開(kāi)口r12互相連通的底部凹槽r14。底部凹槽r14位于錐形開(kāi)口r12和半導(dǎo)體鰭112之間。錐形開(kāi)口r12朝向底部凹槽r14逐漸變細(xì)。換句話(huà)說(shuō)，錐形開(kāi)口r12具有的寬度大于底部凹槽r14具有的寬度，并且錐形開(kāi)口r12的寬度在空間上是不同的。相似的，在凹陷工藝后，可以塑形在開(kāi)口164中的n型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和p型功函數(shù)導(dǎo)體層172p的頂面，使得凹槽r2具有錐形開(kāi)口r22和與錐形開(kāi)口r22互相連通的底部凹槽r24。底部凹槽r24位于錐形開(kāi)口r22和半導(dǎo)體鰭114之間。錐形開(kāi)口r22朝向底部凹槽r24逐漸變細(xì)。換句話(huà)說(shuō)，錐形開(kāi)口r22具有的寬度大于底部凹槽r24具有的寬度，并且錐形開(kāi)口r22的寬度空間上是不同的。凹陷功函數(shù)導(dǎo)體的實(shí)例方法可以包括濕法蝕刻工藝，該濕法蝕刻工藝選擇性去除部分的未通過(guò)掩模180保護(hù)的功函數(shù)導(dǎo)體(例如，功函數(shù)金屬退出工藝)。

參考圖13。去除在凹槽r1和r2中的掩模180(參考圖12)以暴露凹槽r1和r2。換句話(huà)說(shuō)，在去除工藝后，暴露位于掩模180下方和在開(kāi)口162中的部分的功函數(shù)導(dǎo)體(即，n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n的底部)。相似的，在去除后，也暴露位于掩模180下方和在開(kāi)口164中的部分的功函數(shù)導(dǎo)體(即，n型功函數(shù)導(dǎo)體層174p的底部)。在凹槽r1和r2中去除掩模180的實(shí)例方法是濕法蝕刻，濕法蝕刻能夠選擇性去除氮化硅，并且該濕法蝕刻采用熱(約145℃至180℃)磷酸(h3po4)溶液。

參考圖14。在凹槽r1中和柵極間隔件142的側(cè)壁1422的暴露部分之間的空間形成的填充導(dǎo)體190。在一些實(shí)施例中，形成的填充導(dǎo)體190包括填充導(dǎo)體190過(guò)量填充凹槽r1，使得填充導(dǎo)體190到達(dá)柵極間隔件142的側(cè)壁1422的暴露部分，并且因此，填充導(dǎo)體190具有插塞部192(或尾部)和與插塞部192互相連接的蓋部194(或頭部)。插塞部192位于開(kāi)口162中的功函數(shù)導(dǎo)體的凹槽r1中。蓋部194覆蓋開(kāi)口162中的功函數(shù)導(dǎo)體。特別地，插塞部192占有n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n的凹槽r1。蓋部194覆蓋插塞部192和n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n，并且蓋部194可以與柵極間隔件142的側(cè)壁1422接觸。這樣n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n和填充導(dǎo)體190可以協(xié)同作為用于n型半導(dǎo)體器件的n型柵極堆疊件g1。在n型柵極堆疊件g1中，由于蓋部194覆蓋n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n，可以增加n型柵極堆疊件g1的接觸面積，其可以有益于在n型柵極堆疊件g1(尤其是蓋部194)上形成接觸。

相似地，在凹槽r2中和柵極間隔件144的側(cè)壁1442的暴露部分之間的空間形成的填充導(dǎo)體200。在一些實(shí)施例中，形成的填充導(dǎo)體200包括填充導(dǎo)體200過(guò)量填充凹槽r2，使得填充導(dǎo)體200到達(dá)柵極間隔件144的側(cè)壁1442的暴露部分，并且因此，填充導(dǎo)體200具有插塞部202(或尾部)和與插塞部192互相連接的蓋部204(或頭部)。插塞部202位于開(kāi)口164中的功函數(shù)導(dǎo)體的凹槽r2中。蓋部204覆蓋開(kāi)口164中的功函數(shù)導(dǎo)體。特別地，插塞部202占有n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p的凹槽r2。蓋部204覆蓋插塞部202和n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p，并且蓋部204可以與柵極間隔件144的側(cè)壁1442接觸。這樣n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p和填充導(dǎo)體200可以協(xié)同作為用于p型半導(dǎo)體器件的p型柵極堆疊件g2。在p型柵極堆疊件g2中，由于蓋部204覆蓋n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p，可以增加p型柵極堆疊件g2的接觸面積，其可以有益于在p型柵極堆疊件g2(尤其是蓋部204)上形成接觸。

在一些實(shí)施例中，由于n型柵極堆疊件g1的填充導(dǎo)體190的蓋部194過(guò)量填充凹槽r1以到達(dá)相對(duì)側(cè)壁1422，在相對(duì)側(cè)壁1422之間的蓋部194具有相等距離的寬度。相似地，由于p型柵極堆疊件g2的蓋部204過(guò)量填充凹槽r2以到達(dá)相對(duì)側(cè)壁1442，在相對(duì)側(cè)壁1442之間的蓋部204具有相等距離的寬度。在一些實(shí)施例中，在相對(duì)側(cè)壁1422之間的距離和在相對(duì)側(cè)壁1442之間的距離可以是相同的，使得n型柵極堆疊件g1和p型柵極堆疊件g2的蓋部194和204具有基本上相同的寬度，即使n型柵極堆疊件g1和p型柵極堆疊件g2的功函數(shù)導(dǎo)體是不同的，其可以有利于蓋部194和204以推擠下部的功函數(shù)導(dǎo)體。換句話(huà)說(shuō)，即使n型柵極堆疊件g1的功函數(shù)導(dǎo)體包括n型功函數(shù)層174n同時(shí)p型柵極堆疊件g2的功函數(shù)導(dǎo)體包括n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p兩者，具有基本上相同的寬度的蓋部194和204可以分別提供優(yōu)化力以推擠下部的功函數(shù)導(dǎo)體。

在一些實(shí)施例中，由于n型柵極堆疊件g1的功函數(shù)導(dǎo)體包括n型功函數(shù)層174n同時(shí)p型柵極堆疊件g2的功函數(shù)導(dǎo)體包括n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p兩者，n型和p型柵極堆疊件g1和g2的功函數(shù)導(dǎo)體具有不同的形狀，并且因此，凹槽r1和r2具有不同的寬度。同樣的，n型和p型柵極堆疊件g1和g2的填充導(dǎo)體190和200的插塞部192和202具有不同的寬度。

在一些實(shí)施例中，由于蓋部194和204分別通過(guò)過(guò)量填充凹槽r1和r2形成，并且插塞部192和202分別位于凹槽r1和r2中，蓋部194和204的寬度大于插塞部192和202的寬度，其可以有益于增加n型和p型柵極堆疊件g1和g2的接觸面積。不同的方式中，分別在開(kāi)口162和164中的蓋部194和204的寬度不小于功函數(shù)導(dǎo)體的寬度，使得可以增加n型和p型柵極堆疊件g1和g2的接觸面積。特別地，蓋部194的寬度不小于n型柵極堆疊件g1的n型功函數(shù)層174n的寬度，并且蓋部204的寬度小于p型柵極堆疊件g2的p型功函數(shù)層172p的寬度。

在一些實(shí)施例中，由于蓋部194和204分別通過(guò)過(guò)量填充凹槽r1和r2形成以使蓋部194和204到達(dá)側(cè)壁1422和1442，在開(kāi)口162中的功函數(shù)導(dǎo)體不位于蓋部194的至少一個(gè)側(cè)壁上，并且在開(kāi)口164中的功函數(shù)導(dǎo)體也不位于蓋部204的至少一個(gè)側(cè)壁上。換句話(huà)說(shuō)，柵極間隔件142位于n型柵極間隔件g1的至少一個(gè)側(cè)壁上，并且n型柵極間隔件g1的功函數(shù)導(dǎo)體(包括n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n)不位于蓋部194和柵極間隔件142之間。相似地，柵極間隔件144位于p型柵極間隔件g2的至少一個(gè)側(cè)壁上，并且p型柵極間隔件g2的功函數(shù)導(dǎo)體(包括n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p)不位于蓋部204和柵極間隔件144之間。

在一些實(shí)施例中，又不插塞部192和202分別占用凹槽r1和r2，插塞部192和202可以具有與凹槽r1和r2的n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n和174p相同的形狀。特別地，插塞部192可以包括錐形插塞1922和與錐形插塞1922互相連接的底部插塞1924。錐形插塞1922位于蓋部194與底部插塞1924之間。錐形插塞1922占用錐形開(kāi)口r12，并且底部插塞1924占用底部凹槽r14。因此，錐形插塞1922從蓋部194至底部插塞1924逐漸變細(xì)。換句話(huà)說(shuō)，錐形插塞1922具有的寬度大于底部插塞1924具有的寬度，并且錐形插塞1922的寬度在空間上是不同的。相似地，插塞部202可以包括錐形插塞2022和與錐形插塞2022互相連接的底部插塞2024。錐形插塞2022位于蓋部204與底部插塞2024之間。錐形插塞2022占用錐形開(kāi)口r22，并且底部插塞2024占用底部凹槽r24。因此，錐形插塞2022從蓋部204至底部插塞2024逐漸變細(xì)。換句話(huà)說(shuō)，錐形插塞2022具有的寬度大于底部插塞2024具有的寬度，并且錐形插塞2022的寬度在空間上是不同的。

在一些實(shí)施例中，錐形插塞1922和柵極間隔件142的側(cè)壁1422限定的角度α1在從約0°至約90°的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)錐形插塞1922和柵極間隔件142的側(cè)壁1422限定的角度α1可以在從約25°到約88°的范圍內(nèi)或在從約43°至約82°范圍內(nèi)或在從約67°到約79°范圍內(nèi)。相似地，錐形插塞2022和柵極間隔件144的側(cè)壁1442限定的角度α2在從約0°至約90°的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)錐形插塞2022和柵極間隔件144的側(cè)壁1442限定的角度α2的范圍可以在從約25°到約88°的范圍內(nèi)或在從約43°至約82°范圍內(nèi)或在從約67°到約79°范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，錐形插塞1922和底部凹槽r14的側(cè)壁限定的角度β1在從約90°至約180°的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)錐形插塞1922和底部凹槽r14的側(cè)壁限定的角度β1的范圍可以在從約102°到約163°的范圍內(nèi)或在從約115°至約154°范圍內(nèi)或在從約120°到約146°范圍內(nèi)。相似地，錐形插塞2022和底部凹槽r24的側(cè)壁限定的角度β2在從約90°至約180°的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)錐形插塞2022和底部凹槽r24的側(cè)壁限定的角度β2的范圍可以在從約102°到約163°的范圍內(nèi)或在從約115°至約154°范圍內(nèi)或在從約120°到約146°范圍內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，形成填充導(dǎo)體190和200的實(shí)例方法可以包括諸如cvd、pvd、ald或其它合適工藝的沉積工藝。在沉積工藝后，可以采用cmp工藝以移除過(guò)量的填充導(dǎo)體190和200，即過(guò)量填充到開(kāi)口162和164外側(cè)的填充導(dǎo)體190和200。在一些實(shí)施例中，填充導(dǎo)體190和200由相同的工藝制成并且填充導(dǎo)體190和200由基本上相同的材料制成。例如，填充導(dǎo)體190和200可以包括鎢(w)、鋁(al)、銅(cu)或其它合適的材料。

參考圖15。在柵極間隔件142的側(cè)壁1422的暴露部分之間的空間中凹陷部分的填充導(dǎo)體190，并且也在柵極間隔件144的側(cè)壁1442的暴露部分之間的空間中凹陷部分的填充導(dǎo)體200。更具體地，去除蓋部194和204的上部，并且在n型和p型柵極間隔件g1和g2中分別保留蓋部194和204的下部。填充導(dǎo)體190和200的凹陷部分的實(shí)例方法可以包括蝕刻工藝。例如，凹陷包括與填充導(dǎo)體190和200反應(yīng)的蝕刻劑，在凹槽中位于填充導(dǎo)體190、200之間和位于柵極間隔件142、144之間的蝕刻劑具有高選擇性。

參考圖16。介電蓋210和220分別形成在凹陷的填充導(dǎo)體190和200上。換句話(huà)說(shuō)，介電蓋210和220分別封住凹陷的填充導(dǎo)體190和200。介電蓋210和n型柵極堆疊件g1的功函數(shù)導(dǎo)體包括n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n，介電蓋210和n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n在空間上通過(guò)填充導(dǎo)體190間隔開(kāi)。特別地，填充導(dǎo)體190的蓋部194空間上將n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n與介電蓋210分隔開(kāi)。相似地，介電蓋220和p型柵極堆疊件g2的功函數(shù)導(dǎo)體包括n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p，介電蓋210和n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p在空間上通過(guò)填充導(dǎo)體200間隔開(kāi)。特別地，蓋部204空間上將n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p與介電蓋220分隔開(kāi)。在一些實(shí)施例中，蓋部194的寬度不小于介電蓋210的寬度，以有益于蓋部194在空間上將位于上方的介電蓋210與位于下方的n型功函數(shù)導(dǎo)體層174n分隔開(kāi)。相似地，蓋部204的寬度不小于介電蓋220的寬度，以有益于蓋部204在空間上將上方的介電蓋220與下方的n型和p型功函數(shù)導(dǎo)體層174p和172p分隔開(kāi)。

形成介電蓋210和220的實(shí)例方法可以包括諸如ald、cvd、pvd或其它合適工藝的沉積工藝。在沉積工藝后，可以采用cmp工藝以移除過(guò)量的介電蓋210和220，即過(guò)量填充到開(kāi)口162和164外側(cè)的介電蓋210和220。介電蓋210和220可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、低介電常數(shù)介電材料或其它合適的材料制成。

在一些實(shí)施例中，由于填充導(dǎo)體包括蓋部，蓋部覆蓋功函數(shù)導(dǎo)體，可以增加蓋部與柵極堆疊件的接觸面積。還有，在一些實(shí)施例中，由于n型和p型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體的蓋部(或頭部)具有基本上相同的寬度，蓋部可以提供優(yōu)化力以推擠下部的n型和p型柵極堆疊件的功函數(shù)導(dǎo)體。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底以及至少一個(gè)柵極堆疊件。柵極堆疊件位于半導(dǎo)體襯底上，并且柵極堆疊件包括至少一個(gè)功函數(shù)導(dǎo)體和填充導(dǎo)體。在功函數(shù)導(dǎo)體中具有凹槽。填充導(dǎo)體包括插塞部和蓋部。插塞部位于功函數(shù)導(dǎo)體的凹槽中。蓋部覆蓋功函數(shù)導(dǎo)體。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底、至少一個(gè)n型柵極堆疊件以及至少一個(gè)p型柵極堆疊件。n型柵極堆疊件位于半導(dǎo)體襯底上。在n型柵極堆疊件中包括填充導(dǎo)體。填充導(dǎo)體具有頭部和尾部。尾部位于頭部和半導(dǎo)體襯底之間。p型柵極堆疊件位于半導(dǎo)體襯底上。在p型柵極堆疊件中包括填充導(dǎo)體。填充導(dǎo)體具有頭部和尾部。尾部位于頭部和半導(dǎo)體襯底之間。n型柵極堆疊件和p型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體的頭部具有基本上相同的寬度。

在一些實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體器件的方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成至少兩個(gè)柵極間隔件，在柵極間隔件之間形成至少一個(gè)功函數(shù)導(dǎo)體，在功函數(shù)導(dǎo)體中具有凹槽，在柵極間隔件之間凹陷功函數(shù)導(dǎo)體以暴露柵極間隔件的至少部分的側(cè)壁，以及在凹槽中和在柵極間隔件的側(cè)壁的暴露部分之間的空間中形成填充導(dǎo)體。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；以及位于半導(dǎo)體襯底上的至少一個(gè)柵極堆疊件，柵極堆疊件包括：至少一個(gè)功函數(shù)導(dǎo)體，在功函數(shù)導(dǎo)體中具有凹槽；以及填充導(dǎo)體，填充導(dǎo)體包括插塞部和蓋部，插塞部位于功函數(shù)導(dǎo)體的凹槽中，蓋部覆蓋功函數(shù)導(dǎo)體。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，填充導(dǎo)體包括鎢。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蓋部的寬度大于插塞部的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蓋部的寬度不小于功函數(shù)導(dǎo)體的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件還包括：覆蓋填充導(dǎo)體的介電蓋，其中，介電蓋和功函數(shù)導(dǎo)體被填充導(dǎo)體在空間上分隔開(kāi)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蓋部的寬度不小于介電蓋的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，插塞部包括錐形插塞和底部插塞，錐形插塞位于蓋部和底部插塞之間并且從蓋部至底部插塞逐漸變細(xì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，功函數(shù)導(dǎo)體的凹槽包括錐形開(kāi)口和底部凹槽，錐形開(kāi)口位于蓋部和底部凹槽之間并且朝向底部凹槽逐漸變細(xì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，功函數(shù)導(dǎo)體不在蓋部的至少一個(gè)側(cè)壁上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件還包括：位于柵極堆疊件的至少一個(gè)側(cè)壁上的至少一個(gè)柵極間隔件，其中，功函數(shù)導(dǎo)體不在蓋部和柵極間隔件之間。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底上的至少一個(gè)n型柵極堆疊件，在n型柵極堆疊件中包括填充導(dǎo)體，填充導(dǎo)體具有頭部和尾部，尾部位于頭部和半導(dǎo)體襯底之間；以及位于半導(dǎo)體襯底上的至少一個(gè)p型柵極堆疊件，在p型柵極堆疊件中包括填充導(dǎo)體，填充導(dǎo)體具有頭部和尾部，尾部位于頭部和半導(dǎo)體襯底之間，其中，n型柵極堆疊件和p型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體的頭部具有相同的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在n型柵極堆疊件中包括至少一個(gè)n型功函數(shù)導(dǎo)體，并且n型功函數(shù)導(dǎo)體被n型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體的頭部覆蓋。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在p型柵極堆疊件中包括至少一個(gè)p型功函數(shù)導(dǎo)體，并且p型功函數(shù)導(dǎo)體被p型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體的頭部覆蓋。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，n型柵極堆疊件和p型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體的尾部具有不同的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，n型柵極堆疊件和p型柵極堆疊件的填充導(dǎo)體由相同的材料制成。

根據(jù)本方面的另一方面，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成至少兩個(gè)柵極間隔件；在柵極間隔件之間形成至少一個(gè)功函數(shù)導(dǎo)體，在功函數(shù)導(dǎo)體中具有凹槽；使功函數(shù)導(dǎo)體在柵極間隔件之間凹陷以暴露柵極間隔件的側(cè)壁的至少一部分；以及在凹槽以及柵極間隔件的側(cè)壁的暴露部分之間的空間中形成填充導(dǎo)體。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成填充導(dǎo)體包括：用填充導(dǎo)體過(guò)量填充凹槽使得填充導(dǎo)體到達(dá)柵極間隔件的側(cè)壁的暴露部分。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，方法還包括：使柵極間隔件的側(cè)壁的暴露部分之間的空間中的填充導(dǎo)體的一部分凹陷；以及在凹陷的填充導(dǎo)體上形成介電蓋。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，方法還包括：在凹槽的下部中形成填充層，其中，在形成填充層后實(shí)施凹陷；以及在凹陷后去除填充層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成填充層包括：用填充層過(guò)量填充凹槽；以及在凹槽中使填充層凹陷。

以上論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或更改其他的處理和結(jié)構(gòu)以用于達(dá)到與本發(fā)明所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。