本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED顯示面板以及OLED顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，顯示裝置所采用的薄膜晶體管的背板需要考慮顯示裝置的電性均一性，漏電流，有效驅(qū)動長度，面積效率，遲滯作用等多方面的因素。針對不同顯示技術(shù)的顯示裝置，需要采用不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，以達(dá)到期望的目的。

現(xiàn)有技術(shù)的柔性O(shè)LED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置需要具備良好的彎折穩(wěn)定性，采用OTFT(有機(jī)薄膜晶體管)，由于OTFT相對于無機(jī)薄膜晶體管的電子遷移率低，導(dǎo)致無法提供足夠的柵極驅(qū)動電流。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種OLED顯示面板以及OLED顯示裝置，能夠提高電子遷移率，保證足夠的柵極驅(qū)動電流。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種OLED顯示面板，其包括顯示區(qū)域和GOA區(qū)域，GOA區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)第一薄膜晶體管，顯示區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管為無機(jī)薄膜晶體管，第二薄膜晶體管為有機(jī)薄膜晶體管。

其中，第一薄膜晶體管包括：

柔性基板；

阻擋層，設(shè)置在柔性基板上；

第一多晶硅層，設(shè)置在阻擋層上；

第一源漏極層，設(shè)置在阻擋層上，第一源漏極位于第一多晶硅層的兩側(cè)；

第一絕緣層，設(shè)置在第一多晶硅層和第一源漏極層上；

第一柵極層，設(shè)置在第一絕緣層上，并且設(shè)置在第一多晶硅層的上方。

其中，第二薄膜晶體管包括：

柔性基板和阻擋層；

第二多晶硅層，設(shè)置在阻擋層上；

第一絕緣層設(shè)置在第二多晶硅層上；

第二柵極層，設(shè)置在第一絕緣層上，并且設(shè)置在第二多晶硅層的上方；

ILD層，設(shè)置在第二柵極層和第一絕緣層上；

IOBP層，設(shè)置在ILD層上；

第二源漏極層，設(shè)置在IOBP層上。

其中，第一柵極層和第二柵極層為同一層設(shè)置。

其中，第一絕緣層為柵極絕緣層。

其中，第一薄膜晶體管包括：

柔性基板；

阻擋層，設(shè)置在柔性基板上；

IGZO層，設(shè)置在阻擋層上；

第一絕緣層，設(shè)置在IGZO層上；

第一柵極層，設(shè)置在第一絕緣層上，并且設(shè)置在IGZO層的上方；

ILD層，設(shè)置在第一柵極層和第一絕緣層上；

IOBP層，設(shè)置在ILD層上；

第一通孔和第二通孔，均穿過IOBP層、ILD層以及第一絕緣層，并且設(shè)置在第一柵極層的兩側(cè)；

第一源極層，設(shè)置在IOBP層上，并通過第一通孔與IGZO層連接；

第一漏極層，設(shè)置在IOBP層上，并通過第二通孔與IGZO層連接。

其中，第二薄膜晶體管包括：

柔性基板、阻擋層以及第一絕緣層；

第二柵極層，設(shè)置在第一絕緣層上；

ILD層，設(shè)置在第二柵極層和第一絕緣層上；

IOBP層，設(shè)置在ILD層上；

第二源漏極層，設(shè)置在IOBP層上。

其中，第一柵極層和第二柵極層為同一層設(shè)置。

其中，ILD層和IOBP層為柵極絕緣層。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種OLED顯示裝置，其包括上述OLED顯示面板。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的OLED顯示面板包括顯示區(qū)域和GOA區(qū)域，GOA區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)第一薄膜晶體管，顯示區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管為無機(jī)薄膜晶體管，第二薄膜晶體管為有機(jī)薄膜晶體管；在同一個(gè)OLED顯示面板中，GOA區(qū)域采用無機(jī)薄膜晶體管，能夠提高電子遷移率，保證足夠的柵極驅(qū)動電流，顯示區(qū)域采用有機(jī)薄膜晶體管，保證OLED顯示面板具有良好的彎折性，并且降低成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要采用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的剖面圖；

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的OLED顯示面板中第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的剖面圖；

圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參見圖1-2所示，圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的剖面圖。如圖1所示，本實(shí)施例所揭示的OLED顯示面板10包括顯示區(qū)域12和GOA(Gate on Array，閘極驅(qū)動電路基板)區(qū)域11，顯示區(qū)域12用于顯示畫面，GOA區(qū)域11用于產(chǎn)生驅(qū)動信號，該驅(qū)動信號用于驅(qū)動顯示區(qū)域12顯示畫面。其中，GOA區(qū)域11設(shè)置有至少一個(gè)第一薄膜晶體管111，顯示區(qū)域12設(shè)置有至少一個(gè)第二薄膜晶體管121，第一薄膜晶體管111為無機(jī)薄膜晶體管，第二薄膜晶體管121為有機(jī)薄膜晶體管。

如圖2所示，第一薄膜晶體管111為LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅技術(shù))晶體管，第二薄膜晶體管121為OTFT。第一薄膜晶體管111包括柔性基板1111、阻擋層1112、第一多晶硅層1113、第一源漏極層1114、第一絕緣層1115以及第一柵極層1116，其中，阻擋層1112設(shè)置在柔性基板1111上，阻擋層1112能夠降低柔性基板1111的粗糙度，并且起到阻擋水氧的作用；第一多晶硅層(ploy-Si)1113設(shè)置在阻擋層1112上；第一源漏極層1114設(shè)置在阻擋層1112上，并且第一源漏極層1114位于第一多晶硅層1113的兩側(cè)，以形成第一薄膜晶體管111的源極和漏極；第一絕緣層1115設(shè)置在第一多晶硅層1113和第一源漏極層1114上；第一柵極層1116設(shè)置在第一絕緣層1115上，并且設(shè)置在第一多晶硅層1113的上方，以形成第一薄膜晶體管111的柵極。第一薄膜晶體管111采用的是頂柵結(jié)構(gòu)，以保證第一多晶硅層1113的平整和均勻性。此外，第一柵極層1116與第一多晶硅層1113組成電容。

第二薄膜晶體管121包括柔性基板1111、阻擋層1112、第二多晶硅層1211、第一絕緣層1115、第二柵極層1212、ILD(層間絕緣層)層1213、IOBP(Inorganic Barrier Passivation Layer,無機(jī)阻隔鈍化層)層1214以及第二源漏極層1215。其中，柔性基板1111以及阻擋層1112與第一薄膜晶體管111的柔性基板1111以及阻擋層1112相同。第二多晶硅層1211設(shè)置在阻擋層1112上，第一絕緣層1115設(shè)置在第二多晶硅層1211上；第二柵極層1212設(shè)置在第一絕緣層1115上，并且設(shè)置在第二多晶硅層1211的上方，以形成第二薄膜晶體管121的柵極；ILD層1213設(shè)置在第二柵極層1212和第一絕緣層1115上；IOBP層1214設(shè)置在ILD層1213上；第二源漏極層1215設(shè)置在IOBP層1214上，以形成第二薄膜晶體管121的源極和漏極；第二薄膜晶體管121采用的是底柵結(jié)構(gòu)。

其中，第一柵極層1116和第二柵極層1212為同一層設(shè)置。此外，第一絕緣層1115為柵極絕緣層。

在本實(shí)施例中，在完成第一柵極層1116和第二柵極層1212后，先完成GOA區(qū)域11的第一薄膜晶體管111的陣列，然后完成顯示區(qū)域12的第二薄膜晶體管121的陣列。

本實(shí)施例的OLED顯示面板10包括顯示區(qū)域12和GOA區(qū)域11，GOA區(qū)域11設(shè)置有至少一個(gè)第一薄膜晶體管111，顯示區(qū)域12設(shè)置有至少一個(gè)第二薄膜晶體管121，第一薄膜晶體管111為無機(jī)薄膜晶體管，第二薄膜晶體管121為有機(jī)薄膜晶體管；在同一個(gè)OLED顯示面板10中，GOA區(qū)域11采用無機(jī)薄膜晶體管，能夠提高電子遷移率，保證足夠的柵極驅(qū)動電流，顯示區(qū)域12采用有機(jī)薄膜晶體管，保證OLED顯示面板10具有良好的彎折性。此外，GOA區(qū)域11和顯示區(qū)域12采用不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，制造的溫度不同，優(yōu)選進(jìn)行高溫制程，并且有機(jī)薄膜晶體管和無機(jī)薄膜晶體管的部分制程可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)，例如第一柵極層1116和第二柵極層1212，降低成本。

本發(fā)明還提供第二實(shí)施例的OLED顯示面板，本實(shí)施例所揭示的OLED顯示面板與第一實(shí)施例所揭示的OLED顯示面板10不同之處在于：如圖3所示，第一薄膜晶體管211為IGZO(indium gallium zinc oxide，銦鎵鋅氧化物)晶體管，第二薄膜晶體管221為OTFT。

第一薄膜晶體管211包括柔性基板2111、阻擋層2112、IGZO層2113、第一絕緣層2114、第一柵極層2115、ILD層2116、IOBP層2117、第一通孔2118、第二通孔2119、第一源極層2200以及第一漏極層2201。其中，阻擋層2112設(shè)置在柔性基板2111上；IGZO層2113設(shè)置在阻擋層2112上；第一絕緣層2114設(shè)置在IGZO層2113和阻擋層2112上；第一柵極層2115設(shè)置在第一絕緣層2114上，并且設(shè)置在IGZO層2113的上方；ILD層2116設(shè)置在第一柵極層2115和第一絕緣層2114上；IOBP層2117設(shè)置在ILD層2116上；第一通孔2118和第二通孔2119均穿過IOBP層2117、ILD層2116以及第一絕緣層2114，并且設(shè)置在第一柵極層2115的兩側(cè)；第一源極層2200設(shè)置在IOBP層2117上，并通過第一通孔2118與IGZO層2113連接；第二源極層2201設(shè)置在IOBP層2117上，并通過第二通孔2119與IGZO層2113連接。由于ILD層2116和IOBP層2117為柵極絕緣層，厚度較大，因此第一薄膜晶體管211采用頂柵結(jié)構(gòu)。

第二薄膜晶體管221包括柔性基板2111、阻擋層2112、第一絕緣層2114、第二柵極層2211、ILD層2116、IOBP層2117以及第二源漏極層2212。其中，柔性基板2111和阻擋層2112與第一薄膜晶體管211的柔性基板2111和阻擋層2112相同；第一絕緣層2114設(shè)置在阻擋層2112上；第二柵極層2211設(shè)置在第一絕緣層2114上；ILD層2116設(shè)置在第二柵極層2211和第一絕緣層2114上；IOBP層2117設(shè)置在ILD層2116上；第二源漏極層2212設(shè)置在IOBP層2117上。

其中，第一柵極層2115和第二柵極層2211為同一層設(shè)置。

在本實(shí)施例中，在完成第二源漏極層2212后，先完成GOA區(qū)域21的第一薄膜晶體管211的陣列，然后完成顯示區(qū)域22的第二薄膜晶體管221的陣列。

如圖4所示，本發(fā)明一實(shí)施例的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，該OLED顯示裝置40包括上述實(shí)施例所描述的OLED顯示面板，在此不再贅述。該OLED顯示裝置40為柔性O(shè)LED顯示裝置。

綜上所述，本發(fā)明的OLED顯示面板包括顯示區(qū)域和GOA區(qū)域，GOA區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)第一薄膜晶體管，顯示區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管為無機(jī)薄膜晶體管，第二薄膜晶體管為有機(jī)薄膜晶體管；在同一個(gè)OLED顯示面板中，GOA區(qū)域采用無機(jī)薄膜晶體管，能夠提高電子遷移率，保證足夠的柵極驅(qū)動電流，顯示區(qū)域采用有機(jī)薄膜晶體管，保證OLED顯示面板具有良好的彎折性，并且降低成本。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。