1.一種Al摻雜氧化物的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、在硫化物中加入鋁源，然后加水混合得到混合液；
B、將混合液超聲一段時(shí)間；
C、將超聲后的混合液在150-200℃下反應(yīng)3-24h，待反應(yīng)液降到室溫后，依次過濾和清洗得到Al摻雜氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，超聲處理的時(shí)間為5-30min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，超聲處理的功率為100-600W。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硫化物為二硫化鉬、二硫化鎢或者二硫化釩。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鋁源為硫化鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述硫化鋁占硫化鋁與硫化物總量的質(zhì)量百分比為40-55%。
7.一種Al摻雜氧化物，其特征在于，采用如權(quán)利要求1所述的制備方法制成。
8.一種QLED，其特征在于，所述QLED的電子傳輸層的材料為如權(quán)利要求7所述的Al摻雜氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的QLED，其特征在于，所述QLED為正型器件或反型器件；所述正型器件依次包括：含有底電極的襯底、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、頂電極；所述反型器件依次包括：含有底電極的襯底、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、頂電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的QLED，其特征在于，所述空穴注入層和/或空穴傳輸層的材料為如權(quán)利要求7所述的Al摻雜氧化物。