本說明書涉及一種半導體裝置和一種制造半導體裝置的方法。

背景技術：

近年來，gan/algan高電子遷移率晶體管(hemt)關于它們替代si或sic用作高電壓(hv)裝置的可能性已經(jīng)吸引了大量的注意力。gan/alganhemt通常包括具有位于數(shù)個gan層上的algan層的襯底。柵極、源極和漏極位于algan層上方。操作期間，電流在漏極和源極之間經(jīng)由二維電子氣(2deg)流動，所述二維電子氣在algan層和上部gan層之間的界面處形成。通過將合適的電壓施加到柵極來實現(xiàn)切斷，以使得在algan層和最上部gan層之間的界面處的2deg消失。

在一些應用中，這些裝置在關閉狀態(tài)和開啟狀態(tài)之間切換，在所述關閉狀態(tài)中，它們阻斷高漏極到源極電壓，同時具有低泄漏電流，在所述開啟狀態(tài)中，它們在低電壓下承載高電流。這些裝置被設計成這樣，以使得可在開啟狀態(tài)、關閉狀態(tài)的和在切換期間的功率損耗之間找到最佳平衡點。

hemt通常使用兩個不同的柵極。第一，柵極可為肖特基(schottky)柵極，其包括位于algan層上的肖特基觸點。替代類型的柵極是絕緣柵極，其中柵極觸點通過絕緣層而與algan層的表面分隔開。包括這種第二類型的柵極的裝置被稱作金屬絕緣體半導體高電子遷移率晶體管(mishemt)。mishemt的潛在優(yōu)點是處于關閉狀態(tài)時的較低泄漏電流。

技術實現(xiàn)要素：

在隨附的獨立權利要求和從屬權利要求中闡述了本發(fā)明的各方面。來自從屬權利要求的特征的組合可按需要與獨立權利要求的特征組合，并且不僅僅是按照權力要求中所明確闡述的。

根據(jù)本發(fā)明的方面，提供一種半導體裝置，其包括：

襯底，其具有位于一個或多個gan層上的algan層，以在algan層和gan層之間的界面處形成二維電子氣；

源極觸點；

漏極觸點；以及

柵極觸點，其位于源極觸點和漏極觸點之間，

其中柵極觸點包括：

柵極電極；以及

位于柵極電極和algan層之間的電絕緣層，其中電絕緣層包括至少一個孔口，以允許在裝置的關閉狀態(tài)期間產(chǎn)生的空穴穿過柵極電極離開裝置。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制作半導體裝置的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底具有位于一個或多個gan層上的algan層，以在algan層和gan層之間的界面處形成二維電子氣；

形成裝置的源極觸點；

形成裝置的漏極觸點；以及

通過以下操作在源極觸點和漏極觸點之間形成裝置的柵極觸點；

形成具有至少一個孔口的電絕緣層；以及

形成柵極電極，以使得電絕緣層位于柵極電極和algan層之間，

其中在電絕緣層中的至少一個孔口適合于允許在裝置的關閉狀態(tài)期間產(chǎn)生的空穴穿過柵極電極離開裝置。

在例如mishemt的裝置中，柵極電極與下面的層的絕緣可阻止在裝置的關閉狀態(tài)期間產(chǎn)生的空穴穿過柵極電極離開裝置。這些空穴可增加裝置的局部體勢(localbodypotential)，這可產(chǎn)生增加的電場，所述增加的電場可引起裝置失效或劣化。通過在電絕緣層中提供至少一個孔口，在裝置的關閉狀態(tài)期間產(chǎn)生的空穴可穿過柵極電極離開裝置。

孔的大小可進行選擇，以允許空穴離開裝置而不會顯著增加穿過柵極觸點的泄漏電流。在一些例子中，至少一個孔口的尺寸(舉例來說，至少一個孔口的大致直徑(例如，其中孔口大體上是圓形的)或平行于柵極長度方向的孔口的邊緣(例如，其中孔口是長橢圓形的))可為柵極長度的大約20％到70％。柵極長度可(舉例來說)為大約1到3μm。在一個例子中，至少一個孔口的尺寸(例如，至少一個孔口的大致直徑)可為大約0.5到2μm。在一些例子中，(例如，在大體上垂直于柵極長度方向的柵極寬度方向上)鄰近孔口之間的間距(例如，平均間距)可為大致5到20μm。

當從algan層上方觀察時，在柵極電極和algan層之間的電絕緣層中的至少一個孔口的總截面面積可表示為∑a孔口。當從algan層上方觀察時，柵極電極的面積可表示為a柵極。這兩個面積的比例可進行選擇，以允許空穴離開裝置而不會顯著增加穿過柵極觸點的泄漏電流。在一些例子中，孔口的總面積與柵極電極的面積的比例可在0.01≤∑a孔口/a柵極≤0.1范圍內(nèi)。

電絕緣層可包括多個孔口?？卓诳梢砸?guī)則陣列形式布置。這可允許孔口在整個柵極觸點中平均分布。當從algan層上方觀察時，至少一個孔口可為圓形或矩形(例如，長橢圓形)。

柵極電極的至少一部分可延伸到電絕緣層中的至少一個孔口中。以此方式，柵極電極的部分可更接近于裝置的下面部分，從而允許空穴離開裝置。在一些例子中，延伸到電絕緣層中的至少一個孔口中的柵極電極的部分可直接接觸algan層或位于algan層上的gan層。

柵極電極可包括第一電極部分和第二電極部分第一電極部分可包括與電絕緣層中的至少一個孔口對準的至少一個孔口。第二電極部分可大體上充滿第一電極部分中的至少一個孔口。這種柵極觸點可便于(舉例來說)通過在電絕緣層上沉積第一電極部分以及通過穿過第一電極部分和電絕緣層兩者蝕刻(例如，干式蝕刻)孔口來制造。接著可沉積第二電極部分以填充孔口。如上文所描述可延伸到電絕緣層中的至少一個孔口中的柵極電極的部分可為第二電極部分。

第一電極部分和第二電極部分可包括不同的導電材料。這可允許優(yōu)化柵極觸點，還可允許第二電極部分的材料匹配于用于在裝置其它部分中的柵極電極的材料。

柵極觸點可包括位于柵極電極和algan層之間的另一電絕緣層。所述另一絕緣層可跨越絕緣層中的至少一個孔口延伸。這可增加穿過絕緣層中的至少一個孔口的路徑的電阻，從而減少裝置中的泄漏電流。在其中形成柵極電極的導電材料還用于形成襯底上其它地方的肖特基觸點的例子中，襯底上其它地方的肖特基觸點可具有相對較低的肖特基勢壘，而在電絕緣層中的至少一個孔口處形成的觸點可具有相對較高的肖特基勢壘，因為還存在另一絕緣層。另一絕緣層的厚度和/或組合物可進行選擇以減少泄漏電流，而仍允許空穴穿過柵極觸點離開。舉例來說，所述另一絕緣層可具有在1nm≤t≤10nm范圍內(nèi)的厚度。所述另一絕緣層可包括aln、al2o3、sin、sio。

柵極電極可包括金屬層堆疊。所述堆疊可(舉例來說)包括tiw/al、tiwn/al、tin/al、鎢或alcu。此處，使用“/”表示每一層中材料(例如，tiw/al指代層的堆疊包括tiw層和al層，其中首先列出所述堆疊中的最低層)。

在一些例子中，裝置可以另外包括位于algan層上的gan頂蓋層。

出于本發(fā)明的目的，高電子遷移率晶體管(hemt)中的電子遷移率可在1000-3000cm^2/v/s范圍內(nèi)或在1000-2000cm^2/v/s范圍內(nèi)。

附圖說明

在下文中將僅借助于例子參看附圖來描述本發(fā)明的實施例，在附圖中類似的附圖標記指代類似的元件，并且在附圖中：

圖1示出了包括高電子遷移率晶體管(hemt)的半導體裝置；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導體裝置；以及

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的半導體裝置。

具體實施方式

在下文中參看附圖描述本發(fā)明的實施例。

本發(fā)明的實施例可提供半導體裝置，例如高電子遷移率晶體管(hemt)。hemt可為金屬絕緣體半導體高電子遷移率晶體管(mishemt)。

裝置可包括襯底，所述襯底具有位于一個或多個gan層上的algan層。二維電子氣(“2deg”)可在algan層和(最上部)gan層之間的界面處形成。在2deg內(nèi)流動的電流可形成裝置操作的基礎。根據(jù)本發(fā)明的實施例，此類裝置的2deg的電子遷移率可在1000-3000cm^2/v/s范圍內(nèi)，或更具體地說，在1000-2000cm^2/v/s范圍內(nèi)。

裝置可包括源極觸點、漏極觸點和柵極觸點。這些觸點可位于(舉例來說)algan層的表面。在其它例子中，觸點可位于層的表面，所述層位于algan層上或algan層上方。舉例來說，裝置可包括algan層上的gan頂蓋層，并且觸點可位于gan頂蓋層的表面。源極觸點和漏極觸點的至少一部分可直接向下延伸穿過algan層(和任何層，例如位于algan層上的gan頂蓋層)以接觸(最上部)gan層。柵極觸點可位于源極觸點和漏極觸點之間。在操作中，電流可在2deg內(nèi)在源極觸點和漏極觸點之間流動?？蓪菔┘拥綎艠O觸點以調(diào)制此電流。

柵極觸點可包括柵極電極。柵極觸點還可包括電絕緣層，所述電絕緣層可位于柵極電極和algan層之間。這個電絕緣層可包括至少一個孔口。至少一個孔口可允許可在裝置的關閉狀態(tài)期間產(chǎn)生的空穴穿過柵極電極離開裝置。如將在下文更詳細地描述，這可允許解決與裝置內(nèi)(例如，柵極下方或在場板下)增加的局部體勢相關的問題。

圖1示出了包括mishemt的裝置10的例子。裝置10包括襯底18，所述襯底18具有多個gan層8、12和algan層16。gan層8形成超柵格，以將gan層12的結構的柵格參數(shù)與下面的襯底18的柵格參數(shù)匹配。下面的襯底18可(舉例來說)包括硅襯底。gan層12位于形成超柵格的層8上。gan層12是p型。algan層16位于gan層12上。在操作中，2deg20可在gan層12和algan層16之間的界面處形成。

裝置10包括源極觸點2、漏極觸點4和柵極觸點6。柵極觸點6包括柵極電極，所述柵極電極通過介電層14與algan層16分隔開，所述介電層14位于algan層16上。在操作中，施加到源極觸點2、漏極觸點4和柵極觸點6的電壓vgs和vds允許電流在2deg20內(nèi)在源極觸點2和漏極觸點4之間流動。此電流可通過施加到柵極觸點6的勢進行調(diào)制。

盡管mishemt原則上可減少穿過柵極觸點6的泄漏(舉例來說，相比于具有由位于algan層16上的肖特基觸點形成的柵極的hemt)，但mishemt中的絕緣柵極觸點6可阻止在關閉狀態(tài)(例如，由于雪崩式倍增、隧道效應或來自捕獲器(traps)的發(fā)射)期間產(chǎn)生的空穴離開裝置。

在具有包括肖特基的柵極的hemt中，這些空穴可通過柵極移除，所述柵極對于空穴來說在關閉狀態(tài)期間可為正向偏置的。然而對于具有絕緣柵極得裝置(例如，圖1中示出的這種mishemt)，這是不可能的，因為絕緣層20可能會阻斷這些空穴穿過柵極觸點6離開裝置10的路線。這些空穴也不可以垂直地移除到襯底18，因為由gan層8形成的超柵格可為高電阻性的。

這些空穴的產(chǎn)生可導致勢的局部增加，直到電場高到使空穴以與它們的產(chǎn)生相同的速率穿過超柵格移除或橫向地移除到源極2。這種在柵極觸點6下或在場板下的體勢的局部增加可產(chǎn)生增加的電場，所述增加的電場可引起裝置失效或劣化。

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導體裝置100。

裝置100包括襯底48。襯底48可具有多個gan層38、42和algan層46。襯底48可(舉例來說)為硅襯底，盡管還設想襯底48可包括藍寶石或sic，其上提供gan層38、42和algan層46。

gan層38可形成超柵格，以將gan層42的柵格參數(shù)與下面的襯底48匹配。gan層42位于形成超柵格的層38上。gan層42可為p型。algan層46位于gan層42上。在操作中，2deg50可在gan層42和algan層46之間的界面處形成。

裝置10包括源極觸點32、漏極觸點34和柵極觸點36。源極觸點32和漏極觸點34可各自包括電極，所述電極包括導電材料。在一些實施例中，源極和漏極電極可包括金屬層的堆疊，所述堆疊可沉積于裝置上，并在制造期間進行圖案化。金屬層可(舉例來說)包括ti/al/tiwn或taal或ti/al/ni/au。源極和漏極電極可各自形成歐姆觸點。柵極觸點36可位于裝置100的主表面上的源極觸點32和漏極觸點34之間。

柵極觸點36包括柵極電極37，所述柵極電極37通過電絕緣層44與algan層46分隔開。柵極電極可包括金屬層的堆疊。例如，柵極電極37可包括tiw/al、tiwn/al、tin/al、鎢或alcu。此處，使用“/”表示每一層中材料(例如，tiw/al指代層的堆疊包括tiw層和al層，其中首先列出所述堆疊中的最低層)。

電絕緣層44可包括介電質，例如sin、al2o3、sio或此類層的組合。在另一例子中，電絕緣層44還可包括原位mocvd沉積的sin(其可進行沉積，作為gan磊晶成長的最后一步)。電絕緣層44可位于柵極電極37和algan層46之間，由此將柵極電極37與algan層46電隔離。因此，裝置100可為金屬絕緣體半導體高電子遷移率晶體管(mishemt)。

在本例子中，電絕緣層44位于algan層46上，柵極電極37位于電絕緣層44上。可以設想，可存在另一層位于algan層46和柵極電極37之間。舉例來說，在一些例子中，gan頂蓋層可位于algan層46上。在這些例子中，電絕緣層44可位于gan頂蓋層上，柵極電極37可位于電絕緣層44上。

在本例子中，電絕緣層44跨越裝置100延伸。為了接觸裝置的下面的層，源極觸點32和漏極觸點34可延伸穿過電絕緣層44。例如，如圖2所示，源極觸點32和漏極觸點34可延伸穿過電絕緣層44和algan層46兩者，以直接接觸gan層42?？梢栽O想，在其它例子中，電絕緣層44可為柵極觸點36的局部，從而源極觸點32和漏極觸點34不必穿過電絕緣層44。

在操作中，電壓(例如，vgs和vds)可施加到源極觸點32、漏極觸點34和柵極觸點36，以使電流在2deg50內(nèi)在源極觸點32和漏極觸點34之間流動。此電流可通過變化施加到柵極觸點36的勢進行調(diào)制。

電絕緣層44可包括至少一個孔口60。在一些例子中，可提供多個此類孔口60。至少一個孔口60可允許可在裝置100的關閉狀態(tài)期間產(chǎn)生的空穴穿過柵極電極37離開裝置100。

當從algan層46上方觀察時，至少一個孔口60可以陣列形式布置。陣列可為隨機陣列?？商鎿Q的是，陣列可為規(guī)則陣列(例如，線性、矩形或六邊形陣列)，這可確?？卓谠谡麄€柵極觸點36中平均分布。在圖2所示的例子中，電絕緣層44包括多個孔口60，其以包括單個行的線性陣列形式提供。

當從algan層46上方觀察時，電絕緣層44中的至少一個孔口60可具有規(guī)則形狀，例如大體上圓形、大體上橢圓形或大體上矩形(例如，方形或被配置成數(shù)個條形)。在圖2所示的例子中，孔口60為大體上圓形。

電絕緣層44中的至少一個孔口60的大小和形狀可進行選擇以允許空穴穿過柵極電極37離開裝置100，同時防止穿過柵極觸點36的泄漏電流達到不可接受的水平。舉例來說，這可通過變化至少一個孔口60的截面面積a孔口(當從algan層46上方觀察時)和/或通過變化孔口60的總截面面積∑a孔口(當從algan層46上方觀察時)來實現(xiàn)。原則上，相比于柵極電極37的總面積a柵極，面積a孔口和∑a孔口可能較小，以使得裝置100可操作為mishemt(與具有高泄漏肖特基柵極的hemt相反)。另一方面，面積a孔口和∑a孔口可大到足以使得在裝置100的關閉狀態(tài)中產(chǎn)生的任何空穴的大部分可穿過至少一個孔口60，從而穿過柵極電極37離開裝置100。

在一些例子中，至少一個孔口的尺寸(舉例來說，至少一個孔口的大致直徑(例如，其中孔口大體上是圓形的)或平行于柵極長度方向的孔口的邊緣(例如，其中孔口是長橢圓形的))可為柵極長度的大約20％到70％。柵極長度可(舉例來說)為大約1到3μm。在一個例子中，至少一個孔口的尺寸(例如，至少一個孔口的大致直徑)可為大約0.5到2μm。在一些例子中，(例如，在大體上垂直于柵極長度方向(在圖2中由標記為l的箭頭指示)的柵極寬度方向(在圖2中由標記為w的箭頭指示)上)鄰近孔口之間的間距(例如，平均間距)可為大致5到20μm。

在一些例子中，至少一個孔口60的總截面面積與柵極電極37的面積(當從algan層46上方觀察時)的比例可在0.01≤∑a孔口/a柵極≤0.1范圍內(nèi)。

在一些例子中，例如在圖2所示的例子中，柵極電極37的至少一部分可延伸到電絕緣層44中的至少一個孔口60中。這可允許柵極電極37的(相對較小)部分向裝置的下面的層延伸。舉例來說，如圖2所示，延伸到至少一個孔口60中的柵極電極37的部分直接接觸algan層46。柵極電極37和algan層46之間的這種直接接觸可減少對空穴離開裝置100的阻力。由于a孔口和∑a孔口相比于a柵極較小，裝置可仍操作為低泄漏mishemt，如上所述。在其中其它層(例如，gan頂蓋層)位于柵極電極37和algan層46之間的例子中，延伸穿過至少一個孔口60的柵極電極的部分可直接接觸那些層中的一個層(例如，gan頂蓋層的上表面)。

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的半導體裝置100。在一些方面中，圖3中的實施例類似于上文相對于圖2所述的實施例。裝置100包括襯底48，所述襯底48可為上文相對于圖2所述的那種襯底，并且可具有多個gan層38、42和algan層46。

如先前所描述，gan層38可形成超柵格，以將gan層42的柵格參數(shù)與下面的襯底48匹配。gan層42位于形成超柵格的層38上。gan層42可為p型。algan層46位于gan層42上。在操作中，2deg50可在gan層42和algan層46之間的界面處形成。

裝置10包括源極觸點32、漏極觸點34和柵極觸點36。源極觸點32和漏極觸點34可各自是上文相對于圖2所述的那種觸點。同樣，在此例子中，柵極觸點36可位于裝置100的主表面上的源極觸點32和漏極觸點34之間。

柵極觸點36包括柵極電極37，所述柵極電極37通過電絕緣層44與algan層46分隔開。電絕緣層44可為上文已經(jīng)相對于圖2所述的那種層。同樣，柵極電極可包括金屬層的堆疊。例如，柵極電極37可包括tiw/al、tiwn/al、tin/al、鎢或alcu。如同圖2的例子，其它層(例如，gan頂蓋層)可位于algan層46和柵極電極37之間。

電絕緣層44可包括至少一個孔口60。除了在下文中所提到的額外細節(jié)，至少一個孔口60還可類似于上文相對于圖2所述的那些來進行配置。

在圖3的例子中，柵極觸點36包括另一電絕緣層70。在此例子中，所述另一絕緣層70位于柵極電極37和algan層46之間。所述另一絕緣層70可跨越絕緣層44中的至少一個孔口60延伸。這可增加用于穿過至少一個孔口60的泄漏電流的路徑的電阻，同時仍允許空穴穿過柵極電極37離開裝置100。此外，在其中形成柵極電極的導電材料還用于形成襯底48上其它地方的肖特基觸點的例子(見在下文中所描述的例子)中，襯底48上其它地方的肖特基觸點可具有相對較低的肖特基勢壘，而在電絕緣層44中的至少一個孔口60處形成的觸點可具有相對較高的肖特基勢壘，因為還存在另一絕緣層70。

在圖3的例子中，所述另一絕緣層70位于絕緣層上方(除了位于至少一個孔口60內(nèi)的另一絕緣層70的任何部分之外)。然而，還設想，所述另一絕緣層70可位于電絕緣層44下方(例如，所述另一絕緣層70可位于algan層46(或gan頂蓋層)和電絕緣層44之間)。此類實施例可通過在沉積和圖案化電絕緣層44之前沉積所述另一絕緣70層制造。

所述另一絕緣層70的組合物和厚度可進行選擇，以優(yōu)化允許空穴穿過柵極電極37離開裝置100和將柵極泄漏保持在可接受的水平之間的平衡。所述另一絕緣層70可包括aln、al2o3、sin、sio。相比于電絕緣層44的厚度，所述另一絕緣層70可能較薄。所述另一絕緣層70可具有在1nm≤t≤10nm范圍內(nèi)的厚度。

在圖3的例子中，所述另一絕緣層70跨越柵極觸點36延伸?？梢栽O想，在其它例子中，所述另一絕緣層70可包含在至少一個孔口60內(nèi)。

在一些例子中，跨越至少一個孔口60延伸的所述另一絕緣層70的部分可直接接觸位于電絕緣層44下方的層(例如，algan層46或gan頂蓋層)。在圖3的例子中，跨越至少一個孔口60延伸的所述另一絕緣層70的部分直接接觸algan層46。

在其中柵極電極37的部分延伸到至少一個孔口60中的例子(例如，如圖3所示)中，柵極電極37的這個部分可大體上被所述另一絕緣層70圍繞。延伸到至少一個孔口60中的柵極電極37的部分可通過所述另一絕緣層70與下面的層(例如，algan層46或gan頂蓋層)分隔開。

本文中所描述的這種制造半導體裝置的方法可包括提供襯底，所述襯底具有位于一個或多個gan層上的algan層。襯底、algan層和一個或多個gan層可為上文相對于圖2和3所述的那種襯底、algan層和一個或多個gan層。algan和gan層可外延生長。如已經(jīng)描述的，二維電子氣(2deg)可在algan層和gan層之間的界面處形成。

制造裝置的方法還可包括形成裝置的源極觸點和漏極觸點。這些觸點可使用用于沉積和圖案化導電材料的光刻技術形成，從而形成觸點的電極。在一些例子中，蝕刻工藝可用于打開穿過電絕緣層和/或另一層(例如，gan頂蓋層和algan)的一個或多個孔口，以允許裝置的源極和漏極觸點到達algan層下方的gan層。

制造裝置的方法還可包括形成裝置的柵極觸點。柵極觸點可為上文相對于圖2和3所述的那種柵極觸點。形成柵極觸點可包括形成具有至少一個孔口的電絕緣層，以及形成柵極電極，以使得先前所描述的電絕緣層位于柵極電極和algan層之間。

方法可另外包括在電絕緣層中形成至少一個孔口，如上文所描述。在一個例子中，這可通過首先沉積電絕緣層，接著使用蝕刻工藝(例如，干式蝕刻)以蝕刻穿過電絕緣層從而產(chǎn)生孔口來實現(xiàn)。接著可沉積柵極電極(在一些實施例中，可沉積另一絕緣層，隨后沉積柵極電極)。

用于形成柵極電極的沉積步驟還可用于在襯底其它地方其它地方形成其它觸點。這個例子在圖3中示出，其中提供包括肖特基陽極觸點62和歐姆陰極觸點64的肖特基二極管。在這些例子中，沉積以形成柵極電極的金屬還可用于形成肖特基觸點62。舉例來說，如上所述，柵極電極可提供為金屬層的堆疊。這些層可(舉例來說)包括tiw/al或tiwn/al或tin/al，以及具有tiw形式的不同的氮觸點的變化形式。這些金屬尤其適合于在襯底上其它地方形成的肖特基觸點。

用于形成裝置的柵極觸點方法的另一例子可包括沉積和圖案化電絕緣層和柵極電極的第一電極部分，接著使用蝕刻工藝(例如，干式蝕刻)形成穿過第一電極部分和電絕緣層的至少一個孔口。當它可使用相同蝕刻工藝形成時，第一電極部分中的至少一個孔口可與電絕緣層中的至少一個孔口對準。接著可沉積柵極電極的第二電極部分。第二電極部分可大體上充滿第一電極部分中的至少一個孔口。第二電極部分的至少部分還可在整個第一電極部分的上表面延伸。第二電極部分還可延伸到電絕緣層中的至少一個孔口中，如上所述。

在此例子中，第一電極部分的導電材料可與第二電極部分的導電材料不同。舉例來說，第一電極部分的導電材料可進行選擇以優(yōu)化mishemt操作(應注意，第一電極部分通過電絕緣層與下面的層(例如，algan層)分隔開)，而第二電極部分的導電材料可進行選擇，以優(yōu)化從而適用作肖特基觸點。因此，類似于上文所述的例子，用于形成第二電極部分的沉積步驟還可用于沉積襯底上其它地方的肖特基觸點(例如，作為肖特基二極管的部分)。

因此，已經(jīng)描述了半導體裝置和制造半導體裝置的方法。裝置包括襯底，所述襯底具有位于一個或多個gan層上的algan層，以在algan層和gan層之間的界面處形成二維電子氣。裝置還包括源極觸點。裝置另外包括漏極觸點。裝置還包括位于源極觸點和漏極觸點之間的柵極觸點。柵極觸點包括柵極電極。柵極觸點還包括位于柵極電極和algan層之間的電絕緣層。絕緣層包括至少一個孔口，以允許在裝置的關閉狀態(tài)期間產(chǎn)生的空穴穿過柵極電極離開裝置。

盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定實施例，但是應了解，可以在權利要求書的范疇內(nèi)作出許多修改/添加和/或替代。