技術(shù)總結(jié)
提供了一種制造PMOS器件時(shí)嵌入SiGe的方法?？尚纬啥鄬泳哂胁煌珿e含量的SiGe層，以使得從(眾)底層向(眾)中間層Ge含量增大，而從(眾)中間層向(眾)頂層Ge含量減小。在一些實(shí)施例中，該嵌入式SiGe具有襯底之上的SiGe種子層、該SiGe種子層之上的第一SiGe過渡層、該第一SiGe過渡層之上的SiGe中間層、以及該SiGe中間層之上的第二SiGe過渡層。該第一SiGe過渡層可具有從該第一SiGe過渡層的底部往該第一SiGe過渡層的頂部增大的Ge含量。該第二SiGe過渡層可具有從該第二SiGe過渡層的底部往該第二SiGe過渡層的頂部減小的Ge含量。

技術(shù)研發(fā)人員：黃秋銘
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201611168041
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.16
技術(shù)公布日：2017.05.31