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一種具有復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的真空滅弧室的制作方法

文檔序號(hào):12129111閱讀:307來源:國知局
一種具有復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的真空滅弧室的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備,具體為一種具有復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的真空滅弧室。



背景技術(shù):

目前,在真空滅弧室的制造工藝中,真空滅弧室的瓷殼與上下蓋板間地密封是通過瓷殼端部涂覆的金屬薄層與蓋板端面焊接實(shí)現(xiàn)的。在氣體、干燥空氣等氣體絕緣的環(huán)境下,若直接使用真空滅弧室,則在真空滅弧室瓷殼與上下蓋板間的金屬封接面附近會(huì)出現(xiàn)電場(chǎng)集中現(xiàn)象會(huì)比較嚴(yán)重。另外,上下蓋板作為裸露的金屬電極,其結(jié)構(gòu)中曲率半徑小的部位也會(huì)出現(xiàn)電場(chǎng)集中現(xiàn)象。這些都會(huì)導(dǎo)致局部放電地發(fā)生,長期運(yùn)行的開關(guān)設(shè)備會(huì)因此出現(xiàn)絕緣不可靠問題。為了衰減這些電場(chǎng)值,現(xiàn)有技術(shù)中,較多采用將真空滅弧室整體固封在環(huán)氧樹脂中的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。該結(jié)構(gòu)盡管增強(qiáng)了真空滅弧室的外絕緣特性,但它是以較高的固封技術(shù)為前提,不僅加長了真空滅弧室的生產(chǎn)周期,更增加了真空滅弧室的生產(chǎn)成本。另外,固封在真空滅弧室外的環(huán)氧樹脂還存在著開裂隱患,這將不利于金屬封閉開關(guān)柜免維護(hù)性能地實(shí)現(xiàn);同時(shí),若將真空滅弧室完全固封在環(huán)氧樹脂內(nèi),則會(huì)不利于真空滅弧室地散熱。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供一種具有復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的真空滅弧室,滅弧室的外絕緣特性強(qiáng),有利于散熱,環(huán)氧樹脂用料少,提高了環(huán)保和經(jīng)濟(jì)性能。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):

一種具有復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的真空滅弧室,包括真空滅弧室本體和復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu);所述的真空滅弧室本體包括上下端開口的瓷殼,分別通過金屬封接面密封設(shè)置在瓷殼上下兩端的蓋板,以及穿過一端蓋板固定密封設(shè)置的靜觸頭和穿過另一端蓋板滑動(dòng)密封設(shè)置的動(dòng)觸頭;所述的復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)包括一體澆注而成的金屬屏蔽罩和環(huán)氧樹脂電介質(zhì);金屬屏蔽罩呈盤狀設(shè)置,外緣沿軸向向一端延伸設(shè)置;環(huán)氧樹脂電介質(zhì)包覆所有外緣并延伸到盤狀底部的一部分;所述的復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)分別同軸設(shè)置在瓷殼上下端蓋板的外側(cè),兩個(gè)復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)延伸的外緣端相對(duì)設(shè)置;每個(gè)復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)中的金屬屏蔽罩外緣端部超出對(duì)應(yīng)側(cè)的金屬封接面設(shè)置。

優(yōu)選的,所述復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)徑大于瓷殼的外徑。

優(yōu)選的,所述的真空滅弧室本體還包括設(shè)置在瓷殼內(nèi)部的內(nèi)屏蔽筒;金屬屏蔽罩外緣端與內(nèi)屏蔽筒之間的距離不小于最小絕緣距離。

優(yōu)選的,金屬屏蔽罩被環(huán)氧樹脂電介質(zhì)包覆的部分厚度小于未包覆部分;金屬屏蔽罩盤狀底部的一部分被環(huán)氧樹脂電介質(zhì)包覆后的厚度與未包覆部分的厚度相同。

優(yōu)選的,環(huán)氧樹脂電介質(zhì)包覆金屬屏蔽罩外緣的部分,內(nèi)側(cè)呈圓角過渡的直角設(shè)置,外側(cè)依次順接第一圓弧部分、第二圓弧部分和第三圓弧部分。

進(jìn)一步,第一圓弧部分的起始端與金屬屏蔽罩盤狀底部包覆的環(huán)氧樹脂電介質(zhì)外側(cè)平滑過渡連接,第一圓弧部分的終止端和第二圓弧部分的起始端由向外側(cè)傾斜設(shè)置的公切線平滑過渡連接,第二圓弧部分的終止端經(jīng)平滑過渡連接的第三圓弧部分與內(nèi)側(cè)的直角邊平滑過渡連接;從第一圓弧部分的終止端到第二圓弧部分的起始端,環(huán)氧樹脂電介質(zhì)包覆金屬屏蔽罩外緣的部分外徑逐漸增大。

優(yōu)選的,所述的復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)分別同軸設(shè)置在瓷殼上下端蓋板的外側(cè),靜觸頭側(cè)的復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)通過靜觸頭上的凹槽固定設(shè)置,動(dòng)觸頭側(cè)的復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)固定在動(dòng)觸頭的支座上。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果:

本發(fā)明采用的只在真空滅弧室上下端部外圍設(shè)置實(shí)施復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu),利用金屬屏蔽網(wǎng)和環(huán)氧樹脂電介質(zhì)的組合,實(shí)現(xiàn)絕緣作用,只對(duì)電場(chǎng)集中的兩端進(jìn)行針對(duì)性處理,瓷殼完全暴露出來;不僅能優(yōu)化真空滅弧室外圍電場(chǎng)分布,避免電場(chǎng)集中的現(xiàn)象,增強(qiáng)滅弧室的外絕緣特性,提高開關(guān)設(shè)備長期運(yùn)行的可靠性,還有利于真空滅弧室地散熱;并且較固封式真空滅弧室環(huán)氧樹脂用料少,提高了環(huán)保和經(jīng)濟(jì)性能;另外,使用復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)也能縮短真空滅弧室的設(shè)計(jì)長度,實(shí)現(xiàn)氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備地小型化;適用于氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施所述的真空滅弧室全剖主視示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施所述的復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)半剖主視示意圖。

圖中:金屬屏蔽罩1、環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2、金屬封接面3、蓋板4、瓷殼5、內(nèi)屏蔽筒6、凹槽7、支座8、第一圓弧部分9、第二圓弧部分10、第三圓弧部分11。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明,所述是對(duì)本發(fā)明的解釋而不是限定。

本發(fā)明一種具有復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的真空滅弧室,如圖1所示,其包括真空滅弧室和設(shè)置實(shí)施在所述真空滅弧室上下端部外圍的復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu);所述復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)中的金屬屏蔽罩1前端也就是外緣端必須超出金屬封接面3一定尺寸;本優(yōu)選實(shí)例中至少超過1mm。

其中,復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)包含金屬屏蔽罩1和環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2,由金屬屏蔽罩1和環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2一體化澆注而成;金屬屏蔽罩1的前端包覆一定厚度的環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2;本優(yōu)選實(shí)例中,環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2超出金屬屏蔽罩1前端至少10mm。復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)徑須大于真空滅弧室瓷殼5的外徑;本優(yōu)選實(shí)例中,復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)徑超出瓷殼5外徑至少4mm。金屬屏蔽罩1前端與真空滅弧室內(nèi)屏蔽筒6的距離具有足夠的絕緣距離,其不小于最小絕緣距離;本優(yōu)選實(shí)例中,金屬屏蔽罩1前端與內(nèi)屏蔽筒6前端的距離至少為20mm。

復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)中心開孔尺寸分別與配合的真空滅弧室動(dòng)、靜觸頭直徑一致,最終安裝在觸頭的凹槽7中或固定在支座8上。金屬屏蔽罩1、金屬封接面3和蓋板4為等電位體,環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2將區(qū)域中的高場(chǎng)強(qiáng)集中,優(yōu)化了真空滅弧室外圍的電場(chǎng)分布,提高了真空滅弧室絕緣的可靠性。

如圖2所示,復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)中的環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2具有不規(guī)則外形,包括第一圓弧部分9、第二圓弧部分10和第三圓弧部分11。具體的,環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2包覆金屬屏蔽罩1外緣的部分,內(nèi)側(cè)呈圓角過渡的直角設(shè)置,外側(cè)依次順接第一圓弧部分9、第二圓弧部分10和第三圓弧部分11。第一圓弧部分9的起始端與金屬屏蔽罩1盤狀底部包覆的環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2外側(cè)平滑過渡連接,第一圓弧部分9的終止端和第二圓弧部分10的起始端由向外側(cè)傾斜設(shè)置的公切線平滑過渡連接,第二圓弧部分10的終止端經(jīng)平滑過渡連接的第三圓弧部分11與內(nèi)側(cè)的直角邊平滑過渡連接;從第一圓弧部分9的終止端到第二圓弧部分10的起始端,環(huán)氧樹脂電介質(zhì)2包覆金屬屏蔽罩1外緣的部分外徑逐漸增大。

本發(fā)明一種具有復(fù)合屏蔽結(jié)構(gòu)的真空滅弧室,可適用在絕緣介質(zhì)為氣體、干燥空氣、二氧化碳等一種或多種氣體的金屬封閉開關(guān)柜中,實(shí)現(xiàn)開關(guān)柜的小型化、高可靠性和免維護(hù)。

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