1.一種倒T型埋柵結(jié)構(gòu)的二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于由以下步驟按順序制備而得：
(1)制備倒T型柵極柵帽：在絕緣襯底上以電子束光刻顯影技術(shù)制備出場(chǎng)效應(yīng)晶體管的倒T型柵極的柵帽圖形，采用干法刻蝕技術(shù)在絕緣襯底上刻蝕出柵帽圖形的凹槽，再金屬化，輔以溶膠剝離技術(shù)，將凹槽填滿，作為倒T型柵極的柵帽；
(2)制備倒T型柵極柵腳：在絕緣襯底表面生長(zhǎng)一層介質(zhì)層，再以電子束光刻顯影技術(shù)制備出場(chǎng)效應(yīng)晶體管的倒T型柵極的柵腳圖形，采用干法刻蝕技術(shù)刻蝕介質(zhì)層直至下層金屬，再金屬化，金屬厚度略高于介質(zhì)層厚度，輔以溶膠剝離技術(shù)，制備出倒T型柵極的柵腳；
(3)柵介質(zhì)制備及二維材料轉(zhuǎn)移：在柵腳上生長(zhǎng)一層高k絕緣材料作為柵介質(zhì)，采用金屬轉(zhuǎn)移工藝轉(zhuǎn)移二維材料到襯底表面；
(4)隔離區(qū)工藝：在襯底表面以平面光刻顯影技術(shù)制備出隔離區(qū)圖形，濕法腐蝕去除其他部分金屬，再氧化去除隔離區(qū)外的二維材料；
(5)源漏電極制備：在襯底表面以平面光刻顯影技術(shù)制備出源漏電極圖形，金屬化，輔以溶膠剝離技術(shù)，制備出源漏電極；
(6)自對(duì)準(zhǔn)工藝：在襯底表面以電子束光刻顯影技術(shù)制備出柵腳圖形，與柵腳金屬對(duì)準(zhǔn)，以濕法腐蝕技術(shù)來(lái)將自對(duì)準(zhǔn)法中連接源漏電極的金屬?gòu)臇拍_圖形下斷開，實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)，從而得到倒T型埋柵結(jié)構(gòu)的二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2.一種倒T型埋柵結(jié)構(gòu)的二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于步驟如下：
(1)制備倒T型柵極柵帽：在絕緣襯底上以電子束光刻顯影技術(shù)制備出場(chǎng)效應(yīng)晶體管的倒T型柵極的柵帽圖形，采用干法刻蝕技術(shù)在絕緣襯底上刻蝕出柵帽圖形的凹槽，再金屬化，輔以溶膠剝離技術(shù)，將凹槽填滿，作為倒T型柵極的柵帽；
(2)制備倒T型柵極柵腳：在絕緣襯底表面生長(zhǎng)一層介質(zhì)層，再以電子束光刻顯影技術(shù)制備出場(chǎng)效應(yīng)晶體管的倒T型柵極的柵腳圖形，采用干法刻蝕技術(shù)刻蝕介質(zhì)層直至下層金屬，再金屬化，金屬厚度略高于介質(zhì)層厚度，輔以溶膠剝離技術(shù)，制備出倒T型柵極的柵腳；
(3)柵介質(zhì)制備及二維材料轉(zhuǎn)移：在柵腳上生長(zhǎng)一層高k絕緣材料作為柵介質(zhì)，采用金屬轉(zhuǎn)移工藝轉(zhuǎn)移二維材料到襯底表面；
(4)隔離區(qū)工藝：在襯底表面以平面光刻顯影技術(shù)制備出隔離區(qū)圖形，濕法腐蝕去除其他部分金屬，再氧化去除隔離區(qū)外的二維材料；
(5)源漏電極制備：在襯底表面以平面光刻顯影技術(shù)制備出源漏電極圖形，金屬化，輔以溶膠剝離技術(shù)，制備出源漏電極；
(6)自對(duì)準(zhǔn)工藝：在襯底表面以電子束光刻顯影技術(shù)制備出柵腳圖形，與柵腳金屬對(duì)準(zhǔn)，以濕法腐蝕技術(shù)來(lái)將自對(duì)準(zhǔn)法中連接源漏電極的金屬?gòu)臇拍_圖形下斷開，實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)，從而得到倒T型埋柵結(jié)構(gòu)的二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟(1)中的柵長(zhǎng)為500nm-2um，凹槽深度為200nm-1um。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟(2)中的介質(zhì)層厚度為50nm-200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟(3)中的高k絕緣材料厚度為5nm-20nm。