技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及移動(dòng)通信基站天線技術(shù)領(lǐng)域，特指小型化mimo基站天線。

背景技術(shù)：
：

mimo(multipleinputmultipleoutput多輸入多輸出)技術(shù)是lte系統(tǒng)及5g系統(tǒng)的核心技術(shù)之一，能在不增加帶寬和發(fā)送功率的情況下，成倍提高通信系統(tǒng)的容量和頻譜利用率，結(jié)合ofdm技術(shù)，可以很好地實(shí)現(xiàn)空、時(shí)、頻多維信號(hào)的聯(lián)合處理和調(diào)度，大幅提升系統(tǒng)的靈活性和傳輸效率。因此，相比于3g系統(tǒng)，lte系統(tǒng)的峰值速率和平均吞吐量等都得到大幅度的提升。

目前的雙列雙極化四端口mimo基站天線技術(shù)中，如圖1所示，將兩列雙極化輻射單元2、3并排置于反射板1之上。其中左邊一列輻射單元同極化端口通過饋電網(wǎng)絡(luò)4相連接，右邊一列輻射單元同極化端口通過饋電網(wǎng)絡(luò)5相連接，形成四個(gè)獨(dú)立的天線端口(背面連個(gè)端口未示出)，用來接收或者發(fā)射信號(hào)。這種情況下，為了達(dá)到天線端口間的隔離度，就會(huì)增加左右兩列輻射單元的間距。698‐960mhz雙極化四端口mimo天線，左右兩列的間距通常會(huì)達(dá)到250mm，天線總寬度超過500mm。1710‐2690mhz雙極化四端口基站天線，左右兩列的間距通常會(huì)達(dá)到140mm，天線總寬度達(dá)到280mm。

如果采用傳統(tǒng)的方式，天線整體的寬度就顯得非常突出。尤其是低頻天線，且天線的反射板過寬，很難同時(shí)保證每列天線的水平面波束寬度及隔離度指標(biāo)。且過寬的物理寬度會(huì)造成天線的風(fēng)阻大，成本過高?，F(xiàn)有的mimo天線，通常采用增加列與列之間的間隔來提高天線端口之間的隔離度，這樣帶來的問題是單列天線的波束容易畸變，且天線整體的體積過大，在塔頂風(fēng)阻大，且增加了天線的成本，用戶難以接受。如何減小mimo天線的體積，同時(shí)讓天線的水平面波束寬度和隔離度達(dá)到設(shè)計(jì)要求就成了一項(xiàng)需要攻克的技術(shù)難題。

本發(fā)明人經(jīng)過不斷設(shè)計(jì)，提供以下解決方案，能夠提高天線水平面波束寬度的收斂性，改善mimo天線端口的隔離度，而且能夠有效的減小mimo天線的寬度，比如698‐960mhz兩列輻射單元組成的mimo天線，能夠?qū)⑻炀€的寬度由500mm減小到380mm，減小24％。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題就在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種小型化mimo基站天線，以解決現(xiàn)有技術(shù)中mimo天線體積過大，隔離度和水平面波束寬度難以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的難題。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用了下述技術(shù)方案：該小型化mimo基站天線包括：反射板、呈陣列分布并安裝在反射板上的輻射單元、以及用于連接輻射單元的饋電網(wǎng)絡(luò)，至少有兩列輻射單元陣列組成極化正交的雙極化陣列，并且每列陣列所采用的輻射單元均采用同一種頻率；所述的每列陣列中同一極化方向至少有一個(gè)輻射單元不與同列的其他輻射單元通過饋電網(wǎng)絡(luò)相連，且該與同列輻射單元不相連的輻射單元與其相鄰左邊或者右邊另一列輻射單元陣列中對(duì)應(yīng)輻射單元也不與同列的輻射單元相連；所述與同列不相連的且平行的兩個(gè)輻射單元，相互交叉與對(duì)應(yīng)的另一列輻射單元陣列中同極化輻射單元相連。

進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述的反射板上至少設(shè)置有兩列輻射單元陣列，其中該兩列輻射單元陣列中具有所述的相互交叉并另一列輻射單元陣列中同極化輻射單元相連的輻射單元；或者反射板上設(shè)置三列或三列以上的輻射單元陣列時(shí)，也至少由兩列輻射單元陣列具有所述的相互交叉并另一列輻射單元陣列中同極化輻射單元相連的輻射單元

進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述的每列輻射單元陣列中輻射單元為極化正交的雙極化輻射單元，每個(gè)輻射單元具有兩個(gè)端口，其端口極化方向?yàn)?45°和‐45°。

進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，每個(gè)輻射單元具有兩個(gè)端口，為雙極化輻射單元，并且所有輻射單元僅同極化端口通饋電網(wǎng)絡(luò)連接，形成兩個(gè)天線端口。

進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述饋電網(wǎng)絡(luò)中包含至少一個(gè)移相器。

本發(fā)明采用上述技術(shù)方案后，解決了現(xiàn)有技術(shù)中mimo天線體積過大，隔離度和水平面波束寬度難以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的難題，并且本發(fā)明所提供mimo基站天線，能夠達(dá)到水平面波束寬度的標(biāo)準(zhǔn)，通過改變輻射單元的連接方式，減小列與列之間的間隙，且極大壓縮天線的物理寬度，實(shí)現(xiàn)mimo天線的小型化。

附圖說明：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中兩列雙極化mimo基站天線示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一采用的兩列雙極化mimo基站天線示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二采用的三列雙極化mimo基站天線示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例三采用的三列雙極化mimo基站天線示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例四采用的四列雙極化mimo基站天線示意圖。

具體實(shí)施方式：

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。

見圖2所示，這是本發(fā)明的實(shí)施例一。

本實(shí)施例中小型化mimo基站天線包括：反射板1，安裝在反射板1上的輻射單元、以及用于連接輻射單元的饋電網(wǎng)絡(luò)。

其中所述的輻射單元中，按照陣列分布成第一輻射陣列2和第二陣列3兩列輻射單元陣列，其中饋電網(wǎng)絡(luò)也對(duì)應(yīng)每列陣列形成兩組饋電網(wǎng)絡(luò)4、5。

第一輻射整列2和第二輻射戰(zhàn)列3組成極化正交的雙極化陣列，每一個(gè)陣列所采用的輻射單元均采用同一種頻率。且所有的輻射單元均有兩個(gè)極化方向，這兩個(gè)極化方向分別為+45°和‐45°方向。

另外，每一個(gè)陣列中同一極化方向至少有一個(gè)輻射單元不與同列的其他輻射單元相連。所述與同列輻射單元不相連的輻射單元，與其并排的左邊或者右邊的輻射單元也不與同列的輻射單元相連。與同列不相連的且平行的兩個(gè)輻射單元，相互交叉與對(duì)應(yīng)的其他同極化輻射單元相連。參照?qǐng)D2所示，第一輻射整列2中的輻射單元21在同一極化方向上沒有與該第一輻射陣列2中的其他輻射單元通過饋電網(wǎng)絡(luò)4連接；同樣的與輻射單元21平行的第二輻射陣列3中的輻射單元31也沒有與該第二輻射陣列3中的其他輻射單元通過饋電網(wǎng)絡(luò)5連接。其中輻射單元21與第二輻射陣列3中對(duì)應(yīng)的同極化輻射單元通過饋電網(wǎng)絡(luò)5連接，而輻射單元31與第一輻射陣列2中對(duì)應(yīng)的同極化輻射單元通過饋電網(wǎng)絡(luò)4連接。

上面所述雙列mimo天線的輻射單元通過饋電網(wǎng)絡(luò)相連，所述饋電網(wǎng)絡(luò)中包含至少一個(gè)移相器。

每列輻射陣列具有兩個(gè)天線端口，每個(gè)輻射陣列中對(duì)應(yīng)的同極化連接的饋電網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成一個(gè)天線端口。圖2中只顯示了一個(gè)極化方向上與饋電網(wǎng)絡(luò)相連，另一個(gè)極化方向上類似，圖2中未予顯示。

見圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例二。

本實(shí)施例二包括三列輻射單元陣列，分別為：第一輻射陣列2、第二輻射陣列3和第三輻射陣列6。其中位于左側(cè)的第一、第二輻射陣列2、3兩列的組陣方式與實(shí)施例一的構(gòu)成一致，形成四個(gè)天線端口。第三輻射陣列6中輻射單元同極化端口通過饋電網(wǎng)絡(luò)7相連，形成兩個(gè)天線端口，該三列雙極化mimo天線共六個(gè)天線端口。

見圖4所示，這是本發(fā)明的實(shí)施例三。

本實(shí)施例三與實(shí)施例二結(jié)構(gòu)類似，所不同的是其將第一、第二輻射陣列2、3設(shè)置在右側(cè)兩列，這里不再一一贅述。本實(shí)施例三構(gòu)成的三列雙極化mimo天線同樣有六個(gè)天線端口。

見圖5所示，這是本發(fā)明的實(shí)施例四。

本實(shí)施例四中，該mimo天線包含四列輻射單元。其中左邊兩列輻射陣列的組陣方式與實(shí)施例一采用的方案一致，右邊兩側(cè)的輻射陣列的組陣方式也與實(shí)施例一方案一致。本實(shí)施例四構(gòu)成的四列雙極化mimo天線共八個(gè)天線端口。

當(dāng)然，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并非來限制本發(fā)明實(shí)施范圍，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所述構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。