本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件的一種鈍化結(jié)構(gòu)及其制備方法，適用于鋁金屬引線的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體器件競(jìng)爭(zhēng)如此激烈的今天，制造工藝每減少一步就是制造成本降低一步，就能占據(jù)成本優(yōu)勢(shì)，搶占產(chǎn)品市場(chǎng)，半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)工程師們也是想盡辦法減小器件的尺寸，減少制造工藝步驟，節(jié)省制造成本。此發(fā)明針對(duì)鋁金屬引線的半導(dǎo)體器件，巧妙的利用光刻、注入技術(shù)對(duì)鋁金屬層做局部氧化，只用一步光刻就完成常規(guī)工藝需要兩步光刻才能完成的鋁金屬布線及鈍化，大幅度降低半導(dǎo)體器件生產(chǎn)成本，提高成品率，且氧化鋁材料致密，化學(xué)穩(wěn)定性極好，提高了器件可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種氧化鋁鈍化結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)包括：引線孔區(qū)域，單晶硅（101）上面是鋁金屬（301）；非引線孔區(qū)域，單晶硅（101）上面是SiO₂氧化層（102），SiO₂氧化層（102）上面是氧化鋁（501）。

一種氧化鋁鈍化結(jié)構(gòu)的制備方法，其方法包括：

A、引線孔前氧化，SiO₂氧化層（102）用做鋁金屬和單晶硅之間的阻隔層；

B、引線孔光刻、刻蝕及去膠，將需要做鋁金屬（301）和單晶硅（101）連接的區(qū)域打開(kāi)；

C、鋁金屬淀積，淀積一層鋁金屬（301）；

D、鋁金屬光刻、氧原子注入及去膠，將鋁金屬布線外的區(qū)域注入氧原子，形成經(jīng)過(guò)氧原子注入的鋁金屬；

E、退火，氧原子和鋁原子經(jīng)過(guò)高溫退火，化學(xué)反應(yīng)生成絕緣且性能穩(wěn)定的氧化鋁（501）。

附圖說(shuō)明

圖1是引線孔前氧化之后的截面圖；

圖2是引線孔光刻、刻蝕及去膠之后的截面圖；

圖3是鋁金屬淀積之后的截面圖；

圖4是鋁金屬光刻、氧原子注入及去膠之后的截面圖；

圖5是氧原子鋁原子退火之后的截面圖。

編號(hào)說(shuō)明：

101：?jiǎn)尉Ч?，引線孔的區(qū)域，表面通常是經(jīng)過(guò)重?fù)诫s的，為了單晶硅和鋁金屬能夠形成良好的歐姆接觸；

102：SiO₂氧化層，常規(guī)工藝用SiO₂層做阻擋層，但不限于SiO₂層；

201：引線孔，鋁金屬與單晶硅的接觸孔；

301：鋁金屬，用于半導(dǎo)體器件的布線，及將來(lái)的打線封裝；

401：經(jīng)過(guò)氧原子注入的鋁金屬，將鋁金屬布線以外的區(qū)域注入氧原子；

501：氧化鋁，氧原子鋁原子經(jīng)過(guò)退火后，化學(xué)反應(yīng)生成絕緣的氧化鋁。

具體實(shí)施方式

1．引線孔前氧化，氧化層用做鋁金屬和單晶硅之間的阻隔層，可以通過(guò)熱氧化的方法，也可以通過(guò)化學(xué)淀積的方法。

2．引線孔光刻、刻蝕及去膠，將需要做鋁金屬和單晶硅連接的區(qū)域打開(kāi)，其他部分保留。

3．鋁金屬淀積，淀積一層鋁金屬，此發(fā)明適用于鋁金屬作為引線的半導(dǎo)體器件。

4．鋁金屬光刻、氧原子注入及去膠，將鋁金屬布線以外的區(qū)域注入氧原子，氧原子的注入劑量：鋁原子的數(shù)量=3：2，能量可以分多個(gè)檔次，盡量讓注入的氧原子均勻分布在鋁金屬層中，具體根據(jù)鋁金屬厚度計(jì)算。

5．退火，3：2的氧原子和鋁原子經(jīng)過(guò)高溫退火，化學(xué)反應(yīng)生成絕緣的氧化鋁，完成鋁金屬布線，同時(shí)化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定的氧化鋁還可以用做器件的鈍化層，提高器件可靠性。

通過(guò)上述實(shí)施例闡述了本發(fā)明，同時(shí)也可以采用其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。

本發(fā)明不局限于上述具體實(shí)施例，因此本發(fā)明由所附權(quán)利要求范圍限定。