本發(fā)明屬于半導體器件制造技術領域，涉及天線技術領域，尤其涉及一種用于可重構多層全息天線的Si基SPiN二極管制備方法。

背景技術：

各類無線電通訊設備，如雷達、廣播、電視等，都要通過天線來傳遞信號，要求天線具有較高的性能指標。

全息天線是一類特殊的天線形式，其設計思想獨特，某些指標優(yōu)于其他形式的天線，其設計理論和工程應用具有較高的研究和實用價值。具體地，全息天線是利用全息結構改變饋源輻射特性，以獲得所需輻射的一種口徑天線。全息天線的饋源不需要復雜的饋電網(wǎng)絡，避免了微帶天線陣列饋電網(wǎng)絡的高損耗。而且，全息天線可以通過印刷電路板技術加工，饋源和全息板又放置在同一平面上，實現(xiàn)了低剖面，這是相對于反射面天線的一大優(yōu)點。全息天線在實現(xiàn)高增益的同時，還具有低交叉極化的優(yōu)良特性。

等離子體天線是一種將等離子體作為電磁輻射導向媒質(zhì)的射頻天線。等離子體天線的可利用改變等離子體密度來改變天線的瞬時帶寬、且具有大的動態(tài)范圍；還可以通過改變等離子體諧振、阻抗以及密度等，調(diào)整天線的頻率、波束寬度、功率、增益和方向性動態(tài)參數(shù)；另外，等離子體天線在沒有激發(fā)的狀態(tài)下，雷達散射截面可以忽略不計，而天線僅在通信發(fā)送或接收的短時間內(nèi)激發(fā)，提高了天線的隱蔽性，這些性質(zhì)可廣泛的應用于各種偵察、預警和對抗雷達，星載、機載和導彈天線，微波成像天線，高信噪比的微波通信天線等領域，極大地引起了國內(nèi)外研究人員的關注，成為了天線研究領域的熱點。

因此，如何制作一種SPiN二極管來應用于固態(tài)等離子天線就變得尤為重要。

技術實現(xiàn)要素：

因此，為解決現(xiàn)有技術存在的技術缺陷和不足，本發(fā)明提出一種用于可重構多層全息天線的Si基SPiN二極管制備方法。

本發(fā)明的實施例提供了一種用于可重構多層全息天線的Si基SPiN二極管制備方法，其中，所述可重構多層全息天線(1)包括：半導體基片(11)、天線模塊(13)、第一全息圓環(huán)(15)及第二全息圓環(huán)(17)；所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均采用半導體工藝制作于所述半導體基片(11)上；所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均包括依次串接的Si基SPiN二極管串；所述Si基SPiN二極管串包括多個串行連接的SPiN二極管；所述Si基SPiN二極管串包括多個串行連接的SPiN二極管，且所述SPiN二極管制備方法包括步驟如下：

(a)選取SOI襯底；

(b)刻蝕所述SOI襯底形成隔離槽，填充所述隔離槽形成隔離區(qū)，所述隔離槽的深度大于等于所述SOI襯底的頂層硅的厚度；

(c)刻蝕所述SOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(d)在所述P型溝槽和N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；

(e)在所述SOI襯底上形成引線，完成所述SPiN二極管的制備。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述天線模塊13包括第一SPiN二極管天線臂1301、第二SPiN二極管天線臂1302、同軸饋線1303、第一直流偏置線1304、第二直流偏置線1305、第三直流偏置線1306、第四直流偏置線1307、第五直流偏置線1308、第六直流偏置線1309、第七直流偏置線1310、第八直流偏置線1311；

其中，所述同軸饋線1303的內(nèi)芯線和外導體分別焊接于所述第一直流偏置線1304和所述第二直流偏置線1305；

所述第一直流偏置線1304、所述第五直流偏置線1308、所述第三直流偏置線1306及所述第四直流偏置線1307沿所述第一SPiN二極管天線臂1301的長度方向分別電連接至所述第一SPiN二極管天線臂1301；

所述第二直流偏置線1305、所述第六直流偏置線1309、所述第七直流偏置線1310及所述第八直流偏置線1311沿所述第二SPiN二極管天線臂1302的長度方向分別電連接至所述第二SPiN二極管天線臂1302。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述SPiN二極管包括P+區(qū)(27)、N+區(qū)(26)和本征區(qū)(22)，且還包括第一金屬接觸區(qū)(23)和第二金屬接觸區(qū)(24)；其中，所述第一金屬接觸區(qū)(23)一端電連接所述P+區(qū)(27)且另一端電連接至直流偏置線(1304、1305、1306、1307、1308、1309、1310、1311、15011、17011)或者相鄰的所述SPiN二極管的所述第二金屬接觸區(qū)(24)，所述第二金屬接觸區(qū)(24)一端電連接所述N+區(qū)(26)且另一端電連接至所述直流偏置線(1304、1305、1306、1307、1308、1309、1310、1311、15011、17011)或者相鄰的所述SPiN二極管的所述第一金屬接觸區(qū)(23)。

在上述實施例的基礎上，刻蝕所述SOI襯底形成隔離槽，包括：

(b1)在所述SOI襯底表面形成第一保護層；

(b2)利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(b3)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述SOI襯底以形成所述隔離槽。

在上述實施例的基礎上，所述第一保護層包括第一二氧化硅層和第一氮化硅層；相應地，步驟(b1)包括：

(b11)在所述SOI襯底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅層；

(b12)在所述第一二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第一氮化硅層。

在上述實施例的基礎上，步驟(c)包括：

(c1)在所述SOI襯底表面形成第二保護層；

(c2)利用光刻工藝在所述第二保護層上形成第二隔離區(qū)圖形；

(c3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述SOI襯底以形成所述P型溝槽和N型溝槽。

在上述實施例的基礎上，所述第二保護層包括第二二氧化硅層和第二氮化硅層；相應地，步驟(c1)包括：

(c11)在所述SOI襯底表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅層；

(c12)在所述第二二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第二氮化硅層。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述P型溝槽和N型溝槽的底部距所述SOI襯底的頂層硅底部的距離為0.5微米～30微米。

在上述實施例的基礎上，步驟(d)包括：

(d1)平整化所述P型溝槽和N型溝槽；

(d2)對所述P型溝槽和N型溝槽進行離子注入以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)，所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述N型溝槽側壁和底部深度小于1微米的區(qū)域，所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述P型溝槽側壁和底部深度小于1微米的區(qū)域；

(d3)填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P型接觸和N型接觸；

(d4)對所述P型接觸和N型接觸所在區(qū)域進行離子注入以在所述SOI襯底的頂層硅內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)。

在上述實施例的基礎上，步驟(e)包括：

(e1)在所述SOI襯底上生成二氧化硅；

(e2)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì)；

(e3)在P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)光刻引線孔以形成引線；

(e4)鈍化處理并光刻PAD以形成所述SPiN二極管。

由上可知，本發(fā)明實施例通過對SI基SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的SOI深槽刻蝕的多晶硅鑲嵌工藝，該工藝能夠提供突變結pi與ni結，并且能夠有效地提高pi結、ni結的結深，使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強。并且，本發(fā)明制備的用于可重構多層全息天線的SPiN二極管采用了一種基于刻蝕的SOI深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對器件性能的影響。另外，常規(guī)制作SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)的制備工藝中，均采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對設備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴散工藝，雖結深較深，但同時P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響SPiN二極管的電學性能，導致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

通過以下參考附圖的詳細說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應當知道，該附圖僅僅為解釋的目的設計，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因為其應當參考附加的權利要求。還應當知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結構和流程

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果為：

第一、采用同軸電纜作為饋源，無復雜饋源結構；

第二、采用SPiN二極管作為天線的基本組成單元，只需通過控制其導通或斷開，即可實現(xiàn)頻率的可重構；

第三、通過對Si基SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的SOI深槽刻蝕的多晶硅鑲嵌工藝，該工藝能夠提供突變結pi與ni結，并且能夠有效地提高pi結、ni結的結深，使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強。

第四、本發(fā)明制備的用于可重構多層全息天線的的Si基SPiN二極管采用了一種基于刻蝕的SOI深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對器件性能的影響

第五、采用SPiN二極管作為全息結構的基本組成單元，可以靈活地定義全息結構圖形，并提高了全息天線的增益和隱蔽性；

附圖說明

為了清楚說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹。下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種可重構多層全息天線的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種天線模塊的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種SPiN二極管的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例的一種SPiN二極管的制作方法流程圖；

圖5a-圖5s為本發(fā)明實施例的一種SPiN二極管的制備方法示意圖。

具體實施方式

為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方案對本發(fā)明一種可重構多層全息天線作進一步詳細描述。實例僅代表可能的變化。除非明確要求，否則單獨的部件和功能是可選的，并且操作的順序可以變化。一些實施方案的部分和特征可以被包括在或替換其他實施方案的額部分和特征。本發(fā)明的實施方案的范圍包括權利要求書的整個范圍，以及權利要求書的所有可獲得的等同物。

下面結合附圖對本發(fā)明做進一步詳細說明。

實施例一

請參見圖1，圖1為本發(fā)明實施例提供的一種可重構多層全息天線的結構示意圖，該天線包括：半導體基片11天線模塊13、第一全息圓環(huán)15及第二全息圓環(huán)17；所述天線模塊13、所述第一全息圓環(huán)15及所述第二全息圓環(huán)17均采用半導體工藝制作于所述半導體基片11上；

所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均包括依次串接的Si基SPiN二極管串；

其中，請參見圖4，圖4為本發(fā)明實施例的一種SPiN二極管的制作方法流程圖。所述SPiN二極管制備方法包括步驟如下：

(a)選取SOI襯底；

其中，采用SOI襯底的原因在于，對于多層全息天線由于其需要良好的微波特性，而SPiN二極管為了滿足這個需求，需要具備良好的隔離特性和載流子即固態(tài)等離子體的限定能力，而SOI襯底由于其具有能夠與隔離槽方便的形成SPiN隔離區(qū)域、二氧化硅(SiO2)也能夠?qū)⑤d流子即固態(tài)等離子體限定在頂層硅中，所以優(yōu)選采用SOI作為SPiN二極管的襯底。

(b)刻蝕所述SOI襯底形成隔離槽，填充所述隔離槽形成隔離區(qū)，所述隔離槽的深度大于等于所述SOI襯底的頂層硅的厚度；

(c)刻蝕所述SOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(d)在所述P型溝槽和N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；

(e)在所述SOI襯底上形成引線，完成所述SPiN二極管的制備。

請參見圖2，圖2為本發(fā)明實施例提供的一種天線模塊的結構示意圖。所述天線模塊13包括第一SPiN二極管天線臂1301、第二SPiN二極管天線臂1302、同軸饋線1303、第一直流偏置線1304、第二直流偏置線1305、第三直流偏置線1306、第四直流偏置線1307、第五直流偏置線1308、第六直流偏置線1309、第七直流偏置線1310、第八直流偏置線1311；

其中，所述同軸饋線1303的內(nèi)芯線和外導體分別焊接于所述第一直流偏置線1304和所述第二直流偏置線1305；

所述第一直流偏置線1304、所述第五直流偏置線1308、所述第三直流偏置線1306及所述第四直流偏置線1307沿所述第一SPiN二極管天線臂1301的長度方向分別電連接至所述第一SPiN二極管天線臂1301；

所述第二直流偏置線1305、所述第六直流偏置線1309、所述第七直流偏置線1310及所述第八直流偏置線1311沿所述第二SPiN二極管天線臂1302的長度方向分別電連接至所述第二SPiN二極管天線臂1302。

需要說明的是，上述僅以3段式的結構為例進行說明，但不以此為限，可以根據(jù)實際需求進行N段式的設計。

請參見圖3，圖3為本發(fā)明實施例提供的一種SPiN二極管的結構示意圖。所述SPiN二極管包括P+區(qū)(27)、N+區(qū)(26)和本征區(qū)(22)，且還包括第一金屬接觸區(qū)(23)和第二金屬接觸區(qū)(24)；其中，所述第一金屬接觸區(qū)(23)一端電連接所述P+區(qū)(27)且另一端電連接至直流偏置線(1304、1305、1306、1307、1308、1309、1310、1311、15011、17011)或者相鄰的所述SPiN二極管的所述第二金屬接觸區(qū)(24)，所述第二金屬接觸區(qū)(24)一端電連接所述N+區(qū)(26)且另一端電連接至所述直流偏置線(1304、1305、1306、1307、1308、1309、1310、1311、15011、17011)或者相鄰的所述SPiN二極管的所述第一金屬接觸區(qū)(23)。

其中，刻蝕所述SOI襯底形成隔離槽，包括：

(b1)在所述SOI襯底表面形成第一保護層；

(b2)利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(b3)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述SOI襯底以形成所述隔離槽。

其中，所述第一保護層包括第一二氧化硅層和第一氮化硅層；相應地，步驟(b1)包括：

(b11)在所述SOI襯底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅層；

(b12)在所述第一二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第一氮化硅層。

其中，步驟(c)包括：

(c1)在所述SOI襯底表面形成第二保護層；

(c2)利用光刻工藝在所述第二保護層上形成第二隔離區(qū)圖形；

(c3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述SOI襯底以形成所述P型溝槽和N型溝槽。

其中，所述第二保護層包括第二二氧化硅層和第二氮化硅層；相應地，步驟(c1)包括：

(c11)在所述SOI襯底表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅層；

(c12)在所述第二二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第二氮化硅層。

其中，所述P型溝槽和N型溝槽的底部距所述SOI襯底的頂層硅底部的距離為0.5微米～30微米。

其中，步驟(d)包括：

(d1)平整化所述P型溝槽和N型溝槽；

(d2)對所述P型溝槽和N型溝槽進行離子注入以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)，所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述N型溝槽側壁和底部深度小于1微米的區(qū)域，所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述P型溝槽側壁和底部深度小于1微米的區(qū)域；

其中，形成第一有源區(qū)的目的在于：在溝槽的側壁形成一層均勻的重摻雜區(qū)域，該區(qū)域即為Pi和Ni結中的重摻雜區(qū)，而第一有源區(qū)的形成具有如下幾個好處，以槽中填入多晶硅作為電極為例說明，第一、避免了多晶硅與Si之間的異質(zhì)結與Pi和Ni結重合，導致的性能的不確定性；第二、可以利用多晶硅中雜質(zhì)的擴散速度比Si中快的特性，進一步向P和N區(qū)擴散，進一步提高P和N區(qū)的摻雜濃度；第三、這樣做防止了在多晶硅工藝過程中，多晶硅生長的不均性造成的多晶硅與槽壁之間形成空洞，該空洞會造成多晶硅與側壁的接觸不好，影響器件性能。

(d3)填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P型接觸和N型接觸；

(d4)對所述P型接觸和N型接觸所在區(qū)域進行離子注入以在所述SOI襯底的頂層硅內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)。

其中，步驟(e)包括：

(e1)在所述SOI襯底上生成二氧化硅；

(e2)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì)；

(e3)在P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)光刻引線孔以形成引線；

(e4)鈍化處理并光刻PAD以形成所述SPiN二極管。

本實施例制備的用于可重構多層全息天線的Si基SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的SOI深槽刻蝕的多晶硅鑲嵌工藝，該工藝能夠提供突變結pi與ni結，并且能夠有效地提高pi結、ni結的結深，使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強。另外，本發(fā)明制備的用于可重構多層全息天線的Si基SPiN二極管采用了一種用于刻蝕的SOI深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對器件性能的影響。

另外，常規(guī)制作SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)的制備工藝中，均采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對設備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴散工藝，雖結深較深，但同時P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響SPiN二極管的電學性能，導致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

實施例二

請參見圖5a-圖5s，圖5a-圖5s為本發(fā)明實施例的另一種SPiN二極管的制備方法示意圖；在上述實施例一的基礎上，以制備固態(tài)等離子區(qū)域長度為100微米的SI基SPiN二極管為例進行詳細說明，具體步驟如下：

S10、選取SOI襯底。

請參見圖5a，該SOI襯底101的晶向可以是(100)或者(110)或者(111)，此處不做任何限制，另外，該SOI襯底101的摻雜類型可以為n型，也可以是為p型，摻雜濃度例如為10¹⁴～10¹⁵cm^-3的，即電阻率為40～1000Ω·cm，頂層Si的厚度例如為0.5～80μm。

S20、在該SOI襯底上形成第一保護層。

請參見圖5b，可以利用化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)的方法，在SOI襯底101上連續(xù)生長兩層材料，第一層可以是厚度在300～500nm的二氧化硅(SiO₂)層201，第二層可以是厚度在1～3μm的氮化硅(SiN)層202。

S30、光刻隔離區(qū)。

請參見圖5c，通過光刻工藝在上述保護層上形成隔離區(qū)。采用濕法刻蝕工藝刻蝕該氮化硅(SiN)層，形成隔離區(qū)圖形，再采用干法刻蝕，形成例如寬為2～10μm，深1～81μm的隔離區(qū)301；本步驟中，優(yōu)選隔離區(qū)為深槽隔離，這樣做的好處在于，槽的深度大于等于頂層硅，保證了后續(xù)槽中二氧化硅(SiO₂)與襯底二氧化硅(SiO₂)的連接，形成完整的絕緣隔離。

S40、襯底氧化。

請參見圖5d，光刻隔離區(qū)之后，利用CVD方法淀積二氧化硅(SiO₂)材料401將深槽填滿?？梢岳斫獾氖?，該二氧化硅(SiO₂)材料401主要用于進行隔離，其可以由多晶硅等其他材料替代，此處不做任何限制。

S50、平整表面。

請參見圖5e，利用化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP)，去除表面二氧化硅(SiO₂)層和氮化硅(SiN)層，使表面平整。

S60、在該SOI襯底上形成第二保護層。

請參見圖5f，具體做法可以是：利用CVD的方法，在襯底上連續(xù)長兩層材料，第一層為厚度在300～500nm的二氧化硅(SiO₂)層601，第二層為厚度在400～600nm的氮化硅(SiN)層602。這樣做的好處在于，利用二氧化硅(SiO₂)的疏松特性，將氮化硅(SiN)的應力隔離，使其不能傳導進頂層Si，保證了頂層Si性能的穩(wěn)定；基于氮化硅(SiN)與Si在干法刻蝕時的高選擇比，利用氮化硅(SiN)作為干法刻蝕的掩蔽膜，易于工藝實現(xiàn)。

S70、光刻P、N區(qū)溝槽。

請參見圖5g，具體做法可以是：光刻P、N區(qū)深槽，濕法刻蝕P、N區(qū)氮化硅(SiN)層，形成P、N區(qū)圖形，干法刻蝕，形成寬2～8μm，深0.4～10μm的深槽701?？涛g深槽的目的在于：形成雜質(zhì)分布均勻、且高摻雜濃度的P、N區(qū)和和陡峭的Pi與Ni結，以利于提高i區(qū)等離子體濃度。

S80、溝槽平整化處理。

請參見圖5h和圖5i，具體做法可以是：襯底氧化，使深槽內(nèi)壁形成10～50nm厚度的氧化層801，濕法刻蝕深槽內(nèi)氧化層801，使槽內(nèi)壁光滑。溝槽內(nèi)壁光滑的目的在于：防止側壁的突起形成電場集中區(qū)域，造成Pi和Ni結擊穿。

S90、形成第一有源區(qū)。

請參見圖5j，具體做法可以是：光刻P區(qū)深槽，采用帶膠離子注入的方法對P區(qū)槽側壁進行p⁺注入，使側壁上形成薄的p⁺有源區(qū)1001，濃度達到0.5～5×10²⁰cm^-3，除掉光刻膠；光刻N區(qū)深槽，采用帶膠離子注入的方法對N區(qū)槽側壁進行n⁺注入，使側壁上形成薄的n⁺有源區(qū)1002，濃度達到0.5～5×10²⁰cm^-3，除掉光刻膠。

S100、填充多晶硅。

請參見圖5k，可以利用CVD的方法，在P、N區(qū)槽中淀積多晶硅1101，并將溝槽填滿。采用多晶硅填充溝槽的目的在于：作為接觸電極。當然，也可以采用金屬、重摻雜多晶硅鍺、重摻雜硅等材料來替換。

S110、平整表面。

請參見圖5l，可以采用CMP方法去除表面多晶硅與氮化硅(SiN)層，使表面平整。

S120、生長多晶硅層。

請參見圖5m，可以利用CVD的方法，在表面淀積一多晶硅層1301，厚度為200～500nm；

S130、形成第二有源區(qū)。

請參見圖5n，可以通過光刻P區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進行p+注入，使P區(qū)有源區(qū)摻雜濃度達到0.5～5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成P接觸1401；光刻N區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入進行n⁺注入，使N區(qū)有源區(qū)摻雜濃度為0.5～5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，并形成N接觸1402。

S140、形成P/N接觸區(qū)。

請參見圖5o，可以采用濕法刻蝕，刻蝕掉P、N接觸區(qū)以外的多晶硅，形成P、N接觸區(qū)。

S150、在表面形成二氧化硅(SiO₂)。

請參見圖5p，可以利用CVD的方法，在表面淀積二氧化硅(SiO₂)層1601，厚度為500～1000nm。

S160、雜質(zhì)激活。

在950-1150℃，退火0.5～2分鐘，使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進多晶硅中雜質(zhì)。

S170、在P、N接觸區(qū)光刻引線孔。

具體，請參照圖5q，在二氧化硅(SiO₂)層上光刻引線孔1701。

S180、形成引線。

請參照圖5r，可以在襯底表面濺射金屬，合金化形成金屬硅化物，并刻蝕掉表面的金屬；再在襯底表面濺射金屬1801，光刻引線；

S190、鈍化處理，光刻PAD。

請參照圖5s，可以通過淀積氮化硅(SiN)形成鈍化層1901，光刻PAD。最終形成SPiN二極管，作為制備可重構多層全息天線的材料。

綜上所述，本文中應用了具體個例對本發(fā)明SPiN二極管及其制備方法的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護范圍應以所附的權利要求為準。

以上內(nèi)容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。