本發(fā)明涉及具有天線的終端設(shè)備外殼加工的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種用于制造具有縫隙天線殼體的方法及其基材。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中的移動(dòng)終端設(shè)備很多采用金屬外殼，通過(guò)在金屬外殼上設(shè)置縫隙，將天線設(shè)置在縫隙內(nèi)。請(qǐng)參閱圖1，圖1是一種常見(jiàn)的設(shè)有縫隙天線外殼的示意圖。圖中標(biāo)注1為縫隙天線。

在對(duì)外殼縫隙進(jìn)行注塑連接時(shí)，由于縫隙將外殼斷開(kāi)，請(qǐng)參閱圖2，圖2是縫隙天線外殼斷開(kāi)位置的剖視圖；圖中標(biāo)注31\32\33\34分別為被斷開(kāi)的殼體的四個(gè)部分，標(biāo)注30表示為天線縫隙。因此需要對(duì)被割斷開(kāi)的外殼進(jìn)行固定，否則注塑時(shí)會(huì)出現(xiàn)縫隙天線變形，或者尺寸不良的問(wèn)題。

請(qǐng)一并參閱圖3和圖4，圖3是現(xiàn)有技術(shù)中一種對(duì)斷開(kāi)的外殼進(jìn)行固定的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是圖3中的局部放大視圖。其中，圖示中是以三條縫隙的天線結(jié)構(gòu)為例，該種固定方法為在外殼內(nèi)部設(shè)置多條連接塊2(連接條)，利用連接塊將斷開(kāi)的外殼(圖中標(biāo)注31\32\33\34的四個(gè)部分)連接在一起(即搭橋的方式)，然而這種方法仍然存在連接強(qiáng)度不夠，在加工時(shí)容易造成微縫天線變形的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于制造具有縫隙天線殼體的方法及其基材，以解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)縫隙天線的固定方式存在的連接強(qiáng)度不夠，在加工時(shí)容易造成縫隙天線變形的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例一方面提供了一種用于制造具有縫隙天線的殼體的方法，所述方法包括：

提供一基材，其中所述基材包括一體成型的殼體區(qū)和位于所述殼體區(qū)的外圍的連料區(qū)；

在所述殼體區(qū)上切割出用于定義所述縫隙天線的縫隙，以使得所述殼體區(qū)被所述縫隙割斷成由所述連料區(qū)保持的至少兩個(gè)殼體段；

在所述縫隙內(nèi)填充絕緣材料，以使得所述絕緣材料連接由所述縫隙所分割成的所述至少兩個(gè)殼體段并使得所述至少兩個(gè)殼體段彼此絕緣；

從所述基材去除所述連料區(qū)且保留所述殼體區(qū)，進(jìn)而形成所述殼體。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述連料區(qū)設(shè)置于所述殼體區(qū)的主側(cè)壁的外側(cè)；

所述在所述殼體區(qū)上切割出用于定義所述縫隙天線的縫隙的步驟包括：

將所述縫隙的深度設(shè)置成割斷所述主側(cè)壁但不割斷所述連料區(qū)，進(jìn)而由所述連料區(qū)對(duì)被所述縫隙割斷的所述主側(cè)壁進(jìn)行位置保持。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述連料區(qū)沿所述縫隙的長(zhǎng)度方向上的尺寸設(shè)置成等于或大于所述主側(cè)壁沿所述縫隙的長(zhǎng)度方向上的尺寸。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述連料區(qū)設(shè)置于所述殼體區(qū)的外周壁的外側(cè)；

所述在所述殼體區(qū)上切割出用于定義所述縫隙天線的縫隙的步驟包括：

將所述縫隙的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷所述外周壁但不割斷所述連料區(qū)，進(jìn)而由所述連料區(qū)對(duì)被所述縫隙割斷的所述外周壁進(jìn)行位置保持。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述殼體區(qū)的主側(cè)壁與外周壁圍設(shè)成與所述基材的一側(cè)連通的凹陷部，所述連料區(qū)位于所述殼體區(qū)遠(yuǎn)離所述凹陷部的外側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述在所述殼體區(qū)上切割出用于定義所述縫隙天線的縫隙的步驟包括：

從所述凹陷部所在一側(cè)向相對(duì)的另一側(cè)切割所述基材，進(jìn)而形成與所述凹陷部重疊的所述縫隙。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述在所述縫隙內(nèi)填充絕緣材料的步驟包括：

利用所述絕緣材料在所述凹陷部?jī)?nèi)形成用于連接所述縫隙內(nèi)的所述絕緣材料的連接部。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述連接部設(shè)置成整體覆蓋所述縫隙。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明另一方面還提供一種用于制造帶縫隙天線的殼體的基材，所述基材包括一體成型的殼體區(qū)和位于所述殼體區(qū)的外圍的連料區(qū)，所述連料區(qū)用于在所述縫隙天線的加工過(guò)程中對(duì)所述殼體區(qū)進(jìn)行位置保持。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述基材進(jìn)一步設(shè)置有至少一縫隙，所述殼體區(qū)被所述縫隙割斷成由所述連料區(qū)保持的至少兩個(gè)殼體段。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述連料區(qū)設(shè)置于所述殼體區(qū)的主側(cè)壁的外側(cè)，所述述縫隙的深度設(shè)置成割斷所述主側(cè)壁但不割斷所述連料區(qū)，進(jìn)而由所述連料區(qū)對(duì)被所述縫隙割斷的所述主側(cè)壁進(jìn)行位置保持。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述連料區(qū)設(shè)置于所述殼體區(qū)的外周壁的外側(cè)，所述縫隙的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷所述外周壁但不割斷所述連料區(qū)，進(jìn)而由所述連料區(qū)對(duì)被所述縫隙割斷的所述外周壁進(jìn)行位置保持。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述殼體區(qū)的主側(cè)壁與所述外周壁圍設(shè)成與所述基材的一側(cè)連通的凹陷部。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述基材進(jìn)一步設(shè)置有填充于所述縫隙內(nèi)的絕緣材料，所述絕緣材料連接由所述縫隙所分割成的所述至少兩個(gè)殼體段并使得所述至少兩個(gè)殼體段彼此絕緣。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述絕緣材料在所述凹陷部?jī)?nèi)形成用于連接所述縫隙內(nèi)的所述絕緣材料的連接部。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述連接部設(shè)置成整體覆蓋所述縫隙。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的用于制造具有縫隙天線殼體的方法及其基材，通過(guò)在殼體區(qū)外側(cè)環(huán)周覆蓋設(shè)置一體結(jié)構(gòu)的連料區(qū)，然后在殼體區(qū)上切割出用于定義縫隙天線的縫隙，其中，該縫隙的深度為切割透過(guò)殼體區(qū)并且不會(huì)切割透過(guò)連料區(qū)，在對(duì)殼體區(qū)進(jìn)行縫隙填充時(shí)，由于連料區(qū)與殼體區(qū)為一體結(jié)構(gòu)，連料區(qū)可以可靠的實(shí)現(xiàn)對(duì)殼體區(qū)的固定，縫隙填充結(jié)束后，去除連料區(qū)且保留殼體區(qū)，進(jìn)而形成殼體。本發(fā)明的技術(shù)方案很好的解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)縫隙天線的固定方式存在的連接強(qiáng)度不夠，在加工時(shí)容易造成縫隙天線變形的技術(shù)問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是一種常見(jiàn)的設(shè)有縫隙天線外殼的示意圖；

圖2是縫隙天線外殼斷開(kāi)位置的剖視圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中一種對(duì)斷開(kāi)的外殼進(jìn)行固定的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖3中的局部放大視圖；

圖5是本發(fā)明用于制造具有縫隙天線的殼體的方法一實(shí)施例的流程示意圖；

圖6是基材切割完成縫隙后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是主側(cè)壁與連料區(qū)的切割后的剖視圖；

圖8是圖6中基材的局部放大示意圖；

圖9是基材的縫隙內(nèi)被填充絕緣材料后結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是圖9中的局部結(jié)構(gòu)放大示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。特別指出的是，以下實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明，但不對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。同樣的，以下實(shí)施例僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例而非全部實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例中的具有縫隙天線的殼體可以用于手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)終端設(shè)備。

請(qǐng)參閱圖5，圖5是本發(fā)明用于制造具有縫隙天線的殼體的方法一實(shí)施例的流程示意圖，該方法包括但不限以下步驟。

步驟S110，提供一基材，其中基材包括一體成型的殼體區(qū)和位于殼體區(qū)的外圍的連料區(qū)。

在該步驟中，由于基材包括的殼體區(qū)和位于殼體區(qū)外圍的連料區(qū)為一體結(jié)構(gòu)，后續(xù)將連料區(qū)去除后，剩余部分即為殼體，因此，此處的基材需要保證其尺寸要大于最后需要的殼體尺寸加上一定作為連料區(qū)的余量，而連料區(qū)的尺寸則根據(jù)需要的連接強(qiáng)度以及加工機(jī)臺(tái)的加工精度等因素來(lái)決定，此處不做具體限定。

步驟S120，在殼體區(qū)上切割出用于定義縫隙天線的縫隙，以使得殼體區(qū)被縫隙割斷成由連料區(qū)保持的至少兩個(gè)殼體段。

請(qǐng)參閱圖6，圖6是基材切割完成縫隙后的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例中圖示是以三條縫隙結(jié)構(gòu)的殼體為例，三條縫隙將殼體分為四段。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，還可以為一條、兩條或者多條縫隙結(jié)構(gòu)的天線外殼，此處不再一一列舉。

優(yōu)選地，在殼體區(qū)100上切割出用于定義縫隙天線的縫隙130時(shí)，是從凹陷部所在一側(cè)向相對(duì)的另一側(cè)切割基材，進(jìn)而形成與凹陷部重疊的縫隙130。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中最終成型的殼體作為一體結(jié)構(gòu)的移動(dòng)終端后蓋以及與后蓋環(huán)周一體結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。因此，在基材中的殼體區(qū)100則包括主側(cè)壁110(對(duì)應(yīng)成型后移動(dòng)終端的后蓋)和外周壁120(對(duì)應(yīng)成型后移動(dòng)終端的側(cè)壁)，而該連料區(qū)200優(yōu)選同時(shí)設(shè)在殼體區(qū)的主側(cè)壁110和外周壁120的外側(cè)，即殼體區(qū)100的主側(cè)壁110和外周壁120均為加厚的結(jié)構(gòu)，殼體區(qū)100的主側(cè)壁110與外周壁120圍設(shè)成與基材的一側(cè)連通的凹陷部，而連料區(qū)200位于殼體區(qū)100遠(yuǎn)離凹陷部的外側(cè)。其中，該凹陷部可以理解為后續(xù)成型后殼體的內(nèi)部，或者說(shuō)是成為移動(dòng)終端的內(nèi)部容置腔。

請(qǐng)參閱圖7，圖7是主側(cè)壁與連料區(qū)的切割后的剖視圖。該步驟中在殼體區(qū)上切割出用于定義縫隙天線的縫隙130時(shí)，將縫隙130的深度設(shè)置成割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200，進(jìn)而由連料區(qū)200對(duì)被縫隙130割斷的主側(cè)壁110進(jìn)行位置保持。圖示中主側(cè)壁110與連料區(qū)200之間的虛線表示為最后需要去除連料區(qū)200的位置，圖中D1表示為殼體主側(cè)壁110的厚度，D2表示與主側(cè)壁110一體連接的連料區(qū)200的厚度。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖6，優(yōu)選地，連料區(qū)200沿縫隙130的長(zhǎng)度方向上的尺寸L1設(shè)置成等于或大于主側(cè)壁110沿縫隙130的長(zhǎng)度方向上的尺寸L2，如此可以保證連料區(qū)200在主側(cè)壁110完整的縫隙130長(zhǎng)度上都可以與主側(cè)壁110之間進(jìn)行有效進(jìn)行連接，以保持殼體區(qū)100被切割的四個(gè)部分的位置。

進(jìn)一步優(yōu)選地，由于殼體區(qū)100的外周壁120外側(cè)也設(shè)有連料區(qū)200，因此還將縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷連料區(qū)200，進(jìn)而由連料區(qū)200同時(shí)對(duì)被縫隙130割斷的外周壁120以及主側(cè)壁110進(jìn)行位置保持。請(qǐng)參閱圖8，圖8是圖6中基材的局部放大示意圖。在縫隙130的延伸長(zhǎng)度上，其最外端與外周壁連料區(qū)200之間留有L3長(zhǎng)度的距離。

本實(shí)施例的圖示中給出的是殼體區(qū)100的外周壁120以及主側(cè)壁110均與連料區(qū)200連接；且從兩側(cè)來(lái)講，縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷連料區(qū)200，從深度來(lái)講，縫隙130設(shè)置成割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200；在其他實(shí)施例中，還可以設(shè)置為只在殼體區(qū)100的外周壁120或者主側(cè)壁110中的一者的外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200。

當(dāng)只在殼體區(qū)100的外周壁120外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200的結(jié)構(gòu)，在切割用于定義縫隙天線的縫隙時(shí)，只需保證將縫隙130設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷連料區(qū)200即可，而主側(cè)壁110則直接被切透，在后續(xù)加工過(guò)程中，只是利用到殼體區(qū)100的外周壁120外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200來(lái)為殼體區(qū)100進(jìn)行位置保持支撐。

而當(dāng)只在殼體區(qū)100的主側(cè)壁110外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200的結(jié)構(gòu)的情況下，在切割用于定義縫隙天線的縫隙時(shí)，則只需要保證將縫隙130設(shè)置成從深度上割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200，該種結(jié)構(gòu)的基材，在后續(xù)加工過(guò)程中，只是利用到殼體區(qū)100的主側(cè)壁110外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200來(lái)為殼體區(qū)100進(jìn)行位置保持支撐。

進(jìn)一步地，即使是殼體區(qū)100的外周壁120以及主側(cè)壁110均與連料區(qū)200連接，在切割用于定義縫隙天線的縫隙130時(shí)，也可以為只是從縫隙130的深度或者延伸長(zhǎng)度上來(lái)進(jìn)行約束。

譬如：只是從縫隙130的深度上進(jìn)行約束，可以為縫隙130設(shè)置成割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200，而縫隙130延伸兩側(cè)的外周壁120以及與外周壁120一體連接的連料區(qū)200可以被沿側(cè)向切割貫穿或者只要保證切斷外周壁120的厚度即可。

當(dāng)只是從縫隙130的延伸長(zhǎng)度上進(jìn)行約束時(shí)，則需要縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷與之一體連接的連料區(qū)200，即縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置為大于相對(duì)的兩外周壁120之間的距離，而小于延伸對(duì)應(yīng)的外周壁120外側(cè)連料區(qū)200的寬度，在深度上，則是要求只需保證切透(或者完全切斷)主側(cè)壁110即可，可以不用限定切到與主側(cè)壁110連接的連料區(qū)200深度，當(dāng)然也可以選擇完全切透與主側(cè)壁110連接的連料區(qū)200。

步驟S130，在縫隙內(nèi)填充絕緣材料，以使得絕緣材料連接由縫隙所分割成的至少兩個(gè)殼體段并使得至少兩個(gè)殼體段彼此絕緣。

其中，在縫隙內(nèi)填充絕緣材料的方法可以采用納米注塑工藝，關(guān)于納米注塑具體的工藝過(guò)程，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。

請(qǐng)一并參閱圖9和圖10，圖9是基材的縫隙內(nèi)被填充絕緣材料后結(jié)構(gòu)示意圖，圖10是圖9中的局部結(jié)構(gòu)放大示意圖。優(yōu)選地，在縫隙內(nèi)填充絕緣材料140的過(guò)程中，還可以利用絕緣材料在凹陷部?jī)?nèi)形成用于連接縫隙130內(nèi)的絕緣材料140的連接部150，該連接部150與縫隙內(nèi)絕緣材料140一體注塑成型，連接部150設(shè)置成整體覆蓋縫隙，進(jìn)而可以加強(qiáng)對(duì)縫隙130內(nèi)絕緣材料140的連接，同時(shí)也是為了便于在縫隙130內(nèi)注塑絕緣材料140工藝的實(shí)施過(guò)程。

步驟S140，從基材去除連料區(qū)且保留殼體區(qū)，進(jìn)而形成殼體。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7和圖10，在該步驟中，可以通過(guò)數(shù)控機(jī)床等設(shè)備將連料區(qū)200從基材上去除，同時(shí)去除凹陷部?jī)?nèi)形成的用于連接縫隙內(nèi)絕緣材料140的連接部150，留下的部分即為最終成型的殼體。而關(guān)于從基材去除連料區(qū)200的具體加工過(guò)程，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的用于制造具有縫隙天線殼體的方法，通過(guò)在殼體區(qū)外側(cè)環(huán)周覆蓋設(shè)置一體結(jié)構(gòu)的連料區(qū)，然后在殼體區(qū)上切割出用于定義縫隙天線的縫隙，其中，該縫隙的深度為切割透過(guò)殼體區(qū)并且不會(huì)切割透過(guò)連料區(qū)，在對(duì)殼體區(qū)進(jìn)行縫隙填充時(shí)，由于連料區(qū)與殼體區(qū)為一體結(jié)構(gòu)，連料區(qū)可以可靠的實(shí)現(xiàn)對(duì)殼體區(qū)的固定，縫隙填充結(jié)束后，去除連料區(qū)且保留殼體區(qū)，進(jìn)而形成殼體。本發(fā)明的技術(shù)方案很好的解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)縫隙天線的固定方式存在的連接強(qiáng)度不夠，在加工時(shí)容易造成縫隙天線變形的技術(shù)問(wèn)題。

進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種用于制造帶縫隙天線的殼體的基材，該基材包括一體成型的殼體區(qū)和位于殼體區(qū)外圍的連料區(qū)，連料區(qū)用于在縫隙天線的加工過(guò)程中對(duì)殼體區(qū)進(jìn)行位置保持。

由于基材包括的殼體區(qū)和位于殼體區(qū)外圍的連料區(qū)為一體結(jié)構(gòu)，后續(xù)將連料區(qū)去除后，剩余部分即為殼體，因此，此處的基材需要保證其尺寸要大于最后需要的殼體尺寸加上一定作為連料區(qū)的余量，而連料區(qū)的尺寸則根據(jù)需要的連接強(qiáng)度以及加工機(jī)臺(tái)的加工精度等因素來(lái)決定，此處不做具體限定。

優(yōu)選地，該基材進(jìn)一步設(shè)置有至少一縫隙，殼體區(qū)被縫隙割斷成由連料區(qū)保持的至少兩個(gè)殼體段。

請(qǐng)參閱圖6，圖6是基材切割完成縫隙后的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例中圖示是以三條縫隙結(jié)構(gòu)的殼體為例，三條縫隙將殼體分為四段。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，還可以為一條、兩條或者多條縫隙結(jié)構(gòu)的天線外殼，此處不再一一列舉。

優(yōu)選地，在殼體區(qū)100上切割出用于定義縫隙天線的縫隙130時(shí)，是從凹陷部所在一側(cè)向相對(duì)的另一側(cè)切割基材，進(jìn)而形成與凹陷部重疊的縫隙130。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中最終成型的殼體作為一體結(jié)構(gòu)的移動(dòng)終端后蓋以及與后蓋環(huán)周一體結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。因此，在基材中的殼體區(qū)100則包括主側(cè)壁110(對(duì)應(yīng)成型后移動(dòng)終端的后蓋)和外周壁120(對(duì)應(yīng)成型后移動(dòng)終端的側(cè)壁)，而該連料區(qū)200優(yōu)選同時(shí)設(shè)在殼體區(qū)的主側(cè)壁110和外周壁120的外側(cè)，即殼體區(qū)100的主側(cè)壁110和外周壁120均為加厚的結(jié)構(gòu)，殼體區(qū)100的主側(cè)壁110與外周壁120圍設(shè)成與基材的一側(cè)連通的凹陷部，而連料區(qū)200位于殼體區(qū)100遠(yuǎn)離凹陷部的外側(cè)。其中，該凹陷部可以理解為后續(xù)成型后殼體的內(nèi)部，或者說(shuō)是成為移動(dòng)終端的內(nèi)部容置腔。

請(qǐng)參閱圖7，圖7是主側(cè)壁與連料區(qū)的切割后的剖視圖。該步驟中在殼體區(qū)上切割出用于定義縫隙天線的縫隙130時(shí)，將縫隙130的深度設(shè)置成割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200，進(jìn)而由連料區(qū)200對(duì)被縫隙130割斷的主側(cè)壁110進(jìn)行位置保持。圖示中主側(cè)壁110與連料區(qū)200之間的虛線表示為最后需要去除連料區(qū)200的位置，圖中D1表示為殼體主側(cè)壁110的厚度，D2表示與主側(cè)壁110一體連接的連料區(qū)200的厚度。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖6，優(yōu)選地，連料區(qū)200沿縫隙130的長(zhǎng)度方向上的尺寸L1設(shè)置成等于或大于主側(cè)壁110沿縫隙130的長(zhǎng)度方向上的尺寸L2，如此可以保證連料區(qū)200在主側(cè)壁110完整的縫隙130長(zhǎng)度上都可以與主側(cè)壁110之間進(jìn)行有效進(jìn)行連接，以保持殼體區(qū)100被切割的四個(gè)部分的位置。

進(jìn)一步優(yōu)選地，由于殼體區(qū)100的外周壁120外側(cè)也設(shè)有連料區(qū)200，因此還將縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷連料區(qū)200，進(jìn)而由連料區(qū)200同時(shí)對(duì)被縫隙130割斷的外周壁120以及主側(cè)壁110進(jìn)行位置保持。請(qǐng)參閱圖8，圖8是圖6中基材的局部放大示意圖。在縫隙130的延伸長(zhǎng)度上，其最外端與外周壁連料區(qū)200之間留有L3長(zhǎng)度的距離。

本實(shí)施例的圖示中給出的是殼體區(qū)100的外周壁120以及主側(cè)壁110均與連料區(qū)200連接；且從兩側(cè)來(lái)講，縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷連料區(qū)200，從深度來(lái)講，縫隙130設(shè)置成割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200；在其他實(shí)施例中，還可以設(shè)置為只在殼體區(qū)100的外周壁120或者主側(cè)壁110中的一者的外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200。

當(dāng)只在殼體區(qū)100的外周壁120外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200的結(jié)構(gòu)，在切割用于定義縫隙天線的縫隙時(shí)，只需保證將縫隙130設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷連料區(qū)200即可，而主側(cè)壁110則直接被切透，在后續(xù)加工過(guò)程中，只是利用到殼體區(qū)100的外周壁120外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200來(lái)為殼體區(qū)100進(jìn)行位置保持支撐。

而當(dāng)只在殼體區(qū)100的主側(cè)壁110外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200的結(jié)構(gòu)的情況下，在切割用于定義縫隙天線的縫隙時(shí)，則只需要保證將縫隙130設(shè)置成從深度上割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200，該種結(jié)構(gòu)的基材，在后續(xù)加工過(guò)程中，只是利用到殼體區(qū)100的主側(cè)壁110外側(cè)一體設(shè)置連料區(qū)200來(lái)為殼體區(qū)100進(jìn)行位置保持支撐。

進(jìn)一步地，即使是殼體區(qū)100的外周壁120以及主側(cè)壁110均與連料區(qū)200連接，在切割用于定義縫隙天線的縫隙130時(shí)，也可以為只是從縫隙130的深度或者延伸長(zhǎng)度上來(lái)進(jìn)行約束。

譬如：只是從縫隙130的深度上進(jìn)行約束，可以為縫隙130設(shè)置成割斷主側(cè)壁110但不割斷與之連接的連料區(qū)200，而縫隙130延伸兩側(cè)的外周壁120以及與外周壁120一體連接的連料區(qū)200可以被沿側(cè)向切割貫穿或者只要保證切斷外周壁120的厚度即可。

當(dāng)只是從縫隙130的延伸長(zhǎng)度上進(jìn)行約束時(shí)，則需要縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置成割斷外周壁120但不割斷與之一體連接的連料區(qū)200，即縫隙130的長(zhǎng)度設(shè)置為大于相對(duì)的兩外周壁120之間的距離，而小于延伸對(duì)應(yīng)的外周壁120外側(cè)連料區(qū)200的寬度，在深度上，則是要求只需保證切透(或者完全切斷)主側(cè)壁110即可，可以不用限定切到與主側(cè)壁110連接的連料區(qū)200深度，當(dāng)然也可以選擇完全切透與主側(cè)壁110連接的連料區(qū)200。

該基材進(jìn)一步設(shè)置有填充于縫隙130內(nèi)的絕緣材料140，絕緣材料140連接由縫隙130所分割成的至少兩個(gè)殼體段并使得至少兩個(gè)殼體段彼此絕緣。

其中，在縫隙內(nèi)填充絕緣材料的方法可以采用納米注塑工藝，關(guān)于納米注塑具體的工藝過(guò)程，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。

請(qǐng)一并參閱圖9和圖10，圖9是基材的縫隙內(nèi)被填充絕緣材料后結(jié)構(gòu)示意圖，圖10是圖9中的局部結(jié)構(gòu)放大示意圖。優(yōu)選地，在縫隙內(nèi)填充絕緣材料140的過(guò)程中，還可以利用絕緣材料在凹陷部?jī)?nèi)形成用于連接縫隙130內(nèi)的絕緣材料140的連接部150，該連接部150與縫隙內(nèi)絕緣材料140一體注塑成型，連接部150設(shè)置成整體覆蓋縫隙，進(jìn)而可以加強(qiáng)對(duì)縫隙130內(nèi)絕緣材料140的連接，同時(shí)也是為了便于在縫隙130內(nèi)注塑絕緣材料140工藝的實(shí)施過(guò)程。

在最終形成殼體時(shí)，可以通過(guò)數(shù)控機(jī)床等設(shè)備將連料區(qū)200從基材上去除，同時(shí)去除凹陷部?jī)?nèi)形成的用于連接縫隙內(nèi)絕緣材料140的連接部150，留下的部分即為最終成型的殼體。而關(guān)于從基材去除連料區(qū)200的具體加工過(guò)程，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的用于制造具有縫隙天線殼體的基材，通過(guò)設(shè)置一體結(jié)構(gòu)的殼體區(qū)和連料區(qū)，然后在殼體區(qū)上設(shè)置用于定義縫隙天線的縫隙，其中，該縫隙的深度為切割透過(guò)殼體區(qū)并且不會(huì)切割透過(guò)連料區(qū)，在對(duì)殼體區(qū)進(jìn)行縫隙填充時(shí)，由于連料區(qū)與殼體區(qū)為一體結(jié)構(gòu)，連料區(qū)可以可靠的實(shí)現(xiàn)對(duì)殼體區(qū)的固定，縫隙填充結(jié)束后，去除連料區(qū)且保留殼體區(qū)，即可形成殼體。本發(fā)明的技術(shù)方案很好的解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)縫隙天線的固定方式存在的連接強(qiáng)度不夠，在加工時(shí)容易造成縫隙天線變形的技術(shù)問(wèn)題。

以上所述僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效裝置或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。