1.一種多柵極器件，包括：
-一組有區(qū)別的輸入?yún)^(qū)域；
-一個輸出區(qū)域；
-每一個區(qū)域包括夾在自由層疊層和硬層之間的非磁性層，
-自由層疊層包括：
i.籽層上的主體PMA層；
ii.在所述主體PMA層上，與所述非磁性層接觸的磁性層；以及
每一個區(qū)域至少共享所述主體PMA層和所述籽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵極器件，其特征在于，每一個區(qū)域還共享所述磁性層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多柵極器件，其特征在于，每一個區(qū)域還共享所述非磁性層。
4.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，每一個區(qū)域還共享所述硬層的氧化部分。
5.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，所述主體PMA層包括雙層的預定重復，所述雙層包括第一層和第二層。
6.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，所述預定重復是兩次或更多次。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，所述第一層和第二層具有在0.2nm和2nm的范圍內(nèi)的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7所述的多柵極器件，其特征在于，所述第一層包含F(xiàn)eB、Fe、Co、FeCo中的任一種而所述第二層包含Ni、Pd、Pt、Tb、TbCo、TbFe中的任一種。
9.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，所述主體PMA層包含F(xiàn)ePt、CoPt、TbCoFe合金和MnxAy合金中的任一種，其中A從Al、Ga或GE中挑選并且0<x、y。
10.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，所述自由磁性層進一步包括夾在所述磁性層和所述本征主體PMA多層之間的分界層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多柵極器件，其特征在于，每一個區(qū)域還共享所述分界層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的多柵極器件，其特征在于，所述分界層包含適于增強所述磁性層的紋理且提供所述主體PMA層和所述磁性層之間的鐵磁耦合的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12所述的多柵極器件，其特征在于，所述分界層包含從Ta、Mo、W、V、Ru挑選的材料或者從CoFeBX、CoX、FeX、FeCoX中的任一種挑選的合金，其中X從Ta、Mo、W、V、Ru中的任一種挑選。
14.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，所述籽層包含Pt、Ru、Ta、NiCr、Hf、TaN、W、Mo中的任一種、以及其任何組合。
15.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，所述磁性層包含F(xiàn)e、CoFe、CoFeB、FeB、CoB中的任一種、以及其任何組合。
16.根據(jù)在前權(quán)利要求中的任一項所述的多柵極器件，其特征在于，區(qū)域包括圖案化柱，所述柱包括非共享層。
17.一種多柵極器件的制造方法，所述方法包括：
-設(shè)置層的疊層，包括：
設(shè)置籽層；
在所述籽層上設(shè)置本征主體PMA多層；
在所述本征主體PMA多層上設(shè)置鐵磁層；
在所述鐵磁層上設(shè)置非磁性層；
在所述非磁性層上設(shè)置硬層；
-形成一組有區(qū)別的輸入?yún)^(qū)域和一個輸出區(qū)域，包括圖案化所述硬層的至少一部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的多柵極器件的制造方法，所述方法進一步包括：在設(shè)置所述鐵磁層的步驟之前，在所述本征主體PMA多層上設(shè)置分界層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的多柵極器件的制造方法，其特征在于，形成所述一組有區(qū)別的輸入?yún)^(qū)域和輸出區(qū)域進一步包括：圖案化所述硬層、以及在圖案化所述硬層之后圖案化所述非磁性層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多柵極器件的制造方法，其特征在于，形成所述一組有區(qū)別的輸入?yún)^(qū)域和輸出區(qū)域進一步包括：在圖案化所述非磁性層之后圖案化所述鐵磁層。
21.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的多柵極器件的制造方法，其特征在于，形成所述一組有區(qū)別的輸入?yún)^(qū)域和輸出區(qū)域進一步包括：氧化所述硬層的非圖案化部分。